一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷及兩步燒結(jié)制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷及兩步燒結(jié)制備方法。該方法的具體步驟為：以鐵粉和硒粉作為原料，通過兩步燒結(jié)的方法制備β-FeSe陶瓷。其中Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量5-15mol％；第一步燒結(jié)的溫度為410-700℃，時(shí)間為10-20小時(shí)；第二步燒結(jié)的溫度為700-800℃，時(shí)間為20-40小時(shí)。該方法制得的陶瓷為隨機(jī)取向，陶瓷致密，表面光滑，與采用常規(guī)一步燒結(jié)方法制得陶瓷相比，具有更高的體密度和更好的超導(dǎo)特性。
【專利說明】—種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷及兩步燒結(jié)制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超導(dǎo)材料領(lǐng)域，具體涉及一種利用新型燒結(jié)工藝制備具有PbO形式結(jié)構(gòu)的β-FeSe超導(dǎo)陶瓷的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，F(xiàn)e基超導(dǎo)材料的發(fā)現(xiàn)引發(fā)了超導(dǎo)界研究人士很大的興趣，希望從這種新的路徑去尋找高溫超導(dǎo)材料[H.Takahashi, K.1gawa, K.Arii, Y.Kamihara, M.Hirano,
H.Hosono, Nature,453,376 (2008) ；Y.Kamihara, T.Watanabe, Μ.Hirano, andH.Hosono,J.Am.Chem.Soc.，130, 3296 (2008) ;Α.Subedi, L.Zhang, D.J.Singh, andM.H.Du, Phys.Rev.B，78，134514(2008) ；M.D.Norman, Physics，1，21 (2008)]。在這種新型的 Fe 基的超導(dǎo)材料中，鐵硒(FeSe)，由于其相對(duì)較低的制備溫度，以及與FeAs為基礎(chǔ)的超導(dǎo)復(fù)合材料相比很低的原材料毒性，引起了人們極大的關(guān)注并為此投入了大量的研究。FeSe(根據(jù)相圖[H.0kamoto, J.Phase Equilib.12，383 (1991)]，在這里稱為 β -FeSe)具有最簡(jiǎn)單的晶格結(jié)構(gòu)(PbO 形態(tài))，由 FeSe4 八面體層疊加組成[F.C.Hsu，J.Y.Luo, K.ff.Yeh, T.K.Chen,T.ff.Huang, P.M.Wu, Y.C.Lee, Y.L.Huang, Y.Y.Chu, D.C.Yan, and Μ.K.ffu, PNAS, 105，14262(2008)]。
[0003]常用的固態(tài)燒 結(jié)的方法采取的是一步燒結(jié)的過程[Xiaoding Qi, Jiun-Yi Wang,Ch1-Jung Hung, and Ju1-Chao Kuo, Karen Yates and Lesley Cohen,Journal ofAmericanceramic society, 93, 3195 (2010)]。對(duì)于FeSe來說，一步燒結(jié)方法制備的陶瓷雜相相對(duì)含量較大，而且由于Se的揮發(fā)，制備的陶瓷本身致密性不高，孔洞較多。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，本發(fā)明提供一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法，該方法制得的陶瓷為隨機(jī)取向，陶瓷致密，表面光滑，與采用常規(guī)一步燒結(jié)方法制得陶瓷相比，具有更高的體密度和更好的超導(dǎo)特性。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，辦發(fā)明包括如下技術(shù)方案:
[0006]一種β -FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法，方法包括以下步驟:
[0007]Α.預(yù)燒:稱取Fe粉和Se粉，其中Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量5-15mol %，將兩種原料混合、研磨、壓片，制成樣品塊體；將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空；將放有樣品塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300-400°C，時(shí)間為2-5小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)30-80°C ；
[0008]B.第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎，再次進(jìn)行研磨、壓片；同樣將塊體放入石英管，封管并抽真空；隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為410-700°C，時(shí)間為 10-20 小時(shí)；
[0009]C.第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體，搗碎，再次進(jìn)行研磨、壓片；將塊體放入石英管，封管并抽真空；隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為700-800°C，時(shí)間為20-40小時(shí)。
[0010]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述步驟A中Fe粉和Se粉的純度分別為95_98%和98-99% ;研磨后混合粉體的粒度為0.2-0.4mm ;壓片步驟是在20-40MP下進(jìn)行。
[0011]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述步驟A中石英管中真空度為5X10_4~5X10_5P。
[0012]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述步驟B中壓片采用等靜壓設(shè)備，在30~50MP下進(jìn)行。
[0013]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述步驟B中第一步燒結(jié)的升溫過程中，室溫至300°C升溫速度為每分鐘1-2°C，300°C以上升溫速度為每分鐘5-10 ;降溫過程中400°C以上降溫速度為每分鐘一度，400°C以下自然降溫。
[0014]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述步驟C中第二步燒結(jié)的升溫過程中，室溫至300°C升溫速度為每分鐘1-2°C，300°C以上升溫速度為每分鐘5-10 ;降溫過程中400°C以上降溫速度為每分鐘一度，400°C以下自然降溫。
[0015]如上所述的方法，優(yōu)選地，所述方法包括如下步驟:
[0016]a.準(zhǔn)備原料:
[0017]取純度為98%的Fe粉和純度為99% Se粉，Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量8%。將兩種原料混合、研磨成粒度為20-30mm的粉體,在20Mp下壓成厚度為2_3mm的圓盤狀塊體；
[0018]b.預(yù)燒:
[0019]將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300°C，時(shí)間為2小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)50 0C ；
[0020]c.第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體；將樣品塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為650°C，時(shí)間為12小時(shí)；在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘1°C，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段6500C _400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。
[0021]d.第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體；再次將塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為700°c，時(shí)間為36小時(shí)；在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘rC，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段700°C -400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。
[0022]另一方面，本發(fā)明提供一種β -FeSe超導(dǎo)陶瓷，其是采用如上所述的方法制備的。
[0023] 本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明克服通常固態(tài)燒結(jié)方法制備FeSe陶瓷中形成雜相較多和體密度不高等缺點(diǎn)，通過采用兩步燒結(jié)方法制備致密，超導(dǎo)性能好的FeSe陶瓷樣品。本發(fā)明在FeSe陶瓷的制備過程中，具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):(1)采用兩步燒結(jié)方法中，第一步燒結(jié)中的初步結(jié)晶有利于在第二步燒結(jié)中反應(yīng)充分，形成結(jié)晶度高的FeSe陶瓷。(2)第一步燒結(jié)中原料的較充分的反應(yīng)有利于減少高溫反應(yīng)中Se的揮發(fā)，以及第二步燒結(jié)中純相的形成。(3)相對(duì)于一步燒結(jié)法中長(zhǎng)時(shí)間的終燒，兩步燒結(jié)方法中的第一步燒結(jié)，時(shí)間較段，有利于減少長(zhǎng)時(shí)間高溫階段雜相的形成?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0024]圖1為分別采用(a)兩步燒結(jié)和(b) —步燒結(jié)方法制備的FeSe陶瓷的XRD圖。
[0025]圖2為采用兩步燒結(jié)方法分別在(a) 410°C和(b) 700°C燒結(jié)方法制備的FeSe陶瓷的XRD圖。
[0026]圖3中㈧和⑶分別為采用一步燒結(jié)法制得的樣品在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。
[0027]圖4中(C)和⑶分別為在410°C下采用兩步燒結(jié)法制得的樣品在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。
[0028]圖5中(E)和(F)分別為在700°C下采用兩步燒結(jié)法制得的樣品在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。
[0029]圖6為兩步燒結(jié)方法700°C下制得的FeSe陶瓷樣品的電阻率與溫度的關(guān)系曲線。【具體實(shí)施方式】
[0030]下面通過實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明。這些實(shí)施例并非是對(duì)本發(fā)明的限制，任何等同替換或公知改變均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0031]對(duì)比例I β -FeSe超導(dǎo)陶瓷一步燒結(jié)制備方法 [0032](I)準(zhǔn)備原料:
[0033]取純度為98%的Fe粉和純度為99% Se粉，Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量8%。將兩種原料混合、研磨成粒度為20-30mm的粉體,在20MP下壓成厚度為2_3mm的圓盤狀塊體。
[0034](2)預(yù)燒:
[0035]將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300°C，時(shí)間為2小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)500C。該升溫速度可避免在粉體反應(yīng)之前Se粉的揮發(fā)損失。
[0036](3) 一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體。同樣將樣品塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IX 10_5P。隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行一步燒結(jié)，獲得FeSe陶瓷，燒結(jié)溫度為650°C，時(shí)間為20小時(shí)。在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘rC，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段650°C -400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。
[0037](4)樣品測(cè)試
[0038]圖1b為所獲得陶瓷的XRD圖，圖3為所獲得陶瓷在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。
[0039]實(shí)施例1 β -FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法
[0040](I)準(zhǔn)備原料:
[0041]取純度為98%的Fe粉和純度為99% Se粉，Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量8%。將兩種原料混合、研磨成粒度為的粉體，在20ΜΡ下壓成厚度為2-3mm的圓盤狀塊體。
[0042](2)預(yù)燒:
[0043]將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300°C，時(shí)間為2小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)500C。該升溫速度可避免在粉體反應(yīng)之前Se粉的揮發(fā)損失。[0044](3)第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體。同樣將樣品塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為I X 10_5P。隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為650°C，時(shí)間為12小時(shí)。在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘rC，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段650°C-400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。第一步燒結(jié)的作用主要是讓原料在接近終燒的溫度下有個(gè)初步充分的反應(yīng)，形成一定的小晶粒，這樣有利于第二步燒結(jié)中相的形成以及晶粒的長(zhǎng)大。
[0045](4)第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體。再次將塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IX 10_5P。隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為700°c，時(shí)間為36小時(shí)。在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘rC，300°C以上升溫速度為每分鐘8V ;在降溫前期階段700°C -400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。
[0046](5)樣品測(cè)試
[0047]圖1a為所獲得陶瓷的XRD圖；圖2b為所獲得陶瓷的XRD圖；圖5為所獲得陶瓷在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。圖6為所獲得FeSe陶瓷樣品的電阻率與溫度的關(guān)系曲線。
[0048]實(shí)施例2 β -FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法
[0049](1)準(zhǔn)備原料:
[0050]取純度為98%的Fe粉和純度為99% Se粉，Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量8%。將兩種原料混合、研磨成粒度為20-30mm的粉體,在20MP下壓成厚度為2_3mm的圓盤狀塊體。
[0051](2)預(yù)燒:
[0052]將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空，真空度為1X10_5P ;將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300°C，時(shí)間為2小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)50。。。
[0053](3)第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體。同樣將樣品塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IX 10_5P。隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為410°C，時(shí)間為12小時(shí)。在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘1°C，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C。在降溫前期階段410°C _300°C降溫速度為每分鐘一度；300°C以下自然降溫。
[0054](4)第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體。再次將塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IX 10_5P。隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為410°c，時(shí)間為36小時(shí)。在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘1°C，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C。在降溫前期階段410°C -300°C降溫速度為每分鐘一度；300°C以下自然降溫。
[0055](5)樣品測(cè)試
[0056]圖2a為所獲得陶瓷的XRD圖；圖4為所獲得陶瓷在不同放大比例下的SEM圖；插圖為各自樣品的EDX成分分析譜。
[0057]結(jié)果與討論:從圖1可以看出，在其它制備條件和參數(shù)相同的情況下，采用一次燒結(jié)方法制備的樣品X射線衍射峰較弱，表明樣品的結(jié)晶度較低。當(dāng)采用兩步燒結(jié)方法，X射線衍射峰強(qiáng)，峰的半高寬小，樣品的結(jié)晶度高。
[0058]在圖2中，將采用兩步燒結(jié)方法但燒結(jié)溫度不同的兩個(gè)樣品進(jìn)行比較(分別是410°C和700°C終燒)，從圖中可以看出，兩個(gè)樣品的X射線衍射峰都較強(qiáng)，結(jié)晶度也較高，但410°C下制備的樣品，雜相的含量相對(duì)較高(★代表雜相a-Fe(roF#87_0721)，.代表雜相 Fe7Se8 (PDF#72_1356)。與文獻(xiàn)[Xiaoding Qi, Jiun-Yi Wang, Ch1-Jung Hung, andJu1-Chao Kuo, Karen Yates and Lesley Cohen, Journal ofAmerican ceramic society,93,3195(2010)]采用常用固態(tài)燒結(jié)方法制得的FeSe陶瓷樣品相比，采用兩步燒結(jié)方法制得的樣品雜相少，成相更純。
[0059]圖3-圖5相比較可以看出，相對(duì)于采用一步燒結(jié)方法制備的陶瓷樣品，采用兩步燒結(jié)方法制備的樣品更致密，孔洞少；另外，當(dāng)采用兩步燒結(jié)方法下，相比于410°C下制得的樣品，700°C制得樣品明顯形貌更致密，孔洞更少，這與通過阿基米德方法測(cè)量的樣品體密度數(shù)據(jù)一致。通過常用的燒結(jié)方法制備的FeSe陶瓷理論約為78%，而采用兩步燒結(jié)方法制備的FeSe陶瓷理論達(dá)到約為94% ;同時(shí)，根據(jù)EDS成分分析，700°C制得樣品的成分比更接近于化學(xué)計(jì)量比FeSe。
[0060]圖4為兩步燒結(jié)方法700°C下制得的FeSe陶瓷樣品的電阻率與溫度的關(guān)系曲線。從圖中可以看到，從室溫開始，樣品的電阻率與溫度呈現(xiàn)出線性金屬關(guān)系，它的超導(dǎo)溫度轉(zhuǎn)變起始點(diǎn)為T = 7.5K。
[0061]綜上所述，兩步燒結(jié)制備方法相對(duì)常用的一步燒結(jié)制備方法有其特點(diǎn)，主要體現(xiàn)在:(1)第一步燒結(jié)中原料的初步反應(yīng)和結(jié)晶有利于第二步燒結(jié)中反應(yīng)的充分以及結(jié)晶度的提高。(2)相對(duì)于一步燒結(jié)法中，長(zhǎng)時(shí)間的終燒，兩步燒結(jié)方法中的第一步燒結(jié)，時(shí)間較段，有利于減少長(zhǎng)時(shí)間高溫階段雜相的形成。
【權(quán)利要求】
1.一種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷兩步燒結(jié)制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: Α.預(yù)燒:稱取Fe粉和Se粉，其中Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量5-15mol %，將兩種原料混合、研磨、壓片，制成樣品塊體；將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空；將放有樣品塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300-400°C，時(shí)間為2-5小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)30-80°C ； B.第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎，再次進(jìn)行研磨、壓片；同樣將塊體放入石英管，封管并抽真空；隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為410-700°C，時(shí)間為 10-20 小時(shí)； C.第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體，搗碎，再次進(jìn)行研磨、壓片；將塊體放入石英管，封管并抽真空；隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為700-800°C，時(shí)間為 20-40 小時(shí)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A中Fe粉和Se粉的純度分別為95-98%和98-99% ;研磨后混合粉體的粒度為0.2-0.4mm ;壓片步驟是在20-40MP下進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟A中石英管中真空度為5X10_4~5 X KT5P。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B中壓片采用等靜壓設(shè)備，在30~50MP下進(jìn)行。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟B中第一步燒結(jié)的升溫過程中，室溫至300°C升溫速度為每分鐘1_2°C，300°C以上升溫速度為每分鐘5_10 ;降溫過程中400°C以上降溫速度為每分鐘一度，400°C以下自然降溫。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C中第二步燒結(jié)的升溫過程中，室溫至300°C升溫速度為每分鐘1_2°C，300°C以上升溫速度為每分鐘5_10 ;降溫過程中400°C以上降溫速度為每分鐘一度，400°C以下自然降溫。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: a.準(zhǔn)備原料: 取純度為98%的Fe粉和純度為99% Se粉，Se粉的量較化學(xué)計(jì)量比過量8%。將兩種原料混合、研磨成粒度為20-30mm的粉體,在20Mp下壓成厚度為2_3mm的圓盤狀塊體； b.預(yù)燒: 將樣品塊體放入石英管中封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒的溫度為300°C，時(shí)間為2小時(shí)，升溫的速度為每小時(shí)50°C ； c.第一步燒結(jié):將預(yù)燒完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體；將樣品塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IXlO-5P;隨后將放有塊體的真空石英管放入管式爐進(jìn)行第一步燒結(jié)，溫度為650°C，時(shí)間為12小時(shí)；在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘rC，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段6500C _400°C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。 d.第二步燒結(jié):將第一次燒結(jié)完的塊體搗碎、研磨，用等靜壓設(shè)備在40MP下壓片，制成樣品塊體；再次將塊體放入石英管，封管并抽真空，真空度為IXlO-5P ;隨后將放有塊體的高真空石英管放入管式爐進(jìn)行第二步燒結(jié)，溫度為700°C，時(shí)間為36小時(shí)；在升溫前期階段室溫至300°C，升溫速度為每分鐘1°C，300°C以上升溫速度為每分鐘8°C ;在降溫前期階段700°C -400 °C降溫速度為每分鐘一度；400°C以下自然降溫。
8.—種β-FeSe超導(dǎo)陶瓷，其特征在于，其是采用如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法制備的。
【文檔編號(hào)】C04B35/515GK103910527SQ201210591594
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】吳云翼, 郜健 申請(qǐng)人:北京有色金屬研究總院