專利名稱：超薄硅片的切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅片的切割方法，尤其是一種超薄硅片的切割方法。
背景技術(shù)：
目前在太陽能級(jí)硅片切割中，采用的工藝方法一般是利用鋼線的運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)具有切削能力的SiC砂子對(duì)硅棒進(jìn)行磨削，硅棒最終被加工成硅片。然而傳統(tǒng)的切割工藝中，具有切削能力的SiC顆粒是通過具有粘附能力的PEG粘附在切割鋼線表面，由于SiC顆粒在外力情況下可以自由移動(dòng)，導(dǎo)致在硅片的不同位置SiC 顆粒的不分布不均，這樣對(duì)于硅片的表面精度控制比較差，特別是對(duì)于160um厚度以下硅片的精度控制無法達(dá)到太陽能級(jí)硅片標(biāo)準(zhǔn)要求，切割成功率非常低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提出一種利用多線切割設(shè)備切割160 μ m以下厚度太陽能級(jí)硅片的方法。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為一種超薄硅片的切割方法，包括以下步驟1)切片機(jī)的導(dǎo)輪槽鋸為0. 0.30mm，硅片目標(biāo)厚度120 160 μ m，切割線采用固定磨料切割線；2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機(jī)，固定好晶棒位置，預(yù)機(jī)循環(huán)；3)熱機(jī)結(jié)束后，進(jìn)行硅片切割，其中臺(tái)速為0. 3 0. 9mm/min，線速度為0 15m/ s，采用雙向切割工藝；4)切片過程中使用水性切削液，整個(gè)切割過程中，切削液一直循環(huán)流動(dòng)；5)切割結(jié)束后，停機(jī)、下棒，硅片進(jìn)行清洗和分選。具體的說，所述的步驟1)中固定磨料切割線上的固定磨料為高硬度的BCX、BNX、金剛石或硬度大于硅的材料。固定磨料切割線是在普通鋼線上將高硬度的磨料顆粒電鍍或通過樹脂涂層固定在基體上，直徑范圍在0. Imm 0. 3mm。固定磨料切割線在水性切割液體系下完成超薄硅片切割。需要說明的是，在整個(gè)切割過程中，切削液一直循環(huán)流動(dòng)，以起到潤滑和散熱作用。本發(fā)明的有益效果是通過使用固定磨料鋼線可以精確控制硅片的精度，同時(shí)調(diào)整合適的臺(tái)線速比，可以規(guī)?；a(chǎn)120μπι 160μπι厚度太陽能級(jí)硅片，提高硅片的出片率10%以上，大大降低光伏發(fā)電的硅成本。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。一種超薄硅片的切割方法，包括以下步驟1)切片機(jī)的導(dǎo)輪槽鋸為0J9mm，硅片目標(biāo)厚度140 μ m，切割線采用固定磨料切割線.
一入 ，2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機(jī)，固定好晶棒位置，預(yù)機(jī)循環(huán)；3)熱機(jī)結(jié)束后，進(jìn)行硅片切割，其中臺(tái)速為0.73mm/min，線速度為10m/S，采用雙向切割工藝；4)切片過程中使用水性切削液，整個(gè)切割過程中，切削液一直循環(huán)流動(dòng)；5)切割結(jié)束后，停機(jī)、下棒，硅片進(jìn)行清洗和分選。
硅片合格率達(dá)到92 %。 以上說明書中描述的只是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，各種舉例說明不對(duì)本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對(duì)以前所述的具體實(shí)施方式
做修改或變形，而不背離發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種超薄硅片的切割方法，其特征在于包括以下步驟1)切片機(jī)的導(dǎo)輪槽鋸為0.28 0. 30mm,硅片目標(biāo)厚度120 160 μ m,切割線采用固定磨料切割線；2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機(jī)，固定好晶棒位置，預(yù)機(jī)循環(huán)；3)熱機(jī)結(jié)束后，進(jìn)行硅片切割，其中臺(tái)速為0.3 0. 9mm/min，線速度為0 15m/s，采用雙向切割工藝；4)切片過程中使用水性切削液，整個(gè)切割過程中，切削液一直循環(huán)流動(dòng)；5)切割結(jié)束后，停機(jī)、下棒，硅片進(jìn)行清洗和分選。
2.如權(quán)利要求1所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步驟1)中固定磨料切割線上的固定磨料為高硬度的BCX、BNx、金剛石或硬度大于硅的材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步驟1)中固定磨料切割線是在普通鋼線上將高硬度的磨料顆粒電鍍或通過樹脂涂層固定在基體上，直徑范圍在0. Imm 0. 3mm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步驟1)中的固定磨料切割線在水性切割液體系下完成超薄硅片切割。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種超薄硅片的切割方法，包括以下步驟1)切片機(jī)的導(dǎo)輪槽鋸為0.28～0.30mm，硅片目標(biāo)厚度120～160μm，切割線采用固定磨料切割線；2)將處理好的晶體硅棒裝入切片機(jī)，固定好晶棒位置，預(yù)機(jī)循環(huán)；3)熱機(jī)結(jié)束后，進(jìn)行硅片切割，其中臺(tái)速為0.3～0.9mm/min，線速度為0～15m/s，采用雙向切割工藝；4)切片過程中使用水性切削液，整個(gè)切割過程中，切削液一直循環(huán)流動(dòng)；5)切割結(jié)束后，停機(jī)、下棒，硅片進(jìn)行清洗和分選。本發(fā)明可以規(guī)?；a(chǎn)120μm～160μm厚度太陽能級(jí)硅片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏發(fā)電的硅成本。
文檔編號(hào)B28D5/04GK102363330SQ20111018308
公開日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者劉振淮, 李畢武, 黃振飛 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司