專利名稱：：覆有機(jī)械強度改善的層的玻璃基材的制作方法覆有機(jī)械^t改善的層的玻璃S^才本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電層，該層特別基于氧化物，在玻璃基材上具有很大益處。所述層的例子有摻^的銦氧化物的rro層(銦錫氧化物)，以及摻雜氟的錫氧化物的SnQ2:F層。這樣的層在某些應(yīng)用中組成電極平面燈管、電致發(fā)光的玻璃板、電致變色的玻璃板、液晶顯示屏、等離子屏、光電玻璃板、發(fā)熱玻璃板。在其他用于低發(fā)射玻璃板的應(yīng)用中，例如，這些透明導(dǎo)電層不必加電壓而被激舌。在現(xiàn)有技術(shù)中，這些透明導(dǎo)電層通常被結(jié)合在下層上以便改善玻璃基材上的導(dǎo)電性透明層或多層疊層的光學(xué)性質(zhì)。非窮舉性地，尤其提及PPG的EP611733，其提出了氧化硅和氧化錫的梯度的混合物層以避免由摻雜氟的錫氧化物透明導(dǎo)電層引起的感應(yīng)虹彩效應(yīng)。GordonRoy的專利FR2419335還提出該下層的變型以便改善某個摻雜氟的錫氧化物透明導(dǎo)電層的顏色性質(zhì)。然而本專利提到的先前方法相反地在工業(yè)規(guī)模上是無法4頓的。SAINT-GOBAIN在本領(lǐng)域也有專業(yè)技術(shù)專利FR2736632因此提出氧化硅和氧化錫的反指度的混合下層作為摻雜氟的錫氧化物透明導(dǎo)電層的抗色變下嵐sous《oucheanti-couleur)。相反地，注意到在光電池或前面所提到的所有有效的應(yīng)用中的玻璃上的透明導(dǎo)電氧化物層的分層的趨勢。這種現(xiàn)象的表征測試在于將玻璃及其電極置于玻璃的兩側(cè)的約200V電場和約200°Ct顯度的結(jié)合作用下10併巾。該溫度下的電場作用在測試過程中根據(jù)玻璃在測試^J變下的電阻率,生從1至8mC/cm2的總電荷遷移。這些分層(d61amination)也可以在現(xiàn)有技術(shù)提及的下層中觀察到。在彎曲的玻璃上也可以觀察到這種分層。如果如此被覆蓋的玻璃中沒有電流通過，非本領(lǐng)域技術(shù)人員是無法觀察到這種分層的。然而，在如此被覆蓋的玻璃中有電流通過的應(yīng)用情況中，比如發(fā)熱玻璃板，這種分層的存在消除了這種功能。為了解決置于玻璃基材上透明導(dǎo)電氧化物層的分層的問題，本發(fā)明人設(shè)計出一種下層，其將玻璃基材與透明導(dǎo)電氧化物層連接大大改善后者的附著性，特別是在整體施加電場和高于100°C甚至高于150°C的相對高溫的條件下，或者特別是當(dāng)玻璃被塑形時(經(jīng)彎曲和/或淬火)。本發(fā)明目的因此為與適于構(gòu)成光電池電極的并由摻雜氧化物組成的透明導(dǎo)電層結(jié)合的透明玻璃基材，其特征為在玻璃基材和透明導(dǎo)電層之間插入混合層，該混合層為一種或多種與玻璃具有良好的附著性能的第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一種或多種可以構(gòu)成透明導(dǎo)電層的任選地為摻雜狀態(tài)的第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或自化物的混合層。這樣，本發(fā)明本身可以獲得適用于光電池的多層的疊M(empilement)，其在玻璃基材上的機(jī)械強度不受電場存在和高溫的影響。這種顯著的改善對于大玻璃表面(PLF-pleinelargeurfloat)是可獲得，因為與這種尺寸相容的沉積方法可以用在相關(guān)的層上。這種令人滿意的機(jī)械強度在淬火和彎曲處理后也被觀察到，包括在曲率半徑小到200mm的情況。因此本發(fā)明的基材的透明導(dǎo)電層不僅適于構(gòu)成光電池電極，也適合構(gòu)ite經(jīng)淬火和/或彎曲的玻璃上具有優(yōu)異附著性的覆蓋層。皿低發(fā)射覆蓋層為例，特別是朝向建筑內(nèi)部的玻璃板面上的覆蓋層以便能從其反射和保存周圍的熱量。補充地，該混合下層(sous-couchemixte)任選地不是玻璃的堿金屬向透明導(dǎo)電層遷移的阻擋層。其有利地密度較小以使玻璃的堿金屬通過并且其本身是導(dǎo)電的。補充地，本發(fā)明的透明基材具有相對于玻璃基材上透明導(dǎo)電層改善的光學(xué)性質(zhì)減小的虹彩產(chǎn)生、更均勻的反射著色。根據(jù)本發(fā)明的基材的兩種優(yōu)選的實現(xiàn)方式。所述混合層具有隨著離玻璃基材的距離增大，所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例減小的組鵬度；。所述混合層具有隨著離玻璃基材的距離增大，所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例增大的組度。有利地，本發(fā)明的基材的特征在于其機(jī)械強度在經(jīng)過這樣的處理后的24小時內(nèi)不受影響(affect6e)，所述處理為通過在S^才兩側(cè)至少為100V，優(yōu)選200V的電場和在至少為200。C溫度下至少10併中，優(yōu)選20辦中的處理，該處理根據(jù)在測試溫度下玻璃基材的電阻率的值弓胞至少2mC/cm2，優(yōu)選8mC/cm2的電荷遷移。"機(jī)械，"可以理解為疊層或疊層的一部分不發(fā)生分層。根據(jù)本發(fā)明的基材的其它特征。所述混合層與所i^it明導(dǎo)電層的疊層具有最多等于30%的模糊度，。所述混合層在其與所述透明導(dǎo)電層的界面上具有由隨機(jī)定向的小桿狀體(Mtonnets)構(gòu)成的面，該小桿狀體長度為10nm至50nm，直徑為5nm至20nm，形成一個10nm至50nm的均方根粗造度，并使該整個疊層相對于與所述透明導(dǎo)電層的所述混合層的相同觀增大5%至10%的模糊度，其中該第一個提至啲(laprendrenomm6e)具有光滑表面~~^光電應(yīng)用中，高模糊度是所希望的，。^itl寸(在可見光中的M"通過肉眼的感受性曲線加權(quán)一ISO9050標(biāo)準(zhǔn))至少為75%，優(yōu)選80%，。到1000Q的表面電阻(r&istanceparcarr6)，Ro，被定義為在兩個線性、平行、距離為L、相同長度也為L的兩個電*皿緣測量的電阻，這兩個電極和S^才的導(dǎo)電面在其旨長度上進(jìn)行電接觸，。在可見光和近紅外中的吸收最大等于10%。根據(jù)本發(fā)明的其他性質(zhì)，特別當(dāng)M玻璃的禾鵬很很重要時。所述混合層與所逸透明導(dǎo)電層的疊層(empilementdeladitecouchemiste&laditecouche61ectroconductricetransparente)具有小于5%，tte小于1%的模糊度，。^至少為80%，。10Q到1000Q的表面電阻，&，。中性反射顏色并在任何情況下都均勻。雌也，。所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或麟化物選自硅、鋁和鈦的氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，特別是Si02、Ti02和A1203，。所述一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物選自錫、鋅和銦的氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，特別是Sn02、ZnO和InO，。所逸透明導(dǎo)電層由摻雜Sn、Zn或In的氧化物組成，如Sn02:F、Sn02:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、InO:Sn或ZnO:In。關(guān)于獲得在本發(fā)明范圍內(nèi)優(yōu)選的混合層的方法，其在下文中得到詳述，所述混合層。是導(dǎo)電性的，非絕緣性的，特別地，它的表面電阻最多等于100000Q，8雌誦0Q;。的F/Sn摩爾比至少為0.01，優(yōu)選0.05。根據(jù)獲得基材所尋求的機(jī)械纟販和光學(xué)性質(zhì)的最佳組合的實施方案，。所述混合層的厚度為20nm-500nm，優(yōu)選50nm-300nm;。所述混合層位于玻璃基材側(cè)的面專一地由厚度為2nm至20nm的一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物組成，這將有利于混合層在玻璃上的附著；。所述混合層的位于與玻璃基材側(cè)相對的側(cè)的面專一地由厚度為2nm至20nm的一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或am化物組成，這有利于混合層在與其成分相似的覆蓋嵐如所述透明導(dǎo)電局上的附著。根據(jù)第一種變型，所述由摻雜的氧化物組成的透明導(dǎo)電層通過插入非摻雜的相同氧化物層與所述混合層相連，所述兩個摻雜或非摻雜的層的累計厚度為700nm-2000nm，這兩個層的厚度比為1:44:1。摻雜的氧化物的層可以覆蓋有非晶硅，微晶硅，其fflil等離子增強CVD(PECVD)沉積，目的是組成光電池。所述兩個非摻雜的和摻雜的氧化物層這時有利地具有20nm-40nm的均方根粗糙度。這是因為硅吸收相對較少的光。下鄰接層(couchessous-jacentes)的粗糙度使光MI寸性并且延長了光線在硅活性層中的路線，保證其內(nèi)部足夠數(shù)目的電子-空穴對，以及有效的光俘獲阱。根據(jù)第二種，所述厚度為300nm-600nm的由摻雜的氧化物組成的透明導(dǎo)電層直接在所述混合層上形成。摻雜的氧化物層可以被覆蓋有鎘-碲層，目的是組成光電池。在本發(fā)明的基材的優(yōu)選的實現(xiàn)方案中，所述由摻雜的氧化物組成的透明導(dǎo)電層被覆蓋有在面對組成光電池的覆蓋層的沉積時保護(hù)該透明導(dǎo)電層的層，特別^I過PECVD沉積層(如硅層)，或增強光電池量子效應(yīng)的層，如氧化鋅或氧化鈦時。根據(jù)本發(fā)明一種有利的實施方式，基材面中的一個~~特別是和載有所述混合層的面相對的玻璃面一被疊層覆蓋，該疊層帶來抗反射或疏水或光催化類型的功能性。另一方面，所述混合層可包含一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的顆粒，上述顆粒與一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或職化物的顆粒混合。其實例為包含與Sn02顆粒混合的Si02顆粒的混合層。在這種情況下，例如，"組成的遊賣梯度"標(biāo)在混合層整個厚度中隨離玻璃St才的距離遞增Si02顆粒相對Sn02顆粒比例的有規(guī)律地遞減。這種有規(guī)律的遞減不排除平臺或階梯型遞減，或者存在兩個不同的且一個在另一個中的疊瓦狀排列的區(qū)嫩deuxzonesdistinctesetimbriqu6esl，unedansl，autre)(以拼圖的片的方式)，其具有所述一種或多種第一，二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的唯一一種的排他性含量。所述混合層還可以附加地或可替換地包含一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合顆粒，以及一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物的混合顆粒。其實例為含有元素Si、Sn、Al和O的混合層。根據(jù)前面兩種變型，所，粒的尺寸通過電子顯微鏡觀測進(jìn)行確定，其尺寸為10nm-80跳j雌20nm-50nm。本發(fā)明的目的還包括基材的制造方法，該基材的所述混合層由在至少一種氟化合物存在下使所述一種或多種第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的前體與基材相接觸產(chǎn)生的化學(xué)氣相沉積方法獲得，所述氟化物如四氟代甲烷(CF4)、八氟代丙烷(C3F8)、六氟代乙垸(C2F6)、氟化氫(HF)、二氟代-氯代-甲烷(CHC1F2)、二氟代-氯代-乙垸(CH3CC1F2)、三氟代甲垸(CHF3)、二氯代-二氟代甲烷(CF2C12)、三氟代-氯代甲烷(CF3C1)、三氟代-溴代甲烷(CF3Br)、三氟乙酸(TFA，CF3COOH)、三氟化氮(NF3)。氟化物加快了所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的沉積一特別是Si02—相對于一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的沉積一如Sn02。駄，。作為Si02的前體四乙氧基硅烷(TEOS)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、麟(S線)；。作為Sn02的前體三氯一丁基錫(MBTCI)、二乙酸二丁基錫(DBTA)、四氯化錫(SnCLt)。根據(jù)第一種途徑，所述混合層M31使用等離子增強化學(xué)氣相沉積(CVD代表化學(xué)氣相沉積)(PECVD代表等離子CVD)獲得，特別是大氣壓下的等離子增強化學(xué)氣相沉積(APPECVEM樣大氣壓下PECVD);這時最有利地，基材的溫度最高等于300。C。根據(jù)第二種途徑，所述混合層在基纟t，至少等于500。C，地至少等于600°C，特別tti^iikM少等于650。C時獲得。根據(jù)種方法另一種優(yōu)選的實現(xiàn)方案，所述混合層在助劑存在下獲得，所述助劑為控制所述一種或多種第一和二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的相對沉積速率的助齊U。因此fOT熱CVD形式(enCVDthennique:)的SiOz和Sn02前體的混合物可以獲得無氧^^牛下只有Si02的沉積或足M氣條件下只有SrA的沉積，因此可以獲得全部中間狀態(tài)。其他的化合物，特別是氟化合物、磷化合物和硼化合物也可以在混合層形成過程中用來提高St02的沉積速與相對于SnCb)。對于這些化合物不足的是它們是路易斯酸。本發(fā)明有利地使用氟不僅以加快混合層形成過程中Sl02的沉積速辨相對于SnQ2)，而且可以用于摻雜下層并使其本身有導(dǎo)電性。下層的電傳導(dǎo)參與改善該疊層的機(jī)械強度，特別是在電場的作用下。另一方面，本發(fā)明的目的為。包含，基材的光電池；。經(jīng)淬火和/或彎曲的玻璃，該彎曲的玻璃的曲率半徑最多等于2000mm，4，最多等于500mm，特別,地最多等于300mm，所述玻璃包含根據(jù)本發(fā)明的基沐沉積在該玻璃上的層的機(jī)械強度是優(yōu)異的；。經(jīng)成形的加熱玻璃，含有如上所述的基材；。含有根據(jù)本發(fā)明的基材的等離子屏(PDP代表等離子顯示屏)；。包含這種St才的平面燈管的電極。本發(fā)明通過以下實施例進(jìn)行說明。實施例1:在熱CVD反應(yīng)器中靜態(tài)、沉積纟參雜氟的SiOSnS^才-4mm玻璃，面積10x20cm2MBTCI:0.4柳0/0TEOS=1.6,、％02=10術(shù)只％TFA^0.5體積0/0。玻璃對才的鵬(pl油x2腿)=650°CN2總流量=1.51/min可以獲得如下的疊層玻激Si02(10nm)/具有從Si02向Sn02的梯度的混合SiOSn/Sn02(10nm)/<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實施例2:大氣壓下在熱CVD反應(yīng)器中動態(tài)進(jìn)行沉積摻雜氟的SiOSn/非摻雜的SnCV摻雜氟的SnO基材=4mm極透明玻璃，尺寸100x60cm2第一次通過中MBTCI=0.3mol/minTEOS=0.36mol/min02=13術(shù)只％TFA=0.19mol/minH2O=2.3mol/min玻璃謝的驄(Diamant，4mm)=650。CN2總流量=1625Nl/min(Nl=標(biāo)準(zhǔn)升=1大氣壓下和25°C時的升)玻璃走帶鵬=10m/min第二次通過中MBTCI=0.95mol/min.02=20術(shù)只％H20=3.7mol/min玻璃謝的鵬=650。CN2總流量=1600Nl/min走帶速度=10m/min第三次通過中MBTCI=0.47mol/min.1202=20術(shù)只％TFA=1.85mol/minH2O=0.88mol/min玻璃對才的鵬=650。CN2總流量=1600Nl/min走帶i!S=10m/min獲得如下ftM:玻激Si02/具有梯度的摻,的混合SiOSn/Sn02/摻，的Sn02，如根據(jù)組成所顯示的ftjl的元素的SMS圖所示。TEM/EDX分析(電子透射顯微鏡/能量色散X射線(EnergyDispersiveX-Ray))顯示摻雜氟的SiOSn層具有隨離玻璃基材的距離增加而增加的Si的比例(相對于Sn)。在機(jī)械強度測試中，使5cmx5cm的樣品經(jīng)受在St才兩側(cè)200V電場和200。C的at下10併中的處理，該層在戰(zhàn)處理后24小時內(nèi)不受影響，其與沒有進(jìn)行第一次沉積通過的相同層相反。根據(jù)200°C下玻璃的電阻率值為約7xl05am.，這種處理產(chǎn)生4mC/cm2的電荷位移。比較這一方案和另一較低效能的方案，在該較低效能方案中混合層采用相同方式但不加入含氟摻雜齊,獲得。目前技術(shù)方案玻激SiOC/SnO2:F本發(fā)明的技術(shù)方案畫l玻璃/SiOSn/Sn02:F本發(fā)明的技術(shù)方案-2玻璃/SiOSn:F/SnQ2:F艦戰(zhàn)處理后24小時結(jié)束時觀察到的分層有無，但是i媚在i規(guī)鵬的幾天內(nèi)分層無，該層比現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案分層更遲實施例3:大氣壓下在熱CVD反應(yīng)器中進(jìn)fi^力態(tài)沉積Si-O-Sn對才=4,的PlaniluxSaint-Gobain玻璃第一次通過鼓泡TEOS，鼓泡溫度80。C，鼓泡氮氣流量175Nl/minMBTCI=5kg/h02=15體積％TFA=1.5kg/hH20=2.5k^h玻璃謝的鵬=650。CN2總流量=1500Nl/min走^iS^=10m/min第二次通過時MBTCI=35kg/h02=20術(shù)只％TFA=9kg/hH20=9kg/h玻璃謝的鵬=650°CN2總流量=1600Nl/min走帶速度=10m/min可以獲得一個光邀寸為78%的層，表面電阻等于10歐姆，模糊度等于4%。用這種下層可以獲得的曲率比無下層的相同層的曲率約大3倍。目前的技術(shù)方案玻豫Sn02:F本發(fā)明的技術(shù)方案玻豫SiOSn:F/Sn02:F被歸一化至現(xiàn)有技術(shù)的當(dāng)前技術(shù)方案的最小值的曲率半徑11/4實施例4:大氣壓下在熱CVD反應(yīng)器中動態(tài)沉積Ti-O-Sn對才4廳的PlaniluxSaint陽Gobain玻璃只M—次14在主注射口上游的開口中鼓泡TiPT，鼓泡溫度50°C，鼓泡氮氣流量125Nl/min，稀釋氮氣流量375Nl/min0在主注射口處MBTCI=15kg/h02=20體積％TFA=7.5kg/hH20=3.7kg/h玻璃謝的鵬=650。CN2總流量^誦Nl/min走帶il^=4m/min前體到達(dá)柳頃序包括玻Jmi02/具有梯度的摻織的混合Ti-0-Sn/摻織的Sn02觀。獲得的層為10歐姆平方(ohmscarr6s)，80%的，射，1.5%的模糊度。用這種下層可以獲得的曲率半徑比不用下層的相同層約小1倍，沒觀察到分層。目前技術(shù)方案玻激Sn02:F本發(fā)明的技術(shù)方案玻斷iOSn:F/Sn02:F被歸一化至目前技術(shù)方案的最小值的曲率半徑11/2實施例5:在大氣壓下在等離子反應(yīng)器中進(jìn)fi^力態(tài)沉積Si-O-SnN2流量2001/minTEOS:45sccmSnC":5sccmH2(在N2中稀釋至5Q/o):2000sccm等離子功率2W/cm2，具有脈沖型進(jìn)料。放電態(tài)均勻。玻璃鵬150。C。沉積的層為非晶型SiOSn，具有梯度使得在表面的錫的濃度更大。該層的15沉積速率為200nm/min。根據(jù)l至5的等級，光電測試所得的強度為4(層在測試中無變化但是或者24小時后分層，或者在24小時前輕微分層)。"光電測試"理解為用在基材兩側(cè)的200V的電場和200°C的溫變下10併中的處理在處理后的24小時內(nèi)觀察有無分層。權(quán)利要求1.與適于構(gòu)成光電池電極的并由摻雜氧化物組成的透明導(dǎo)電層結(jié)合的透明玻璃基材，光電池其特征為在玻璃基材和透明導(dǎo)電層之間插入混合層，該混合層為一種或多種與玻璃具有良好的附著性能的第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一種或多種可以構(gòu)成透明導(dǎo)電層的并任選地為摻雜狀態(tài)的第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合層。2.根據(jù)權(quán)利要求1的基材，其特征在于所述混合層具有為隨著離玻璃基材距離的遞增，所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例遞減的組成梯度。3.根據(jù)權(quán)利要求1的基材，其特征在于所述混合層具有為隨著離玻璃基材距離的遞增，所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的比例遞增的組成梯度。4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其機(jī)械強度在處理后的24小時內(nèi)不受影響，所述處理為使用在基材兩側(cè)至少100V，200V的電場，和至少為200。C的^^下至少10併中，20併中的處理，根據(jù)在該測說^下玻璃S^的電阻率值，該處理弓胞至少2mC/cm2，雌8mC/cm2的電荷遷移。5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層與所述透明導(dǎo)電層的疊層具有最多等于30%的模糊度。6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層在其與所,明導(dǎo)電層的界面處具有由隨機(jī)定向的小桿狀體組成的表面，所述小桿狀體長度為10nm至50nm，直徑為5nm至20nm，形成一個10nm至50nm的均方根粗糙度，并使整個疊層具有相對于所述混合層與所^3S明導(dǎo)電層的的相同疊層增大5%至10%的模糊度，其中該第一個提至啲具有光滑表面。7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層與所述透明導(dǎo)電層的疊層具有至少等于75%，80%的，射。8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層與所述透明導(dǎo)電層的疊層具有5Q-1000n的表面電阻，Ro。9.根據(jù)前述權(quán)禾腰求任一項的S^才，其特征在于所述混合層與所腿明導(dǎo)電層的疊層具有最大等于10%的在可見光和近紅外中的吸收。10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物選自硅、鋁和鈦的氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物，特別是Si02、Ti02和Al203。11.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物選自錫、鋅和銦的氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物，特別是Sn02、ZnO和InO。12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述透明導(dǎo)電層由摻雜Sn、Zn或In的氧化物組成，如Sn02:F、Sn02:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、InO:Sn或ZnO:In。13.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層的表面電阻最多等于100000Q，伏選10000Q。14.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層的F/Sn摩爾比至少等于0.01，優(yōu)選0.05。15.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層的厚度為20nm-500腦，ite50腿-300nm。16.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于位于玻璃S^才一側(cè)的所述混合層的面專一地由厚度為2nm至20nm的一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物構(gòu)成。17.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于位于與玻璃基材側(cè)相對的一側(cè)的所述混合層的面專一地由厚度為2腦至20nm的一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或麟化物構(gòu)成。18.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述的由摻，化物組成的透明導(dǎo)電層通過插入非摻雜的相同氧化物層與所述混合層相連，所述兩個摻雜和非摻雜的氧化物的層的累計厚度為700nm-2000nm，這兩個層的厚度比為1:4至4:1。19.根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項的基材，其特征在于所M明導(dǎo)電層由摻雜的氧化物組成，其厚度為300nm-600nm，直接形成在所述混合層上。20.根據(jù)前述豐又利要求任一項的基材，其特征在于所述由摻雜的氧化物組成的透明導(dǎo)電層被覆蓋有在面對沉積光電池的構(gòu)成覆蓋層時保護(hù)該透明導(dǎo)電層的層，或增強光電池量子效應(yīng)的層，如氧化鋅或氧化鈦層。21.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述基材的一個面被ftii覆蓋，該觀提供抗反射或疏7jC或光催化類型的功能性。22.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層包含與一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的顆?；旌系囊环N或多種第一氮化物或氮氧化物或氧化物或碳氧化物的顆粒。23.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材，其特征在于所述混合層包含一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或a^化物的混合顆粒。24.根據(jù)t又利要求22和23任一項的基材，其特征在于通過電子邀寸顯微鏡觀測確定的所述顆粒的尺寸為10nm-80nm，優(yōu)選20nm-50nm。25.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的基材的制造方法，其特征在于所述混合層在至少一種氟化合物存在下通過使所述一種或多種第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的前體與基材相接觸產(chǎn)生的化學(xué)氣相沉積法獲得。26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其特征在于所述混合層通過j頓等離子增強化學(xué)氣相沉積法特別是大氣壓下等離子增強化學(xué)氣相沉積法而獲得。27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其特征在于所述混合層是在最高等于300°C的St才的溫度下獲得的。28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其特征在于所述混合層在至少等于500°C，，至少等于600°C，特別優(yōu)i^i也至少等于650°C的基lt溫度下獲得。29.根據(jù)權(quán)利要求25至28中至少一項的方法，其特征在于所述混合層在助劑存在下獲得，所艦齊偽控制所述一種或多種第一和第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或化物的相對沉積速率的助劑。30.根據(jù)權(quán)利要求25至29任一項的方法，其特征在于所述至少一種氟化合物選自四氟代甲垸(CF4)、八氟代丙烷(C3F8)、六氟代乙烷(C2F6)、氟化氫(HF)、二氟代-氯代-甲烷(CHC1F2)、二氟代-氯代-乙烷(CH3CC1F2)、三氟代甲烷(CHF3)、二氯代-二氟代甲烷(CF2C12)、三氟代-氯代甲烷(CF3C1)、三氟代-溴代甲烷(CF3Br)、三氟乙酸(TFA，CF3COOH)、三氟化氮(NF3)。31.光電池，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至24任一項的基材。32.包含根據(jù)權(quán)利要求l至24任一項的基材的經(jīng)淬火和/或彎曲的玻璃，該彎曲的玻璃的曲率半徑最多等于2000mm，最多等于500mm,特別iK地最多等于300mm，。33.經(jīng)成形的加熱玻璃，其含有權(quán)利要求1至24任一項的基材。34.包含根據(jù)權(quán)利要求l至24任一項的基材的等離子屏。35.包含根據(jù)權(quán)利要求l至24任一項的基材的平面燈管的電極。全文摘要本發(fā)明涉及一種與透明導(dǎo)電層結(jié)合的透明玻璃基材，所述透明導(dǎo)電層適于構(gòu)成光電池電極并由摻雜氧化物組成，其特征為在玻璃基體和透明導(dǎo)電層之間插入混合層，該混合層為具有與玻璃良好的附著性能的一種或多種第一氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物，和可以構(gòu)成透明導(dǎo)電層的任選地為摻雜狀態(tài)的一種或多種第二氮化物或氮氧化物，或氧化物或碳氧化物的混合層；這種基材的制造方法；包含這種基材的光電池、淬火和/或彎曲的玻璃、成形的加熱玻璃、等離子屏和平面燈管的電極。文檔編號C03C17/34GK101636362SQ200880002251公開日2010年1月27日申請日期2008年1月14日優(yōu)先權(quán)日2007年1月15日發(fā)明者A·杜蘭多,B·庫恩,B·恩吉姆,D·勒貝萊克,E·維亞斯諾夫,E·羅耶,F·阿博特,G·扎格道恩,O·杜博伊斯申請人:法國圣戈班玻璃廠