專利名稱：低氣孔率微晶玻璃的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微晶玻璃的生產(chǎn)方法，具體來說是一種低氣孔率微晶玻璃的生產(chǎn)方法。
本發(fā)明采用分層制備技術(shù)，即可以通過現(xiàn)有工藝如壓延法或澆鑄法采用微晶玻璃原料制備普通的平板玻璃，以制得的平板玻璃作為微晶玻璃的基材，在上面根據(jù)所設(shè)計的花紋復(fù)合一層特殊的材料，通過燒結(jié)使其與基材玻璃熔融，成為所需花色的低氣孔率的微晶玻璃，而且為了得到不同的效果，還可對通過現(xiàn)有工藝制得的平板玻璃基材先作一些加工處理。
為了達到上述目的，本發(fā)明涉及和低氣孔率微晶生產(chǎn)方法依次包括如下步驟(1)微晶玻璃基材的制備用現(xiàn)有壓延法或澆鑄法工藝制備平板玻璃基材；所用的原料包含如下化學(xué)成份及重量百分比SiO250％-67％，CaO 10％-20％，Al2O33％-15％，Na2O+K2O 3％-11％，B2O30.5％-4％，BaO 2％-8％，ZnO 0％-7％，Sb2O30.3％-2.5％，Cl 0％-2％；(2)微晶玻璃粒料的制備用與(1)中相同的原料采用現(xiàn)有生產(chǎn)微晶玻璃專用玻璃粒料的生產(chǎn)方法和工藝制備出玻璃粒料；(3)玻璃粒料的鋪設(shè)將再制得的平板玻璃上面均勻覆蓋一層玻璃粒料，玻璃粒料中含有的化學(xué)成份及重量百分含量與步驟(1)中相同；(4)將覆蓋有玻璃粒料的玻璃在900℃-1230℃溫度下燒結(jié)，析晶。
通過上述方法生產(chǎn)的低氣孔率的微晶玻璃的上表面有美麗的花紋，而且氣孔率較低。
在上述生產(chǎn)步驟(1)制得的平板玻璃再覆蓋玻璃粒料前可先經(jīng)過冷淬，冷淬溫度為400℃-900℃，以在平板玻璃上形成裂紋。
通過上述步驟(1)制得的平板玻璃在鋪設(shè)粒料前還可經(jīng)過如下工序?qū)⑵桨宀Ａг?00℃以上采用壓延法將玻璃粒料壓入未完全硬化玻璃表面上，以使之形成表面壓鑲有玻璃粒料的基材。
在所述的步驟(3)，所用的平板玻璃可以為一層或多層。
采用這種工藝生產(chǎn)的微晶玻璃不但花色美麗，花紋清晰，平面度好，采用粒徑不同的粒料及對平板玻璃基材進行預(yù)處理，可設(shè)計生產(chǎn)出不同產(chǎn)品品種、花色、形狀，所以可設(shè)計性強。另外，采用這種工藝生產(chǎn)的微晶玻璃氣孔率低，同現(xiàn)有的微晶玻璃生產(chǎn)工藝相比，產(chǎn)品的氣孔率可降低90％以上。這種低氣孔率微晶玻璃可按燒結(jié)法生產(chǎn)出的微晶玻璃的加工方法進行后加工，能夠用來制作精美的工藝藝術(shù)品，極大地擴展了微晶玻璃的使用范圍，并且成品率高，綜合成本低。
通過上述方法制得的微晶玻璃表面無氣孔，花紋美觀，除有一般微晶玻璃的用途外還可加工成為工藝藝術(shù)品。
權(quán)利要求
1.一種低氣孔率微晶玻璃生產(chǎn)方法，其特征在于該方法包括如下步驟(1)微晶玻璃基材的制備用現(xiàn)有壓延法或澆鑄法工藝制備平板玻璃；所用的原料包含如下化學(xué)成份及重量百分比SiO250％-67％，CaO 10％-20％，Al2O33％-15％，Na2O+K2O 3％-11％，B2O30.5％-4％，BaO 2％-8％，ZnO 0％-7％，Sb2O30.3％-2.5％，Cl 0％-2％；(2)微晶玻璃粒料的制備用與(1)中相同的原料采用現(xiàn)有生產(chǎn)微晶玻璃專用玻璃粒料的生產(chǎn)方法和工藝制備出玻璃粒料；(3)玻璃粒料的鋪設(shè)將再制得的平板玻璃上面均勻覆蓋一層玻璃粒料；(4)將覆蓋有玻璃粒料的玻璃在900-1230℃溫度下燒結(jié)，析晶。
2.如權(quán)利要求1所述的低氣孔率微晶玻璃生產(chǎn)方法，其特征在于微晶玻璃基材的制備還包括如下步驟將上述的步驟(1)中制得的平板玻璃在400℃-900℃條件下進行冷淬。
3.如權(quán)利要求1所述的低氣孔率微晶玻璃生產(chǎn)方法，其特征在于微晶玻璃基材的制備還包括如下步驟將所述的步驟(1)制得的平板玻璃在500℃以上采用壓延法將玻璃粒料壓入未完全硬化玻璃表面上，以形成表面壓鑲有玻璃粒料的基材。
4.如權(quán)利要求1所述的低氣孔率微晶玻璃生產(chǎn)方法，其特征在于步驟(3)中所用的平板玻璃為單層或多層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低氣孔率微晶玻璃的生產(chǎn)方法，即在單層或多層的玻璃板基材上均勻鋪布玻璃粒料，然后在900℃－1230℃條件下燒結(jié)，經(jīng)析晶即得低氣孔率的微晶玻璃。所用的原料中含有的成分及其重量百分含量為SiO
文檔編號C03C3/11GK1438192SQ03104759
公開日2003年8月27日 申請日期2003年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月28日
發(fā)明者范權(quán)輝, 馮翠蘭, 江楓 申請人:范權(quán)輝