專利名稱：非晶質(zhì)合金、成型模具和光學(xué)元件的成型方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非晶質(zhì)合金、包括該非晶質(zhì)合金并且用于照相機(jī)透鏡等的制備方法的成型模具(molding die)和使用該成型模具成型光學(xué)元件的方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及用于通過將玻璃材料模壓成型(press-molding)來制備光學(xué)元件例如透鏡、棱鏡等的成型模具。不需要研磨和拋光工藝的玻璃材料的模壓成型技術(shù)是能夠以低成本簡單地制備透鏡的簡單制備方法。因此，模壓成型技術(shù)最近已用于不僅制備透鏡而且制備棱鏡和全部其他光學(xué)元件。用于通過模壓成型制備這樣的玻璃光學(xué)元件的模具材料所需的性能的實(shí)例包括優(yōu)異的耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性、硬度、脫模性、加工性等。此外，已有許多成型模具的提案。例如，US專利N0.4629487提出了通過將具有優(yōu)異的耐熱性、抗氧化性和硬度的燒結(jié)碳化物加工成所需的形狀，然后用具有化學(xué)穩(wěn)定性和與玻璃材料的高脫模性的貴金屬涂布表面以形成脫模膜(release film)而制備的成型模具。但是，為了實(shí)現(xiàn)各種光學(xué)設(shè)計(jì)，近來各種玻璃材料已被用于玻璃元件。一些玻璃材料含有高反應(yīng)性組分例如磷酸、氫氟酸等，并且為了穩(wěn)定地成型這樣的玻璃，需要具有較高脫模性的成型模具用脫模膜。因此，US專利公開N0.2009/23694提出了使用非晶質(zhì)合金的玻璃成型模具，即能夠?qū)崿F(xiàn)化學(xué)穩(wěn)定性和高脫模性的模具。但是，US專利公開N0.2009/23694中記載的成型模具的脫模膜在化學(xué)上穩(wěn)定，但由于其包括切割層而具有低硬度。此外，US專利公開N0.2009/23694中記載的PtHfZrNi非晶質(zhì)合金具有12GPa的硬度值,該硬度值采用由Agilent Technologies, Inc.制造的納米壓痕儀(nano-1ndenter)測定。玻璃成型過程中，灰塵從成型模具或裝置的滑動(dòng)部產(chǎn)生。用作模具材料的碳化物具有約13GPa_18GPa的硬度。而用于成型模具的涂層如上所述具有約12GPa的硬度時(shí)，這樣的碳化物灰塵常常在成型過程中被模具捕捉，由此損傷該涂層。用這樣的損傷的成型模具成型玻璃光學(xué)元件時(shí)，成型模具的損傷也被轉(zhuǎn)印于玻璃光學(xué)元件，產(chǎn)生玻璃光學(xué)元件的外觀中的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供具有化學(xué)穩(wěn)定性、良好的脫模性和高硬度的非晶質(zhì)合金，并且提供使用該合金的成型模具，該成型模具在成型過程中不易被損傷。本發(fā)明還提供使用該成型模具成型光學(xué)元件的方法。本發(fā)明提供非晶質(zhì)合金，其 含有68原子％_86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％-5原子％的O。
本發(fā)明還提供成型模具，其包括在其表面上形成的非晶質(zhì)合金的脫模膜，其中該非晶質(zhì)合金含有68原子％-86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％_5原子％的O。本發(fā)明還提供光學(xué)元件的成型方法，該方法包括將玻璃預(yù)型件(preform)放入成型模具中的步驟，和對該玻璃預(yù)型件模壓成型的步驟，其中該成型模具包括在其表面上形成的非晶質(zhì)合金的脫模膜，并且該非晶質(zhì)合金含有68原子％-86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％-5原子％的O。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有化學(xué)穩(wěn)定性、良好的脫模性和高硬度的非晶質(zhì)合金和使用該合金的成型模具，該成型模具在成型過程中不易被損傷。還能夠提供使用該成型模具成型光學(xué)元件的方法。由以下參照附圖對例示實(shí)施方案的說明，本發(fā)明進(jìn)一步的特點(diǎn)將變得清楚。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的成型模具的示意圖。圖2是表示用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金涂層的濺射裝置的解釋圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金的X-射線衍射圖。圖4是用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的光學(xué)元件的成型方法的成型機(jī)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下對本發(fā)明的實(shí)施方案詳細(xì)說明。

為了解決使用通常的非晶質(zhì)合金的玻璃成型模具用合金具有低硬度，并且成型模具和使用該模具成型的玻璃元件容易被損傷的問題，提供根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的非晶質(zhì)
I=1-Wl o根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金含有68原子％_86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％_5原子％的O。通過使用根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金，能夠制備具有化學(xué)穩(wěn)定性和高脫模性的玻璃成型模具，原因在于該非晶質(zhì)合金在化學(xué)上穩(wěn)定并且由于其高硬度而在成型過程中不易損傷。以下參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方案詳細(xì)說明。圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的成型模具的示意圖。圖1中，根據(jù)實(shí)施方案的成型模具10包括作為碳化鎢的燒結(jié)材料的carbide J05 (Fuji Die C0.，Ltd.)組成的碳化物基材11、在該碳化物基材11上層疊的Ti層12、在該Ti層12上層疊的TiN層13和在該TiN層13上層疊的脫模膜14。該脫模膜14由根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的具有Re-Hf-O或Re-Hf-1r-O組成的非晶質(zhì)合金組成。通過物理氣相沉積法例如濺射法等在碳化物基材11上依次層疊Ti層12、TiN層13和脫模膜14。通過使用具有所需組成比的靶的濺射法或者通過使用圖2中所示的包括多個(gè)靶的濺射裝置20的多靶濺射法，能夠?qū)崿F(xiàn)脫模膜14的所需的合金組成比。圖2為表示根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金涂層用濺射裝置的解釋圖。以下參照圖2對沉積脫模膜14的方法進(jìn)行說明。濺射裝置20包括真空室21、設(shè)置在真空室21內(nèi)的基板支架22、齒素?zé)艏訜崞?3、熱電偶溫度計(jì)24、Re濺射靶25、Hf濺射靶26、Ir濺射靶(未圖示)、用于Re濺射靶25的RF電源27、用于Hf濺射靶26的RF電源28、用于Ir濺射靶的RF電源(未圖示)、用于Re濺射靶25的磁體29、用于Hf濺射靶26的磁體210、用于Ir濺射靶的磁體(未圖示)、用于Re濺射靶25的Ar氣供給線211、用于Hf濺射靶26的Ar氣供給線212、用于Ir濺射靶的Ar氣供給線(未圖示)、用于Re濺射靶25的質(zhì)量流量控制器213、用于Hf濺射靶26的質(zhì)量流量控制器214、用于Ir濺射靶的質(zhì)量流量控制器(未圖示)、用于基板支架22的DC偏壓電源(bias power supply)215和經(jīng)配置以適當(dāng)?shù)貙⑹?1抽空的排氣系統(tǒng)(未圖不)。在加工為所需形狀的碳化物基材11上依次層疊Ti層12和TiN層13后，將基材11安裝到基板支架22上，將真空室21排氣。使用鹵素?zé)艏訜崞?3和熱電偶溫度計(jì)24將碳化物基材11加熱到600°C。膜沉積過程中，為了提高該膜與基材11的粘合，將基材11加熱。使用DC偏壓電源215將-600V的電位施加于基板支架22。在膜沉積過程中偏壓電位將具有高能量的帶正電的Ar離子拉入碳化物基材11，因此能夠提高合金與基材的粘

為了使真空室殘留氣體進(jìn)入膜中的量最小化，實(shí)現(xiàn)約10_5Pa較低水平的高真空度后，使用質(zhì)量流量控制器213、214，通過Ar氣供給線211、212以約80sCCm引入Ar氣。然后，使用設(shè)置在靶25、26的后側(cè)的RF電源27、28和磁體29、210，在靶25、26上形成等離子體，進(jìn)行Re、Hf和Ir的三靶濺射沉積。通過控制RF電源27、28之間的功率比，能夠控制合金膜的組成。為了形成Re-Hf 二元合金，當(dāng)然，可不將功率供給于Ir靶。作為深入研 究的結(jié)果，本發(fā)明人使用高硬度Re作為根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金的主要組分，成功地提高合金膜的硬度，并且通過添加具有與Re顯著不同的原子半徑和與Re的負(fù)混合焓的Hf，成功地使合金為非晶質(zhì)。S卩，根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金含有68原子％_86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％-5原子％的O。該非晶質(zhì)合金含有Ir時(shí)，余量能夠由Ir組成。該非晶質(zhì)合金能夠含有68原子％-76原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf、0.1原子％_2原子％的0和11原子％-18原子％的Ir。根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金不含Ir時(shí),該非晶質(zhì)合金能夠含有83原子％_86原子％的Re、8原子％-12原子％的Hf和0.1原子％_5原子％的O。該非晶質(zhì)合金不含Ir時(shí)，該非晶質(zhì)合金能夠只由Re、Hf和0組成。根據(jù)實(shí)施方案，該非晶質(zhì)合金具有上述組成，因此能夠制備具有等于或高于18_20GPa的碳化物硬度的高硬度的非晶質(zhì)合金膜。此外，根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金膜中含有的Re、Ir和Hf以外的元素只包括目標(biāo)材料中含有的痕量的雜質(zhì)和來自沉積真空室內(nèi)的顆粒和殘留氣體的不可避免的組分。由于通過真空沉積形成合金膜，因此由于膜沉積過程中沉積真空室內(nèi)的殘留氣體例如水，氧不可避免地進(jìn)入膜中。理想地是膜中不存在氧，但即使通過室的長期的抽空和烘焙，努力使室內(nèi)壁上吸附的氣體減少時(shí)，也引入約0.1原子％_5原子％的氧。即使含有沉積過程中引入的不可避免的氧時(shí)，根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金膜也具有所需的非晶質(zhì)性和硬度并且包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金中含有的氧以外的不可避免的組分的元素包括Fe。此夕卜，根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金中含有的氧以外的不可避免的組分的含量為0.03原子％以下，相對于非晶質(zhì)合金的合計(jì)。圖3為具有Re69_HfI1-1r 18-02 (原子％)組成的非晶質(zhì)合金的X-射線衍射圖。這通過使用Phillips X’pert的0-2 0法測定。發(fā)現(xiàn)該合金為非晶質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的光學(xué)元件的成型方法包括將玻璃預(yù)型件放入上述成型模具中的步驟和對該玻璃預(yù)型件模壓成型的步驟。圖4是根據(jù)實(shí)施方案的光學(xué)元件的成型方法中使用的成型機(jī)的示意圖。參照圖4對光學(xué)元件的成型方法進(jìn)行說明。成型機(jī)50包括室51、表面涂布有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金的成型模具10、要成型的玻璃預(yù)型件52、加熱器53、用于對上模加壓的軸54、對上模加壓過程中確定軸位置的鼓形模(drum mold)55和支撐下模并且施加壓力的支撐基底56。用氮吹掃室51的內(nèi) 部，然后使用加熱器53將玻璃預(yù)型件52、成型模具10和鼓形模55加熱到所需的溫度。然后，使用軸54和支撐基底56，用上下成型模具10對玻璃預(yù)型件52進(jìn)行模壓成型。玻璃預(yù)型件52由含有磷酸鹽的玻璃、含有氟化物的玻璃或含有Ti氧化物、W氧化物和Bi氧化物的玻璃組成。由于上模在鼓形模上滑動(dòng)，因此成型的反復(fù)使碳化物粉末的灰塵從滑動(dòng)部產(chǎn)生。盡管在玻璃的加壓過程中碳化物粉末可混合，但由于脫模膜具有高于碳化物粉末的硬度，因此不損傷成型模具10的脫模膜。因此，能夠防止由于成型模具的損傷而使玻璃成型品的缺陷外觀發(fā)生。此外，由于與玻璃接觸的表面具有其上形成的化學(xué)穩(wěn)定的非晶質(zhì)合金膜并且無晶粒間界地包括穩(wěn)定的鈍化膜，因此玻璃與模具10的熔合不易發(fā)生。特別地，成型具有高反應(yīng)性并且含有磷酸、氫氟酸或容易還原的組分T1、W和B的玻璃時(shí)，與晶體脫模膜相比，非晶質(zhì)合金膜的化學(xué)穩(wěn)定性尤其具有效果。此外，通過用DLC (類金剛石碳)等涂布玻璃預(yù)型件，能夠進(jìn)一步改善脫模性。這種情況下，成型后能夠在高溫下將預(yù)型件脫模，因此能夠縮短操作時(shí)間，導(dǎo)致預(yù)期生產(chǎn)率的改善。這種情況下，由于模具的表面上的非晶質(zhì)合金具有比玻璃預(yù)型件上形成的具有十幾GPa的硬度的DLC膜涂層高的硬度，因此在成型過程中能夠抑制起因于與玻璃預(yù)型件上的DLC接觸的對模具的損傷。根據(jù)實(shí)施方案的非晶質(zhì)合金和使用該合金的成型模具在化學(xué)上穩(wěn)定，具有良好的脫模性和高硬度，并且在成型過程中不易損傷，因此能夠用于成型光學(xué)元件例如透鏡、棱鏡
坐寸o實(shí)施例以下在實(shí)施例和比較例中對根據(jù)實(shí)施方案的由使用濺射裝置的膜沉積法形成的合金膜進(jìn)行說明。本發(fā)明并不限于該膜沉積法并且為了表示本發(fā)明的效果也記載了比較例。實(shí)施例1以下記載根據(jù)本發(fā)明的非晶質(zhì)合金膜和使用該非晶質(zhì)合金膜的成型模具作為實(shí)施例。
作為非晶質(zhì)合金的原料，將具有76.2mm (3英寸)的直徑和99.9%的純度的Re靶材料、具有76.2mm (3英寸)的直徑和99.9%的純度的Hf靶材料和具有76.2mm (3英寸)的直徑和99.9%的純度的Ir靶材料分別用于Re、Hf和Ir。通過使用濺射裝置的RF濺射膜沉積法形成非晶質(zhì)合金膜。實(shí)施例1中，成型模具包括通過研磨/拋光加工為具有18_的外尺寸和22_的曲率半徑的凸形狀的carbide J05模作為上模，該上模在其表面上具有層疊到I U m的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到200nm的厚度來在上模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有69原子％的Re、11原子％的Hf、18原子％的Ir和2原子％的0(由XPS(X-射線光電子能譜)裝置，PHI Quantera SXM測定，由ULVAC-PHI Inc.制造)。下模為通過研磨/拋光加工為具有18mm的外尺寸和22mm的曲率半徑的凹形狀的carbide J05模,該下模在其表面上具有層疊到Ium的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到200nm的厚度來在該下模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有69原子％的Re、ll原子％的Hf、18原子％的Ir和2原子％的0(由XPS裝置，PHI Quantera SXM測定，由ULVAC-PHIInc.制造)。該非晶質(zhì)合金膜的硬度為19GPa以上(用Agilent Technologies, Inc.的納米壓痕儀測定)。作為X-射線衍射的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)該合金為非晶質(zhì)(由使用Phillips X’pert的
0-2 0法測定)。通過使用該模具來成型磷酸鹽基玻璃預(yù)型件，根據(jù)ICP-AES (電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法)分析，該玻璃含有 21.lwt%P205、10.7wt%W03、28.7wt%Bi203、3.49wt%Na20、
1.07wt%K20、0.50wt%B203、2.51wt%Li20、3.13wt%Ti02 和 27.4wt%Nb205 (小于 1% 的組分視為雜質(zhì)并且沒有記載)。成型過程中的溫度為540°C。即使通過成型，也沒有觀察到問題例如膜的損傷和玻璃的熔合。而且，在成型的玻璃中沒有發(fā)生外觀缺陷例如瑕疵的問題。如上所述，通過使用本發(fā)明的成型模具，能夠成型難以成型并且含有高反應(yīng)性磷酸鹽、W氧化物和Bi氧化物的玻璃。實(shí)施例2實(shí)施例2中，成型模具包括通過研磨/拋光加工為具有18_的外尺寸和22_的曲率半徑的凸形狀的carbide J05模作為上模，該上模在其表面上具有通過RF濺射法層疊到I U m的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到250nm的厚度來在上模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有76原子％的Re、9原子％的Hf、ll原子％的Ir和4原子％的0 (由XPS裝置，PHI Quantera SXM測定，由ULVAC-PHI Inc.制造)。下模為通過研磨/拋光加工為具有18mm的外尺寸和22mm的曲率半徑的凹形狀的carbide J05模,該下模在其表面上具有層疊到Ium的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到200nm的厚度來在該下模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有76原子％的Re、9原子％的Hf、
11原子 ％ 的 Ir 和 4 原子 ％ 的 0 (由 XPS 裝置，PHI Quantera SXM 測定，由 ULVAC-PHI Inc.制造)。該非晶質(zhì)合金膜的硬度為19GPa (用Agilent Technologies, Inc.的納米壓痕儀測定)。作為X-射線衍射的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)該合金為非晶質(zhì)(由使用Phillips X’pert的0-2 0法測定)。

通過使用該模具來成型磷酸鹽基玻璃預(yù)型件，根據(jù)ICP-AES分析，該玻璃含有 39.6wt%Nb205> 19.7wt%P205> 14.0wt%W03> 13.6wt%Bi203> 5.44wt%Ge02> 2.43wt%Na20>2.75wt%K20和2.56wt%Li20。成型過程中的溫度為550°C。即使通過成型，也沒有觀察到問題例如膜的損傷和玻璃的熔合。而且，在成型的玻璃中沒有發(fā)生外觀缺陷例如瑕疵的問題。如上所述，通過使用本發(fā)明的成型模具，能夠成型難以成型并且含有高反應(yīng)性磷酸鹽、W氧化物和Bi氧化物的玻璃。此外，通過使用該模具來成型玻璃預(yù)型件，根據(jù)ICP-AES分析，該玻璃含有40.2wt%Si02、29.7wt%Ti02、14.3wt%Na20、9.20wt%K20、4.30wt%Ba0 和 1.95wt%Li20。成型過程中的溫度為560°C。即使通過成型，也沒有觀察到問題例如膜的損傷和玻璃的熔合。而且，在成型的玻璃中沒有發(fā)生外觀缺陷例如瑕疵的問題。如上所述，通過使用本發(fā)明的成型模具，能夠成型難以成型并且含有高還原性Ti氧化物的玻璃。實(shí)施例3實(shí)施例3中，成型模具包括通過研磨/拋光加工為具有18_的外尺寸和22_的曲率半徑的凸形狀的carbide J05模作為上模，該上模在其表面上具有層疊到I U m的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到200nm的厚度來在上模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有75原子％的Re、8原子％的Hf、12原子％的Ir和5原子％的0 (由XPS裝置，PHI Quantera SXM測定，由ULVAC-PHI Inc.制造)。下模為通過研磨/拋光加工為具有18mm的外尺寸和22mm的曲率半徑的凹形狀的carbide J05 (Fuji Die C0., Ltd.)模，該下模在其表面上具有層疊到Ium的總厚度的Ti層和TiN層。此外，通過將非晶質(zhì)合金沉積到200nm的厚度來在該下模上形成脫模膜，該非晶質(zhì)合金含有75原子％的Re、8原子％的Hf、12原子％的Ir和5原子％的0(由XPS裝置，PHI Quantera SXM測定，由ULVAC-PHIInc.制造)。該非晶質(zhì)合金膜的硬度為18GPa (用Agilent Technologies, Inc.的納米壓痕儀測定)。作為X-射線衍射的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)該合金為非晶質(zhì)(由使用Phillips X’pert的0-2 0法測定)。 通過使用該模具來成型含氫氟酸玻璃預(yù)型件，根據(jù)ICP-AES分析，該玻璃含有54.5wt%Si02、17.9wt%Ba203、18.4wt%K20、8.7wt%F2、0.3wt%Al203 和 0.2wt%Sb203。成型過程中的溫度為540°C。即使通過成型，也沒有觀察到問題例如膜的損傷和玻璃的熔合。而且，在成型的玻璃中沒有發(fā)生外觀缺陷例如瑕疵的問題。如上所述，通過使用本發(fā)明的成型模具，能夠成型難以成型并且具有高反應(yīng)性的氫氟酸基玻璃。實(shí)施例4-7如實(shí)施例1-3中那樣，通過使用如表I中所示的含有68原子％_86原子％的Re、8原子％-12原子％的Hf、0.1原子％-5原子％的0和余量的Ir的非晶質(zhì)合金或者含有83原子％-91.9原子％的Re、8原子％-12原子％的Hf和0.1原子％_5原子％的0的非晶質(zhì)合金來形成具有ISGPa以上的硬度的非晶質(zhì)合金膜。通過由ULVAC-PHI Inc.制造的 XPS 裝置，PHI Quantera SXM測定組成，用 AgilentTechnologies, Inc.的納米壓痕儀測定硬度,通過使用Phillips X’pert的0-2 0法測定結(jié)晶性。能夠認(rèn)為由于高硬度和非晶質(zhì)性，用實(shí)施例4-7的合金層疊的模具具有與實(shí)施例
1-3中相同的玻璃成型性能。
將實(shí)施例1-7的結(jié)果匯總于表I中。表I
權(quán)利要求
1.非晶質(zhì)合金，含有: 68原子％-86原子％的Re ； 8原子％-12原子％的Hf ;和 0.1原子％-5原子％的O。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的非晶質(zhì)合金，其中Re、Hf和O以外的組分為Ir。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的非晶質(zhì)合金，其中該非晶質(zhì)合金只含有Re、Hf和O，并且Re含量為83原子％-86原子％。
4.成型模具，包括在其表面上形成的非晶質(zhì)合金的脫模膜， 其中該非晶質(zhì)合金的脫模膜含有68原子％-86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％-5原子％的O。
5.制備光學(xué)元件的方法，包括: 將玻璃預(yù)型件放入成型模具中的步驟；和 對該玻璃預(yù)型件模壓成型的步驟， 其中該成型模具包括在其表面上形成的非晶質(zhì)合金的脫模膜，和該非晶質(zhì)合金的脫模膜含有68原子％-86原子％的Re、8原子％_12原子％的Hf和0.1原子％_5原子％的O。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中該玻璃預(yù) 型件由含有磷酸鹽、氟化物、或者Ti氧化物、W氧化物和Bi氧化物的玻璃組成。
全文摘要
非晶質(zhì)合金含有68原子%-86原子%的Re、8原子%-12原子%的Hf和0.1原子%-5原子%的O。
文檔編號C03B11/08GK103205658SQ201310016708
公開日2013年7月17日 申請日期2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
發(fā)明者福島浩孝 申請人:佳能株式會(huì)社