節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯,為解決現(xiàn)有技術(shù)火焰利用率低問題,包括熔化池;所述熔化池為中部向一側(cè)彎曲凸出、由兩段并列直段和一段彎頭段組成的V形或者U形熔化池,所述熔化池的兩直段端面上分別配置所述小爐或者燃燒器和帶換向器的蓄熱室,所述熔化池的兩直段端部側(cè)配置對(duì)稱的端置加料口;所述熔化池在其兩直段與彎頭段之間配置下方有流液洞的間隔墻將熔化池分隔成兩邊并列的熔化區(qū)和端部澄清區(qū),所述熔化池在其彎頭段端面的池壁上配置取料口。具有火焰利用率高,顯著降低尾氣和粉塵排放,使用壽命長(zhǎng),節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種玻璃熔窯,特別是涉及一種節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)玻璃熔窯為馬蹄焰窯,經(jīng)本發(fā)明人調(diào)查發(fā)現(xiàn)存在能耗高、原料粉塵污染等問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種火焰利用率高的節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯包括熔化池和窯頂以及連接窯頂和熔化池的胸墻、加料口和取料口,胸墻配有小爐或者燃燒器和帶換向器的蓄熱室;其特征別之處于所述熔化池為中部向一側(cè)彎曲凸出、由兩段并列直段和一段彎頭段組成的V形或者U形熔化池,所述V形或者U形熔化池的兩直段端面上分別配置所述小爐或者燃燒器和帶換向器的蓄熱室,所述V形或者U形熔化池的兩直段端部側(cè)配置對(duì)稱的端置加料口 ;所述熔化池在其兩直段與彎頭段之間配置下方有流液洞的間隔墻將熔化池分隔成兩邊并列的熔化區(qū)和端部澄清區(qū),所述熔化池在其彎頭段端面的池壁上配置取料口。其具有火焰利用率高,顯著降低尾氣和粉塵排放,使用壽命長(zhǎng),節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]作為優(yōu)化,所述V形或者U形熔化池兩直段內(nèi)側(cè)邊內(nèi)端直接相接或者與彎頭段內(nèi)周邊相接;與所述兩直段外側(cè)邊相接的所述彎頭段外周邊為弧形或者為弧形兩側(cè)邊連接接直線形端邊或者為兩直段外側(cè)邊延長(zhǎng)成的直線兩側(cè)邊連接直線端邊;所述熔化區(qū)深度大于所述澄清區(qū)深度。
[0006]作為優(yōu)化,所述彎頭段內(nèi)周邊為直線形或者弧形;所述熔化區(qū)深度為0.9m左右,所述澄清區(qū)深度為0.2-0.3m。
[0007]作為優(yōu)化,所述熔化池中心線總長(zhǎng)20-90米,所述熔化池深0.2-0.9m ;所述熔化池
底為強(qiáng)保溫池底;所述間隔墻的高度與熔化池壁高度一致。
[0008]作為優(yōu)化,所述強(qiáng)保溫池底由上至下的層次結(jié)構(gòu)依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層、粘土磚層和保溫磚層;所述間隔墻和熔化池壁頂部與液面的距離都為5CM左右。
[0009]作為優(yōu)化,所述澄清區(qū)的池底層次結(jié)構(gòu)由上至下依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層;所述間隔墻與熔化池的直段內(nèi)側(cè)邊垂直或者夾角小于90度。
[0010]作為優(yōu)化,所述端置加料口為并列配置的兩對(duì)四個(gè);所述取料口進(jìn)一步連接玻璃液深加工設(shè)備;所述加料口為前端寬后端窄的喇叭口型薄層加料口 ;所述加料口為配有帶電加熱預(yù)熔設(shè)備的加料預(yù)熔室。
[0011]作為優(yōu)化,所述取料口通過主料道和分料道連接玻璃液深加工設(shè)備;所述取料口是外端配有澄清冷卻室的冷卻取料口。
[0012]作為優(yōu)化,所述電加熱預(yù)熔設(shè)備包括通過向玻璃料表層輻射熱量熔化玻璃料表層的料層上方硅碳棒;所述取料口通過主料道和與主料道同向的兩個(gè)并列的分料道連接玻璃液深加工設(shè)備;所述取料口外端配有澄清冷卻室,所述澄清冷卻室是內(nèi)端與取料口聯(lián)通,夕卜端與所述主料道聯(lián)通或者與玻璃液深加工設(shè)備聯(lián)通上方敞口的矩形熔融玻璃池,所述矩形熔融玻璃池由內(nèi)至外的層次結(jié)構(gòu)依次是電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層。
[0013]作為優(yōu)化,所述電加熱預(yù)熔設(shè)備有設(shè)置在玻璃料層內(nèi)的鑰電極。
[0014]其是利用縱向長(zhǎng)橫向短的長(zhǎng)方形熔窯,兩短邊胸墻配置相對(duì)分布小爐、燃燒系統(tǒng)、蓄熱室、換向器,定時(shí)換向的一種縱向火焰熔窯,長(zhǎng)徑縱向火焰對(duì)熔窯池內(nèi)的浮法玻璃料進(jìn)行熔化加熱,通過熔窯內(nèi)橫向設(shè)置兩道隔墻將熔化池隔分為三個(gè)池,熔窯V形或弧形中部外邊設(shè)置冷卻池一個(gè)。通過在冷卻池取玻璃液成型和在弧形熔窯的兩個(gè)長(zhǎng)邊胸墻兩端各配置多個(gè)加料口加料達(dá)到節(jié)能、環(huán)保、優(yōu)質(zhì)、延長(zhǎng)熔窯使用壽命、一窯多個(gè)產(chǎn)品的目的。
[0015]是將傳統(tǒng)的橫向火焰窯(橫向火焰行程長(zhǎng)度在6M-16M左右,火焰在熔化池內(nèi)停留一秒鐘左右)改為縱向火焰窯??v向火焰行程長(zhǎng)度20M-130M,(根據(jù)客戶要求熔窯出料量定火焰長(zhǎng)短)火焰在熔化池內(nèi)停留七秒鐘左右,實(shí)現(xiàn)熱能充分利用,比橫向火焰窯節(jié)能25%左右,傳統(tǒng)浮法玻璃窯池底薄(0.5M左右)不保溫,本發(fā)明熔窯采用池底強(qiáng)保溫(1M以上),其實(shí)現(xiàn)方法是采用電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層、粘土磚層和保溫磚層由上至下的池底層次結(jié)構(gòu)。比池底不保溫的傳統(tǒng)橫向火焰窯節(jié)能5%左右,本發(fā)明新型熔窯比傳統(tǒng)熔窯共計(jì)節(jié)能30%左右。
[0016]是通過在V形或弧形熔窯的兩個(gè)長(zhǎng)邊胸墻端側(cè)設(shè)置多個(gè)前端寬后端窄的喇叭口型薄層加料口,喇叭口型是讓熔窯池內(nèi)空間溫度向加料口內(nèi)輻射,在加料口玻璃料層內(nèi)安置鑰電極對(duì)原料電加熱,加料口上部安置硅碳棒,對(duì)原料表層加熱預(yù)熔,實(shí)現(xiàn)基本無玻璃原料粉塵污染,粉塵污染物減排95%左右。根據(jù)權(quán)利要求2所述節(jié)能30%左右就相對(duì)減少二氧化碳、二氧化硫污染物排放30%左右;減少粉塵污染物排放95%左右。
[0017]是通過在熔化池內(nèi)中部設(shè)置三道橫向隔墻,將V形或弧形的熔化池隔分成三個(gè)池,兩端每邊一個(gè)高溫熔化池,V形或弧形中部設(shè)置一個(gè)排氣泡池。在兩邊的橫向隔墻底部各設(shè)一大(90%的料通過)一小(10%的料通過)的流液洞。一方面將浮渣擋在熔化區(qū),另一方面90%的料遠(yuǎn)離取料口,玻璃液在微壓力淺區(qū)充分排凈氣泡。小流液洞(10%過料)讓兩個(gè)熔化區(qū)沒有死料,大大提高玻璃液質(zhì)量。兩道橫向隔墻的高度與熔窯(電熔磚)池壁磚一致,既能阻擋玻璃液,又能讓縱向火焰在熔窯內(nèi)順利縱向通過。
[0018]是通過采用縱向火焰在熔窯停留時(shí)間長(zhǎng)消耗了熱能,進(jìn)入蓄熱室火焰溫度約1000度左右,比橫向火焰窯蓄熱室溫度低300度左右,蓄熱室溫度低,使用壽命就長(zhǎng)。本發(fā)明還有一個(gè)特點(diǎn),熔化面積寬、出料率低。熔化溫度設(shè)計(jì)1520度左右,比傳統(tǒng)熔窯(同材質(zhì))可延長(zhǎng)熔窯使用壽命一倍左右(15年左右)。
[0019]是在熔窯V形或弧形中部外邊設(shè)置冷卻池一個(gè),將玻璃液冷卻后通過取料口去成型各類產(chǎn)品。
[0020]采用上述技術(shù)方案后,本實(shí)用新型節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯具有火焰利用率高,顯著降低尾氣和粉塵排放,使用壽命長(zhǎng),節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1是本實(shí)用新型節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯的俯視結(jié)構(gòu)示意圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0022]如圖所示,本實(shí)用新型節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯包括熔化池I和窯頂以及連接窯頂和熔化池的胸墻、加料口 2和取料口 3,胸墻配有小爐4 (或者燃燒器)和帶換向器的蓄熱室5 ;所述熔化池I為中部向一側(cè)彎曲凸出、由兩段并列直段和一段彎頭段組成的V形(或者U形)熔化池,所述V形(或者U形)熔化池I的兩直段端面上分別配置所述小爐4 (或者燃燒器)和帶換向器的蓄熱室5,所述V形(或者U形)熔化池I的兩直段端部側(cè)配置對(duì)稱的共計(jì)四個(gè)端置加料口 ;所述熔化池I在其兩直段與彎頭段之間配置下方有流液洞7的間隔墻6將熔化池I分隔成兩邊并列的深熔化區(qū)10和淺端部澄清區(qū)11,所述熔化池深
0.2-0.9m,優(yōu)選所述熔化區(qū)10深度為0.9m左右,所述澄清區(qū)11深度為0.2-0.3m。所述熔化池I在其彎頭段端面的池壁上配置取料口 3。所述V形(或者U形)熔化池I兩直段內(nèi)側(cè)邊內(nèi)端直接相接(或者與彎頭段內(nèi)周邊相接,所述彎頭段內(nèi)周邊為直線形或者弧形);與所述兩直段外側(cè)邊相接的所述彎頭段外周邊為弧形(或者為弧形兩側(cè)邊連接接直線形端邊或者為兩直段外側(cè)邊延長(zhǎng)成的直線兩側(cè)邊連接直線端邊)。所述間隔墻6與熔化池I的直段內(nèi)側(cè)邊夾角小于90度(或者與熔化池的直段內(nèi)側(cè)邊垂直)。
[0023]優(yōu)選所述熔化池中心線總長(zhǎng)20-90米,所述熔化池底為強(qiáng)保溫池底,所述強(qiáng)保溫池底由上至下的層次結(jié)構(gòu)依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層、粘土磚層和保溫磚層;所述間隔墻6的高度與熔化池壁高度一致。所述間隔墻6和熔化池壁頂部與液面的距離都為5CM左右。所述澄清區(qū)11的池底層次結(jié)構(gòu)由上至下依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層。
[0024]所述取料口 3通過主料道9和分料道進(jìn)一步連接玻璃液深加工設(shè)備;所述加料口2為前端寬后端窄的喇叭口型薄層加料口 ;所述加料口 2為配有帶電加熱預(yù)熔設(shè)備的加料預(yù)熔室。所述電加熱預(yù)熔設(shè)備包括通過向玻璃料表層輻射熱量熔化玻璃料表層的料層上方硅碳棒;所述電加熱預(yù)熔設(shè)備有設(shè)置在玻璃料層內(nèi)的鑰電極。
[0025]所述取料口 3是外端配有澄清冷卻室8的冷卻取料口。所述澄清冷卻室8是內(nèi)端與取料口聯(lián)通,外端與所述主料道聯(lián)通或者與玻璃液深加工設(shè)備聯(lián)通上方敞口的矩形熔融玻璃池,所述矩形熔融玻璃池由內(nèi)至外的層次結(jié)構(gòu)依次是電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層。
[0026]其是利用縱向長(zhǎng)橫向短的長(zhǎng)方形熔窯,兩短邊胸墻配置相對(duì)分布小爐、燃燒系統(tǒng)、蓄熱室、換向器,定時(shí)換向的一種縱向火焰熔窯,長(zhǎng)徑縱向火焰對(duì)熔窯池內(nèi)的浮法玻璃料進(jìn)行熔化加熱,通過熔窯內(nèi)橫向設(shè)置兩道隔墻將熔化池隔分為三個(gè)池,熔窯V形或弧形中部外邊設(shè)置冷卻池一個(gè)。通過在冷卻池取玻璃液成型和在弧形熔窯的兩個(gè)長(zhǎng)邊胸墻兩端各配置多個(gè)加料口加料達(dá)到節(jié)能、環(huán)保、優(yōu)質(zhì)、延長(zhǎng)熔窯使用壽命、一窯多個(gè)產(chǎn)品的目的。
[0027]是將傳統(tǒng)的橫向火焰窯(橫向火焰行程長(zhǎng)度在6M-16M左右,火焰在熔化池內(nèi)停留一秒鐘左右)改為縱向火焰窯??v向火焰行程長(zhǎng)度20M-130M,(根據(jù)客戶要求熔窯出料量定火焰長(zhǎng)短)火焰在熔化池內(nèi)停留七秒鐘左右,實(shí)現(xiàn)熱能充分利用,比橫向火焰窯節(jié)能25%左右,傳統(tǒng)浮法玻璃窯池底薄(0.5M左右)不保溫,本發(fā)明熔窯采用池底強(qiáng)保溫(1M以上),其實(shí)現(xiàn)方法是采用電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層、粘土磚層和保溫磚層由上至下的池底層次結(jié)構(gòu)。比池底不保溫的傳統(tǒng)橫向火焰窯節(jié)能5 %左右,本發(fā)明新型熔窯比傳統(tǒng)熔窯共計(jì)節(jié)能30%左右。
[0028]是通過在V形或弧形熔窯的兩個(gè)長(zhǎng)邊胸墻端側(cè)設(shè)置多個(gè)前端寬后端窄的喇叭口型薄層加料口,喇叭口型是讓熔窯池內(nèi)空間溫度向加料口內(nèi)輻射,在加料口玻璃料層內(nèi)安置鋁電極對(duì)原料電加熱,加料口上部安置硅碳棒,對(duì)原料表層加熱預(yù)熔,實(shí)現(xiàn)基本無玻璃原料粉塵污染,粉塵污染物減排95%左右。根據(jù)權(quán)利要求2所述節(jié)能30%左右就相對(duì)減少二氧化碳、二氧化硫污染物排放30%左右;減少粉塵污染物排放95%左右。
[0029]是通過在熔化池內(nèi)中部設(shè)置三道橫向隔墻,將V形或弧形的熔化池隔分成三個(gè)池,兩端每邊一個(gè)高溫熔化池,V形或弧形中部設(shè)置一個(gè)排氣泡池。在兩邊的橫向隔墻底部各設(shè)一大(90%的料通過)一小(10%的料通過)的流液洞。一方面將浮渣擋在熔化區(qū),另一方面90%的料遠(yuǎn)離取料口,玻璃液在微壓力淺區(qū)充分排凈氣泡。小流液洞(10%過料)讓兩個(gè)熔化區(qū)沒有死料,大大提高玻璃液質(zhì)量。兩道橫向隔墻的高度與熔窯(電熔磚)池壁磚一致,既能阻擋玻璃液,又能讓縱向火焰在熔窯內(nèi)順利縱向通過。
[0030]是通過采用縱向火焰在熔窯停留時(shí)間長(zhǎng)消耗了熱能,進(jìn)入蓄熱室火焰溫度約1000度左右,比橫向火焰窯蓄熱室溫度低300度左右,蓄熱室溫度低,使用壽命就長(zhǎng)。本發(fā)明還有一個(gè)特點(diǎn),熔化面積寬、出料率低。熔化溫度設(shè)計(jì)1520度左右,比傳統(tǒng)熔窯(同材質(zhì))可延長(zhǎng)熔窯使用壽命一倍左右(15年左右)。
[0031]是在熔窯V形或弧形中部外邊設(shè)置冷卻池一個(gè),將玻璃液冷卻后通過取料口去成型各類產(chǎn)品。
[0032]其具有火焰利用率高,顯著降低尾氣和粉塵排放,使用壽命長(zhǎng),節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
【權(quán)利要求】
1.一種節(jié)能環(huán)保彎形玻璃熔窯,包括熔化池和窯頂以及連接窯頂和熔化池的胸墻、力口料口和取料口,胸墻配有小爐或者燃燒器和帶換向器的蓄熱室;其特征在于所述熔化池為中部向一側(cè)彎曲凸出、由兩段并列直段和一段彎頭段組成的V形或者U形熔化池,所述V形或者U形熔化池的兩直段端面上分別配置所述小爐或者燃燒器和帶換向器的蓄熱室,所述V形或者U形熔化池的兩直段端部側(cè)配置對(duì)稱的端置加料口 ;所述熔化池在其兩直段與彎頭段之間配置下方有流液洞的間隔墻將熔化池分隔成兩邊并列的熔化區(qū)和端部澄清區(qū),所述熔化池在其彎頭段端面的池壁上配置取料口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述玻璃熔窯,其特征在于所述V形或者U形熔化池兩直段內(nèi)側(cè)邊內(nèi)端直接相接或者與彎頭段內(nèi)周邊相接;與所述兩直段外側(cè)邊相接的所述彎頭段外周邊為弧形或者為弧形兩側(cè)邊連接接直線形端邊或者為兩直段外側(cè)邊延長(zhǎng)成的直線兩側(cè)邊連接直線端邊;所述熔化區(qū)深度大于所述澄清區(qū)深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述玻璃熔窯,其特征在于所述彎頭段內(nèi)周邊為直線形或者弧形;所述熔化區(qū)深度為0.9m左右,所述澄清區(qū)深度為0.2-0.3m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述玻璃熔窯,其特征在于所述熔化池中心線總長(zhǎng)20-90米,所述熔化池深0.2-0.9m ;所述熔化池底為強(qiáng)保溫池底;所述間隔墻的高度與熔化池壁高度一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述玻璃熔窯,其特征在于所述強(qiáng)保溫池底由上至下的層次結(jié)構(gòu)依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層、粘土磚層和保溫磚層;所述間隔墻和熔化池壁頂部與液面的距離都為5CM左右。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述玻璃熔窯,其特征在于所述澄清區(qū)的池底層次結(jié)構(gòu)由上至下依次包括電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層;所述間隔墻與熔化池的直段內(nèi)側(cè)邊垂直或者夾角小于90度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述玻璃熔窯,其特征在于所述端置加料口為并列配置的兩對(duì)四個(gè);所述取料口進(jìn)一步連接玻璃液深加工設(shè)備;所述加料口為前端寬后端窄的喇叭口型薄層加料口 ;所述加料口為配有帶電加熱預(yù)熔設(shè)備的加料預(yù)熔室。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述玻璃熔窯,其特征在于所述取料口通過主料道和分料道連接玻璃液深加工設(shè)備;所述取料口是外端配有澄清冷卻室的冷卻取料口。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述玻璃熔窯,其特征在于所述電加熱預(yù)熔設(shè)備包括通過向玻璃料表層輻射熱量熔化玻璃料表層的料層上方硅碳棒;所述取料口通過主料道和與主料道同向的兩個(gè)并列的分料道連接玻璃液深加工設(shè)備;所述取料口外端配有澄清冷卻室,所述澄清冷卻室是內(nèi)端與取料口聯(lián)通,外端與所述主料道聯(lián)通或者與玻璃液深加工設(shè)備聯(lián)通上方敞口的矩形熔融玻璃池,所述矩形熔融玻璃池由內(nèi)至外的層次結(jié)構(gòu)依次是電熔磚層、搗打料層、高鋁磚層和粘土磚層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述玻璃熔窯,其特征在于所述電加熱預(yù)熔設(shè)備有設(shè)置在玻璃料層內(nèi)的鋁電極。
【文檔編號(hào)】C03B5/42GK203683350SQ201420026056
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月14日
【發(fā)明者】肖自江, 肖志軍, 肖志華, 肖志海, 聶子城, 毛光明 申請(qǐng)人:肖自江, 肖志軍, 肖志華, 肖志海, 聶子城, 毛光明