一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。在玻璃基底表面形成TiCl4-ZnO層，使玻璃基底兩面附著Zn2+-Ti4+離子對(duì)，增大了玻璃基底的表面粗糙度、粘結(jié)力和散射能力，使更多的光可以進(jìn)入到基板中。采用折射率高于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，且玻璃基板背面附著有Zn2+-Ti4+，全反射現(xiàn)象可以消除，進(jìn)入到玻璃基板的光再次進(jìn)行散射，從而出射到空氣中，提高出光效率。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和導(dǎo)電陽(yáng)極之間夾有一層或多層有機(jī)薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽(yáng)極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽(yáng)極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì)發(fā)光，然后光從電極發(fā)出。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜(ITO)玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會(huì)先經(jīng)過(guò)ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再進(jìn)行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，但是玻璃和ITO界面之間存在折射率差，會(huì)使光從ITO到達(dá)玻璃時(shí)發(fā)生全反射，造成出光的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明旨在提供一種具有較高出光效率的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的TiCl4-ZnO層、玻璃基底、TiCl4-ZnO層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述TiCl4-ZnO層的材質(zhì)為四氯化鈦和氧化鋅的混合物。
[0007]在清潔的玻璃基底兩面均設(shè)置有TiCl4-ZnO層。
[0008]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率大于90%。
[0009]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號(hào)為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41和N-LASF44中的一種。
[0010]該牌號(hào)為德國(guó)肖特牌號(hào)(SCH0TT)，其中，N-LAF36玻璃的國(guó)際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國(guó)際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國(guó)際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國(guó)際玻璃碼是 804465.444。
[0011]TiCl4-ZnO層的材質(zhì)為四氯化鈦和氧化鋅的混合物。TiCl4-ZnO層以薄膜的形式附著在玻璃基底表面。
[0012]優(yōu)選地，氧化鋅粒徑為50?200nm。
[0013]在玻璃基底表面形成TiCl4-ZnO層，使玻璃基底兩面附著Zn2+-Ti4+離子對(duì)，增大了玻璃基底的表面粗糙度，因此，在制備導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜時(shí)(如ΙΤ0)，可以使ITO等與玻璃表面連接緊密，增強(qiáng)粘結(jié)力，同時(shí)，基板的粗糙度可以對(duì)光有很明顯的散射作用，提高了散射強(qiáng)度，使更多的光可以進(jìn)入到基板中。
[0014]透明導(dǎo)電薄膜的折射率為1.7?1.8，而本發(fā)明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，就是從光疏介質(zhì)到達(dá)光密介質(zhì)，全反射現(xiàn)象可以消除，這樣就會(huì)使更多的光入射到玻璃基底中，而玻璃基板背面有Zn2+-Ti4+,可以使進(jìn)入到玻璃基板的光再次進(jìn)行散射，從而出射到空氣中，達(dá)到提高出光效率的目的。
[0015]在TiCl4-ZnO層上設(shè)置陽(yáng)極。
[0016]優(yōu)選地，陽(yáng)極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)和銦鋅氧化物(IZO)中的一種。更優(yōu)選地，陽(yáng)極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0017]優(yōu)選地，陽(yáng)極的厚度為80?300nm。更優(yōu)選地，陽(yáng)極的厚度為120nm。
[0018]在陽(yáng)極上依次設(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0019]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)和五氧化二釩(V2O5)中的一種。更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為Mo03。
[0020]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為20?80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0021]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 N, N’ - 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)中的一種。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB。
[0022]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為20?60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0023]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)和8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的一種。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi。
[0024]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為30nm。
[0025]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的一種。
[0026]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4_叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ。
[0027]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為40?80nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為45nm。
[0028]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)和金(Au )中的一種。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁。
[0029]優(yōu)選地，陰極的厚度為80?250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0030]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0031]提供清潔的玻璃基底；
[0032]將氧化鋅加入四氯化鈦水溶液配置混合溶液，然后將所述玻璃基底加入所述混合溶液中，于50?100° C保溫20?60分鐘，取出后洗凈、煅燒，在所述玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO 層；
[0033]在所述TiCl4-ZnO層上磁控濺射制備陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0034]通過(guò)對(duì)玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有機(jī)污染物。
[0035]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗，然后放在異丙醇中浸泡過(guò)夜，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，得到清潔的玻璃基底。
[0036]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，且對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率大于90%。
[0037]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號(hào)為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41和N-LASF44中的一種。
[0038]該牌號(hào)為德國(guó)肖特牌號(hào)(SCHOTT),其中，N-LAF36玻璃的國(guó)際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國(guó)際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國(guó)際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國(guó)際玻璃碼是 804465.444。
[0039]TiCl4-ZnO層以薄膜的形式附著在玻璃基底表面。
[0040]具體地,將氧化鋅加入四氯化鈦水溶液配置混合溶液,然后將玻璃基底加入該混合溶液中，于50?100° C保溫20?60分鐘，取出后洗凈、煅燒，在該玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO 層。
[0041 ] 優(yōu)選地，氧化鋅粒徑為50?200nm。
[0042]優(yōu)選地，四氯化鈦水溶液的濃度為20?60mmol/L。
[0043]優(yōu)選地，混合溶液中，氧化鋅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-30%
[0044]將玻璃基底浸泡在含有氧化鋅(ZnO)的四氯化鈦(TiCl4)中，在玻璃基底表面形成TiCl4-ZnO層，使玻璃基底兩面附著Zn2+-Ti4+離子對(duì)，增大了玻璃基底的表面粗糙度，因此，在制備導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜時(shí)(如ΙΤ0)，可以使ITO等與玻璃表面連接緊密，增強(qiáng)粘結(jié)力，同時(shí)，基板的粗糙度可以對(duì)光有很明顯的散射作用，提高了散射強(qiáng)度，使更多的光可以進(jìn)入到基板中。
[0045]優(yōu)選地，取出后用蒸餾水和無(wú)水乙醇依次沖洗。
[0046]優(yōu)選地，煅燒的條件為溫度400?600° C，時(shí)間20?40min。
[0047]透明導(dǎo)電薄膜的折射率為1.7?1.8，而本發(fā)明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，就是從光疏介質(zhì)到達(dá)光密介質(zhì)，全反射現(xiàn)象可以消除，這樣就會(huì)使更多的光入射到玻璃基底中，而玻璃基板背面有Zn2+-Ti4+,可以使進(jìn)入到玻璃基板的光再次進(jìn)行散射，從而出射到空氣中，達(dá)到提高出光效率的目的。
[0048]陽(yáng)極通過(guò)磁控濺射的方法設(shè)置在TiCl4-ZnO層上。
[0049]優(yōu)選地，磁控濺射制備陽(yáng)極時(shí)條件為加速電壓300?800V，磁場(chǎng)50?200G，功率密度I?40W/cm2。
[0050]優(yōu)選地，陽(yáng)極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)和銦鋅氧化物(IZO)中的一種。更優(yōu)選地，陽(yáng)極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0051]優(yōu)選地，陽(yáng)極的厚度為80?300nm。更優(yōu)選地，陽(yáng)極的厚度為120nm。
[0052]在陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0053]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層時(shí)條件為壓強(qiáng) 5X 10 5 ?2X 10 3Pa,速度 0.1 ?lnm/s。
[0054]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)和五氧化二釩(V2O5)中的一種。更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為Mo03。
[0055]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為20?80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0056]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 N, N’ - 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)中的一種。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB。
[0057]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為20?60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0058]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)和8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的一種。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi。
[0059]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為30nm。
[0060]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的一種。
[0061]更優(yōu)選地，I, 2，4-三唑衍生物為3_(聯(lián)苯-4-基)_5_(4_叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ。
[0062]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為40?80nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為45nm。
[0063]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍制備陰極時(shí)條件為壓強(qiáng)5X 10_5?2X 10_3Pa，速度I?lOnm/s。
[0064]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)和金(Au )中的一種。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁。
[0065]優(yōu)選地，陰極的厚度為80?250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0066]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0067]本發(fā)明制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，將玻璃基底浸泡在含有氧化鋅(ZnO)的四氯化鈦(TiCl4)中，在玻璃基底表面形成TiCl4-ZnO層，使玻璃基底兩面附著Zn2+-Ti4+離子對(duì)，增大了玻璃基底的表面粗糙度，因此，在制備導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜時(shí)(如ΙΤ0)，可以使ITO等與玻璃表面連接緊密，增強(qiáng)粘結(jié)力，同時(shí)，基板的粗糙度可以對(duì)光有很明顯的散射作用，提高了散射強(qiáng)度，使更多的光可以進(jìn)入到基板中。透明導(dǎo)電薄膜的折射率為1.7?1.8，而本發(fā)明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，就是從光疏介質(zhì)到達(dá)光密介質(zhì)，全反射現(xiàn)象可以消除，這樣就會(huì)使更多的光入射到玻璃基底中，而玻璃基板背面有Zn2+-Ti4+,可以使進(jìn)入到玻璃基板的光再次進(jìn)行散射，從而出射到空氣中，達(dá)到提高出光效率的目的。
[0068]本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0069]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0070]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0071]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件與對(duì)比例的亮度與流明效率的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0072]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0073]實(shí)施例1
[0074]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0075](I)將N-LASF44玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0076](2)配置濃度為40mmol/L的TiCl4水溶液，然后將粒徑為10nm的ZnO加入到該TiCl4水溶液中，得到的混合溶液中ZnO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，充分?jǐn)嚢?，然后將玻璃基底放入該混合溶液中，?0° C保溫30min，取出后用蒸餾水和無(wú)水乙醇依次沖洗，然后在450° C下煅燒30min，在玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO層；
[0077](3)在加速電壓400V，磁場(chǎng)100G，功率密度20W/cm2的條件下，在TiCl4-ZnO層上磁控濺射ITO制備陽(yáng)極，厚度為120nm ；
[0078](4)在壓強(qiáng)為5X KT4Pa的條件下，以0.3nm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極表面依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以3nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0079]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為30nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ，厚度為45nm ;陰極的材質(zhì)為招,厚度為lOOnm。
[0080]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:TiCl4:ZnO/N-LASF44 玻璃 /TiCl4:Zn0/IT0/Mo03/NPB/BCzVBi/TAZ/Al。
[0081]圖1是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的TiCl4-ZnO層101、玻璃基底102、TiCl4-Zn0層103、陽(yáng)極104、空穴注入層105、空穴傳輸層106、發(fā)光層107、電子傳輸層108和陰極109。
[0082]實(shí)施例2
[0083]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0084](I)將N-LAF36玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0085](2)配置濃度為20mmol/L的TiCl4水溶液，然后將粒徑為50nm的ZnO加入到該TiCl4水溶液中，得到的混合溶液中ZnO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，充分?jǐn)嚢?，然后將玻璃基底放入該混合溶液中，?0° C保溫60min，取出后用蒸餾水和無(wú)水乙醇依次沖洗，然后在600° C下煅燒20min，在玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO層；
[0086](3)在加速電壓300V，磁場(chǎng)50G，功率密度lW/cm2的條件下，在TiCl4-ZnO層上磁控濺射AZO制備陽(yáng)極，厚度為80nm ；
[0087](4)在壓強(qiáng)為5X 10_5Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極表面依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以lnm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0088]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為T(mén)CTA，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)PBi，厚度為80nm ;陰極的材質(zhì)為Pt,厚度為80nm。
[0089]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:TiCl4:ZnO/N-LASF36 玻璃 /TiCl4: Zn0/AZ0/W03/TCTA/Alq3/TPBi/Pt。
[0090]實(shí)施例3
[0091]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0092](I)將N-LASF31A玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0093](2)配置濃度為60mmol/L的TiCl4水溶液，然后將粒徑為200nm的ZnO加入到該混合溶液中，得到的混合溶液中ZnO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，充分?jǐn)嚢?，然后將玻璃基底放入該混合溶液中，?00° C保溫20min，取出后用蒸餾水和無(wú)水乙醇依次沖洗，然后在400° C下煅燒40min，在玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO層；
[0094](3)在加速電壓800V，磁場(chǎng)200G，功率密度40W/cm2的條件下，在TiCl4-ZnO層上磁控濺射IZO制備陽(yáng)極，厚度為300nm ；
[0095](4)在壓強(qiáng)為2X 10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極表面依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以10nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0096]具體地，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為45nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為T(mén)APC，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN,厚度為5nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為60nm ;陰極的材質(zhì)為Au,厚度為lOOnm。
[0097]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:TiCl4:ZnO/N-LASF31A 玻璃 /TiCl4: Zn0/IZ0/V205/TAPC/ADN/Bphen/Au。
[0098]實(shí)施例4
[0099]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0100](I)將N-LASF41玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0101](2)配置濃度為50mmol/L的TiCl4水溶液，然后將粒徑為10nm的ZnO加入到該TiCl4水溶液中，得到的混合溶液中ZnO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，充分?jǐn)嚢瑁缓髮⒉ＡЩ追湃朐摶旌先芤褐校?0° C保溫50min，取出后用蒸餾水和無(wú)水乙醇依次沖洗，然后在500° C下煅燒30min，在玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO層；
[0102](3)在加速電壓400V，磁場(chǎng)100G，功率密度20W/cm2的條件下，在TiCl4-ZnO層上磁控濺射AZO制備陽(yáng)極，厚度為150nm ；
[0103](4)在壓強(qiáng)為2X 10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極表面依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以5nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0104]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為T(mén)CTA，厚度為20nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為8nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ，厚度為35nm ;陰極的材質(zhì)為Ag,厚度為250nm。
[0105]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:TiCl4:ZnO/N-LASF41 玻璃 /TiCl4: ZnO/AZO/TO3/TCTA/DCJTB/TAZ/Ag。
[0106]對(duì)比例
[0107]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0108](I)提供ITO作為陽(yáng)極，厚度為120nm;
[0109](2)在壓強(qiáng)為5X 10_4Pa的條件下，以0.3nm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極表面依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以3nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0110]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為30nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ，厚度為45nm ;陰極的材質(zhì)為招,厚度為lOOnm。
[0111]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:ΙΤ0/Μο03/ΝΡΒ/BCzVBi/TAZ/AL.
[0112]利用美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，色度計(jì)(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號(hào):CS-100A)測(cè)試亮度和色度。
[0113]圖2是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件與對(duì)比例的亮度與電流效率的關(guān)系圖。其中，曲線I為本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與電流效率的關(guān)系圖；曲線2為對(duì)比例的亮度與電流效率的關(guān)系圖。
[0114]從圖2中可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例1的流明效率都比對(duì)比例的要大，最大的流明效率為11.llm/w，而對(duì)比例的僅為8.01m/W，而且對(duì)比例的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說(shuō)明，本發(fā)明通過(guò)采用折射率在1.8以上的玻璃基板，經(jīng)過(guò)處理形成一層Zn2+-Ti4+,使ITO與玻璃表面連接緊密，提高了散射強(qiáng)度，使更多的光可以進(jìn)入到基板中，消除全反射，使更多的光可以入射到基板中，而玻璃基板背面有Zn2+-Ti4+,可以使進(jìn)入到玻璃基底的光再次進(jìn)行散射，從而出射到空氣中，達(dá)到提高出光效率的目的。
[0115]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的TiCl4-ZnO層、玻璃基底、TiCl4-ZnO層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述TiCl4-ZnO層的材質(zhì)為四氯化鈦和氧化鋅的混合物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化鋅粒徑為50?200nm。
3.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底； 將氧化鋅加入四氯化鈦水溶液配置混合溶液，然后將所述玻璃基底加入所述混合溶液中，于50?100° C保溫20?60分鐘，取出后洗凈、煅燒，在所述玻璃基底兩面形成TiCl4-ZnO 層； 在所述TiCl4-ZnO層上磁控濺射制備陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅粒徑為 50 ?200nm。
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述四氯化鈦水溶液的濃度為20?60mmol/L。
6.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述混合溶液中，所述氧化鋅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-30%。
7.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述煅燒的條件為溫度400?600° C，時(shí)間20?40min。
8.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的加速電壓為300?800V，磁場(chǎng)為50?200G，功率密度為I?40W/cm2。
9.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率大于90%。
【文檔編號(hào)】C03C17/34GK104051658SQ201310077743
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 鐘鐵濤 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司