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一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電瓷磚的制作方法

文檔序號:1969360閱讀:302來源:國知局
專利名稱:一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電瓷磚的制作方法
技術領域
本發(fā)明屬于建筑材料科學技術領域,涉及一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電 瓷磚。
背景技術
抗靜電瓷磚具有不燃、永久防靜電、不變形等優(yōu)點,性價比較高。但現(xiàn)有還存在缺 點。目前市場上主要有二類抗靜電瓷磚,其一是表面抗靜電瓷磚,該瓷磚表面上釉,具有 導靜電的功能。但體積電阻率很大。該類瓷磚經(jīng)過切割后,由于側面釉層很薄,鋪貼后容 易導致經(jīng)靜電釋放通路斷裂,導致所鋪貼的抗靜電地板系統(tǒng)抗靜電性能穩(wěn)定性不好。其 二為通體導電的抗靜電瓷磚,該類瓷磚由于釉面針孔較多,表面抗污性能較差。中國專利 ZLZ00720103943. 2提供了一種瓷磚坯體上表面、側面和下表面分別覆蓋有防靜電釉層的耐 久性防靜電瓷磚。但因下表面施釉,工藝實施難度加大,難以在輥道窯大規(guī)模生產(chǎn)。中國專 利200820124251. 0提供了一種在瓷磚體上表面均勻分布導電顆粒的抗靜電瓷磚。雖然它 各方面性能優(yōu)異,但它耗大顆粒導電材料的量較大,成本較高,大量的顆粒分布于瓷磚坯體 上層沒有被切割到,存在功能顆粒浪費的情況;當功能大顆粒的用量較少時,容易導致切割 后的瓷磚側面導電顆粒密度小,側面導電能力差,從而增加大體系電阻率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術的缺陷,提供一種抗靜電性能及耐久性良好,且成 本更加低廉又利于美觀化的抗靜電瓷磚。本發(fā)明所提供一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電瓷磚的結構如圖1所示。包 括有半導體釉、瓷磚坯體及導電顆粒。半導體釉覆蓋在瓷磚坯體的上表面,導電顆粒線性分 布在瓷磚坯體(2)的上部,并與半導體釉(1)相連通。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案,所述導電顆粒線性分布是指在一塊固定尺寸的地 磚內(nèi)虛設有平行于磚體邊緣線的示意布料線4,縱橫向布料線間距可根據(jù)生產(chǎn)需要調整,范 圍為100-600mm,磚體邊緣線也是布料線之一;導電顆粒3分布于以布料線4為中心、寬度 為3-30mm的區(qū)域內(nèi),布料顆粒的尺寸為l_5mm,布料顆粒的形狀可任意選擇。示意布料線4 實際上是不存在的,是為了界定顆粒的布料范圍而虛設的線。本發(fā)明的優(yōu)點在于,對中國專利200820124251.0所提供抗靜電瓷磚的方案進行 了顯著改進,更加有效的減小了導電顆粒的使用量而降低成本,同時也可保證切割后的邊 緣導電顆粒的保有量,且分布方式利于美觀化。


圖1為線性規(guī)則布料大顆粒的抗靜電瓷磚的結構示意圖;圖2為線性規(guī)則布料大顆粒的抗靜電瓷磚結構的側視圖;圖中,1為半導體釉,2為瓷磚坯體,3為導電顆粒,4為布料線。
具體實施例方式實例1瓷磚尺寸為600mmX600mm,顆粒尺寸為Imm的導靜電大顆粒以IOOmmX IOOmm的布
料線方格子的線條為中心布料,布料寬度為30mm,導靜電釉覆蓋在瓷磚表面并且和大顆粒 連通。實例2瓷磚尺寸為800mm X 800mm,顆粒尺寸為5mm的導靜電大顆粒以400mm X 400mm的布
料線方格子的線條為中心布料,布料寬度為10mm,導靜電釉覆蓋在瓷磚表面并且和大顆粒 連通。實例3瓷磚尺寸為600mm X 600mm,顆粒尺寸為3mm的導靜電大顆粒以300mm X 300mm的布
料線方格子的線條為中心布料,布料寬度為5mm,導靜電釉覆蓋在瓷磚表面并且和大顆粒連
ο實例 4瓷磚尺寸為IOOOmmX 1000mm,顆粒尺寸為3mm的導靜電大顆粒以600mmX 600mm的
布料線方格子的線條為中心布料,布料寬度為3mm,導靜電釉覆蓋在瓷磚表面并且和大顆粒 連通。
權利要求
1. 一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電瓷磚,包括有半導體釉、瓷磚坯體及導電顆 粒,其特征在于,半導體釉覆蓋在瓷磚坯體的上表面,導電顆粒線性分布在瓷磚坯體O)的 上部,并與半導體釉(1)相連通;導電顆粒線性分布是指在一塊固定尺寸的地磚內(nèi)虛設有平行于磚體邊緣線的示意布 料線G),縱橫向布料線間距可根據(jù)生產(chǎn)需要調整,范圍為100-600mm,磚體邊緣線也是布 料線之一;導電顆粒(3)分布于以布料線(4)為中心、寬度為3-30mm的區(qū)域內(nèi),布料顆粒的 尺寸為卜5mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種線性規(guī)則區(qū)域布料大顆粒的抗靜電瓷磚,屬于建筑材料科學技術領域。半導體釉覆蓋在瓷磚坯體的上表面,導電顆粒線性分布在瓷磚坯體的上部,并與半導體釉相連通。線性分布是指在一塊固定尺寸的地磚內(nèi)虛設有平行于磚體邊緣線的示意布料線,縱橫向布料線間距范圍為100-600mm,磚體邊緣線也是布料線之一;導電顆粒分布于以布料線為中心、寬度為3-30mm的區(qū)域內(nèi),布料顆粒的尺寸為1-5mm。本發(fā)明減小了導電顆粒的使用量而降低成本,同時也可保證切割后的邊緣導電顆粒的保有量,且分布方式利于美觀化。
文檔編號C04B41/89GK102094511SQ20101061241
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權日2010年12月29日
發(fā)明者嚴建華, 崔素萍, 李建國, 王倩倩, 王群, 秦魏, 郭紅霞, 陽文哲 申請人:北京工業(yè)大學
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