一種單層多點ogs電容屏結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，電容屏的蓋板玻璃上方設有ITO圖案層，ITO圖案層的非可視區(qū)形成邊框，柔性電路板位于邊框下方，在ITO圖案層與蓋板玻璃之間設有一層光阻材料，光阻材料的厚度為1±0.2um。光阻材料為BM光阻薄膜，BM光阻薄膜的膜厚為1±0.2um。本實用新型可徹底去除BM黑色邊框處的ITO蝕刻痕，改善外觀，且能提高生產(chǎn)良率，并降低成本。
【專利說明】一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及觸摸設備領(lǐng)域，更具體的說涉及一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]近幾年，電容式觸摸屏的發(fā)展迅猛，行業(yè)內(nèi)存在多種觸摸屏結(jié)構(gòu)。IC廠商最新開發(fā)的單層ITO (導電玻璃)多點觸控方案，大大簡化了觸摸屏結(jié)構(gòu)，減少了生產(chǎn)工藝步驟，降低生產(chǎn)成本，所以，單層多點(毛毛蟲)OGS (One Glass Solution,—體化觸控)電容屏得到越來越多的重視。
[0003]目前的單層多點(毛毛蟲)OGS電容屏產(chǎn)品有兩種結(jié)構(gòu)，如圖1所示現(xiàn)有的一種單層多點(毛毛蟲)OGS電容屏的結(jié)構(gòu)，如圖所示，在蓋板玻璃I (Glass)上方，先做ITO圖案層2 (ΙΤ0- Pattern layer),在ITO圖案層2的非可視區(qū)絲印一層黑色油墨層形成BM (黑色光刻膠)邊框3 (以黑色邊框說明)，而柔性電路板5 (FPC)位于BM邊框下方，這樣ITO蝕刻痕4在BM邊框3處明顯，令BM油墨下的ITO圖案層從蓋板玻璃I 一側(cè)看很明顯，外觀不好。
[0004]為克服上述缺陷，圖2所示結(jié)構(gòu)作出了改進，先做BM邊框3，再做ITO圖案層2，將ITO圖案層2做在BM油墨上，這樣就不存在BM處ITO蝕刻痕的外觀問題，但是由于BM油墨層很厚，油墨層上方會形成凹凸不平，鍍?yōu)R的ITO圖案層2與ITO黃光制程都會受BM油墨表面高度差的影響造成良率下降，成本也較高。
[0005]上述的兩種結(jié)構(gòu)各有弊端，其中一種雖然良率高一些但是外觀不好，BM黑框區(qū)域的ITO蝕刻痕明顯，客戶不易接受，另外一種外觀好一些但是良率較低。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型的目的在于提供一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，其可徹底去除BM黑色邊框處的ITO蝕刻痕，改善外觀，且能提高生產(chǎn)良率，并降低成本。
[0007]為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是:
[0008]一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，電容屏的蓋板玻璃上方設有ITO圖案層，ITO圖案層的非可視區(qū)形成邊框，柔性電路板位于邊框下方，在ITO圖案層與蓋板玻璃之間設有一層光阻材料。
[0009]進一步，光阻材料的厚度為1±0.2um。
[0010]進一步，光阻材料為BM光阻薄膜。
[0011]進一步，BM光阻薄膜的膜厚為1±0.2um。
[0012]采用上述結(jié)構(gòu)后，本實用新型通過在ITO圖案層與蓋板玻璃之間增加一層光阻材料，其使邊框區(qū)域的ITO蝕刻痕不可見，解決了現(xiàn)有技術(shù)兩種結(jié)構(gòu)上在外觀上的缺陷和生產(chǎn)良率下降上的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】[0013]圖1為現(xiàn)有的一種單層多點OGS電容屏產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為現(xiàn)有的另一種單層多點OGS電容屏產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]為了進一步解釋本實用新型的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來對本實用新型進行詳細闡述。
[0017]本實用新型提供了一種單層多點(毛毛蟲)0GS結(jié)構(gòu)，如圖3所示，在蓋板玻璃I上方，先做ITO圖案層2，然后再做BM邊框3，柔性電路板5位于BM邊框3的下方，在BM邊框上絲印覆蓋有黑色油墨(本實施例中以黑色邊框說明)。本實用新型中，在ITO圖案層2與蓋板玻璃I之間設有一層光阻材料6，這樣就可使邊框區(qū)域的ITO蝕刻痕不可見，同時因為光阻材料的厚度為BM邊框中BM油墨厚度的1/5左右，膜厚度為1±0.2um，從而也可提高黃光工藝生產(chǎn)良率。其中，光阻材料可為感光膠等光阻材料，其可是在ITO圖案層2與蓋板玻璃I之間增加一層薄層BM光阻薄膜6，這樣就可使BM黑色邊框區(qū)域的ITO蝕刻痕不可見，同時因為BM光阻薄膜6的膜厚為1±0.2um，從而也可提高黃光工藝生產(chǎn)良率，從而可改善外觀，提高生產(chǎn)良率，并降低成本。
[0018]本實用新型通過在ITO圖案層2與蓋板玻璃I之間增加一層光阻材料，其使邊框區(qū)域的ITO蝕刻痕不可見，解決了現(xiàn)有技術(shù)兩種結(jié)構(gòu)上在外觀上的缺陷和生產(chǎn)良率下降上的問題。
[0019]上述實施例和圖式并非限定本實用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本實用新型的專利范疇。
【權(quán)利要求】
1.一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，電容屏的蓋板玻璃上方設有ITO圖案層，ITO圖案層的非可視區(qū)形成邊框，柔性電路板位于邊框下方，其特征在于:在ITO圖案層與蓋板玻璃之間設有一層光阻材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，其特征在于:光阻材料的厚度為 I±0.2um ο
3.如權(quán)利要求1所述的一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，其特征在于:光阻材料為BM光阻薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的一種單層多點OGS電容屏結(jié)構(gòu)，其特征在于:BM光阻薄膜的膜厚為 1±0.2um。
【文檔編號】G06F3/044GK203812222SQ201420180964
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月15日
【發(fā)明者】林文財 申請人:天之域電子工業(yè)(廈門)有限公司