專利名稱：一種絕緣材料、含有其的陶瓷加熱元件、制備及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種絕緣材料 ，還涉及應(yīng)用該絕緣材料的陶瓷加熱元件及其制備方法，另外還涉及該陶瓷加熱元件的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
陶瓷加熱元件是一種高效率、熱分布均勻、具有絕緣性能的加熱器，是直接在陶瓷生坯上印刷導(dǎo)電電阻漿料，經(jīng)疊片、排膠后，在高溫下共燒成為一體的產(chǎn)品，產(chǎn)品本身及生產(chǎn)過程符合環(huán)保要求。與傳統(tǒng)合金電熱絲，PTC加熱元件相比較具有結(jié)構(gòu)簡單、升溫迅速、功率密度大、使用安全、耐腐蝕、使用壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)，所以廣泛應(yīng)用于日常生活，工業(yè)技術(shù)，軍事，科學(xué)，通訊，醫(yī)療，環(huán)保，宇航等多種領(lǐng)域。豆?jié){具有極高的營養(yǎng)價(jià)值，在豆?jié){里含有多種優(yōu)質(zhì)蛋白、多種維生素、多種人體必須的氨基酸和多種微量元素等，是一種非常理想的健康食品。無論成年人、老年人和兒童，只要堅(jiān)持飲用，對(duì)于提高體質(zhì)、預(yù)防和治療病癥，都大有益處。隨著人們健康認(rèn)識(shí)的增強(qiáng)，為了衛(wèi)生，喝的放心，紛紛選擇家庭自制豆?jié){，從而拉動(dòng)家用豆?jié){機(jī)市場。但是現(xiàn)在市場上的豆?jié){機(jī)的加熱器為主要為電阻絲加熱管，現(xiàn)有發(fā)熱器具有如下不足之處
1.金屬和豆?jié){直接接觸，豆?jié){中殘留金屬和金屬腐蝕物，使得豆?jié){有金屬殘留味，影響豆?jié){的美味，并且對(duì)人體健康還會(huì)造成一定的傷害；
2.發(fā)熱管不易清洗干凈，容易滋生細(xì)菌；
3.發(fā)熱管的加熱均勻性差，產(chǎn)生局部高溫，在發(fā)熱體表面容易出現(xiàn)焦糊，難以清洗?，F(xiàn)有陶瓷加熱器主要應(yīng)用于氣體傳感器等領(lǐng)域，在廚房電器領(lǐng)域應(yīng)用罕見。專利申請(qǐng)?zhí)朇N200580016753. 0公開了一種陶瓷加熱器和采用其的氧傳感器及燙發(fā)剪，專利申請(qǐng)?zhí)朇N200520043672. 7公開了一種帶高靈敏度溫度傳感器的新型氧化鋁陶瓷加熱片。以上陶瓷加熱元件的陶瓷都為氧化鋁陶瓷，氧化鋁表面粗糙，陶瓷脆性大，與人體相容性差，不適合做豆?jié){機(jī)的加熱器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的第一個(gè)技術(shù)問題是提供一種新型絕緣材料，該絕緣材料具有燒結(jié)溫度低、絕緣性能好、與發(fā)熱電阻材料和陶瓷支撐體匹配性佳、使用壽命長、綠色環(huán)保、對(duì)人體無傷害的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明要解決的第二個(gè)技術(shù)問題是提供一種應(yīng)用了該絕緣材料的陶瓷加熱元件。該陶瓷加熱元件升溫迅速、功率密度大、加熱均勻、耐腐蝕、容易清洗、對(duì)食物無污染、使用壽命長，且成本低。本發(fā)明要解決的第三個(gè)技術(shù)問題是提供上述陶瓷加熱元件的制備方法。本發(fā)明要解決的第四個(gè)技術(shù)問題是提供該陶瓷加熱元件的具體應(yīng)用。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)一種絕緣材料，為以氧化鋁為主體的陶瓷材料，各組分及質(zhì)量百分比為，納米氧化鋁95 98%，二氧化鈦0. 5 2%，二氧化硅0. 4 2%、氧化鈣0. 2 0. 7%,三氧化二釔0. I 0. 3%。一種應(yīng)用了上述絕緣材料的陶瓷加熱元件，從下到上依次為下陶瓷基體、所述絕緣材料制成的下絕緣層、加熱電極、所述絕緣材料制成的上絕緣層、上陶瓷基體，所述加熱電極連接有電極引線。所述下陶瓷基體及上陶瓷基體為2 4m0l%氧化釔穩(wěn)定的四方多晶納米氧化鋯陶瓷。所述下陶瓷基體及上陶瓷基體的厚度為0. f 2mm。所述加熱電極所用的材料由以下質(zhì)量百分比的組分混合制備而成鐵鉻鋁合金60 85%，納米氧化鋁8 20%，二氧化鈦I 4%，二氧化硅0. 4 2%，氧化鈣0. 2 I. 0%,三氧化二釔
0.I 0. 4%。所述鐵鉻鋁合金由以下質(zhì)量百分比的組分混合而成鉻16 21%，鋁2 5%，錸
0.5 2%，鑰I. 4 2. 5%，鈮0. 4 0. 8%，余量為鐵。所述下絕緣層(4)及上絕緣層(2)的厚度為l(Tl20lim。
一種上述的陶瓷加熱元件的制備方法，制備步驟依次為
(1)分別制備加熱電極、上絕緣層及下絕緣層、上陶瓷基體及下陶瓷基體的材料；
(2)各層材料的印刷在下陶瓷基體的生坯上采用絲網(wǎng)印刷工藝依次印刷下絕緣層、力口熱電極、上絕緣層；其中下絕緣層及上絕緣層的印刷層厚度為15 160iim ;加熱電極(3)印刷層厚度為15 25iim;
步驟三印刷后的疊合
將步驟二所得材料的生坯和上陶瓷基體的生坯，在5(Tl20°C的溫度和l(T60MPa的壓力條件下進(jìn)行疊合；
步驟四高溫?zé)Y(jié)
將疊合體放入真空脫脂燒結(jié)一體爐中進(jìn)行排膠脫脂和高溫?zé)Y(jié)，高溫?zé)Y(jié)溫度為135(Tl550°C，保溫時(shí)間為I 3h ；
步驟五電極引線的焊接
采用釬焊工藝將加熱電極和引線連接上，制備出所需的陶瓷加熱元件。所述上陶瓷基體和下陶瓷基體的制備方法為采用流延工藝制備生坯，生坯的厚度為 0. 12 2. 5mm ；
加熱電極絲網(wǎng)印刷漿料的制備方法為將發(fā)熱電阻材料所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合；所述發(fā)熱電阻材料所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體的質(zhì)量比為0. 6 1.5:1。上絕緣層(2)和下絕緣層(4)絲網(wǎng)印刷漿料的制備方法為將絕緣層所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合；所述絕緣層所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體的質(zhì)量比為0. 6^1. 5:1。一種陶瓷加熱元件作為豆?jié){機(jī)加熱部件的應(yīng)用。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有如下有益效果
I、本發(fā)明新型絕緣材料具有燒結(jié)溫度低、絕緣性能好、與發(fā)熱電阻材料和陶瓷支撐體匹配性佳、使用壽命長、綠色環(huán)保、對(duì)人體無傷害的優(yōu)點(diǎn)。
2、本發(fā)明應(yīng)用了該絕緣材料制成的陶瓷加熱元件，經(jīng)測(cè)試，具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)加熱效率高，達(dá)到300°C僅需50秒；(2)加熱均勻性高，5個(gè)點(diǎn)的溫差最大值小于5°C ；(3)耐久性高，經(jīng)3000次循環(huán)冷熱沖擊試驗(yàn)后，沒有裂紋、脫落、分層，電阻變化率小于8% ； (4)外觀沒有裂紋，沒有污點(diǎn)，表面光潔。3、本發(fā)明應(yīng)用了該發(fā)熱電阻材料制成的陶瓷加熱元件應(yīng)用于豆?jié){機(jī)中，相比現(xiàn)有電阻絲加熱管具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)不產(chǎn)生金屬殘留物和金屬腐蝕物，豆?jié){中無金屬殘留味，對(duì)人體不產(chǎn)生危害；(2)陶瓷加熱元件更易清洗，不會(huì)有細(xì)菌滋生；(3)由于陶瓷加熱元件的加熱均勻性好，不會(huì)因局部高溫造成豆?jié){焦糊，降低豆?jié){的口味及營養(yǎng)價(jià)值。


圖I為本發(fā)明陶瓷加熱元件的爆炸圖。
具體實(shí)施例方式為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。實(shí)施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，不是對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例I
一種絕緣材料，各組分及質(zhì)量百分比為，納米氧化鋁97%，二氧化鈦I. 2%，二氧化硅1%，氧化鈣0. 5%、三氧化二釔0. 3%。如圖I所示，一種應(yīng)用了上述絕緣材料的陶瓷加熱元件，從下到上依次為下陶瓷基體6、上述絕緣材料制成的下絕緣層4、加熱電極3、上述絕緣材料制成的上絕緣層2、上陶瓷基體I，所述加熱電極3連接有電極引線5。所述上陶瓷基體I和下陶瓷基體6為3mol %氧化釔穩(wěn)定的四方多晶納米氧化鋯陶瓷。制備發(fā)熱電極3所用的發(fā)熱電阻材料，由以下質(zhì)量百分比的組分混合而成鐵鉻鋁合金80%，納米氧化鋁13%，二氧化鈦4%，二氧化硅I. 8%,氧化鈣0. 8%、三氧化二釔0. 4%。其中鐵鉻鋁合金由以下質(zhì)量百分比的組分混合而成鉻(Cr)為19%，鋁(Al)為5%，錸(Re ) 2%，鑰(Mo ) 2%，鈮(Nb ) 0. 8%，余量為鐵(Fe )。下面對(duì)陶瓷加熱元件的制備方法作詳細(xì)說明。步驟一各層材料的制備
(I)陶瓷基體的制備
采用流延工藝制備3m0l%氧化釔穩(wěn)定的納米氧化鋯陶瓷基體的生坯，生坯的長度為80mm,寬度為30mm,厚度為0. 8mm。(2)發(fā)熱電極3的制備
以加熱電極重量100份為基準(zhǔn)稱取以下份數(shù)的粉末鐵鉻鋁合金80份，納米氧化鋁13份，二氧化鈦4份，二氧化硅I. 8份，氧化鈣0. 8份、三氧化二釔0. 4份；其中鐵鉻鋁合金中各組分的質(zhì)量百分比為鉻(Cr)為19%，鋁(Al)為5%，錸(Re)2%，鑰(Mo) 2%、鈮(Nb) 0. 8%，其余含量為鐵(Fe)。將以上粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合制備加熱電極絲網(wǎng)印刷漿料。(3)絕緣層的制備以絕緣層的重量100份為基準(zhǔn)，稱取納米氧化鋁97份，二氧化鈦I. 2份，二氧化硅I份，氧化鈣0. 5份、三氧化二釔0. 3份。將以上粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合制備絕緣層絲網(wǎng)印刷漿料。步驟二 各層材料的印刷
在氧化鋯基體6的生坯上采用絲網(wǎng)印刷工藝依次印刷絕緣層4、加熱電極5、絕緣層2 ；其中絕緣層2和4的印刷層長度為70mm，寬度為20mm，厚度為25 — 30 y m,加熱電極印刷層厚度為20 u m?！げ襟E三印刷后的疊合
將印刷有絕緣層和加熱電極的氧化鋯基體6的生坯和氧化鋯基體I的生坯，在80°C的溫度和30MPa的壓力條件下進(jìn)行疊合。步驟四高溫?zé)Y(jié)
將疊合體放入真空脫脂燒結(jié)一體爐中進(jìn)行排膠脫脂和高溫?zé)Y(jié)，高溫?zé)Y(jié)溫度為1450°C，保溫時(shí)間為2h。步驟五電極引線的焊接
采用釬焊工藝將加熱電極和電極引線連接上，制備出所需的陶瓷加熱元件。
對(duì)本實(shí)施例制備的陶瓷加熱元件進(jìn)行性能檢測(cè)。絕緣性能指標(biāo)的檢測(cè)數(shù)據(jù)
絕緣強(qiáng)度(或者稱為直流擊穿強(qiáng)度)大于20Kv/mm (GB-T 5593-1996電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料 5. 13)
體積電阻率20°C 時(shí)，P V 彡 IXlO14Qcm ;100°C 時(shí)，P v 彡 I X IO14 Q cm ;300 °C 時(shí)，P V 彡 IXlO12Qcm ;50(TC時(shí)，P v 彡 lX10lclQcm。(GB-T 5594. 5-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法)。以下是耐腐蝕性測(cè)試(GB-T 5594.6-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法)
耐酸測(cè)試H < 7 mg / cm2,
耐堿測(cè)試N < 0. 2 mg / cm2 其它指標(biāo)的檢測(cè)，檢測(cè)方法如下
1、外觀檢測(cè)采用肉眼觀察陶瓷表面是否有裂紋、污點(diǎn)；
2、加熱效率檢測(cè)將加熱電極連接220V的家用電路，測(cè)試加熱元件表面達(dá)到300°C所需要的時(shí)間；
3、加熱均勻性檢測(cè)測(cè)試陶瓷加熱元件達(dá)到穩(wěn)定溫度點(diǎn)時(shí)，周邊四個(gè)角與中心位置的溫度數(shù)值，計(jì)算5個(gè)點(diǎn)的溫差最大值。4、耐久性測(cè)試對(duì)陶瓷加熱元件外加電壓，使得陶瓷加熱元件的溫度達(dá)到300°C，然后斷開電壓，向陶瓷加熱元件吹空氣，使陶瓷加熱元件整體冷卻到40°C以下，如此3000次循環(huán)冷熱沖擊試驗(yàn)，觀察陶瓷加熱元件是否出現(xiàn)裂紋、脫落、分層，測(cè)試加熱元件的電阻變化。本實(shí)施例陶瓷加熱元件性能測(cè)試結(jié)果見表I。表I陶瓷加熱元件性能測(cè)試結(jié)果測(cè)試項(xiàng)目I測(cè)試情況
外觀沒有裂紋，沒有污點(diǎn)，表面光潔_
加熱效率達(dá)到300°C所需要的時(shí)間5S_
加熱均5個(gè)點(diǎn)的溫差最大值小于5°C
耐久性|3000次循環(huán)冷熱沖擊試驗(yàn)后，沒有裂紋、脫落、分層，電阻變化率小于8%。
本發(fā)明還提供了一種上述陶瓷加熱元件的應(yīng)用，即將上述陶瓷加熱元件代替現(xiàn)有的電阻絲加熱管作為豆?jié){機(jī)的加熱部件。豆?jié){機(jī)的結(jié)構(gòu)、豆?jié){機(jī)的配件、程序控制、組裝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，此處也不贅述。本實(shí)施例的豆?jié){機(jī)中的加熱器由實(shí)施例I中制備的陶瓷加熱元件制作成，一臺(tái)豆?jié){機(jī)含有3個(gè)陶瓷加熱元件，均勻排列在杯體中。 該豆?jié){機(jī)由于具備本發(fā)明實(shí)施例I所述的陶瓷加熱元件，能夠制備出沒有焦糊、沒有金屬殘留味、無污染的豆?jié){；豆?jié){機(jī)容易清洗、使用壽命長。實(shí)施例2
一種絕緣材料，各組分及質(zhì)量百分比為，納米氧化鋁95%，二氧化鈦2%，二氧化硅2%，氧化鈣0. 7%、三氧化二釔0. 3%。應(yīng)用了本實(shí)施例絕緣材料制備陶瓷加熱元件的方法和實(shí)施例I相同，在此不做重復(fù)描述。應(yīng)用了本實(shí)施例絕緣材料制得的陶瓷加熱元件中絕緣層的絕緣性能檢測(cè)指標(biāo)如下
絕緣強(qiáng)度(或者稱為直流擊穿強(qiáng)度)大于20Kv/mm (GB-T 5593-1996電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料 5. 13)
體積電阻率20°C 時(shí)，P V 彡 IXlO14Qcm ;100°C 時(shí)，P v 彡 I X IO14 Q cm ;300 °C 時(shí)，P V 彡 IXlO12Qcm ;50(TC時(shí)，P v 彡 lX10lclQcm。(GB-T 5594. 5-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)
陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法)。
以下是耐腐蝕性測(cè)試(GB-T 5594.6-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法)
耐酸測(cè)試H < 7 mg / cm2,
耐堿測(cè)試N < 0. 2 mg / cm2 實(shí)施例3
納米氧化鋁98%，二氧化鈦0. 5%, 二氧化硅0. 6%、氧化鈣0. 6%,三氧化二釔0. 3%。應(yīng)用了本實(shí)施例絕緣材料制備陶瓷加熱元件的方法和實(shí)施例I相同，在此不做重復(fù)描述。應(yīng)用了本實(shí)施例絕緣材料制得的陶瓷加熱元件的絕緣性能檢測(cè)指標(biāo)如下
絕緣強(qiáng)度(或者稱為直流擊穿強(qiáng)度)大于20Kv/mm (GB-T 5593-1996電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料 5. 13)
體積電阻率20°C 時(shí)，P V 彡 IXlO14Qcm ;100°C 時(shí)，P v 彡 I X IO14 Q cm ;300 °C 時(shí)，P V 彡 IXlO12Qcm ;50(TC時(shí)，P v 彡 lX10lclQcm。(GB-T 5594. 5-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法)。以下是耐腐蝕性測(cè)試(GB-T 5594.6-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試方法)耐酸測(cè)試H < 7 mg 耐堿測(cè)試N≤0. 2/ 2 / cm，
權(quán)利要求
1.一種絕緣材料，其特征在于為以氧化鋁為主體的陶瓷材料，各組分及質(zhì)量百分比為，納米氧化招95 98%, 二氧化鈦0. 5 2%, 二氧化娃0. 4 2%、氧化I丐0. 2 0. 7%,三氧化二宇乙0.ro. 3%。
2.一種應(yīng)用了權(quán)利要求I所述絕緣材料的陶瓷加熱元件，其特征在于從下到上依次為下陶瓷基體(6)、所述絕緣材料制成的下絕緣層(4)、加熱電極(3)、所述絕緣材料制成的上絕緣層(2)、上陶瓷基體(1)，所述加熱電極(3)連接有電極引線(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱元件，其特征在于所述下陶瓷基體(6)及上陶瓷基體(I)為2 4mol%氧化釔穩(wěn)定的四方多晶納米氧化鋯陶瓷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷加熱元件，其特征在于所述下陶瓷基體(6)及上陶瓷基體(I)的厚度為0. I 2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱元件，其特征在于所述加熱電極(3)所用的材料由以下質(zhì)量百分比的組分混合制備而成鐵鉻鋁合金6(T85%，納米氧化鋁8 20%，二氧化鈦I 4%，二氧化硅0. 4 2%，氧化鈣0. 2 I. 0%，三氧化二釔0. ro. 4%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷加熱元件，其特征在于所述鐵鉻鋁合金由以下質(zhì)量百分比的組分混合而成鉻16 21%，鋁2 5%，錸0. 5 2%，鑰I. 4 2. 5%，鈮0. 4 0. 8%，余量為鐵。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱元件，其特征在于所述下絕緣層(4)及上絕緣層(2)的厚度為l(Tl20iim。
8.—種權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱元件的制備方法，其特征在于制備步驟依次為 (1)分別制備加熱電極(3)、上絕緣層(2)及下絕緣層(4)、上陶瓷基體(I)及下陶瓷基體(6)的材料； (2)各層材料的印刷在下陶瓷基體(6)的生坯上采用絲網(wǎng)印刷工藝依次印刷下絕緣層(4)、加熱電極(3)、上絕緣層(2);其中下絕緣層(4)及上絕緣層(2)的印刷層厚度為15 160iim;加熱電極(3)印刷層厚度為15 — 25iim; 步驟三印刷后的疊合 將步驟二所得材料的生坯和上陶瓷基體(I)的生坯，在5(Tl20°C的溫度和l(T60MPa的壓力條件下進(jìn)行疊合； 步驟四高溫?zé)Y(jié) 將疊合體放入真空脫脂燒結(jié)一體爐中進(jìn)行排膠脫脂和高溫?zé)Y(jié)，高溫?zé)Y(jié)溫度為135(Tl550°C，保溫時(shí)間為I 3h ； 步驟五電極引線的焊接 采用釬焊工藝將加熱電極和引線連接上，制備出所需的陶瓷加熱元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷加熱元件的制備方法，其特征在于 上陶瓷基體(I)和下陶瓷基體(6)的制備方法為采用流延工藝制備生坯，生坯的厚度為 0. 12 2. 5mm ； 加熱電極絲網(wǎng)印刷漿料的制備方法為將發(fā)熱電阻材料所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合；所述發(fā)熱電阻材料所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體的質(zhì)量比為0. 6^1. 5:1 ； 上絕緣層(2)和下絕緣層(4)絲網(wǎng)印刷漿料的制備方法為將絕緣層所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體混合；所述絕緣層所需原料物質(zhì)的粉末和含有粘合劑的有機(jī)載體的質(zhì)量比為0. 6 1.5:1。
10.一種權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱元件作為豆?jié){機(jī)加熱部件的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種絕緣材料，還涉及應(yīng)用該絕緣材料的陶瓷加熱元件及其制備方法，還涉及該陶瓷加熱元件的應(yīng)用。一種絕緣材料，為以氧化鋁為主體的陶瓷材料，各組分及質(zhì)量百分比為，納米氧化鋁95~98%，二氧化鈦0.5~2%，二氧化硅0.4~2%、氧化鈣0.2~0.7%，三氧化二釔0.1~0.3%。一種應(yīng)用了上述絕緣材料的陶瓷加熱元件，從下到上依次為下陶瓷基體、所述絕緣材料制成的下絕緣層、加熱電極、所述絕緣材料制成的上絕緣層、上陶瓷基體，所述加熱電極連接有電極引線。本發(fā)明絕緣材料具有燒結(jié)溫度低、絕緣性能好、與發(fā)熱電阻材料和陶瓷支撐體匹配性佳、使用壽命長、綠色環(huán)保、對(duì)人體無傷害的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)C04B35/117GK102674820SQ20121017935
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月4日
發(fā)明者胡延超, 陳彬 申請(qǐng)人:惠州市富濟(jì)電子材料有限公司