專利名稱：溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配向膜預(yù)干燥技術(shù)，特別涉及一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法。
背景技術(shù)：
配向膜(PI，即聚酰亞胺)預(yù)干燥是PI材料在涂布于基板之后(涂布(coating)法或噴墨印刷(inkjet法))、固化(Maincure)之前進(jìn)行的對(duì)PI液內(nèi)的溶劑進(jìn)行揮發(fā)處理的步驟(將80%的溶劑揮發(fā)出來(lái))，PI液的主要成分是聚酰亞胺、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇丁醚(BC)等。預(yù)干燥的目的是將PI液里面的NMP、BC等溶劑揮發(fā)出來(lái)，使PI膜平整化。PI預(yù)干燥的手段，目前業(yè)界內(nèi)主要是通過(guò)紅外線輻射加熱基板，致使溶劑揮發(fā)。此干燥 技術(shù)的最大制程問(wèn)題是干燥過(guò)程中的受熱不均和揮發(fā)不均一是支撐針(Pin)與基板的接觸會(huì)造成接觸位置與沒(méi)接觸位置的受熱不均，造成由針引起的不均勻(Pin Mura) ;二是邊緣區(qū)域與中間區(qū)域的溶劑揮發(fā)速度不均，會(huì)造成膜厚不均區(qū)域，稱之為光暈區(qū)(Halo Area)或邊緣區(qū)(Edge Area);進(jìn)而會(huì)影響產(chǎn)品品質(zhì)。目前業(yè)界均是采用預(yù)干燥(prebake)加接觸針(proximity)制程的方式。如圖I所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中預(yù)烘烤加接觸針制程中產(chǎn)生的Pin Mura示意圖，經(jīng)預(yù)干燥的基板I上以環(huán)形標(biāo)出的區(qū)域中具有Pin Mura 10。Pin Mura的產(chǎn)生原因是支撐基板的接觸針(proximity)不是完全絕熱的，因而在預(yù)烘烤(prebake)時(shí)候會(huì)造成支撐部位與不支撐部位的受熱不均，進(jìn)而影響到基板表面的PI液揮發(fā)的均一性，致使基板表面產(chǎn)生Pin Mura。現(xiàn)有技術(shù)中減小Pin Mura的方式主要有兩種一是改良pin材質(zhì),選取絕熱性較好的材質(zhì)如聚醚醚酮(PEEK)和新材質(zhì)聚砜(PSF) ;二是改良proximity的支撐方式,有頂針(lift pin)和移動(dòng)針(move pin)方式。如圖2所示,其為現(xiàn)有技術(shù)中的移動(dòng)針支撐方式的工作狀態(tài)示意圖，基板2由移動(dòng)針21和固定針22支撐，通過(guò)移動(dòng)針21的移動(dòng)，引起基板2的位置變化為原點(diǎn)、上升、前進(jìn)、下降及后退的狀態(tài)。如圖3所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中的頂針支撐方式的工作狀態(tài)示意圖，基板3由頂針31和頂針32交替頂起。圖2及圖3所示支撐方式的具體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。雖然這幾種方式都能在一定程度上減少Pin Mura，但還是不能完全消除。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種減少Pin Mura、提高基板品質(zhì)的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置。本發(fā)明的又一目的在于提供一種減少Pin Mura、提高基板品質(zhì)的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，包括用于從基板下方預(yù)干燥基板的加熱器、用于向上支撐基板的若干溫控針以及溫控系統(tǒng)，所述溫控針連接至所述溫控系統(tǒng)，每個(gè)所述溫控針可由所述溫控系統(tǒng)單獨(dú)控制溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。其中，所述加熱器具有與基板表面平行的用于加熱基板的平面輻射表面，所述溫控針上下穿過(guò)所述平面輻射表面。其中，所述基板為玻璃基板。其中，所述 溫控針以移動(dòng)針支撐方式支撐基板。其中，所述溫控針以頂針支撐方式支撐基板。其中，所述加熱器為紅外線輻射加熱器。其中，所述加熱器為熱氣流加熱器。其中，所述溫控針至少包括溫度可控制的用于向上支撐基板的末端。本發(fā)明還提供一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法，包括步驟一、采用若干溫控針向上支撐基板；步驟二、采用加熱器從基板下方預(yù)干燥基板；步驟三、采用溫控系統(tǒng)單獨(dú)控制每個(gè)所述溫控針的溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。其中，所述加熱器具有與基板表面平行的用于加熱基板的平面輻射表面，所述溫控針上下穿過(guò)所述平面輻射表面。本發(fā)明的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法可以減少玻璃基板表面的受熱不均，減少Pin Mura。


下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見(jiàn)。附圖中，圖I為現(xiàn)有技術(shù)中預(yù)干燥加接觸針制程中產(chǎn)生的Pin Mura示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的移動(dòng)針支撐方式的工作狀態(tài)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的頂針支撐方式的工作狀態(tài)示意圖；圖4為本發(fā)明溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法一較佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)圖4，其為本發(fā)明溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該較佳實(shí)施例的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，包括用于從基板4下方預(yù)干燥基板4的加熱器41、用于向上支撐基板4的若干溫控針42以及溫控系統(tǒng)43，所述溫控針42連接至所述溫控系統(tǒng)43，每個(gè)所述溫控針42可由所述溫控系統(tǒng)43單獨(dú)控制溫度，以使基板4上溫控針42的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。加熱時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)溫控針42的溫度，達(dá)到有溫控針42部位和無(wú)溫控針42部位受熱的均一性，從而使Pin Mura減少或消失。加熱器41可以為本領(lǐng)域中常用的加熱器，例如紅外線輻射加熱器或熱氣流加熱器，其熱源可以是熱電阻絲等。在此較佳實(shí)施例中，加熱器41具有與基板4表面平行的用于加熱基板4的平面輻射表面44，溫控針42上下穿過(guò)平面輻射表面44?；?可以為玻璃基板。本發(fā)明可以與現(xiàn)有的接觸針支撐方式結(jié)合，以進(jìn)一步減少Pin Mura，例如溫控針42以移動(dòng)針支撐方式支撐基板4，或者溫控針42以頂針支撐方式支撐基板4。溫控系統(tǒng)43對(duì)溫控針42的溫度控制可以通過(guò)反饋控制機(jī)制來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如，溫控針42設(shè)有溫度傳感器以探測(cè)其在基板4上的支撐位置及基板4上該支撐位置周圍的溫度，溫控系統(tǒng)43根據(jù)溫度比較的結(jié)果控制對(duì)溫控針42的溫度進(jìn)行補(bǔ)償。對(duì)于溫控針42的具體結(jié)構(gòu)，其除可以包括現(xiàn)有接觸針用于支撐基板的功能結(jié)構(gòu)外，至少其用于向上支撐基板4的末端45為溫度可控制的。參見(jiàn)圖5，其為本發(fā)明溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法一較佳實(shí)施例的 流程圖。對(duì)于本發(fā)明的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，本發(fā)明還相應(yīng)提供了溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法，包括步驟51、采用若干溫控針向上支撐基板，本發(fā)明的方法可以在現(xiàn)有技術(shù)采用預(yù)干燥加接觸針制程的方式的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)，采用了溫度可控制的溫控針代替現(xiàn)有技術(shù)中的接觸針來(lái)支撐基板；步驟52、采用加熱器從基板下方預(yù)干燥基板；步驟53、采用溫控系統(tǒng)來(lái)單獨(dú)控制每個(gè)所述溫控針的溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻，達(dá)到有溫控針部位和無(wú)溫控針部位受熱的均一性，從而使Pin Mura減少或消失。綜上所述，本發(fā)明溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法的每個(gè)溫控針可單獨(dú)控制，通過(guò)調(diào)節(jié)溫控針的溫度，使其與周圍的受熱均勻，避免由于受熱不均形成PinMura0以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，包括用于從基板下方預(yù)干燥基板的加熱器、用于向上支撐基板的若干溫控針以及溫控系統(tǒng)，所述溫控針連接至所述溫控系統(tǒng)，每個(gè)所述溫控針可由所述溫控系統(tǒng)單獨(dú)控制溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。
2.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述加熱器具有與基板表面平行的用于加熱基板的平面輻射表面，所述溫控針上下穿過(guò)所述平面輻射表面。
3.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述基板為玻璃基板。
4.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述溫控針以移動(dòng)針支撐方式支撐基板。
5.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述溫控針以頂針支撐方式支撐基板。
6.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述加熱器為紅外線輻射加熱器。
7.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述加熱器為熱氣流加熱器。
8.如權(quán)利要求I所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置，其特征在于，所述溫控針至少包括溫度可控制的用于向上支撐基板的末端。
9.一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法，其特征在于，包括 步驟一、采用若干溫控針向上支撐基板； 步驟二、采用加熱器從基板下方預(yù)干燥基板； 步驟三、采用溫控系統(tǒng)單獨(dú)控制每個(gè)所述溫控針的溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。
10.如權(quán)利要求9所述的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的方法，其特征在于，所述加熱器具有與基板表面平行的用于加熱基板的平面輻射表面，所述溫控針上下穿過(guò)所述平面輻射表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法，該裝置包括用于從基板下方預(yù)干燥基板的加熱器、用于向上支撐基板的若干溫控針以及溫控系統(tǒng)，所述溫控針連接至所述溫控系統(tǒng)，每個(gè)所述溫控針可由所述溫控系統(tǒng)單獨(dú)控制溫度，以使基板上溫控針的支撐位置與支撐位置的周圍受熱均勻。本發(fā)明的溫控針支撐基板進(jìn)行配向膜預(yù)干燥的裝置及方法可以減少玻璃基板表面的受熱不均，減少Pin Mura。
文檔編號(hào)C03C17/32GK102633442SQ201210117359
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月19日
發(fā)明者施翔尹, 朱美娜, 趙建君 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司