專(zhuān)利名稱(chēng)：：光纖預(yù)制件的制造方法、光纖的制造方法以及光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及制造光纖預(yù)制件的方法、由該預(yù)制件制造光纖的方法、以及由該方法制成的光纖，所述制造光纖預(yù)制件的方法包括以下步驟將玻璃層沉積在由石英玻璃制成的起始管內(nèi)；以及對(duì)該起始管進(jìn)行塌縮。
背景技術(shù)：
：在最近的光通信系統(tǒng)中，波分復(fù)用(WDM)傳輸技術(shù)已經(jīng)日益重要。在WDM傳輸技術(shù)中，人們殷切地希望能精確調(diào)整光纖色散的波長(zhǎng)依賴(lài)性，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)減小所用波段中的色散差異來(lái)為每一波長(zhǎng)提供均勻的傳輸特性是很重要的緣故。其中色散的波長(zhǎng)依賴(lài)性被調(diào)整的光纖是(例如)色散位移光纖、非零色散位移光纖、色散平坦光纖和色散補(bǔ)償光纖。這些光纖具有復(fù)雜的折射率分布，其中存在多個(gè)最大點(diǎn)和多個(gè)最小點(diǎn)。為了在上述這些光纖中獲得所需的色散特性，重要的是精確形成折射率分布。適于精確形成折射率分布的方法是(例如)管內(nèi)汽相沉積法比如MCVD(改進(jìn)型化學(xué)汽相沉積)法或PCVD(等離子體激活化學(xué)汽相沉積)法。如由McGraw-Hill圖書(shū)公司出版的《光纖通信》(國(guó)際版1991)的第66頁(yè)至第67頁(yè)中所述，MCVD法已經(jīng)被廣泛使用，這是因?yàn)槔迷摲椒軌蛳鄬?duì)容易地獲得高質(zhì)量的光纖預(yù)制件的緣故。此外，美國(guó)專(zhuān)利No.4820322披露了一種制造光纖的方法，在該方法中，在玻璃棒和作為包層的一部分的外層部分成為一體的同時(shí)，對(duì)它們一起進(jìn)行拉絲，所述玻璃棒是通過(guò)塌縮由MCVD法沉積有玻璃的管而形成的。順便提及的是，為了獲得高質(zhì)量的光纖，重要的是防止羥基(OH基)在制造過(guò)程中進(jìn)入玻璃。由于其中色散的波長(zhǎng)依賴(lài)性被調(diào)整的光纖具有復(fù)雜的折射率分布，因此該光纖經(jīng)過(guò)復(fù)雜的制造過(guò)程而形成，從而OH基很可能進(jìn)入玻璃。如果OH基存在于光纖的光傳播區(qū)域內(nèi)，那么光被OH基吸收，從而傳輸損耗增大。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供制造光纖預(yù)制件和光纖的方法，并且提供由該方法制造的光纖，用所述方法可以實(shí)現(xiàn)所需的折射率分布并抑制由于被OH基吸收而導(dǎo)致的損耗增大。為達(dá)到該目的，提供一種制造光纖預(yù)制件的方法，該方法包括以下步驟對(duì)起始管進(jìn)行管內(nèi)汽相沉積，使得將要形成為芯的玻璃層和將要形成為包層的一部分的玻璃層沉積在起始管內(nèi)，每一個(gè)所述玻璃層包含氟、鍺、磷和氯中的至少一種，所述起始管由石英玻璃制成，其外徑在20mm至150mm的范圍內(nèi)，壁厚在2mm至8mm的范圍內(nèi)，從而形成具有將要形成為芯的玻璃層的管；以及塌縮所述管以便形成玻璃棒，在該玻璃棒中，在從所述玻璃棒的表面起至離該表面1mm深的區(qū)域內(nèi)OH基的濃度為10重量ppm(按重量計(jì)的百萬(wàn)分率)或更低。所述OH基的濃度優(yōu)選為1重量ppm或更低。所述起始管可以是由包含氟的石英玻璃制成的管。所述起始管可以通過(guò)沉積細(xì)小的玻璃顆粒并隨后脫水和固結(jié)而形成，并且存在于所述起始管中的OH基的濃度可以是0.01重量ppm或更低。所述起始管沿其整個(gè)長(zhǎng)度的壁厚不均勻度可以是0.3％或更低，所述起始管的內(nèi)徑不圓度和外徑不圓度可以是1％或更低。管內(nèi)汽相沉積法可以是MCVD法，沉積玻璃層的沉積速率可以是0.4g/min或更高。沉積速率優(yōu)選是1.0g/min或更高。將要形成為芯的玻璃層與將要形成為包層的一部分的玻璃層的總厚度可以是1mm或更高，并且具有將要形成為芯的玻璃層的管的壁厚可以是8mm或更低。所述玻璃棒的芯的不圓度可以是0.4％或更低，并且存在于所述玻璃棒的中軸線上每10mm長(zhǎng)度內(nèi)的氣泡數(shù)量可以是一個(gè)或更少。所述玻璃棒的用管內(nèi)汽相沉積法沉積的部分的不圓度可以是1.5％或更低，并且存在于所述玻璃棒的中軸線上每10mm長(zhǎng)度內(nèi)的氣泡數(shù)量可以是一個(gè)或更少。所述塌縮步驟可包括第一加熱步驟和第二加熱步驟，在第一加熱步驟中，具有將要形成為芯的玻璃層的管的一個(gè)端部被加熱并塌縮，在第二加熱步驟中，具有將要形成為芯的玻璃層的管從所述一個(gè)端部向另一端被加熱并塌縮，并且在第一加熱步驟中所述一個(gè)端部的表面溫度T1可以高于在第二加熱步驟中所述管的被加熱部分的表面溫度T2。用于MCVD法的熱源可以是感應(yīng)電爐、電阻電爐以及等離子體炬中的一種。此外，用于所述塌縮步驟的熱源可以是感應(yīng)電爐、電阻電爐以及等離子體炬中的一種。此外，本發(fā)明提供了一種制造光纖的方法，該方法包括對(duì)根據(jù)本發(fā)明的方法制造的光纖預(yù)制件進(jìn)行拉絲的步驟。在該拉絲步驟中，玻璃棒被插入套管中，并且在所述玻璃棒和所述套管被加熱而成一體的同時(shí)對(duì)它們一起進(jìn)行拉絲。所述套管是通過(guò)沉積細(xì)小的玻璃顆粒并隨后脫水和固結(jié)而形成的，并且存在于所述套管中的OH基的濃度可以是0.01重量ppm或更低。此外，本發(fā)明提供了一種用本發(fā)明的制造方法制造的光纖。光纖的偏振模色散可以是0.15ps/km1/2或更低，并且在波長(zhǎng)1.38μm處由于被OH基吸收而導(dǎo)致的損耗可以是0.2dB/km或更低。下文將參照附圖對(duì)本發(fā)明加以詳細(xì)說(shuō)明。為了說(shuō)明的目的示出了附圖，這些附圖并不意味著限制本發(fā)明的范圍。圖1示出用本發(fā)明的方法制造的光纖的橫截面圖，該橫截面垂直于光纖預(yù)制件的中軸線。圖2是顯示圖1所示光纖預(yù)制件的折射率分布的示意圖；圖3是示出制造光纖預(yù)制件的步驟的流程圖，說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的方法。圖4是用于說(shuō)明MCVD法的示意圖。圖5是用于說(shuō)明制造起始管的方法的一個(gè)例子的示意圖；圖6是說(shuō)明第一加熱步驟的示意圖；圖7是說(shuō)明第二加熱步驟的示意圖；圖8是示出芯不圓度與用于塌縮的熱源類(lèi)型之間的關(guān)系的圖；圖9是示出關(guān)于六氟化硫(SF6)與氯氣(Cl2)的混合氣體的流速與它的露點(diǎn)之間的關(guān)系以及它的流速與OH基濃度之間的關(guān)系的圖；圖10是用于說(shuō)明測(cè)量存在于玻璃棒中的氣泡數(shù)量的方法的示意圖；圖11是示出玻璃棒的芯不圓度與光纖預(yù)制件的芯不圓度之間的關(guān)系的圖；圖12是示出光纖預(yù)制件的芯不圓度與光纖的偏振模色散之間的關(guān)系的圖；圖13是用于說(shuō)明在使插入套管中的玻璃棒與該套管成為一體的同時(shí)進(jìn)行拉絲的方法的示意圖；圖14是示出在利用起始管制造光纖且損耗是由OH基的吸收所引起的情況下起始管中氯的濃度與光纖在1.4μm波段的損耗之間的關(guān)系的圖；圖15是示出起始管壁厚與光纖損耗掉的不依賴(lài)于波長(zhǎng)的成分之間的關(guān)系的圖；圖16是示出過(guò)渡金屬的吸收譜的一個(gè)例子的圖；圖17是示出用于五重包層光纖的光纖預(yù)制件的折射率分布的示意圖；圖18是示出用于六重包層光纖的光纖預(yù)制件的折射率分布的示意圖；圖19是用于說(shuō)明玻璃管的壁厚、燃燒器的橫動(dòng)速度(traversespeed)以及沉積在內(nèi)表面的玻璃層的狀態(tài)之間的關(guān)系的圖；圖20是示出關(guān)于玻璃棒表面上的OH基濃度與由OH基的吸收所引起的在1.4μm波段的損耗之間的關(guān)系的計(jì)算結(jié)果的圖；具體實(shí)施例方式下文將參照本發(fā)明的實(shí)施方式。在附圖中，為了避免重復(fù)描述，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。附圖中的尺寸比例并不總是精確的。圖1示出用本發(fā)明的方法制造的光纖預(yù)制件的橫截面圖，該橫截面垂直于光纖預(yù)制件的中軸線。圖2是示出光纖預(yù)制件1的折射率分布的示意圖。光纖預(yù)制件1是將要形成為具有復(fù)雜折射率分布的光纖(比如色散位移光纖、色散平坦光纖或色散補(bǔ)償光纖)的光纖預(yù)制件。光纖預(yù)制件1按照從中心到外部的順序依次有中心芯14、第一凹陷部分13、環(huán)形部分12、第二凹陷部分11以及外包層15。由光纖預(yù)制件1形成的光纖的橫截面結(jié)構(gòu)與光纖預(yù)制件1的橫截面結(jié)構(gòu)相同。在圖2中，折射率分布曲線14n、13n、12n、11n和15n分別是中心芯14、第一凹陷部分13、環(huán)形部分12、第二凹陷部分11和外包層15的折射率分布曲線。折射率分布曲線14n具有最大的折射率Nc，折射率分布曲線13n具有最小的折射率Nd1，折射率分布曲線12n具有最大的折射率Nr，折射率分布曲線11n具有最小的折射率Nd2，折射率分布曲線15n具有最大的折射率No，其中各折射率滿足關(guān)系式Nc≥Nr＞No＞Nd2≥Nd1。除此以外，各折射率Nc、Nd1、Nr或Nd2相對(duì)于外包層的折射率No的相對(duì)折射率差分別由Δc、Δd1、Δr或Δd2表示。除此以外，在圖2中，附圖標(biāo)記2c表示中心芯14的直徑，附圖標(biāo)記2d1表示第一凹陷部分13的外徑，附圖標(biāo)記2r表示環(huán)形部分12的外徑，附圖標(biāo)記2d2表示第二凹陷部分11的外徑，附圖標(biāo)記2o表示外包層15的外徑。在光纖預(yù)制件1中，雖然除中心芯14以外的各區(qū)域的折射率分布曲線中每一個(gè)都具體階梯狀的形狀，但中心芯14的折射率分布曲線在該曲線的中部存在下陷的現(xiàn)象。圖3是示出制造光纖預(yù)制件的步驟的流程圖，說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的方法。在該實(shí)施方式中，光纖預(yù)制件1的中心芯14、第一凹陷部分13和環(huán)形部分12通過(guò)管內(nèi)汽相沉積法比如MCVD法形成在起始管內(nèi)，該起始管將要形成為第二凹陷部分11。制造開(kāi)始(步驟SS)以后，玻璃層被沉積到起始管內(nèi)(步驟S1)。對(duì)于玻璃層的沉積，可使用MCVD法。圖4是用于說(shuō)明MCVD法的示意圖。在MCVD法中，當(dāng)源材料氣體(氯化硅(SiCl4)和氧氣(O2))與氦氣(He)等輸送到起始管20內(nèi)的同時(shí)，起始管20的外部由燃燒器22等加熱以便沉積細(xì)小的玻璃顆粒21，隨后固結(jié)這些顆粒，從而形成玻璃層23。在該實(shí)施方式中，首先，鍺(Ge)或磷與氯(Cl)中的一種包含在源材料氣體中以形成將要形成為環(huán)形部分12的玻璃層。其次，氟包含在源材料氣體中以便形成將要形成為第一凹陷部分13的玻璃層。再次，Ge或磷與Cl中的一種又包含在源材料氣體中以便形成將要形成為中心芯14的玻璃層。通過(guò)VAD(汽相軸向沉積)法，OVD(管外汽相沉積)法等等來(lái)沉積細(xì)小的玻璃顆粒并隨后脫水和固結(jié)來(lái)形成起始管20，并且保留在起始管中的OH基的濃度為0.1重量ppm或更低，優(yōu)選為0.01重量ppm或更低。因此，能夠縮減起始管的成本，并能降低所得光纖中由OH基的吸收所引起的損耗。在起始管20中，脫水步驟中所使用的Cl殘留下來(lái)。圖14是示出在利用起始管制造光纖且損耗是由OH基的吸收所引起的情況下起始管中Cl的濃度與光纖在1.4μm波段的損耗之間的關(guān)系的圖。在允許殘留0.1％(按重量計(jì))的氯的條件下進(jìn)行脫水時(shí)，由OH基的吸收所引起的光纖在1.4μm波段的損耗能降低到0.05dB/km或更低，如果在允許殘留0.25％(按重量計(jì))的氯的條件下進(jìn)行脫水，所述損耗就能夠降低到0.01dB/km或更低。在脫水步驟中，除了氯氣(Cl2)外，也優(yōu)選包含能與O2反應(yīng)的材料，比如SiCl4。起始管20的外徑在20至150mm的范圍內(nèi)，壁厚在2至8mm的范圍內(nèi)。當(dāng)外徑設(shè)定在20至150mm的范圍內(nèi)時(shí)，能制造出大的光纖預(yù)制件。圖15是示出起始管的壁厚與光纖損耗掉的不依賴(lài)于波長(zhǎng)的成分(即所謂B值)之間的關(guān)系的圖。如圖15所示，當(dāng)管的壁厚設(shè)為8mm或更低時(shí)，在管內(nèi)形成的各玻璃層之間的界面變得光滑，從而能夠降低B值。此外，當(dāng)管的壁厚設(shè)為2mm或更高時(shí)，在后續(xù)的塌縮步驟中能防止管形成為橢圓形。起始管20優(yōu)選是由加入氟的石英玻璃制成的管。對(duì)于制造含氟石英玻璃的方法，優(yōu)選使通過(guò)沉積細(xì)小玻璃顆粒而形成的主體在至少包含氟原子或含氟化合物的氣氛中固結(jié)?；蛘?，優(yōu)選在這樣一種氣氛中進(jìn)行固結(jié)過(guò)程，在該氣氛中氦被加入到至少包含氟原子或含氟化合物的氣體中。通過(guò)加入氦，可以調(diào)整所加入的氟的量。此外，起始管20沿其整個(gè)長(zhǎng)度的壁厚不均勻度優(yōu)選為0.3％或更低，起始管20的內(nèi)徑不圓度和外徑不圓度均優(yōu)選為1％或更低。這里所用的術(shù)語(yǔ)“壁厚不均勻度”定義為((管的最大厚度)-(管的最小厚度))/(管的平均厚度)。類(lèi)似地，不圓度定義為((最大直徑)-(最小直徑))/(平均直徑)，其中管的橫截面的周邊形狀被近似地看作橢圓形。在上述條件下，能夠容易地獲得具有小的偏振模色散(PMD)的光纖。表I示出在包含氧化鍺的細(xì)小玻璃顆粒被沉積在管內(nèi)的情況下進(jìn)行固結(jié)所得到的結(jié)果，在這些管中壁厚不均勻度互不相同。表I<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="703">樣品號(hào)壁厚不均勻度％固結(jié)時(shí)管的表面溫度℃結(jié)果123450.050.150.290.350.51,7951,8001,8051,8201,880良好良好良好部分產(chǎn)生氣泡產(chǎn)生氣泡</table></tables>即使如果管的平均壁厚相等，由于位置的不同壁厚也不同，如果壁厚不均勻度很大，那么在具有較大壁厚的一側(cè)固結(jié)細(xì)小玻璃顆粒層就需要較高的溫度。當(dāng)壁厚不均勻度超過(guò)0.3％時(shí)，不能形成優(yōu)良的玻璃膜，這是因?yàn)榘诩?xì)小玻璃顆粒中的一氧化鍺在固結(jié)所需的超過(guò)1,820℃的溫度下會(huì)起泡的緣故。表II示出樣品11至19的PMD，其中壁厚不均勻度、芯偏心度以及芯不圓度互不相同。表II<tablesid="table2"num="002"><tablewidth="718">樣品號(hào)芯偏心度％壁厚不均勻度％芯不圓度％PMD1112131415161718190.50.51.30.60.61.10.40.41.30.110.110.110.250.250.250.350.350.350.21.50.20.81.30.80.81.60.50.020.160.190.080.220.190.210.190.33</table></tables>這里所用的術(shù)語(yǔ)“芯偏心度”定義為((棒中心與芯中心之間的距離)/(棒的半徑))。如表II所示，當(dāng)壁厚不均勻度、芯偏心度和芯不圓度在軸向方向上分別設(shè)為具有1.5％或更低的平均值時(shí)，PMD可以降低到0.15ps/km1/2或更低。此外，優(yōu)選的是，在步驟S1中沉積的玻璃層23的厚度為1mm或更高，起始管20與玻璃層23的總厚度(具有將要形成為芯的玻璃層的管的厚度)為8mm或更低。當(dāng)所要形成的玻璃層的厚度小于1mm時(shí)，就難以獲得能夠拉制成長(zhǎng)度為400km或更長(zhǎng)的長(zhǎng)光纖的光纖預(yù)制件。此外，當(dāng)起始管20與玻璃層23的總厚度超過(guò)8mm時(shí)，其上沉積有玻璃層的表面的溫度在自沉積開(kāi)始至沉積結(jié)束的期間會(huì)發(fā)生明顯的變化。從而，添加劑的濃度可能會(huì)偏離理想值，或者可能難以形成厚度均勻的玻璃層。此外，當(dāng)起始管20與玻璃層23的總厚度增大時(shí)，為了沉積優(yōu)良的玻璃層，燃燒器22必須以緩慢的橫動(dòng)速度移動(dòng)。圖19是說(shuō)明玻璃管壁厚、燃燒器橫動(dòng)速度以及沉積在玻璃管內(nèi)的玻璃層狀態(tài)之間的關(guān)系的圖。本實(shí)施方式所使用的管具有42mm的直徑，玻璃層的沉積速率為1.5g/min。在這種情況下，若橫動(dòng)速度太慢，則每一層的細(xì)小玻璃顆粒的沉積量就會(huì)變得過(guò)大，從而細(xì)小的玻璃顆粒無(wú)法固結(jié)；因此，不管玻璃管的壁厚為多少，橫動(dòng)速度都必須設(shè)為100mm/min或更高。例如，當(dāng)細(xì)小的玻璃顆粒沉積在厚度為5mm的玻璃管內(nèi)時(shí)，能夠在燃燒器橫動(dòng)速度為100至220mm/min的條件下獲得優(yōu)良的玻璃層，該玻璃層的表面粗糙度為10nm。當(dāng)玻璃管的壁厚超過(guò)8mm時(shí)，無(wú)論橫動(dòng)速度如何都不能獲得優(yōu)良的玻璃膜。例如，當(dāng)玻璃管的壁厚為10mm時(shí)，玻璃層的表面粗糙度超過(guò)100nm。當(dāng)玻璃層的表面粗糙度增大時(shí)，光纖傳輸損耗的B值增大。因此，為了形成具有小的傳輸損耗的光纖，起始管20與玻璃層23的總厚度很重要。圖5是用于說(shuō)明穿孔法的示意圖，該穿孔法是制造起始管的方法的一個(gè)例子。如圖5所示，圓柱形石英玻璃棒30被插入加熱裝置31比如加熱器中，該加熱裝置31被設(shè)置成覆蓋該石英玻璃棒，然后對(duì)該玻璃棒30的一個(gè)端部(圖5中的左側(cè)端部)加熱并軟化。石英玻璃棒被插入模具(dice)34中，然后石英玻璃棒30由圖中未示出的可動(dòng)裝置進(jìn)給到圖中的左側(cè)。接著，使穿孔工具32的頭部33與石英玻璃棒30的被加熱和軟化的端部的端面中心相接觸。隨后，在進(jìn)給石英玻璃棒30的同時(shí)，將頭部33插到石英玻璃棒30內(nèi)，穿孔工具32的頭部33在其軸向方向上穿透石英玻璃棒30，從而獲得了石英玻璃管。圖16是示出在光傳輸區(qū)域中包含10重量ppb(按重量計(jì)的十億分率)的鐵的光纖的吸收譜的圖。如圖16所示，即使少量雜質(zhì)存在于光傳輸區(qū)域中，也會(huì)增大傳輸波段的損耗。因此，當(dāng)管由穿孔法形成時(shí)，穿孔工具32優(yōu)選是例如按重量計(jì)純度為99％或更高的高純碳棒，從而降低在管內(nèi)壁處除添加劑以外的其他雜質(zhì)的濃度。因此，當(dāng)石英玻璃管通過(guò)穿孔形成時(shí)能夠防止金屬雜質(zhì)比如鐵、鉻和鎳的摻入，從而能夠防止光纖損耗增加。在管內(nèi)壁處除添加劑以外的雜質(zhì)的濃度優(yōu)選設(shè)定為1重量ppm或更低。雜質(zhì)的濃度優(yōu)選設(shè)定為10重量ppb或更低。在這種情況下，管的內(nèi)壁被定義為從管的內(nèi)表面起到離該表面1mm深的區(qū)域。可以用具有刀片的鉆頭代替穿孔法在石英玻璃棒中形成孔。不過(guò)，與這種鉆孔法相比，穿孔法能夠以高的成孔速率進(jìn)行，比如每分鐘幾十個(gè)毫米，除此以外，它還能避免可能由鉆孔所導(dǎo)致的玻璃材料的損耗。優(yōu)選地，在進(jìn)行管內(nèi)汽相沉積之前，通過(guò)汽相蝕刻對(duì)由此形成的玻璃管的內(nèi)表面進(jìn)行加工。通過(guò)這種蝕刻，能夠除去粘附在管內(nèi)表面上的外來(lái)物質(zhì)、OH層等等。在步驟S1中，沉積玻璃層23的速率優(yōu)選設(shè)為0.4g/min或更高。更優(yōu)選地，該速率設(shè)為1.0g/min或更高。因此，能以低成本制造光纖預(yù)制件或光纖。MCVD的熱源可以是氫氧燃燒器、電阻電爐、等離子體炬或感應(yīng)電爐。優(yōu)選地，使用感應(yīng)電爐、電阻電爐或等離子體炬。使用這種不產(chǎn)生濕氣的熱源使得能夠制造在1.4μm波段具有低損耗的光纖，所述損耗由OH基的吸收所引起。當(dāng)使用電阻電爐或感應(yīng)電爐時(shí)，可以在干燥氣體填充于電爐內(nèi)的同時(shí)進(jìn)行加熱。在使用等離子體炬的情況下，用作工作氣體的氣體可以是氧氣、氮?dú)?、氬氣或其混合物，該工作氣體的露點(diǎn)預(yù)先通過(guò)使該氣體經(jīng)過(guò)可市購(gòu)到的吸收過(guò)濾器而降低。在使用管內(nèi)汽相沉積法的情況下，為了提高沉積速率，起始管的內(nèi)部必須被充分加熱。因此，起始管的壁厚應(yīng)該優(yōu)選降低。不過(guò)，當(dāng)使用氫氧燃燒器作為熱源時(shí)，該熱源在加熱起始管外周的同時(shí)產(chǎn)生濕氣，從而OH基的吸收隨著起始管壁厚的減小而增大。當(dāng)使用包含氟的起始管時(shí)，優(yōu)選使用不產(chǎn)生濕氣的熱源。例如，當(dāng)使用不產(chǎn)生濕氣的熱源時(shí)，在起始管含有氟和起始管不含氟的兩種情況下(每一根管的外徑均為25mm，內(nèi)徑均為17mm)，光纖在波長(zhǎng)1.38μm處的由OH基的吸收所導(dǎo)致的損耗都是0.11dB/km。另一方面，當(dāng)利用氫氧燃燒器對(duì)包含0.2重量ppm的氟的起始管進(jìn)行管內(nèi)汽相沉積時(shí)，在波長(zhǎng)1.38μm處由OH基的吸收所引起的損耗為0.8dB/km，當(dāng)利用氫氧燃燒器為不含氟(氯的濃度為200重量ppm)的起始管進(jìn)行汽相沉積時(shí)，在波長(zhǎng)1.38μm處由OH基的吸收所引起的損耗為0.5dB/km。這樣形成的玻璃管被塌縮以形成玻璃棒(圖3中的步驟S2)。步驟S2具有第一加熱步驟和第二加熱步驟，在第一加熱步驟中，對(duì)具有將要形成為芯的玻璃層的管的一個(gè)端部進(jìn)行加熱和塌縮，在第二加熱步驟中對(duì)具有將要形成為芯的玻璃層的管從所述一個(gè)端部向另一端加熱和塌縮。圖6是說(shuō)明第一加熱步驟的示意圖，而圖7是說(shuō)明第二加熱步驟的示意圖。當(dāng)進(jìn)行塌縮步驟時(shí)，如圖6所示，熱源(在該情形下，以舉例方式示出噴射出氫氧火焰的燃燒器22)加熱玻璃管24，以便首先在一部分上進(jìn)行塌縮，該部分與將用作玻璃棒的有效部分的端部靠近。接下來(lái)，如圖7所示，使燃燒器22和玻璃管從所述先被塌縮的部分向另一端發(fā)生相對(duì)移動(dòng)從而連續(xù)地塌縮玻璃管。這樣，形成了玻璃棒10。優(yōu)選地，在第一加熱步驟中該一個(gè)端部的表面溫度T1設(shè)為高于在第二加熱步驟中管的被加熱部分的表面溫度T2，所述管具有將要形成為芯的玻璃層。例如，在包含2重量ppm的氟的起始管中，T1＝1,250℃，T2＝1,150℃是合適的。在這些條件下，當(dāng)塌縮過(guò)程開(kāi)始即當(dāng)對(duì)該管進(jìn)行密封時(shí)該管能夠迅速被塌縮，在后續(xù)的塌縮過(guò)程中，管能夠以適當(dāng)?shù)乃俣缺凰s。因此，能防止中心芯和整個(gè)玻璃棒發(fā)生變形，這樣能抑制在芯和包層的形成過(guò)程中出現(xiàn)不圓度，從而能獲得具有小的PMD的光纖。此外，當(dāng)進(jìn)行塌縮時(shí)，優(yōu)選的是，正被塌縮的管的內(nèi)部的絕對(duì)壓強(qiáng)為10kPa或更低，管的表面溫度在1,000至1,600℃的范圍內(nèi)。當(dāng)管內(nèi)的壓強(qiáng)降低到低于大氣壓時(shí)，存在于管中的水分含量會(huì)減少，從而減少了在1.4μm波段由OH基的吸收所引起的損耗；此外，能夠提高塌縮速度。塌縮步驟所要使用的熱源可以是感應(yīng)電爐、電阻電爐、氫氧火焰或等離子體炬。在上述這些熱源中，優(yōu)選使用不產(chǎn)生濕氣的熱源比如感應(yīng)電爐、電阻電爐、等離子體炬。具體而言，當(dāng)使用含有氟的起始管時(shí)，優(yōu)選使用不產(chǎn)生濕氣的熱源。如上所述，當(dāng)用于管內(nèi)汽相沉積或塌縮的熱源為不產(chǎn)生濕氣的熱源時(shí)，存在于從玻璃棒表面起至離該表面1mm深的區(qū)域內(nèi)的OH基濃度能降到10重量ppm或更低。此外，OH基的濃度能降到1重量ppm或更低。此外，在為了降低由OH基的吸收所引起的損耗而除去附著了水分的玻璃層時(shí)，除去的量能夠降低。因此，能以低成本制造優(yōu)良的光纖預(yù)制件和光纖。圖20是示出玻璃棒表面上的OH基濃度與在1.4μm波段由OH基的吸收所引起的損耗之間的關(guān)系的圖。在該情形下，透過(guò)玻璃棒表面的光功率的滲透率假定為2％。當(dāng)OH基的濃度設(shè)為10重量ppm或更低時(shí)，由OH基的吸收所引起的在1.4μm波段的損耗是0.05dB/km或更低。該值等于低OH光纖所要求的值。作為熱源，特別優(yōu)選使用感應(yīng)電爐。圖8是示出芯不圓度與用于塌縮的熱源類(lèi)型之間的關(guān)系的圖。與使用僅能從管的一側(cè)加熱該管的氫氧燃燒器的情況相比，在使用能沿管的整個(gè)外周均勻地加熱該管并均勻地軟化玻璃管的整個(gè)外周的感應(yīng)電爐的情況下，能夠降低芯不圓度。當(dāng)進(jìn)行玻璃管的塌縮時(shí)，在Cl2以0.1slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)或更高的流速被引入該玻璃管的同時(shí)，優(yōu)選在800℃或更高的管表面溫度下進(jìn)行脫水和烘烤。因此，能夠除去吸收在玻璃管內(nèi)壁上的水分。此外，在進(jìn)行塌縮以前，優(yōu)選通過(guò)汽相蝕刻對(duì)管的內(nèi)表面進(jìn)行處理。因此，能除去附著到管表面上的外來(lái)物質(zhì)和OH層。圖9是示出關(guān)于六氟化硫(SF6)與氯氣(Cl2)的混合氣體的流速與它的露點(diǎn)之間的關(guān)系以及它的流速與OH基濃度之間的關(guān)系的圖。在圖9中，線27A表示混合氣體的流速及其露點(diǎn)之間的關(guān)系，線27B表示混合氣體的流速與OH基的濃度之間的關(guān)系。如圖9所示，通過(guò)增大SF6和Cl2的流速，能降低露點(diǎn)，并能降低OH基的濃度。其原因是當(dāng)混合氣體的流速增大時(shí)，能防止水分從下游擴(kuò)散。氣體本身的水分含量也優(yōu)選小于10ppb。在蝕刻過(guò)程中，優(yōu)選的是，允許Cl2和SF6分別以0.1slm或更高和50sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘)的流速流動(dòng)，管表面溫度設(shè)為1,500℃或更高。從而，能除去附著到管表面上的外來(lái)物質(zhì)和OH層。當(dāng)光纖預(yù)制件的芯不圓度較高時(shí)，經(jīng)拉絲后所得到的PMD增大，從而傳輸信號(hào)的質(zhì)量降低。此外，當(dāng)在玻璃棒中沿其中軸線包含許多氣泡時(shí)，氣泡在后續(xù)的加熱步驟比如拉絲步驟中膨脹，從而堵塞中心芯，使得信號(hào)光的傳輸損耗增大或者信號(hào)光的傳輸被中斷。此外，在存在許多氣泡的點(diǎn)處光纖的機(jī)械強(qiáng)度降低。由此，就氣泡數(shù)量和芯不圓度對(duì)通過(guò)塌縮獲得的玻璃棒進(jìn)行檢查，如結(jié)構(gòu)檢查(圖3所示的步驟S3)。如果玻璃棒沿其中軸線每10mm長(zhǎng)度內(nèi)有一個(gè)以上的氣泡或者其芯不圓度為0.4％或更高，則該玻璃棒被判定為在拉絲步驟中會(huì)引起麻煩(步驟S4)，因此不使用這種玻璃棒(步驟S5)。此外，如果玻璃棒的已經(jīng)利用管內(nèi)汽相沉積法完成沉積的部分的不圓度為1.5％或更高，那么確定這種玻璃棒會(huì)在后續(xù)步驟中會(huì)引起麻煩而不使用它是更合適的。圖10是用于說(shuō)明測(cè)量存在于玻璃棒中的氣泡數(shù)量的方法的示意圖。利用光源L比如鹵素?zé)羰构鈴囊粋€(gè)方向照射到玻璃棒10上，并通過(guò)目測(cè)來(lái)測(cè)量存在于玻璃棒10的中軸線X上的氣泡B的數(shù)量。隨后，在沿玻璃棒10的中軸線每10mm長(zhǎng)度存在一個(gè)或更多個(gè)氣泡B的情況下，廢棄包含氣泡B的區(qū)域D。圖11是示出玻璃棒的芯不圓度與光纖預(yù)制件的芯不圓度之間的關(guān)系的圖。如圖11所示，作為用于形成護(hù)套部分等的高溫處理步驟的結(jié)果，芯不圓度超過(guò)0.4％的玻璃棒往往會(huì)形成芯不圓度超過(guò)1.5％的光纖預(yù)制件。此外，當(dāng)玻璃棒的通過(guò)利用管內(nèi)汽相沉積法而沉積形成的部分的不圓度設(shè)為1.5％或更低時(shí)，能很容易地使光纖預(yù)制件的芯不圓度設(shè)定在1.5％或更低。圖12是示出光纖預(yù)制件的芯不圓度與光纖的PMD之間的關(guān)系的圖。如圖12所示，當(dāng)光纖預(yù)制件具有超過(guò)1.5％的芯不圓度時(shí)，該光纖預(yù)制件能容易地形成為PMD超過(guò)0.15ps/km1/2的光纖。一般地，對(duì)于超過(guò)40Gb/s的高速光通信，一直需要PMD為0.15ps/km1/2或更低的光纖。通過(guò)僅使用芯不圓度為0.4％或更低的玻璃棒，能夠有效地制造具有優(yōu)良的PMD且適用于高速光通信的光纖。完成結(jié)構(gòu)檢查以后，可通過(guò)圍繞玻璃棒外周進(jìn)行火焰拋光來(lái)處理該玻璃棒(圖3中的步驟S6)。通過(guò)火焰拋光，玻璃棒的表面層被汽化以便除去存在于表面上的損傷或應(yīng)變或者除去附著于其上的外來(lái)物質(zhì)，由此能獲得高質(zhì)量的玻璃棒。此外，圍繞玻璃棒的外周形成將要形成為外包層的護(hù)套部分以生產(chǎn)具有所設(shè)計(jì)的特性以及所需的芯直徑和外徑的光纖(圖3中的步驟S7)。因此，例如，可以利用多個(gè)燃燒器通過(guò)VAD法、OVD法或管外汽相沉積法來(lái)制造護(hù)套部分，從而能降低工藝的成本。通過(guò)以上步驟，完成了制造過(guò)程(圖3中的步驟SE)，并且能獲得這樣一種光纖預(yù)制件，該光纖預(yù)制件能夠形成具有所需的折射率分布且由OH基的吸收所引起的損耗較小的光纖。當(dāng)對(duì)這樣獲得的光纖預(yù)制件進(jìn)行拉絲以形成光纖時(shí)，優(yōu)選地在光纖被扭絞的同時(shí)進(jìn)行拉絲，從而能降低PMD。此外，在進(jìn)行拉絲時(shí)，優(yōu)選地將施加到光纖上的拉力調(diào)整到30至300g的范圍內(nèi)。這樣，能抑制所拉制的光纖的特性變化。此外，經(jīng)拉絲后的玻璃的直徑優(yōu)選為90至250μm。更優(yōu)選的是直徑為90至150μm。直徑增大的光纖不太可能受微彎的影響。此外，光纖在波長(zhǎng)1.38μm處的由OH基的吸收所引起的損耗優(yōu)選為0.2dB/km或更低，較優(yōu)選為0.1dB/km或更低。此外，0.05dB/km或更低或者0.01dB/km或更低的損耗是更優(yōu)選的。如上所述，通過(guò)對(duì)塌縮和管內(nèi)汽相沉積實(shí)施無(wú)水化過(guò)程(non-moistureprocess)，可使光纖具有小的OH吸收損耗。代替圖3所示的步驟S7，可以將玻璃棒插入套管，可以在使玻璃棒與套管成一體的同時(shí)進(jìn)行同步拉絲。在這種情況下，所使用的套管是通過(guò)以下步驟形成的管由OVD法沉積細(xì)小的玻璃顆粒，固結(jié)這樣沉積的顆粒，并且通過(guò)穿孔法在其中形成孔。圖13是用于說(shuō)明在使插入套管中的玻璃棒與該套管成為一體的同時(shí)進(jìn)行拉絲的方法的示意圖。在玻璃棒10插入圓筒形的套管40中的狀態(tài)下，玻璃棒10和套管40都由加熱裝置41比如加熱器加熱。將加熱器的下端側(cè)(圖13中的下側(cè)部分)的溫度設(shè)成高于上端側(cè)的溫度。隨后，通過(guò)對(duì)玻璃棒10和套管40在它們下端側(cè)加熱而將它們?nèi)蹫橐惑w，與此同時(shí)，通過(guò)施加拉力向下進(jìn)行拉絲，從而形成光纖F。此外，在拉絲過(guò)程中，在由圖13所示箭頭所指的方向上進(jìn)給玻璃棒10和套管40。在本實(shí)施方式中，作為加熱裝置41的例子所描述的加熱器是通過(guò)使電流流經(jīng)電阻材料而發(fā)熱的加熱器；不過(guò)，也可以使用由感應(yīng)電流或等離子體加熱的基座?？稍诓ＡО?0的軸向方向(圖13所示的豎直方向)上布置多個(gè)加熱器。當(dāng)在如上所述的玻璃棒插入套管中的狀態(tài)下完成拉絲步驟時(shí)，即使該結(jié)構(gòu)能使光透入外包層，也沒(méi)有水分附著到界面上，因此能容易地制造OH基吸收較小的光纖。實(shí)施例1實(shí)施例1涉及制造具有圖2所示的折射率分布的光纖預(yù)制件及光纖的方法。實(shí)施例1中制造的光纖預(yù)制件的相對(duì)折射率差Δc、Δd1、Δr和Δd2分別是0.50％、-0.30％、0.27％和-0.15％。此外，中心芯14的直徑2c與第一凹陷部分13的外徑2d1的比值Ra是0.66，第一凹陷部分13的外徑2d1與環(huán)形部分12的外徑2r的比值Rb是0.57，環(huán)形部分12的外徑2r與第二凹陷部分11的外徑2d2的比值Rc是0.50。在實(shí)施例1制造的光纖中，透過(guò)第二凹陷部分11外表的透光率是2％。為了制造如上所述的光纖預(yù)制件，首先，由VAD法和穿孔法制造將要形成為第二凹陷部分11的起始管。該起始管的外徑為32mm，內(nèi)徑為26mm，長(zhǎng)度為1,900mm，并且該管是含氟的石英玻璃管，其中相對(duì)于純石英玻璃的相對(duì)折射率差是-0.15％。在該起始管中OH基的含量是0.01重量ppm或更低。此外，所形成的該管在整個(gè)長(zhǎng)度上的壁厚平均不均勻度為0.3％或更低，在整個(gè)長(zhǎng)度上的管偏心度、外徑不圓度和內(nèi)徑不圓度的各自均值均為1％或更低。其次，通過(guò)加熱并使SF6和Cl2的混合氣體流入起始管內(nèi)而進(jìn)行汽相蝕刻。隨后，由MCVD法進(jìn)行玻璃層的沉積，以便使所沉積的玻璃層形成為包含鍺的環(huán)形部分12、包含氟的第一凹陷部分13和包含鍺的中心芯14，因此獲得上述的折射率分布。為了通過(guò)MCVD法以2g/min的沉積速率沉積玻璃，燃燒器橫動(dòng)速度必須提高到例如150mm/min；必須以這樣的橫動(dòng)速度沉積細(xì)小的玻璃顆粒以便形成較厚的層；并且必須將這樣沉積的細(xì)小玻璃顆粒固結(jié)。為此，重要的是在防止管變形的同時(shí)將管在較寬的范圍(比如50mm或更大)內(nèi)加熱到較高的溫度(比如2,200℃)。在使用等離子體燃燒器，感應(yīng)電爐和電阻電爐的情況下，由于它們的發(fā)熱值可通過(guò)提高所供應(yīng)的電能來(lái)增加并且可通過(guò)設(shè)計(jì)合適的爐體來(lái)加寬加熱區(qū)，因此與使用氫氧燃燒器的情況相比，上述問(wèn)題能夠相對(duì)容易地解決。此外，在使用感應(yīng)電爐或電阻電爐的情況下，可以從圍繞管的整個(gè)外周的每一個(gè)方向進(jìn)行加熱。此外，與使用氫氧燃燒器的情況相比，在使用等離子體炬的情況下，從等離子體炬噴出的氣體的流速可降至1/10至1/100。因而，上述熱源可以抑制管的變形，并且當(dāng)以高速進(jìn)行玻璃體積時(shí)使用起來(lái)更有利。接下來(lái)，該玻璃管被塌縮以形成玻璃棒10。該玻璃棒的直徑、不圓度和長(zhǎng)度分別為12.5mm、0.2％和1,800mm。當(dāng)以圖10所述的方法測(cè)量玻璃棒10中的氣泡數(shù)量時(shí)，觀察到沿中軸線每10mm長(zhǎng)度內(nèi)有三個(gè)氣泡的部分，從而廢棄該部分。玻璃棒10呈現(xiàn)出優(yōu)良的芯不圓度和芯偏心度，比如0.1％.玻璃棒10的外表面通過(guò)火焰拋光進(jìn)行處理。接著，形成外包層15。外包層15通過(guò)VAD法以100g/min的沉積速率沉積由不含雜質(zhì)的硅石構(gòu)成的細(xì)小玻璃顆粒并隨后對(duì)所得到的沉積物進(jìn)行固結(jié)而形成。這樣形成外包層15，以使其長(zhǎng)度為1,280mm，其外徑為玻璃棒10的直徑的2.9倍。此外，成型后，外包層15的芯不圓度為0.1％，外包層15的外徑不圓度為0.2％.通過(guò)對(duì)這樣形成的光纖預(yù)制件進(jìn)行拉絲來(lái)制造光纖。拉絲速度和拉絲力分別設(shè)為1,200m/min和50g，并且在剛拉制出的光纖被扭絞的同時(shí)進(jìn)行拉絲。由一個(gè)光纖預(yù)制件得到的光纖的長(zhǎng)度為685km。當(dāng)檢查光纖特性時(shí)，PMD為0.11ps/km1/2，B值為0.01dB/km或更低。根據(jù)本實(shí)施例，能高速合成較大的光纖預(yù)制件，并且可以形成低成本的光纖預(yù)制件。實(shí)施例2在實(shí)施例2中，不在玻璃棒的周?chē)纬勺o(hù)套部分，而是采用玻璃棒與套管的組合來(lái)預(yù)制拉絲棒(rod-in-drawing)，從而形成如實(shí)施例1的光纖預(yù)制件。該套管等同于上述實(shí)施方式中的套管并且外徑為130mm，內(nèi)徑為31mm。拉絲條件與實(shí)施例1中所述的相同。在本實(shí)施例拉絲棒的情況下，其不需要伴有煙灰沉積來(lái)形成護(hù)套部分，而且也不會(huì)在界面處出現(xiàn)另外由水解反應(yīng)所致的水分?jǐn)U散，因此即使在光纖被設(shè)計(jì)成允許光透過(guò)護(hù)套界面的情況下，也能使由OH基的吸收所引起的損耗能被抑制到更低的水平。此外，因?yàn)樘坠芡ㄟ^(guò)高速合成而形成，所以能以低成本獲得具有優(yōu)良特性的光纖。因此，能獲得具有優(yōu)良特性的光纖，比如在波長(zhǎng)1.38μm處由OH基的吸收所引起的的損耗為0.05dB/km。實(shí)施例3實(shí)施例3涉及制造具有圖17所示的折射率分布的光纖和光纖預(yù)制件的方法。圖17示出用于形成五重包層光纖的光纖預(yù)制件的折射率分布。在圖17所示的光纖預(yù)制件中，中心芯51、第一凹陷部分52、第一環(huán)形部分53、第二凹陷部分54、第二環(huán)形部分55以及外包層56的折射率分別由Nc、Nd1、Nr1、Nd2、Nr2和No表示。此外，折射率Nc、Nd1、Nr1、Nd2和Nr2相對(duì)于外包層折射率No的相對(duì)折射率差分別由Δc、Δd1、Δr1、Δd2和Δr2表示。相對(duì)折射率差Δc、Δd1、Δr1、Δd2和Δr2分別為0.5％、-0.3％、0.27％、-0.15％和0.17％，并且滿足關(guān)系式Nc＞Nr1≥Nr2＞No＞Nd2≥Nd1.此外，中心芯51的直徑51c與第一凹陷部分52的外徑d1的比值為0.6，第一凹陷部分52的外徑52d與第一環(huán)形部分53的外徑53r的比值為0.63，第一環(huán)形部分53的外徑53r與第二凹陷部分54的外徑54d的比值為0.61，第二凹陷部分54的外徑54d與第二環(huán)形部分55的外徑55r的比值為0.7。為了制造該用于五重包層光纖的光纖預(yù)制件，起始管用作對(duì)應(yīng)于第二環(huán)形部分55的部分，將要形成為第二凹陷部分54、第一環(huán)形部分53、第一凹陷部分52和中心芯51的玻璃層通過(guò)管內(nèi)汽相沉積法按照所列舉的順序沉積。隨后，將所得到的玻璃管通過(guò)塌縮法塌縮。除了上述內(nèi)容以外，光纖預(yù)制件和光纖可以按照與上述實(shí)施方式中所述方式相同的方式來(lái)制造。實(shí)施例4實(shí)施例4涉及制造具有圖18所示的折射率分布的光纖和光纖預(yù)制件的方法。圖18是示出用于六重包層光纖的光纖預(yù)制件的折射率分布曲線的示意圖。在圖18所示的光纖預(yù)制件中，中心芯61、第一凹陷部分62、第一環(huán)形部分63、第二凹陷部分64、第二環(huán)形部分65、第三凹陷部分66和外包層67的折射率分別由Nc、Nd1、Nr1、Nd2、Nr2、Nd3和No表示。此外，折射率Nc、Nd1、Nr1、Nd2、Nr2和Nd3相對(duì)于外包層的折射率No的相對(duì)折射率差分別由Δc、Δd1、Δr1、Δd2、Δr2和Δr3表示。相對(duì)折射率差Δc、Δd1、Δr1、Δd2、Δr2和Δr3分別為0.5％、-0.3％、0.27％、-0.15％、0.17％和-0.15％，并且滿足關(guān)系式Nc＞Nr1≥Nr2＞No＞Nd3≥Nd2≥Nd1。此外，中心芯61的直徑61c與第一凹陷部分62的外徑62d的比值為0.6，第一凹陷部分62的外徑62d與第一環(huán)形部分63的外徑63r的比值為0.63，第一環(huán)形部分63的外徑63r與第二凹陷部分64的外徑64d的比值為0.61，第二凹陷部分64的外徑64d與第二環(huán)形部分65的外徑65r的比值為0.7，第二環(huán)形部分65的外徑65r與第三凹陷部分66的外徑66d的比值為0.77。為了制造用于六重包層光纖的光纖預(yù)制件，起始管用作將要形成為第三凹陷部分67的部分，將要形成為第二環(huán)形部分65、第二凹陷部分64、第一環(huán)形部分63、第一凹陷部分62和中心芯61的玻璃層按照所列舉的順序通過(guò)管內(nèi)汽相沉積法進(jìn)行沉積。隨后，將所得到的玻璃管通過(guò)塌縮法塌縮。除了上述內(nèi)容以外，光纖預(yù)制件和光纖可以按照與上述實(shí)施方式中所述方式相同的方式來(lái)制造。具有多重包層的光纖能由上述方法制造，并不限于如上所述的五重包層光纖和六重包層光纖。當(dāng)存在多個(gè)凹陷部分和多個(gè)環(huán)形部分時(shí)，將每一個(gè)凹陷部分的折射率設(shè)成小于外包層的折射率，每一個(gè)環(huán)形部分的折射率設(shè)為大于外包層的折射率。在這種情況下，中心芯的折射率Nc、凹陷部分的折射率Nd、環(huán)形部分的折射率Nr以及外包層的折射率No滿足如下關(guān)系Nc＞Nr＞No＞Nd。在所有上述實(shí)施例中，除了如上所述的合成護(hù)套層的方法以外，護(hù)套層可以通過(guò)使利用多個(gè)燃燒器由VAD或管外汽相沉積法沉積的細(xì)小玻璃顆粒脫水和固結(jié)而形成。日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2003-291344(2003年8月11日提交)的全部?jī)?nèi)容，包括說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求、附圖和摘要，以引用的方式并入本文中。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，制造光纖預(yù)制件的方法包括以下步驟在起始管內(nèi)沉積折射率互不相同的多個(gè)玻璃層；并且塌縮所得到的玻璃管以便形成玻璃棒，該方法能夠獲得所需的折射率分布，除此以外，能夠抑制由OH基的吸收所引起的損耗增大。權(quán)利要求1.一種制造光纖預(yù)制件的方法，包括以下步驟對(duì)起始管進(jìn)行管內(nèi)汽相沉積，使得將要形成為芯的玻璃層和將要形成為包層的一部分的玻璃層沉積在所述起始管內(nèi)，每一個(gè)所述玻璃層都包含氟、鍺、磷和氯中的至少一種，所述起始管由石英玻璃制成，其外徑在20mm至150mm的范圍內(nèi)，壁厚在2mm至8mm的范圍內(nèi)，從而形成了具有將要形成為芯的玻璃層的管；以及塌縮所述管以便形成玻璃棒，在所述玻璃棒中，在從所述玻璃棒的表面起至離該表面1mm深的區(qū)域內(nèi)OH基的濃度為10重量ppm或更低。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述羥基的濃度為1重量ppm或更低。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述起始管是由包含氟的石英玻璃制成的管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述起始管是通過(guò)沉積細(xì)小的玻璃顆粒并隨后脫水和固結(jié)而形成的，并且存在于所述起始管中的羥基的濃度為0.01重量ppm或更低。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述起始管沿其整個(gè)長(zhǎng)度的壁厚不均勻度為0.3％或更低。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述起始管的內(nèi)徑不圓度和外徑不圓度均為1％或更低。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述管內(nèi)汽相沉積法是MCVD法，并且沉積所述玻璃層的沉積速率為0.4g/min或更高。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述沉積速率為1.0g/min或更高。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，將要形成為芯的玻璃層與將要形成為包層的一部分的玻璃層的總厚度為1mm或更高，并且具有將要形成為芯的玻璃層的管的壁厚為8mm或更低。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述玻璃棒的芯的不圓度為0.4％或更低，并且在所述玻璃棒的中軸線上每10mm長(zhǎng)度內(nèi)的氣泡數(shù)量為一個(gè)或更少。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述玻璃棒中的由管內(nèi)汽相沉積法沉積的部分的不圓度為1.5％或更低，并且在所述玻璃棒的中軸線上每10mm長(zhǎng)度的氣泡數(shù)量為一個(gè)或更少。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，所述塌縮步驟包括第一加熱步驟和第二加熱步驟，在第一加熱步驟中，具有將要形成為芯的玻璃層的所述管的一端被加熱并塌縮，在第二加熱步驟中，具有將要形成為芯的玻璃層的所述管從所述一端向另一端被加熱并塌縮，并且在第一加熱步驟中所述一端的表面溫度T1高于在第二加熱步驟中所述管的被加熱部分的表面溫度T2，所述管具有將形成為芯的玻璃層。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，用于MCVD法的熱源是感應(yīng)電爐、電阻電爐以及等離子體炬中的一種。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光纖預(yù)制件的方法，其中，用于所述塌縮步驟的熱源是感應(yīng)電爐、電阻電爐以及等離子體炬中的一種。15.一種制造光纖的方法，該方法包括對(duì)根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法制造的光纖預(yù)制件進(jìn)行拉絲的步驟。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造光纖的方法，其中，在所述拉絲步驟中，所述玻璃棒被插入套管中，在所述玻璃棒和所述套管被加熱而成一體的同時(shí)對(duì)它們進(jìn)行拉絲。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造光纖的方法，其中，所述套管是通過(guò)沉積細(xì)小的玻璃顆粒并隨后脫水和固結(jié)而形成的，并且存在于所述套管中的羥基的濃度為0.01重量ppm或更低。18.一種用根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法制造的光纖。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光纖，其中，該光纖的偏振模色散為0.15ps/km1/2或更低。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光纖，其中，該光纖在波長(zhǎng)1.38μm處由于OH基而導(dǎo)致的吸收損耗為0.2dB/km或更低。全文摘要本發(fā)明提供制造光纖預(yù)制件和光纖的方法，以及用該制造光纖的方法而制成的光纖，所述光纖預(yù)制件具有所需的折射率分布并能抑制由OH基的吸收所引起的損耗的增大。通過(guò)管內(nèi)汽相沉積法形成管，使得將要形成為芯的玻璃層和將要形成為包層的一部分的玻璃層沉積在起始管中，每一個(gè)所述玻璃層都包含氟、鍺、磷和氯中的至少一種，所述起始管由石英玻璃制成，其外徑在20mm至150mm的范圍內(nèi)，壁厚在2mm至8mm的范圍內(nèi)。由此形成的管被塌縮成玻璃棒，在該玻璃棒中，在從所述玻璃棒的表面起至離該表面1mm深的區(qū)域內(nèi)羥基的濃度為10重量ppm或更低。文檔編號(hào)C03B37/02GK1849270SQ20048002613公開(kāi)日2006年10月18日申請(qǐng)日期2004年8月3日優(yōu)先權(quán)日2003年8月11日發(fā)明者佐佐木隆,平野正晃,橫川知行申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社