專利名稱：具有玻璃功能的基底的表面結(jié)構(gòu)化方法及具有結(jié)構(gòu)化表面的玻璃產(chǎn)品的制作方法
具有玻璃功能的基底的表面結(jié)構(gòu)化方法及具有結(jié)構(gòu)化表面
的玻璃產(chǎn)品本發(fā)明涉及表面結(jié)構(gòu)化(texturation)領(lǐng)域，尤其涉及玻璃產(chǎn)品的表面結(jié)構(gòu)化方法、結(jié)構(gòu)化的玻璃產(chǎn)品及其使用。材料的結(jié)構(gòu)化具有顯著的益處，因?yàn)槠淇稍诒姸嗉夹g(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用。幾何圖案陣列(r6SeaU)的可以在不改變其組成及其體積性質(zhì)的情況下賦予該材料新的、獨(dú)創(chuàng)的功能。因此，對(duì)于毫米級(jí)甚至十分之一毫米數(shù)量級(jí)的圖案而言，已經(jīng)采用尤其是軋制技術(shù)、激光蝕刻技術(shù)或化學(xué)蝕刻技術(shù)在玻璃產(chǎn)品上(直接在玻璃基底上或在覆層上)實(shí)施周 期性重復(fù)圖案的寫入。對(duì)于具有更小特征尺寸，尤其是具有微米級(jí)或亞微米級(jí)周期或?qū)挾鹊膱D案而言， 結(jié)構(gòu)化技術(shù)大部分是在微電子中用于集成光學(xué)構(gòu)件的光刻(Iithographie)(光學(xué)光刻、電 子光刻等)。
然而，由于以下原因中的一個(gè)或多個(gè)，這些技術(shù)并不適合于大量玻璃產(chǎn)品的制造 方法-它們成本高昂；-它們緩慢(掃描)并且復(fù)雜性(若干步驟)；-圖案的尺寸受限(受波長(zhǎng)的限制)；-可結(jié)構(gòu)化表面的尺寸小。最新的一種可替代技術(shù)(通常稱為“壓花技術(shù)(embossage) ”)被用于將待周期性 重復(fù)的基礎(chǔ)圖案從模具轉(zhuǎn)移至沉積在玻璃基底上的柔軟層。通過放低攜帶有待重復(fù)圖案的平壓模(英語(yǔ)為“pressing die”)而使所述層結(jié)構(gòu) 化，所述圖案通常在UV作用或熱作用下凝結(jié)(figeant)。所述柔軟層一般是采用溶膠_凝膠方法從無機(jī)前體制備出的層。該方法用于制造電信領(lǐng)域所用的構(gòu)件，或者在完全另一個(gè)領(lǐng)域，用于制造具有親 水層的玻璃。因此，F(xiàn)R2792628指出了一種通過模制疏水化溶膠-凝膠而獲得的具有起伏 (尖齒、凹坑或凹槽)的疏水玻璃。與平版印刷技術(shù)相比，這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)很多。就成本而言，同一壓?？芍匦率褂煤芏啻危⑶覐囊粋€(gè)模型可以產(chǎn)生很多復(fù)制品。就效率而言，與其它平版印刷技術(shù)(需要使圖案顯影的步驟)相反的是，這是一種 單步驟方法。就圖案的尺寸而言，與受波長(zhǎng)限制的光學(xué)光刻法相反的是，壓模的圖案尺寸是限 制所期望圖案尺寸的主要參數(shù)。此外，采用壓花技術(shù)，很難獲得尺寸小于微米且縱橫比(定 義為圖案的最大深度與最大尺寸之比)大于1的圖案。這種公知的采用平壓模的壓花技術(shù)在效率(制造時(shí)間、操作次數(shù)的限制)方面尚 不令人滿意，并且對(duì)于硬脆的大表面(例如玻璃表面)而言，該技術(shù)的實(shí)施未得以解決。從申請(qǐng)WO 02/02472中我們還得知了一種借助于利用掩模的方法而對(duì)具有玻璃功能的基底進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)化的實(shí)施方法，其中所述掩模由金屬結(jié)核(nodules metalIiques)形成，在這些金屬結(jié)核周圍利用氟化等離子體方法蝕刻所述基底。該納米結(jié)構(gòu)化方法的主要缺點(diǎn)在于，只可獲得一種尺寸尺度的圖案，也就是說，結(jié) 構(gòu)由只具有某種尺寸的突出體(excroissances)構(gòu)成。這些突出體的特征尺寸是在整個(gè)表 面上是唯一的，因此不會(huì)描繪出多尺度的結(jié)構(gòu)。此外，該方法的實(shí)施牽涉到一系列不同的步驟，使真空沉積和蝕刻步驟交替進(jìn)行， 在這兩個(gè)步驟之間進(jìn)行大氣下的加熱和清潔步驟。這一系列在不同壓力下(在真空下，在 大氣壓下)進(jìn)行的步驟本身就是昂貴的，并且不會(huì)簡(jiǎn)化進(jìn)行工業(yè)性質(zhì)的生產(chǎn)，即在大尺寸 基底上的生產(chǎn)。因此，本發(fā)明的主題是一種用于制造結(jié)構(gòu)化的具有玻璃功能的基底的有效方法， 該方法滿足工業(yè)限制成本低和/或設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，和/或適合于任何尺寸的表面和圖案。該方法的目的還在于擴(kuò)大可獲得結(jié)構(gòu)化的具有玻璃功能的基底的范圍，尤其在于 獲得具有新功能性和/或應(yīng)用的新幾何結(jié)構(gòu)。為此，本發(fā)明首先提出了一種表面結(jié)構(gòu)化方法，即在具有玻璃功能的基底的至少 一部分表面上形成至少一個(gè)具有特征尺寸的圖案的陣列，該方法的特征在于，在大氣壓下， 在火焰中使包含至少一種待沉積材料的前體的溶液離解，所述火焰被引向所述表面部分， 使得以基于所述材料的多個(gè)結(jié)節(jié)(nodules)的形式沉積掩模，使所述材料的所述掩模經(jīng)歷 蝕刻步驟。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，還可任選地進(jìn)行以下安排中的一種和/或另一種-蝕刻步驟通過大氣壓等離子體進(jìn)行輔助，-蝕刻步驟通過真空等離子體進(jìn)行輔助，-基底的表面部分預(yù)先被加熱至低于350°C，優(yōu)選地低于300°C的中等溫度，-所述材料的前體以噴霧的形式噴射到火焰中，-所述材料的掩模被沉積在預(yù)先覆有至少一個(gè)基于第二種材料的層的基底的部分 表面上，-所述材料的掩模被沉積在裸露基底的部分表面上，_在基底和火焰之間建立相對(duì)運(yùn)動(dòng)，-所述運(yùn)動(dòng)可以是恒定速度以保證再現(xiàn)性或者具有調(diào)節(jié)的可變速度以獲得不同的 結(jié)構(gòu)化?，F(xiàn)在將借助于非限制性實(shí)例和附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明
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圖1是覆有銀結(jié)核的基底在掃描電子顯微鏡下的視圖，其中銀結(jié)核是采用C-CVD 技術(shù)沉積的，-圖2是覆有銀結(jié)核的基底在掃描電子顯微鏡下的視圖，其中銀結(jié)核是采用C-CVD 技術(shù)沉積的，所述基底已經(jīng)歷了功能化步驟，-圖3是與圖2中基底類似的基底在掃描電子顯微鏡下的視圖，但對(duì)于它們所述沉 積和功能化步驟是在真空下實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)化方法可以容易地進(jìn)行自動(dòng)化和與基底的其它轉(zhuǎn)變組合。該方 法還簡(jiǎn)化了生產(chǎn)線。該方法適合用于制造大體積和/或大尺度的基底，尤其是用于電子器件、建筑物或汽車的玻璃產(chǎn)品，特別是玻璃窗。 當(dāng)然，制造參數(shù)(基底溫度、基底/火焰的距離、通過速度、前體的性質(zhì)、前體的濃 度)根據(jù)具有玻璃功能的基底的性質(zhì)，更具體而言根據(jù)所述基底對(duì)該方法的化學(xué)作用和熱 作用的穩(wěn)定性，根據(jù)期望圖案的縱橫比，和/或根據(jù)期望圖案的密度來進(jìn)行調(diào)節(jié)。在本發(fā)明的含義下，“具有玻璃功能的基底”既指礦物玻璃(鈉鈣硅玻璃、硼硅酸鹽 玻璃、玻璃陶瓷等)，也指有機(jī)玻璃(熱塑性聚合物，例如聚氨酯或聚碳酸酯)。具有玻璃功能的基底是透明的，尤其具有至少70至75%的總體光透射 (transmission lumineuse)0具有玻璃功能的基底也可以是彩色玻璃或吸收性玻璃。為了進(jìn)入具有玻璃功能的基底的組成，優(yōu)選地使用在對(duì)應(yīng)用有用的光譜部分中其 線性吸收小于0.01毫米―1的基底，通常所述光譜為380至1200納米。還可以使用超淺色 的基底，即在波長(zhǎng)為380至1200納米的光譜中其線性吸收小于0. 008毫米―1的基底。例 如，可以選擇由Saint-GobainGlass公司銷售的Diamant 商標(biāo)玻璃。具有玻璃功能的基底可以是整塊的、層狀的、雙構(gòu)件的。在結(jié)構(gòu)化之后，產(chǎn)品還可 經(jīng)歷多種玻璃轉(zhuǎn)變淬火、成形、層壓等。所述基底可以是薄的，例如對(duì)于礦物玻璃而言為0. 1毫米數(shù)量級(jí)或?qū)τ谟袡C(jī)玻璃 而言為毫米數(shù)量級(jí)，或者可以更厚，例如厚度大于或等于幾毫米甚至幾厘米。在它們根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行結(jié)構(gòu)化之前，表面不一定非是光滑的，可以具有結(jié)構(gòu)化形 狀或者可以已經(jīng)覆有至少一層用于經(jīng)受結(jié)構(gòu)化方法的層。作為非限制性實(shí)例，它可以是二 氧化硅層，氧化鈦層，氧化錫(可能為摻雜的)、氧化鋅(摻雜或不摻雜)層，氮氧化物或碳 氧化物層(SiC0、Si0N等)，“類鉆碳(Diamond like Carbon) ”族的層等。該層可以是玻璃基底上疊層的一部分。該層可以是礦物的、有機(jī)的(尤其是聚合物的)或混合的，填充有金屬顆?；蜓趸?物顆粒。該層也可以具有玻璃性質(zhì)，優(yōu)選為透明的、致密的或(中)多孔的。由材料前體在火焰中的離解而形成的離散結(jié)核掩?？删哂卸鄠€(gè)具有它們尺寸 (寬度和高度)上、和/或它們?nèi)∠蛏稀⒑?或它們距離上不同的圖案的區(qū)域。優(yōu)選地，掩模材料從在熱作用下具有去濕特性的材料中選擇。在某種程度上，構(gòu)成 掩模的材料具有這樣的表面能，該表面能使得其不具有與形成“具有玻璃功能的基底”的材 料的親和性；因此，其可以是金屬(單獨(dú)使用或混合使用)，如，例如銀或金或鎳或無機(jī)材料 或有機(jī)材料或混合材料或金屬氧化物。優(yōu)選地，掩模材料從具有不同蝕刻速度(優(yōu)選地，在所選擇的蝕刻條件下小于玻 璃的蝕刻速度)的材料中選擇。如果掩模材料的蝕刻速度高于玻璃的蝕刻速度，則應(yīng)該選 擇這樣的掩模厚度，其使得直到玻璃性質(zhì)的基底的蝕刻結(jié)束時(shí)仍剩有該材料。根據(jù)目標(biāo)的結(jié)構(gòu)化形狀，該方法可以不必產(chǎn)生完美的幾何形狀。特別地，可以獲得 具有尖角的圖案或具有圓角的圖案，而不損害所需的性能。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)化方法還可以在越來越大的表面上實(shí)現(xiàn)越來越小的圖案特征 尺寸，具有可接受的對(duì)結(jié)構(gòu)化缺陷的容忍度，即不損害所尋求性能的容限。該制造方法使得可以對(duì)脆性材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)化并且在大的玻璃基底中獲得新的幾 何結(jié)構(gòu)。
在有利實(shí)施方案中，圖案的特征尺寸，尤其是其寬度，小于1毫米，優(yōu)選地小于100 微米，更優(yōu)選地小于500納米。有利地，如果在具有玻璃功能的基底的部分表面(彎曲的或平面的)上使用大氣 壓等離子體輔助蝕刻方法，則可連續(xù)實(shí)施所述結(jié)構(gòu)化，其中具有玻璃功能的基底的面積大 于或等于0. 1平方米，優(yōu)選地，大于或等于0. 5平方米，更優(yōu)選地大于或等于5平方米。特 別地，產(chǎn)品的寬度可以大于或等于1米。
相反，在真空等離子體輔助蝕刻的情況中，將存在方法的中斷?？梢栽诰哂胁ＡЧδ艿幕?所謂的“裸露”基底)上直接實(shí)施結(jié)構(gòu)化，或者在附 加于所述基底的表層上實(shí)施結(jié)構(gòu)化，所述表層從而被結(jié)構(gòu)化。有利地，該層的厚度大于或等于圖案的最大深度。即使在本發(fā)明的這種構(gòu)造中，具 有玻璃功能的基底基本保持剛性的。可以通過局部加熱，尤其是借助于激光、等離子炬，使具有玻璃功能的基底的表面 部分是可變形的。該基底為礦物的或有機(jī)的，例如由PMMA或聚碳酸酯(PC)制成。根據(jù)本發(fā)明的方法可以集成到玻璃元件和/或產(chǎn)品(尤其是礦物玻璃)的生產(chǎn) 線中，例如其可以安裝在浮法玻璃生產(chǎn)線(ligne float)的下游、軋制生產(chǎn)線或水平拉伸 生產(chǎn)線的下游、陰極濺射沉積生產(chǎn)線(磁控管生產(chǎn)線)的下游，或者在隨后的操作中(en reprise)0為了在沉積掩模之后形成圖案，使覆蓋了形成蝕刻掩模的材料的具有玻璃性質(zhì)的 基底會(huì)經(jīng)受采用任何蝕刻方法，優(yōu)選地采用干法蝕刻技術(shù)(尤其是大氣壓等離子體輔助或 真空等離子體輔助的蝕刻技術(shù))進(jìn)行的蝕刻步驟。由這種蝕刻產(chǎn)生的圖案可以是凹的和/或凸的，可以使拉長(zhǎng)的，特別是可以互相 平行和/或保持恒定的距離(波形，鋸齒形···)。所述圖案還可以是傾斜的。結(jié)構(gòu)化形狀，例如，凸起(尤其是棱柱形凸起)的陣列和/或拉長(zhǎng)的圖案(尤其是 具有矩形、三角形、梯形、圓形或不規(guī)則截面的圖案)的陣列。結(jié)構(gòu)化可以是周期性的、偽_周期性的、近_周期性的或隨意的。可對(duì)表面進(jìn)行若干次結(jié)構(gòu)化，優(yōu)選地連續(xù)結(jié)構(gòu)化，圖案本身也可結(jié)構(gòu)化。例如，如果目標(biāo)是要獲得超疏水的表面，則可利用圓錐形或多邊形(亞)圖案對(duì)具 有圓錐形或多邊形截面的主圖案進(jìn)行結(jié)構(gòu)化以加強(qiáng)疏水性(Lotus效應(yīng))?？墒褂孟嗨频幕虿煌膱D案對(duì)所述具有玻璃功能的基底的兩個(gè)主表面同時(shí)或相 繼地進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。所述方法還可包括在結(jié)構(gòu)化表面上沉積層以使該沉積層功能化的步驟。在該沉積 步驟之后，可讓該新的結(jié)構(gòu)化層經(jīng)歷第二結(jié)構(gòu)化步驟，該第二結(jié)構(gòu)化步驟可導(dǎo)致新的功能 化。作為變型，所述層在結(jié)構(gòu)化表面上的沉積可包括多個(gè)重疊層的沉積，其至少一層 可進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，從而向具有玻璃功能的基底賦予功能化的層的疊層。本發(fā)明還涵蓋能夠通過上述方法獲得的具有玻璃功能的基底。該具有玻璃功能的基底具有所有前述優(yōu)點(diǎn)(生產(chǎn)成本低，圖案均勻等)。圖案的至少一個(gè)特征尺寸，尤其是其寬度，優(yōu)選地小于1毫米，更優(yōu)選地小于100 微米，再優(yōu)選地小于500納米，所述陣列優(yōu)選地在至少大于或等于0. 1平方米的表面上展開，更優(yōu)選地在大于或等于0. 5平方米的表面上展開。結(jié)構(gòu)化玻璃產(chǎn)品可用于電子器件、建筑物或汽車的應(yīng)用。尤其可以列舉用于平板 屏(反射式偏光器、透明電極)的產(chǎn)品，尤其是玻璃板，用于建筑和用于汽車的產(chǎn)品用于照 明的產(chǎn)品(光導(dǎo))、具有改善的潤(rùn)濕特性(超疏水，超親水)的產(chǎn)品。所述陣列可以是3D的，更特別地，為2D的，圖案的其中一個(gè)特征尺寸在表面的優(yōu) 先方向上幾乎不變。與平面表面相對(duì)的表面也可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)化和/或覆有功能層。注意在玻璃的情 況下，可以對(duì)大氣面(face atmospherique)或錫面(face etain)進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。與結(jié)構(gòu)化相關(guān)的功能和性質(zhì)取決于以下特征尺寸-圖案的高度h(在有多個(gè)高度的情況下為最大高度)和圖案的寬度w (在有多個(gè) 寬度的情況下為最大寬度)，尤其是h與w之比；-圖案之間的距離d(在有多個(gè)距離的情況下為最大距離)，尤其是w與d之比，或 者步距P (即為w+d之和)。在本發(fā)明中，優(yōu)選地-距離d在10納米和1毫米之間，優(yōu)選地，包含在10和500納米之間，-寬度w在10納米和1毫米之間，優(yōu)選地，在10納米和10微米之間，-h與w之比，即縱橫比小于或等于10。其中一個(gè)或某些或者全部的特征尺寸可以優(yōu)選為微米級(jí)或亞微米級(jí)，甚至納米 級(jí)。表面結(jié)構(gòu)化可引起物理化學(xué)改變，尤其是表面能的改變。為了改善潤(rùn)濕性，尺寸達(dá) 微米的圖案是可能的。通過閱讀實(shí)施例將使本發(fā)明的其它細(xì)節(jié)和有利特征清楚。實(shí)例1 利用燃燒CVD (CCVD)形成銀結(jié)核基座(Susc^pteur)的溫度80°C在噴嘴下通過的次數(shù)10火焰-樣品距離10_前體硝酸銀水溶液前體的濃度0· 5mol/L霧化的N2流量1. 7SLM稀釋的N2 流量13· 6SLM從而獲得了均勻分布在表面上的、具有納米尺寸的結(jié)核，其直徑在20納米和200 納米之間?？梢詤⒁妶D1。實(shí)例2 對(duì)覆有采用CCVD技術(shù)沉積的銀結(jié)核的并利用大氣壓氟化等離子體處理過的玻璃 表面的處理(可以參見圖2)使基于在氦中產(chǎn)生的電容性放電的由SurfX Technologies公司銷售的 Atomflow 型源(直徑5cm)吹向位于下面的基底(“遠(yuǎn)程”或“放電外(horS-d6charge) ” 模式)。氣體穿過兩個(gè)間隔幾毫米的穿孔鋁電極。利用施加于其中一個(gè)電極(另一個(gè)電極接地)的13. 56MHz的射頻信號(hào)對(duì)所述氣體進(jìn)行激發(fā)。使用He (90slpm)、O2 (Islpm)和 CF4 (Islpm)的混合物。在銀結(jié)核掩模的蝕刻之后所獲得的結(jié)構(gòu)(textures)是尺寸為幾納米至幾十納米、間隔幾納米至幾十納米、最大縱橫比等于1的凸起。然后利用疏水性溶液(FAS7型全氟化分子，通過擦抹(chiffonage)施加以獲得超 疏水效果)對(duì)結(jié)構(gòu)化基底進(jìn)行功能化。通過選擇合適的蝕刻條件，可以獲得具有適中模糊度的超疏水樣品(接觸角# = 138° )。實(shí)際上，對(duì)于未進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)化的相同樣品，接觸角只有110°。實(shí)例3 :(可參見圖3)由法國(guó)SAINT-GOBAIN GLASS公司在“Planilux”這一商品名稱下銷售的、厚度為 0.7毫米的淺色浮法玻璃片已經(jīng)具有厚度為110納米的錫摻雜的氧化銦(ITO)覆層(采用 任何公知的用于此目的的沉積技術(shù))，然后是采用任何合適的技術(shù)(磁控管等離子體、熱 解、CVD等離子體、溶膠-凝膠)形成的、厚度為100納米的SiO2層。在真空下利用磁控管濺射技術(shù)沉積厚度為15納米的銀層。然后通過在9mT0rr的 真空下、30(TC下進(jìn)行熱處理30min而對(duì)該銀層進(jìn)行去濕。從而在SiO2層上形成銀結(jié)核。讓如此獲得的基底在以下操作條件下經(jīng)歷反應(yīng)離子蝕刻。向陰極提供直流電，導(dǎo) 電的ITO下層通過連接到調(diào)節(jié)至13. 56MHz上的射頻發(fā)生器而被極化。使用SF6作為產(chǎn)生 等離子體的氣體并使用75mTorr的壓力。功率為0. 106W/cm2，處理的持續(xù)時(shí)間為250s。于室溫下在IM的HNO3水溶液中浸泡一夜的作用是去除在上述蝕刻步驟中未被蝕 刻的銀結(jié)核部分。附圖3示出了在掃描電子顯微鏡下以50000的放大倍數(shù)以15°的角觀察到的所獲 得的基底?？梢杂^察到形成了突出體，其中至少80%的突出體的高度包含在70和200納米 之間，平均直徑包含在50和400納米之間，兩個(gè)相鄰?fù)怀鲶w之間的距離的至少80%包含在 1和500納米之間。這些突出體可限定為具有垂直于基底主平面的軸線并在頂部具有小的 半角(小于20° )的直截錐。在真空下在蒸汽相中向該基底接枝全氟辛基乙基三氯硅烷(CltlF17H4SiCl3)單層。通過利用移液管分別增大和減小水滴而測(cè)得的前進(jìn)角和接受角(angles de reculee)分別為165°和122°，這對(duì)應(yīng)于超疏水性能。還利用Hazegard XL 211設(shè)備測(cè)得了 92. 8%的光透射和小于4%的霧度。
權(quán)利要求
表面結(jié)構(gòu)化方法，即在具有玻璃功能的基底的至少一部分表面上形成至少一個(gè)具有特征尺寸的圖案的陣列，該方法特征在于，在大氣壓下，在火焰中使包含至少一種待沉積材料的前體的溶液離解，所述火焰被引向所述表面部分，以使得以多個(gè)基于所述材料的結(jié)核的形式沉積掩模，使所述材料的所述掩模經(jīng)歷蝕刻步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，蝕刻步驟通過大氣壓等離子體進(jìn)行 輔助。
3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，蝕刻步驟通過真空蝕刻技術(shù)進(jìn)行輔 助，尤其是通過等離子體進(jìn)行輔助。
4.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，基底的所述表面部分預(yù)先被 加熱至低于350°C，優(yōu)選地低于300°C的適中溫度。
5.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，所述材料的前體以噴霧的形 式噴射到火焰中。
6.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，所述材料的掩模被沉積在預(yù) 先覆有至少一層基于第二種材料的層的基底的部分表面上。
7.如權(quán)利要求1至6之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，所述材料的掩模被沉積在裸 露基底的部分表面上。
8.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，在基底和火焰之間建立相對(duì) 運(yùn)動(dòng)。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，所述運(yùn)動(dòng)可以為恒定速度以保證再 現(xiàn)性或者為調(diào)節(jié)的可變速度以獲得不同的結(jié)構(gòu)。
10.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，圖案的至少一個(gè)特征尺寸小 于1毫米，優(yōu)選地為微米級(jí)或亞微米級(jí)，甚至為納米級(jí)的。
11.如前述權(quán)利要求之一所述的結(jié)構(gòu)化方法，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)化形成凸起的陣 列，尤其為棱柱形或圓錐形凸起，和/或拉長(zhǎng)圖案的陣列，尤其為矩形、三角形截面的圖案， 所述圖案可能是傾斜的。
12.具有玻璃功能的基底，其能夠通過權(quán)利要求1至11之一所述的方法獲得。
13.如權(quán)利要求12所述的具有玻璃功能的基底，其特征在于，其特征尺寸中的一個(gè)(w) 為微米級(jí)或亞微米級(jí)的。
14.如權(quán)利要求12或13所述的具有玻璃功能的基底，其特征在于，所述圖案由高度h、 寬度w和距離d限定，其中距離d選擇為在10納米和1毫米之間，縱橫比h/w選擇為小于 或等于10。
15.如權(quán)利要求12至14之一所述的具有玻璃功能的基底，其特征在于，該基底旨在用 于在建筑物、汽車中，或者為疏水或親水的玻璃窗。
全文摘要
本發(fā)明涉及表面結(jié)構(gòu)化方法，即在具有玻璃功能的基底的至少一部分表面上形成具有特征尺寸的圖案的至少一個(gè)陣列，該方法的特征在于，在大氣壓下，在火焰中使包含待沉積材料的至少一種前體的溶液離解，所述火焰被引向所述表面部分，使得以基于所述材料的多個(gè)結(jié)核的形式沉積掩模，所述材料形成的所述掩模經(jīng)歷蝕刻步驟。
文檔編號(hào)C03C17/00GK101801874SQ200880108105
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2008年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日
發(fā)明者A·杜蘭多, B·尼姆, D·勒貝拉克, E·維亞斯諾夫, H·蒙蒂高德 申請(qǐng)人:法國(guó)圣戈班玻璃廠