專利名稱：單晶硅的切割裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及利用多晶提拉出單晶硅領(lǐng)域，具體屬于單晶硅的切割裝置。
背景技術(shù)：
目前，直拉單晶爐是晶體生長設(shè)備中最重要的產(chǎn)品系列，用它來制作人工晶體，晶體生長速度最高，最容易實現(xiàn)人工控制，因此也獲得了最廣泛的應(yīng)用。為了生長出大尺寸和高質(zhì)量的單晶，人類幾乎用了一切先進的手段。在單晶爐上集成了材料、機械、電氣、計算機、磁多方面的高端知識和技術(shù)。硅單晶體作為一種半導(dǎo)體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件。大部分的半導(dǎo)體硅單晶體采用直拉法制造。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種單晶硅的切割裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。本實用新型的技術(shù)方案如下單晶硅的切割裝置，包括有工作臺，工作臺上固定有左、右導(dǎo)料棒，所述的左、右導(dǎo)料棒中部設(shè)有空腔，且之間放置有單晶硅棒，空腔的上方設(shè)有鋸料機，鋸料機的鋸齒豎置于單晶硅棒的外側(cè)，單晶硅棒的外側(cè)設(shè)有壓料裝置，壓料裝置包括有支桿，支桿上滑動套裝有滑動架，滑動架上螺紋連接有壓料桿，壓料桿的上端安裝有手柄，下端固定安裝有壓料盤， 壓料盤的下端面具有與單晶硅棒側(cè)壁相配合的凹槽。所述的凹槽呈V字形。本實用新型增加了壓料裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參見附圖，單晶硅的切割裝置，包括有工作臺1，工作臺1上固定有左、右導(dǎo)料棒2、 3，左、右導(dǎo)料棒中部設(shè)有空腔，且之間放置有單晶硅棒4，空腔的上方設(shè)有鋸料機5，鋸料機的鋸齒6豎置于單晶硅棒4的外側(cè)，單晶硅棒的外側(cè)設(shè)有壓料裝置，壓料裝置包括有支桿7， 支桿7上滑動套裝有滑動架8，滑動架8上螺紋連接有壓料桿9，壓料桿9的上端安裝有手柄10，下端固定安裝有壓料盤11，壓料盤的下端面具有與單晶硅棒側(cè)壁相配合的凹槽12， 凹槽呈V字形。
權(quán)利要求1.單晶硅的切割裝置，包括有工作臺，工作臺上固定有左、右導(dǎo)料棒，其特征在于所述的左、右導(dǎo)料棒中部設(shè)有空腔，且之間放置有單晶硅棒，空腔的上方設(shè)有鋸料機，鋸料機的鋸齒豎置于單晶硅棒的外側(cè)，單晶硅棒的外側(cè)設(shè)有壓料裝置，壓料裝置包括有支桿，支桿上滑動套裝有滑動架，滑動架上螺紋連接有壓料桿，壓料桿的上端安裝有手柄，下端固定安裝有壓料盤，壓料盤的下端面具有與單晶硅棒側(cè)壁相配合的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅的切割裝置，其特征在于所述的凹槽呈V字形。
專利摘要本實用新型公開了單晶硅的切割裝置，包括有工作臺，工作臺上固定有左、右導(dǎo)料棒，所述的左、右導(dǎo)料棒中部設(shè)有空腔，且之間放置有單晶硅棒，空腔的上方設(shè)有鋸料機，鋸料機的鋸齒豎置于單晶硅棒的外側(cè)，單晶硅棒的外側(cè)設(shè)有壓料裝置，壓料裝置包括有支桿，支桿上滑動套裝有滑動架，滑動架上螺紋連接有壓料桿，壓料桿的上端安裝有手柄，下端固定安裝有壓料盤，壓料盤的下端面具有與單晶硅棒側(cè)壁相配合的凹槽。本實用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。
文檔編號B28D5/04GK202185990SQ20112026491
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者林游輝 申請人:合肥景坤新能源有限公司