技術(shù)編號(hào)：1929976
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種硅片的切割方法，尤其是一種。 背景技術(shù)目前在太陽能級(jí)硅片切割中，采用的工藝方法一般是利用鋼線的運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)具有切削能力的SiC砂子對(duì)硅棒進(jìn)行磨削，硅棒最終被加工成硅片。然而傳統(tǒng)的切割工藝中，具有切削能力的SiC顆粒是通過具有粘附能力的PEG粘附在切割鋼線表面，由于SiC顆粒在外力情況下可以自由移動(dòng)，導(dǎo)致在硅片的不同位置SiC 顆粒的不分布不均，這樣對(duì)于硅片的表面精度控制比較差，特別是對(duì)于160um厚度以下硅片的精度控制無法達(dá)到太陽能級(jí)硅片標(biāo)準(zhǔn)要求...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。