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一種改良的薄膜硅片切割方法

文檔序號:1793411閱讀:291來源:國知局
專利名稱:一種改良的薄膜硅片切割方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種切割方法,特別涉及一種改良的薄膜硅片切割方法。
背景技術
隨著能源的緊缺及可再生能源的廣泛應用,光伏發(fā)電越來越多的受到人們的關 注,太陽能電池硅片的市場需求量也越來越大。太陽能電池硅片是將方形單晶硅棒切割成 薄片而成的,但硅晶材料價格昂貴,尤其在國內(nèi)硅晶材料極其稀缺,為能夠降低太陽能電池 硅片的成本,需使一根方形單晶硅棒能夠切得更多的硅片,也就是讓每片硅片盡量薄,這對 硅片的切割技術提出了非常高的要求。現(xiàn)有的硅片切割普遍采用線切割工藝進行加工,該 加工技術相對于傳統(tǒng)的內(nèi)圓切割技術具有極高的生產(chǎn)效率,且切割損失小,大大提高了硅 材料的利用率。進行硅片的線切割加工,先將截面為圓形的硅棒加工為截面為正方形的硅 棒后,再將硅棒的一面用高粘接強度的粘接膠粘接在一個卡具上進行切割,然后脫膠清洗。 現(xiàn)行硅片切割使用的研磨砂不僅出片率低,同時切割的硅片質(zhì)量指標達不到要求,致使硅 材料損失及生產(chǎn)成本居高不下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了彌補現(xiàn)有技術的不足,提供了一種低成本高產(chǎn)率的改良的薄膜硅片切 割方法。本發(fā)明是通過如下技術方案實現(xiàn)的一種改良的薄膜硅片切割方法,其特殊之處在于在切割硅片過程中使用9. 5i!m 粒徑的研磨砂、直徑為100 u m的鋼絲及1500#0. 8um的碳化硅。在切割硅片過程中使用更細的9. 5 ii m粒徑的研磨砂,使用直徑為100 u m的鋼絲 替代直徑為120 u m的鋼絲切割,使用1500#0. 8um的碳化硅替代1200#0. 95 u m的碳化硅 進行線切割,從而將硅片厚度由原來的200士20 ym降到160士 10 ym,使其出片率在原有的 68片/千克基礎上增加至74片/千克,減少硅料損耗3. 72%,提高了 2%的出片率,改善了 硅片的質(zhì)量指標。因此,本發(fā)明的有益效果是,很大程度地降低了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率和成品 的出片率。
具體實施例方式實施例將截面為圓形的硅棒加工為截面為正方形的硅棒后,再將硅棒的一面用高粘接強 度的粘接膠粘接在一個卡具上進行切割,在切割硅片的過程中使用9. 5pm粒徑的研磨砂、 直徑為100 u m的鋼絲及1500#0. 8um的碳化硅進行線切割,從而將硅片厚度降到160 u m, 使其出片率增加至74片/千克,減少硅料損耗3. 72%,提高了 2%的出片率,然后脫膠清洗 即得到薄膜硅片。
權利要求
一種改良的薄膜硅片切割方法,其特征是在切割硅片過程中使用9.5μm粒徑的研磨砂、直徑為100μm的鋼絲及1500#0.8μm的碳化硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種切割方法,特別涉及一種改良的薄膜硅片切割方法。該改良的薄膜硅片切割方法,其特征是在切割硅片過程中使用9.5μm粒徑的研磨砂、直徑為100μm的鋼絲及1500#0.8μm的碳化硅,從而將硅片厚度由原來的200±20μm降到160±10μm,使其出片率在原有的68片/千克基礎上增加至74片/千克,減少硅料損耗3.72%,提高了2%的出片率。因此,本發(fā)明的有益效果是,很大程度地降低了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率和成品的出片率。
文檔編號B28D5/04GK101954674SQ20101018311
公開日2011年1月26日 申請日期2010年5月26日 優(yōu)先權日2010年5月26日
發(fā)明者吳春林, 應雪倡, 時嘉恒, 王麗萍, 陳獻領 申請人:山東舜亦新能源有限公司
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