專利名稱：一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種建筑裝飾材料及其制備方法，特別涉及一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄 板磚及其制作工藝。
背景技術(shù)：
我公司作為國內(nèi)第一家生產(chǎn)900 X 1800 X (3 7) mm的大規(guī)格超薄瓷質(zhì)磚 的廠家，在生產(chǎn)中需要做一些前瞻性的工作。相對于普通陶瓷磚變形大、拋光 厚度不均勻，沒有透光性等問題，大規(guī)格瓷板磚由于其自身的特點如磚體厚度 薄具有一定的彈性，平放變形小，能很好的貼附在拋光線操作平臺上，拋光時 可以達到一些普通陶瓷拋光磚無法做到的精度。我公司利用大規(guī)格超薄瓷質(zhì)磚 自身的特點，開發(fā)出專用半透光性陶瓷材料，并利用隨機布料技術(shù)布置圖案， 生產(chǎn)出來的產(chǎn)品在燈光照射下可以達到一種較為特殊的透光與不透光交相輝 映的效果，或者整體朦朧的透光效果，可代替部分石材、人造石和玻璃用于一 些特殊的裝飾場合。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種在燈光照射下具有特殊 的透光與不透光交相輝映的藝術(shù)效果，或者整體朦朧的透光效果的大規(guī)格瓷質(zhì) 薄板磚及其制作工藝。
本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的的
一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，當成型規(guī)格為1050mmX2060mm X (3.0~7.0) mm的大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚時，在基料層上采用雕花輥筒配合皮帶 自由落料技術(shù)，將半透光性陶瓷材料砸向基料，再用膠輥壓平基料層，即可形 成所需的圖案。燒出來的產(chǎn)品半透光性陶瓷材料多的地方具有較好的透光性， 而基料處沒有或者很少透光性。所述半透光性陶瓷材料化學組分(按重量百分 比)為SiO2 50~65%， Al203 8~15%， Ca0 4 9%， MgO 0.3 1%， BaO0 5%， K20+Na20 5~12%， P205 3~8%。所述自由落料技術(shù)是指雕花輥筒首先將形成圖案的半透光性陶瓷材料落 到皮帶上，再通過皮帶將其砸向基料。皮帶離基料層高度必須控制適當，最好
在0.1~0.8米。其控制的高度與砸落的半透光性陶瓷材料重量有關(guān)。
所述半透光性陶瓷材料白度大于60度，可以是以粉料的形式也可以是以
微粉的形式砸落到基料層上，深度可以一直達到磚布料的最底層。
所述基料層上也可以整個面上砸落半透光性陶瓷材料，這樣形成的整塊超
薄陶瓷磚的各部位具有不同的透光性。還可以以半透光性陶瓷材料為主，預(yù)混
其它料，使透光處還有些不透光性，利用透光性的不同形成明暗圖案。
所述半透光性陶瓷材料膨脹系數(shù)在(8.0 8.8)xl0—7K之間，相應(yīng)的基料層膨 脹系數(shù)(8.0 9.2)Xl0—VK之間，且兩種料之間膨脹系數(shù)的差異控制在0.4X10—7K 以內(nèi)為宜。
本發(fā)明采用上述技術(shù)方案后所能達到的有益效果是
隨機布料技術(shù)布置圖案，生產(chǎn)出來的產(chǎn)品在燈光照射下可以達到一種較為 特殊的透光與不透光交相輝映的效果，或者整體朦朧的透光效果，而透光處還 可以有些不透光的圖案。實現(xiàn)部分石材、人造石等材料無法取得的藝術(shù)效果， 可用于 一些特殊的裝飾場合。
具體實施例方式
底料所用原料(按重量百分比)含量為衡山砂18%，中溫砂18%,風化
鈉砂20%，風化鉀砂22%，水洗純泥16%，輝煌球土6%。半透光性陶瓷材料 主要元素按化學成分(重量百分比)為Si02 62.8%， A1203 13.7%， Ca0 7.5%， MgO0.5%， BaOl.4% ， K20 5.2%， Na20 3.3%， P205 5.6%。配方為水洗鈉 砂20%，高白鉀長石20%，江西高鉀砂10%，高白鉀鈉長石20%，碳酸鋇2%， 輝煌球土 14%，骨粉14%。通過德國耐馳DIL402PC型熱膨脹儀測試底面料膨 脹系數(shù)分別為8.5Xl0—VK和8. 2x10—7K，兩者相差沒有超過0. 4x10—6/K，實驗 證明底面料膨脹系數(shù)是匹配的。底面料按配比稱重球磨至250目篩余
40.5%~0.8%，可以按需要配入一定比例的陶瓷色料，噴霧造粒至面料水分6~7%， 底料水分7 8%。
基料層組成為底料90%，半透光性陶瓷材料10%。將90%半透光性陶瓷 材料與10%基料分別磨成80目上篩余15%的微粉同時下料到料盒，通過雕花 輥筒將料盒內(nèi)微粉按所需的圖案落到皮帶上，皮帶再將其自由落料到基料層。 通過膠輥壓平成型，成型規(guī)格為1050mmX2060mmX6. 3mm。經(jīng)1200度燒結(jié) 并拋光后厚度變?yōu)?.5mm，局部含半透光性陶瓷材料多的地方透光率最高可達 到28%，而基料處透光率為O。在燈光照射下可以達到一種較為特殊的透光與 不透光交相輝映的裝飾效果，而透光處又有些不透光的圖案。
權(quán)利要求
1.一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其特征在于當成型規(guī)格為1050mm×2060mm×3.0～7.0mm的大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚時，在基料層上采用雕花輥筒配合皮帶自由落料技術(shù)，將半透光性陶瓷材料砸向基料，再用膠輥壓平基料層，即可形成所需的圖案，燒出來的產(chǎn)品半透光性陶瓷材料多的地方具有較好的透光性，而基料處沒有或者很少透光性，所述半透光性陶瓷材料化學組分按重量百分比為SiO250～65％，Al2O38～15％，CaO 4～9％，MgO 0.3～1％，BaO0～5％，K2O+Na2O 5～12％，P2O53～8％。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其特征在 于所述自由落料技術(shù)是指雕花輥筒首先將形成圖案的半透光性陶瓷材料落到 皮帶上，再通過皮帶將其砸向基料；皮帶離基料層高度必須控制在0.1 0.8米， 其控制的高度與砸落的半透光性陶瓷材料重量有關(guān)。
3 .根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其特征 在于所述半透光性陶瓷材料白度大于60度，是以粉料的形式或是以微粉的 形式砸落到基料層上，深度可以一直達到磚布料的最底層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其特征在 于所述基料層上以整個面上砸落半透光性陶瓷材料形成的整塊超薄陶瓷磚的 各部位具有不同的透光性，或以半透光性陶瓷材料為主，預(yù)混其它料，使透光 處還有些不透光性，利用透光性的不同形成明暗圖案。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其特點在 于所述半透光性陶瓷材料膨脹系數(shù)在8.0 8.8X10—7K之間，相應(yīng)的基料層膨 脹系數(shù)S.0 9.2X10—7K之間，且兩種料之間膨脹系數(shù)的差異控制在0.4X10—7K 以內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚及其制作工藝，其當成型規(guī)格為1050mm×2060mm×(3.0～7.0)mm的大規(guī)格瓷質(zhì)薄板磚時，在基料層上采用雕花輥筒配合皮帶自由落料技術(shù)，將半透光性陶瓷材料砸向基料，再用膠輥壓平基料層，即可形成所需的圖案。由于磚體厚度薄，半透光性陶瓷材料砸向基料時，可以深入到基料層。這樣燒出來的產(chǎn)品半透光性陶瓷材料多的地方具有一定的透光性，而基料處沒有或者很少透光性。采用該發(fā)明技術(shù)，產(chǎn)品在燈光照射下可以達到一種較為特殊的透光與不透光交錯的效果?？捎糜谝恍┨厥獾难b飾場合。
文檔編號C04B35/14GK101671168SQ200910039858
公開日2010年3月17日 申請日期2009年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月31日
發(fā)明者劉一軍, 杰 張, 汪慶剛, 潘利敏, 黃永信 申請人:廣東蒙娜麗莎陶瓷有限公司