專利名稱：電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電容觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及一種電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
觸摸屏作為一種新型的人機(jī)交互界面，廣泛地應(yīng)用于各種數(shù)字信息系統(tǒng)上，從小型產(chǎn)品如手機(jī)、PDA、數(shù)碼產(chǎn)品及e-Book，到中型產(chǎn)品如車載導(dǎo)航儀、游戲機(jī)、家用電器及工控儀器，再到大型產(chǎn)品如POS系統(tǒng)、公共查詢系統(tǒng)、便攜電腦、醫(yī)療儀器以及電視新聞節(jié)目中常用的觸摸式PDP上都可以看到觸摸屏產(chǎn)品。特別是iPhone的推出，極大地刺激了觸摸屏在手機(jī)上應(yīng)用的力度，在手機(jī)上應(yīng)用觸摸屏已成為一種流行風(fēng)尚，加之觸摸屏在車載導(dǎo)航儀GPS上的應(yīng)用，對(duì)觸摸屏的需求越來越大，其市場(chǎng)前景十分可觀。根據(jù)美國(guó)Display karch最新出版的2010年觸摸屏市場(chǎng)分析報(bào)告，觸摸屏在如手機(jī)、媒體播放器與導(dǎo)航儀等手持式裝置滲透率增長(zhǎng)相當(dāng)快速，在接下來幾年，我們可以看到觸摸屏在較大尺寸應(yīng)用如一體電腦、上網(wǎng)本/平板電腦、教育與培訓(xùn)、公共信息廣告牌與自主登機(jī)等方面也會(huì)有很好的成長(zhǎng)。觸摸屏已成為數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)，而且仍處于高度成長(zhǎng)中，這也是大家關(guān)注觸摸產(chǎn)業(yè)的主要因素。2009年全球觸摸屏產(chǎn)值達(dá)43億美元，估計(jì)2016年將成長(zhǎng)到140億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)18%。而電容觸摸屏以其使用壽命長(zhǎng)，可達(dá)10年以上，產(chǎn)品一致性好、成品率高的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)逐步取代電阻式觸摸屏， 成為未來觸摸屏的主流。現(xiàn)有的電容式觸摸屏容易出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的功能及產(chǎn)品合格率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)， 不會(huì)出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，產(chǎn)品的合格率高，生產(chǎn)成本低，適合量產(chǎn)。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提出了電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，包括 玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進(jìn)行線路圖形蝕刻加工形成的ITO膜層；印于所述ITO膜層并進(jìn)行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAIMO膜層。進(jìn)一步地，所述玻璃基片與所述ITO膜層之間還形成有AR層。進(jìn)一步地，所述AR層厚度為200nm 250nm。進(jìn)一步地，所述OC絕緣層厚度為1800nm 2200nm。進(jìn)一步地，所述玻璃基片厚度為0. 33mm 0. 55mm。進(jìn)一步地，所述ITO膜層厚度為15nm 25nm。進(jìn)一步地，所述MoAlMo膜層厚度為320nm 380nm。進(jìn)一步地，所述玻璃基片為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果是采用印于ITO膜層并進(jìn)行真空等離子轟擊的OC絕緣層及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAIMO膜層，避免出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，提升了產(chǎn)品的合格率，降低了生產(chǎn)成本低。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。請(qǐng)參考圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)包括玻璃基片10、ΙΤ0(摻錫氧化銦，Indium Tin Oxide，簡(jiǎn)稱 IT0)膜層 30、0C (光學(xué)透明膠帶，Optical scotch tape, 簡(jiǎn)稱OCA或0C)絕緣層40及MoAlMo (鉬鋁鉬)膜層50。玻璃基片10為清洗、烘干后的玻璃基片10，厚度為0.33mm 0.55mm，為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片10。ITO膜層30采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片10的一面并進(jìn)行線路圖形蝕刻加工形成，厚度為15nm 25nm，優(yōu)選為20nm。OC絕緣層40印于所述ITO膜層30，厚度為1800nm 2200nm，優(yōu)選為2000nm，印完后并對(duì)設(shè)有所述ITO膜層30及OC絕緣層40的玻璃基片10進(jìn)行真空等離子轟擊。 MoAlMo膜層50鍍膜于所述OC絕緣層40上，厚度為320nm 380nm，優(yōu)選為350nm。本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式中，所述玻璃基片10與所述ITO膜層30之間還形成有 AR(高透光率防反射，high light transmittance and reflection，簡(jiǎn)稱 AR)層 20，所述AR層20厚度為200nm 250nm，優(yōu)選為230nm。本實(shí)用新型實(shí)施例電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)的制作工藝流程為圖形玻璃制作步驟清洗、烘干玻璃基片10，采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片10的一面并進(jìn)行線路圖形蝕刻加工形成ITO膜層30。鍍MoAIMO膜層50步驟1.準(zhǔn)備靶材。在真空鍍膜室的陰極座后裝上鉬鋁靶材，其順序?yàn)殂f靶一招靴一銷靶，采用中頻和直流磁控濺射電源控制。2.鍍膜。對(duì)己蝕刻好ITO 圖形的玻璃基片10進(jìn)行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍MoAIMO膜，采用連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)，基片加熱溫度為100°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為0. 5m/min，進(jìn)行真空等離子體離子預(yù)轟擊，離子源功率IkW、Ar流量180sccm 220sccm、真空度2. 6 X IO^1Pa 5. 5 X IO^1Pa 之間，總氣壓為0. 260Pa 0. 55Pa,使用1個(gè)離子源進(jìn)行等離子體離子預(yù)轟擊，使用6個(gè)Mo 靶和6個(gè)Al靶進(jìn)行鍍MoAlMo膜，鍍膜室真空度在3. 0*10^Pa 4. 5*10^Pa之間。按照上述工藝制作的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)測(cè)試結(jié)果為=MoAIMO層膜厚為 !350nm，顏色均勻，無針孔等不良，MoAlMo電阻為0. 28siements/sq 0. ^siements/sq，產(chǎn)品最終檢驗(yàn)合格。MoAlMo膜層50的主要性能如下膜層結(jié)構(gòu)及膜厚鉬500A，鋁2500A，鉬500A ； 電阻測(cè)試小于等于0. 3siements/sq,由于通過增加Al膜厚度可降低膜層電阻，使電容屏能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)速度快，降低能耗，增強(qiáng)電池的續(xù)航時(shí)間；附著力使用百格刀在基板上劃1 平方毫米的方格，用3M 610#膠帶粘上后撕扯，無掉膜現(xiàn)象；熱穩(wěn)定性在220°C的環(huán)境下， 烘烤60min，無變色情況。[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)在真空環(huán)境下進(jìn)行，采用全分子泵無油真空系統(tǒng)，使用中頻磁控濺射和直流磁控濺射方式，實(shí)現(xiàn)了鉬鋁鉬三層膜的連鍍，產(chǎn)品性能得到保證，通過等離子體預(yù)轟擊，清潔圖形玻璃基板表面，活化ITO表面從而增加了 ITO表面與MoAIMO導(dǎo)電膜的結(jié)合力，等離子體在對(duì)玻璃表面的轟擊同時(shí)清潔玻璃表面，解決了掉膜、針孔及開路等不良，提高了產(chǎn)品的性能及產(chǎn)品合格率。本實(shí)用新型實(shí)施例將AR+IT0兩種技術(shù)合二為一，電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)具有高透性，透過率Tr ^ 93%，通過圖形設(shè)計(jì)，OC膠絕緣用MoAIMO塔橋，實(shí)現(xiàn)高端投射式電容式觸摸屏所有功能，實(shí)現(xiàn)了投射式電容屏的量化生產(chǎn)。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進(jìn)行線路圖形蝕刻加工形成的 ITO膜層；印于所述ITO膜層并進(jìn)行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MOAIMO膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基片與所述ITO 膜層之間還形成有AR層。
3.如權(quán)利要求2所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AR層厚度為 200nm 250nmo
4.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述OC絕緣層厚度為 1800nm 2200nm。
5.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基片厚度為 0. 33mm 0. 55mm0
6.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ITO膜層厚度為 15nm 25nm。
7.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MoAIMO膜層厚度為 320nm 380nm。
8.如權(quán)利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基片為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種電容觸摸屏的鍍膜結(jié)構(gòu)，包括玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進(jìn)行線路圖形蝕刻加工形成的ITO膜層；印于所述ITO膜層并進(jìn)行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAlMo膜層。本實(shí)用新型實(shí)施例采用印于ITO膜層并進(jìn)行真空等離子轟擊的OC絕緣層及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAlMo膜層，避免出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，提升了產(chǎn)品的合格率，降低了生產(chǎn)成本低。
文檔編號(hào)C03C17/36GK202107635SQ20112025337
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者徐天輔, 徐日宏, 李小軍, 郭永飛 申請(qǐng)人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司