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自潔釉及其制備工藝的制作方法

文檔序號(hào):1825617閱讀:600來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:自潔釉及其制備工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種透明釉及其制備工藝,特別是一種易于潔凈的自潔釉及其制備工藝。
背景技術(shù)
隨著社會(huì)的發(fā)展,人們生活條件的改善,人們對(duì)美的追求以及對(duì)健康生活的要求越來(lái)越高,賓館、酒店以及家庭對(duì)衛(wèi)生陶瓷的要求也越來(lái)越高?,F(xiàn)有陶瓷器具的釉面的光滑度不是很理想,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的使用會(huì)發(fā)現(xiàn),釉面容易沾染污物、形成黑斑等情況,釉面“藏污納垢”,清潔時(shí)需要清潔劑的輔助;使用時(shí)間更久后會(huì)發(fā)現(xiàn),釉面會(huì)發(fā)黃且不易清除,釉面也顯得暗淡無(wú)光,這時(shí)候的釉面更容易沾染污物,清潔也比較困難。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種自潔釉及其制備工藝,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的陶瓷釉面光滑度不是很理想,釉面容易沾污且清潔比較困難,釉面會(huì)發(fā)黃且不易清除等問(wèn)題。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上,該面釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石15 22份、石英25 ;35份、氧化鋁0. 5 3. 5份、方解石4 8份、 高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、熔塊25 40份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯 8 13份、硅灰石5 9份。
自潔釉制備工藝,包括以下步驟a.配料,按重量份面釉配料為長(zhǎng)石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0.5 3. 5 份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、 熔塊25 40份;b.將配料進(jìn)行球磨20 22小時(shí)得面釉釉漿;c.檢測(cè)面釉釉漿研磨細(xì)度,細(xì)度控制在325目標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)篩篩余量為0.05 0. 20% ;d.面釉釉漿過(guò)篩除鐵;e.調(diào)整面釉釉漿性能,面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升,流動(dòng)性控制在90 110秒/100毫升,吸干時(shí)間為28 35分鐘,調(diào)整后備用;f.底釉釉漿噴涂于基體上;g.將面釉釉漿噴涂于底釉上;h.在最高為1180 1200攝氏度的溫度曲線下燒成16 20小時(shí),獲得產(chǎn)品。
更具體地,步驟b中球磨時(shí),面釉配料中加入球、水和CMC,其重量比例為,面釉配料球水CMC=1 :1. 5 :0. 5 :0. 003。
步驟d中釉漿過(guò)篩除鐵4次。
步驟f中上述底釉釉漿由下述方法制備按重量份底釉配料為長(zhǎng)石30 40份、 石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石5 9份;底釉配料中加入球、CMC以及水進(jìn)行球磨,球磨18 20小時(shí)得底釉釉漿,底釉釉漿過(guò)篩除鐵,調(diào)節(jié)比重、流動(dòng)性以及吸干時(shí)間等性能后備用。
步驟f中上述底釉釉漿通過(guò)噴涂設(shè)備噴涂于基體上,噴涂3 5遍。
步驟g中上述面釉釉漿噴涂于底釉上,放置4 8小時(shí)后再進(jìn)行步驟h的燒成。
步驟f中底釉的厚度控制在0. 6 0. 8mm ;步驟g中面釉的厚度控制在0. 05 0. 15mm。
步驟h中燒成最高溫度為1185 1190攝氏度。
由上述對(duì)本發(fā)明的描述可知,和現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)該自潔釉采用兩次噴涂的方式制備,釉面亮度高、十分平滑,可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成; 使用HB鉛筆不容易劃現(xiàn),污物難以吸附在釉面表面,清潔更容易。
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式一自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上,該面釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石18份、石英30份、氧化鋁2份、方解石6份、高嶺土 2份、氧化鋅5份、 白云石3份、硅灰石4份、熔塊30份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石38份、石英19份、氧化鋁2份、方解石10份、高嶺土 3份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯12份、硅灰石9份。
自潔釉制備工藝,包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長(zhǎng)石18份、石英30份、氧化鋁2份、方解石6份、高嶺土 2份、氧化鋅5份、白云石3份、硅灰石4份、熔塊30份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC,其重量比例為,面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003,球磨20小時(shí)后得面釉釉漿;充分磨細(xì)的釉料?;潭葧?huì)提高,殘留晶粒會(huì)減少,釉面細(xì)膩度、平整度會(huì)大大改善;CMC為羧甲基纖維素鈉的英文簡(jiǎn)寫(xiě),它具有無(wú)毒、無(wú)腐蝕、對(duì)人體無(wú)害、不污染環(huán)境、粘結(jié)力強(qiáng)、不霉變、不生蟲(chóng)等特點(diǎn),CMC為該配料的添加劑;c.檢測(cè)面釉釉漿研磨細(xì)度,細(xì)度控制在325目標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)篩篩余量為0.15%左右;d.面釉釉漿過(guò)篩除鐵4次;e.調(diào)整面釉釉漿性能,面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升,流動(dòng)性控制在90 110秒/100毫升,吸干時(shí)間為28 35分鐘,調(diào)整后備用;f.按重量份底釉配料為長(zhǎng)石38份、石英19份、氧化鋁2份、方解石10份、高嶺土3 份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯12份、硅灰石9份。
底釉配料中加入球、CMC以及水進(jìn)行球磨,球磨18小時(shí)得底釉釉漿,底釉釉漿過(guò)篩除鐵,調(diào)節(jié)比重、流動(dòng)性以及吸干時(shí)間等性能后備用;g.底釉釉漿通過(guò)噴涂設(shè)備噴涂于基體上,噴涂4遍,底釉厚度控制0.7mm左右,底釉噴釉后的釉坯無(wú)釉部分應(yīng)干凈無(wú)釉,以免燒成后發(fā)生釉粘;h.底釉吸干剛結(jié)束時(shí)即將上述面釉釉漿均勻噴霧于底釉上,面釉的厚度控制在0. IOmm左右,噴涂時(shí)轉(zhuǎn)盤(pán)應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)均勻,噴釉操作要穩(wěn),噴槍噴出的霧化狀態(tài)要好,噴釉后的釉坯外觀無(wú)釉泡、無(wú)棕眼、無(wú)明顯波紋、無(wú)釉縷、無(wú)明顯擦痕;噴涂完成后放置6小時(shí),放置期間不允許流釉、薄釉和碎海綿以及其他雜塵;i.在最高溫度為1185 1190攝氏度的曲線下燒成18小時(shí),溫度根據(jù)實(shí)際情況而定, 燒成后即獲得產(chǎn)品,通過(guò)上述方法制備的自潔釉,釉面亮度高、十分平滑,可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成;使用HB鉛筆不容易劃現(xiàn),污物難以吸附在釉面表面,清潔更容易。
實(shí)施方式二自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上,該面釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石20份、石英25份、氧化鋁1. 5份、方解石5. 5份、高嶺土 2份、氧化鋅4 份、白云石3份、硅灰石1. 5份、熔塊37. 5份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石40份、石英18份、氧化鋁1. 5份、方解石11份、高嶺土 3. 5份、氧化鋅3. 5份、白云石3. 5份、硅酸鋯10份、硅灰石9份。
自潔釉制備工藝,包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長(zhǎng)石20份、石英25份、氧化鋁1. 5份、方解石5. 5份、 高嶺土 2份、氧化鋅4份、白云石3份、硅灰石1. 5份、熔塊37. 5份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC,其重量比例為,面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003,球磨22小時(shí)后得面釉釉漿;c.檢測(cè)面釉釉漿研磨細(xì)度,細(xì)度控制在325目標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)篩篩余量為0.05%左右;d.面釉釉漿過(guò)篩除鐵4次;e.調(diào)整面釉釉漿性能,面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升,流動(dòng)性控制在90 110秒/100毫升,吸干時(shí)間為28 35分鐘,調(diào)整后備用;f.按重量份底釉配料為長(zhǎng)石40份、石英18份、氧化鋁1.5份、方解石11份、高嶺土 3. 5份、氧化鋅3. 5份、白云石3. 5份、硅酸鋯10份、硅灰石9份;底釉配料中加入球、CMC以及水進(jìn)行球磨,球磨20小時(shí)得底釉釉漿,底釉釉漿過(guò)篩除鐵,調(diào)節(jié)比重、流動(dòng)性以及吸干時(shí)間等性能后備用;g.底釉釉漿通過(guò)噴涂設(shè)備噴涂于基體上,噴涂3遍,底釉厚度控制0.6mm左右;h.上述面釉釉漿噴涂于底釉上,面釉的厚度控制在0.05mm,放置6小時(shí);i.在最高溫度為1180攝氏度曲線下燒成16小時(shí),獲得產(chǎn)品。
實(shí)施方式三自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上,該面釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石15份、石英35份、氧化鋁2. 5份、方解石8份、高嶺土 4份、氧化鋅5份、 白云石4份、硅灰石1. 5份、熔塊25份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石37份、石英20份、氧化鋁3份、方解石9份、高嶺土 4份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯13份、硅灰石7份。
自潔釉制備工藝,包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長(zhǎng)石15份、石英35份、氧化鋁2. 5份、方解石8份、高嶺土 4份、氧化鋅5份、白云石4份、硅灰石1. 5份、熔塊25份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC,其重量比例為,面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003,球磨21小時(shí)后得面釉釉漿;c.檢測(cè)面釉釉漿研磨細(xì)度,細(xì)度控制在325目標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)篩篩余量為0.10%左右;d.面釉釉漿過(guò)篩除鐵4次;e.調(diào)整面釉釉漿性能,面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升,流動(dòng)性控制在90 110秒/100毫升,吸干時(shí)間為28 35分鐘,調(diào)整后備用;f.按重量份底釉配料為長(zhǎng)石37份、石英20份、氧化鋁3份、方解石9份、高嶺土4份、 氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯13份、硅灰石7份;底釉配料中加入球、CMC以及水進(jìn)行球磨,球磨19小時(shí)得底釉釉漿,底釉釉漿過(guò)篩除鐵,調(diào)節(jié)比重、流動(dòng)性以及吸干時(shí)間等性能后g.底釉釉漿通過(guò)噴涂設(shè)備噴涂于基體上,噴涂5遍,底釉厚度控制0.8mm左右;h.上述面釉釉漿噴涂于底釉上,面釉的厚度控制在0.15mm,放置6小時(shí);i.在最高溫度1200攝氏度曲線下燒成18小時(shí),獲得產(chǎn)品。
上述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
,但本發(fā)明的設(shè)計(jì)構(gòu)思并不局限于此,凡利用此構(gòu)思對(duì)本發(fā)明進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動(dòng),均應(yīng)屬于侵犯本發(fā)明保護(hù)范圍的行為。
權(quán)利要求
1.自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上,其特征在于,所述面釉的制備按重量份包括下述原料長(zhǎng)石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0. 5 3. 5份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、熔塊 25 40份。
2.如權(quán)利要求1所述的自潔釉,其特征在于,所述底釉的制備按重量份包括下述原料 長(zhǎng)石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石5 9份。
3.自潔釉制備工藝,其特征在于,包括以下步驟a.配料,按重量份面釉配料為長(zhǎng)石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0.5 3. 5 份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、 熔塊25 40份;b.將配料進(jìn)行球磨20 22小時(shí)得面釉釉漿;c.檢測(cè)面釉釉漿研磨細(xì)度,細(xì)度控制在325目標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)篩篩余量為0.05 0. 20% ;d.面釉釉漿過(guò)篩除鐵;e.調(diào)整面釉釉漿性能,面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升,流動(dòng)性控制在90 110秒/100毫升,吸干時(shí)間為28 35分鐘,調(diào)整后備用;f.底釉釉漿噴涂于基體上;g.將面釉釉漿噴涂于底釉上;h.在最高為1180 1200攝氏度的溫度曲線下燒成16 20小時(shí),獲得產(chǎn)品。
4.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟b中球磨時(shí),面釉配料中加入球、水和CMC,其重量比例為,面釉配料球水=CMC=I 1. 5 0. 5 :0. 003。
5.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟d中釉漿過(guò)篩除鐵4次。
6.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于,步驟f中所述底釉釉漿由下述方法制備按重量份底釉配料為長(zhǎng)石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石 7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石 5 9份;底釉配料中加入球、CMC以及水進(jìn)行球磨,球磨18 20小時(shí)得底釉釉漿,底釉釉漿過(guò)篩除鐵,調(diào)節(jié)比重、流動(dòng)性以及吸干時(shí)間等性能后備用。
7.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟f中所述底釉釉漿通過(guò)噴涂設(shè)備噴涂于基體上,噴涂3 5遍。
8.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟g中所述面釉釉漿噴涂于底釉上,放置4 8小時(shí)后再進(jìn)行步驟h的燒成。
9.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟f中底釉的厚度控制在0.6 0. 8mm ;步驟g中面釉的厚度控制在0. 05 0. 15mm。
10.如權(quán)利要求3所述自潔釉制備工藝,其特征在于步驟h中最高燒成溫度為1185 1190攝氏度。
全文摘要
自潔釉及其制備工藝自潔釉,包括底釉和面釉,底釉涂于基體上,面釉涂于底釉上;底釉、面釉配料經(jīng)球磨、過(guò)篩除鐵、調(diào)整性能等處理制得備用釉漿,釉漿經(jīng)噴涂、燒成等處理形成該自潔釉。該自潔釉采用兩次噴涂的方式制備,釉面亮度高、十分平滑,可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成;使用HB鉛筆不容易劃現(xiàn),污物難以吸附在釉面表面,清潔更容易。
文檔編號(hào)C04B41/86GK102491792SQ201110387178
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
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