專利名稱：電介質(zhì)陶瓷組合物、使用該組合物的電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于具有由鎳等賤金屬組成的內(nèi)部電極層的疊層陶磁電容器的電介質(zhì)層的電介質(zhì)陶瓷組合物和使用該組合物的電容器及其制造方法。
以往的疊層陶磁電容器，例如，如日本特許公開公報1996年第337471號公報所公開的，系將電介質(zhì)層與鎳內(nèi)部電極層交互疊層，在中性氣氛或還原性氣氛中焙燒后，用銀等形成外部電極。上述電介質(zhì)層是除了BaTiO3之外，以Dy2O3等稀土類氧化物和CO2O3為主要成分，并含有作為輔助成分的BaO、MnO、MgO、Al2O3和以Li2O-(Si、Ti)-Al2O3為主要成分的氧化物玻璃。
一般地，鎳與銀不固溶。由此，為確保內(nèi)部電極與外部電極的電連接，最好使用與銀完全固溶的金屬(例如，銅等)形成外部電極。但是，要用銅形成外部電極，必須在非氧化環(huán)境中形成。具有上述組成的電介質(zhì)層在形成外部電極時，電介質(zhì)層的構(gòu)成成分被還原，導(dǎo)致電介質(zhì)層的絕緣電阻降低。
一般地，用以鈦酸鋇為主要成分的電介質(zhì)陶瓷組合物制造疊層電容時，若Ba/Ti之摩爾比小于1，則在還原氣氛中的焙燒工序中和焙燒含于介電質(zhì)層中的有機粘合劑時等，TiO2容易被還原。被還原的TiO2雖在燒結(jié)后的冷卻過程中被一定程度的再氧化，但電介質(zhì)層內(nèi)部及各結(jié)晶粒子的內(nèi)側(cè)不易再被氧化，仍維持著缺氧的狀態(tài)。由導(dǎo)致電介質(zhì)層的絕緣電阻、絕緣破壞強度下降。
本發(fā)明的目的在于提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物、使用該組合物的電容器及其制造方法，所述電介質(zhì)陶瓷組合物即使在用銅等賤金屬形成外部電極的情況下，電介質(zhì)層也不會被還原、可得到絕緣電阻高的疊層電容器。
本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的特征在于，包含作為主要成分的鈦酸鋇100摩爾份，并至少包含以下輔助成分Mg，換算成MgO，為0.5-5.0摩爾份；Dy，換算成Dy2O3，為0.1-3.0摩爾份；Mn，換算成Mn3O4，為0.01-0.4摩爾份；V，換算成V2O5，為0.01-0.26摩爾份；Si，換算成SiO2，為0.3-3.5摩爾份；Al，換算成Al2O3，為0.01-3.0摩爾份；其中，Ba/Ti之摩爾比為1.001-1.05。
本發(fā)明的電介質(zhì)組合物是在將Ba/Ti之摩爾比設(shè)為比1大，為1.001-1.05的同時，通過用5價的V取代一部分4價的Ti而產(chǎn)生的陽離子空孔補償焙燒時的氧缺陷。結(jié)果，可防TiO2被還原并能防止電介質(zhì)組合物絕緣電阻的下降。


圖1是本發(fā)明一實施例中的層疊電容器的剖面圖。
圖中符號10電介質(zhì)層 11內(nèi)部電極層12外部電極 13鎳膜14釬焊膜實施例1下面，結(jié)合圖1，對本發(fā)明的實施例1進行說明。
首先，準(zhǔn)備表1所示鈦酸鋇，在表1中，符號*表示比較例的組成。
然后，將100摩爾的鈦酸鋇與0.02摩爾的BaCO3、1.0摩爾的Dy2O3、2.5摩爾的MgO、0.2摩爾的MnO4/3、0.15摩爾V2O5、2.1摩爾的BaO-SiO2-Al2O3系玻璃混合，加入純水，將氧化鋯球作為介質(zhì)在球磨機中濕式混合17小時，粉碎。然后，將上述組成的混合粉碎物干燥。
然后，將上述混合材料粉碎，放入氧化鋁質(zhì)的坩堝中，在1100℃的溫度保持2小時，進行初焙燒。該初焙燒在能使金屬碳氧化物分解并使主要成分鈦酸鋇與輔助成分適度反應(yīng)的溫度下進行。
接著，將上述初焙燒原料在球磨機中濕式粉碎成平均粒徑在1.0μm以下，然后干燥，作為電介質(zhì)材料。
然后，在上述電介質(zhì)材料中添加作為粘合劑的聚乙烯縮丁醛樹脂、作為溶劑的醋酸正丁酯、作為增塑劑的酞酸二丁酯，并與氧化鋯球一起在球磨機中混合72小時，制成料漿。
然后，用刮涂法將該料漿制成陶磁片，使制成的陶磁片在焙燒后的厚度為14μm。該陶磁片即后述的電容器電介質(zhì)層10。
接著，在該陶磁片表面絲網(wǎng)印刷以鎳為主要成分的內(nèi)部電極糊，干燥，形成內(nèi)部導(dǎo)極材料層。然后，將形成內(nèi)部電極材料層的陶磁片10片層疊，熱壓合后切割成縱3.3mm、橫1.7mm的疊層體。
然后，將上述疊層體放入氧化鋁質(zhì)的燒盆(焙燒容器)中，在鎳不會被過度氧化的氣氛中燒去有機物。接著，升溫，在由氮氣、氫氣與二氧化碳或水蒸氣混合而成的還原性氣氛中，在最高溫度1220-1340℃保持2小時，進行疊層體的燒結(jié)。燒結(jié)時的氣氛條件是，鎳不會被過度氧化且電介質(zhì)層10能燒結(jié)。然后，在降溫過程的800-1200℃，在氮氣、氫氣與二氧化碳或水蒸氣構(gòu)成的還原性氣氛中焙燒1小時，將燒結(jié)時被還原的電介質(zhì)層10再氧化。此時，還原性氣氛的條件是，鎳不會被過度氧化。然后，冷卻至室溫，制成燒結(jié)體。
燒結(jié)體的焙燒溫度視各電介質(zhì)材料的組成而異，為可使電介質(zhì)層10的燒結(jié)體密度成為最大的溫度。
然后，研磨所得燒結(jié)體的表面，涂布以銅為主要成分的外部電極，并使其與露出于端面的內(nèi)部電極11電連接。接著，在混合了不會使銅氧化的量的氧的混合氮氣氛中于850℃焙燒15分鐘，形成外部電極12。
然后，在外部電極12表面形成鎳膜13、釬焊膜14，完成圖1所示疊層電容器。
測定由所得電容器在20℃(室溫)、頻率1KHz的靜電容量算得的介電常數(shù)、介電損耗角正切(tanδ)及在-55～+125℃間對于20℃靜電容量的變化率。結(jié)果示于表2。此外，在室溫施加DC電壓25V時的絕緣電阻(IR)及為進行加速壽命試驗，在125℃連續(xù)施加DC200V電壓250小時后的絕緣電阻的劣化狀況(以IR劣化至1×107Ω以下者為不良進行計算)也一起示表2。
由表2可知，本發(fā)明電容器的初期性能的介電常數(shù)達(dá)2000以上，且絕緣電阻亦達(dá)1×107Ω以上，即使在壽命試驗后，也未發(fā)現(xiàn)絕緣性劣化。
但是，如試樣編號1的比較例所示，若Ba/Ti之摩爾比小于1.001，則不能得到足夠的絕緣電阻。這是因為在將疊層體燒結(jié)時被再氧化的電介質(zhì)層10在形成外部電極12時被再度還原的緣故。又如試樣編號13的比較例所示，若Ba/Ti之摩爾比超過1.05，則電介質(zhì)層10不能充分燒結(jié)，無法確保絕緣性。
因此，如本實施例那樣，若使Ba/Ti為1.001-1.05，則可得到即使在形成外部電極12時，電介質(zhì)層10也不會被還原，絕緣電阻大，且在壽命試驗時絕緣劣化小的疊層電容器。
另外，對使用的鈦酸鋇的比表面積的影響進行了研究。結(jié)果，若比表面積小于2m2/g，則在高溫的介電常數(shù)的溫度變化率變大，而若比表面積超過5m2/g，則存在電介質(zhì)層10的介電常數(shù)變小的傾向。
因此，所用的鈦酸鋇的比表面積最好為2-5m2/g。
此外，X線衍射角2θ未分成在40-50°的(002)面和(200)面的峰(無裂峰)的鈦酸鋇，存在高溫下的容量溫度變大的傾向。
因此，最好使用在40-50°的X線衍射角2θ分成(002)面和(200)面的峰的鈦酸鋇。
實施例2首先，如表3組成所示，在100摩爾份鈦酸鋇中分別加入BaCO3、Dy2O3、MgO2、MnO4/3、V2O5、BaO-SiO2-Al2O3系玻璃并混合，加入純水，以氧化鋯球為介質(zhì)，在球磨機中濕式混合粉碎17小時，然后干燥，制造混合材料。
這里，使用Ba/Ti摩爾比為1.000、比表面積為3.3m2/g、在40-50°的X線衍射角2θ分成(002)面與(200)面的2個峰的鈦酸鋇。
然后，測定由所得電容器在20℃(室溫)、頻率1KHz的靜電容量算得的介電常數(shù)、介電損耗角正切(tanδ)及在-55～+125℃間對于20℃靜電容量的變化率。結(jié)果示于表4。此外，在室溫施加DC電壓25V時的絕緣電阻(IR)及為進行加速壽命試驗，在125℃連續(xù)施加DC200V電壓250小時后的絕緣電阻的劣化狀況(以IR劣化至1×107Ω以下者為不良進行計算)也一起示表4。
由表4可知，作為本發(fā)明電容器的初期性能，其介電常數(shù)達(dá)2000以上，絕緣電阻亦達(dá)1×107Ω以上，且未發(fā)現(xiàn)加速壽命試驗后的絕緣性劣化。
在本實施例中，加入MgO不僅可提高電介質(zhì)層10的燒結(jié)性，而且還具有提高絕緣電阻的效果。但由表3及表4可知，若MgO的添加量小于0.5摩爾份，則燒結(jié)不充分，而若超過5.0摩爾份，則靜電容量的溫度變化率變大。因此，將Mg換算成MgO，則相對于100摩爾份的鈦酸鋇，最好添加0.5-5.0摩爾份的MgO。
此外，加入Dy2O3可防止TiO2被還原，提高絕緣電阻，并具有滿足靜電容量溫度特性、tanδ等電特性的效果。但是，由表及3和表4可知，若Dy2O3的添加量小于0.1摩爾，則在靜電容量的溫度變化率變大的同時，tanδ也變大。而若Dy2O3的添加量超過3.0摩爾，則介電常數(shù)下降至2000以下，變得無法非實用。因此，將Dy換算為Dy2O3，則相對于鈦酸鋇100摩爾份，最好添加0.1-3.0摩爾份的Dy2O3。此外，使用比表面積為7-15m2/g的Dy2O3，可提高分散性，并使上述效果更加顯著。
另外，添加MnO4/3可防止TiO2被還原。此外，即使在中性氣氛中或在還原性氣氛中大量焙燒疊層體，也能在防止絕緣電阻劣化的同時，抑制靜電容量的偏差，并具有得到均質(zhì)燒結(jié)體的效果。但是，若MnO4/3的添加量小于0.01摩爾份，則燒結(jié)體被部份地半導(dǎo)體化，絕緣電阻下降，即使在加速壽命試驗中，絕緣電阻也大幅度劣化。而若MnO4/3的添加量超過0.4摩爾份，則靜電容量的溫度變化率、經(jīng)時變化率也大，且絕緣電阻的劣化亦增多。因此，將Mn換算為MnO4/3，相對于鈦酸鋇100摩爾份，最好添加0.01-0.4摩爾份的MnO4/3。
添加V2O3可抑制TiO2被還原，且具有提高絕緣電阻和防止絕緣電阻劣化的效果。但是，若V2O5的添加量超過0.26摩爾份，則在靜電容量的溫度變化率增大的同時，絕緣電阻劣化。而若V2O3的添加量小于0.01摩爾份，則絕緣電阻較小，并且會在加速試驗中劣化。因此，相對于鈦酸鋇100摩爾份，V的添加量最好為0.01-0.26摩爾份。
此外，添加BaO-SiO2-Al2O3系玻璃可在較低溫度焙燒時促進電介質(zhì)層10的燒結(jié)，并具有減小靜電容量、絕緣電阻的偏差的效果。但若添加量于0.6摩爾份，則電介質(zhì)層10燒結(jié)不充分。而若超過5.0摩爾份，則雖然電介質(zhì)層10的燒結(jié)性會提高，但介電常數(shù)下降，靜電容量的溫度變化率變大而失去實用性。因此，相對于鈦酸鋇100摩爾份，BaO-SiO2-Al2O3系玻璃的添加量最好為0.6-5.0摩爾份。
在本實施例中雖然使用的是Ba/Ti摩爾比為1.000、比表面積為3.3m2/g、在40-50°的X線衍射角2θ分成為(002)面與(200)面的2個峰的鈦酸鋇，但使用比表面積為2-5m2/g、在40-50°的X線衍射角2θ分成為(002)面與(200)面的2個峰的鈦酸鋇，使電介質(zhì)材料中的Ba/Ti摩爾比為1.001-1.05，也可得到同樣的效果。
實施例3首先，相對于鈦酸鋇100摩爾份，添加0.02摩爾份的BaCO3、2.5摩爾份的MgO、0.2摩爾份的MnO4/3、2.1摩爾份的BaO-SiO2-Al2O3系玻璃。另外，添加表5所示量的Dy2O3和Ho2O3。使用按與實施例2相同的方法進行過調(diào)整的鈦酸鋇。
然后，除將電介質(zhì)層1的厚度改為3μm之外，按與實施例1相同的方法制作疊層電容器。
然后，按與實施例1同樣的方法對所得疊層電容器進行評價。但加速壽命試驗中的施加電壓為64V。結(jié)果示于表6。
如表6所示，加入合計0.1-3.0摩爾份的Dy2O3和Ho2O3，并使Dy/(Dy+Ho)之摩爾比為0.3-0.9，這樣，即使將電介質(zhì)層10的厚度薄層化至5μm以下，也可得到絕緣電阻高、即使在加速壽命試驗中絕緣電阻也不會劣化、靜電容量的溫度變化率小的疊層電容器。
對其原因進行說明。Dy雖具有防止絕緣電阻劣化的效果，但將電介質(zhì)層10薄層化，會有靜電容量的溫度特性惡化的傾向。此外，在本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物中加入Ho，可提高溫度特性。因此，以合適的組成加入Dy和Ho兩者，則即使將電介質(zhì)層10薄層化，也可得到容量溫度特性及絕緣電阻高的疊層電容器。
此時，若Dy/(Dy+Ho)摩爾比小于0.1，則會加速絕緣電阻的劣化，而若超過0.9，則靜電容量的溫度變化率會變大。
此外，若Dy2O3與Ho2O3的合計添加量小于0.1摩爾份，則靜電容量的溫度變化率會增大，同時，tanδ亦會變大。而若合計添加量超過3.0摩爾份，則介電常數(shù)會下降至2000以下，失去實用性。因此，相對于鈦酸鋇100摩爾份，Dy2O3和Ho2O3的合計添加量最好為0.1-3.0摩爾份。若使用的Dy2O3和Ho2O3的表面積均為7-15m2/g、球狀形狀且二次凝集粒子較少，則可提高分散性，使本發(fā)明的效果更加顯著。
實施例4首先，相對于鈦酸鋇100摩爾份，加入0.02摩爾份的BaCO3、0.2摩爾份的MnO4/3、2.1摩爾份的BaO-SiO2-Al2O3系玻璃，并加入合計1摩爾份的Dy2O3和Ho2O3，且使Dy/(Dy+Ho)之摩爾比為0.75，再加入表7所示量的用氣相法合成的Mg(OH)2。所用的鈦酸鋇與實施例2中的相同。。
然后，除使電介質(zhì)層10的厚度為3μm以外，按與實施例1相同的方法制作疊層電容器。
接著，按與實施例1相同的方法對所得疊層電容器進行評價。但是，加速壽命試驗中的施加電壓為64V。結(jié)果示于表8。
如表8所示，與使用MgO相比，使用Mg(OH)2作為Mg化合物，可進一步提高靜電容量的溫度特性，并具有防止絕緣電阻劣化防止的效果。
這是因為用氣相法合成的Mg(OH)2，其粒子形狀為球狀且不易形成二次凝集體，由此，在電介質(zhì)材料中的分散性得以提高。
因此，即使將電介質(zhì)層10的厚度薄層化至5μm以下，也可得到絕緣電阻高且沒有絕緣電阻劣化、靜電容量的溫度變化率小的疊層電容器。
但是，與MgO同樣，相對于鈦酸鋇100摩爾份，若Mg(OH)2的添加量小于0.5摩爾份，則電介質(zhì)層10不會燒結(jié)，而若Mg(OH)2的添加量超過5.0摩爾份，則靜電容量的溫度變化率就變大。因此，Mg(OH)2的添加量最好為0.5-5.0摩爾份。
實施例5首先，相對于實施例2中使用的鈦酸鋇100摩爾份，加入0.02摩爾份的BaCO3、2.5摩爾份的MgO、1.0摩爾份的Dy2O3、0.2摩爾份的MnO4/3、2.1摩爾份的BaO-SiO2-Al2O3系玻璃，在初焙燒后的粉碎時，再加入表9所示量的Al2O3。
然后，按與實施例1同樣的方法制作疊層容器。
接著，按與實施例1同樣的方法對所得疊層電容器進行評價。結(jié)果示于表10。
本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物容易形成二次相。若形成二次相，則有疊層電容器的機械性強度劣化之虞。
但是，如表10所示，再添加Al2O3，則能抑制二次相的生成，不會使特性惡化，且能提高機械性強度。
若Al2O3的添加量超過3.0摩爾份，則靜電容量的溫度變化率與介質(zhì)損耗增大，而若Al2O3的添加量小于0.1摩爾份，則添加效果不顯著。
因此，為不使特性惡化和提高機械性強度，相對于鈦酸鋇100摩爾份，Al2O3的添加量最好為0.1-3.0摩爾份。
該Al2O3是在將其他出發(fā)原料初焙燒之后添加。與其他出發(fā)原料同樣，也可在最初添加，但在初焙燒后添加更能提高溫度特性，因此，較為適宜。
以下就本發(fā)明的要點進行說明。
(1).在上述實施例中，將電介質(zhì)陶瓷組合物基本成分中的Si與Al作為BaO-SiO2-Al2O3系玻璃添加。添加該玻璃時，將Si、Al換算為SiO2、Al2O3，則相對于鈦酸鋇100摩爾份，分別添加0.3-3.5摩爾份和0.01-3.0摩爾份。
此外，同時添加的BaO的量為鈦酸鋇和/或碳酸鋇，電介質(zhì)材料中的Ba/Ti摩爾比為1.001-1.05。
(2).玻璃的形式添加Si和Al，但也可分別添加Si化合物和Al化合物。
(3).用MnO4/3作為Mn化合物。與MnO等相比，MnO4/3的分散性優(yōu)異，與MnO同量添加時，添加效果顯著。
(4).在上述實施例中，所用的鈦酸鋇的Ba/Ti為1.000，但合成鈦酸鋇時以調(diào)整至1.001-1.006者作為出發(fā)原料，則可得到具有更均一的燒結(jié)粒徑的燒結(jié)體。通過該組成，可提高防止在壽命試驗中絕緣電阻劣化的效果。
(5).在上述實施例中，電介質(zhì)層的再氧化在疊層體燒結(jié)后的降溫過程中進行，但也可將燒結(jié)后的疊層體先予冷卻，然后再通過熱處理進行再氧化。
本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物具有非常優(yōu)異的耐還原性。若在賤金屬形成內(nèi)部電極和外部電極的疊層電容器上使用本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物，則可得到絕緣電阻高、其劣化亦非常小、且具有優(yōu)異的長期可靠性的疊層電容器。此外，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的介電常數(shù)高、靜電容量的偏差、溫度變化率及經(jīng)時變化率小。
此外，銅等賤金屬自不待言，即使用銀等貴金屬形成疊層電容器，也同樣可得到電氣特性優(yōu)良的疊層電容器。
表1
*表示比較例表2
*表示比較例表3
*表示比較例表4
*表示比較例表5
*表示比較例表6
表7
*表示比較例表8
*表示比較例表9
*表示比較例表10
*表示比較例
權(quán)利要求
1.電容器，它具有將電介質(zhì)層與用賤金屬制成的內(nèi)部電極層交互疊層而成的疊層體和設(shè)在疊層體內(nèi)部電極層露出端面的外部電極，所述電介質(zhì)層包含作為主要成分的鈦酸鋇100摩爾份，其中，Ba/Ti之摩爾比為1.001-1.05；并至少包含以下輔助成分Mg，換算成MgO，為0.5-5.0摩爾份、Dy，換算成Dy2O3，為0.1-3.0摩爾份、Mn，換算成Mn3O4，為0.01-0.4摩爾份、V，換算成V2O5，為0.01-0.26摩爾份、Si，換算成SiO2，為0.3-3.5摩爾份、Al，換算成Al2O3，為0.01-3.0摩爾份。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，它再含有換算成Al2O3，為0.1-3.0摩爾份的Al。
3.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，以Dy+Ho替代Dy，而Dy/(Dy+Ho)的摩爾比為0.3-0.9，將Dy和Ho分別換算為Dy2O3和Ho2O3時，其合計量為0.1-3.0摩爾份。
4.電容器的制造方法，它包含以下步驟用電介質(zhì)材料制作陶磁片的步驟，所述電介質(zhì)材料包含作為主要成分的鈦酸鋇100摩爾份，其中，Ba/Ti之摩爾比為1.001-1.05；并至少包含以下輔助成分Mg，換算成MgO，為0.5-5.0摩爾份、Dy，換算成Dy2O3，為0.1-3.0摩爾份、Mn，換算成Mn3O4，為0.01-0.4摩爾份、V，換算成V2O5，為0.01-0.26摩爾份、Si，換算成SiO2，為0.3-3.5摩爾份、Al，換算成Al2O3，為0.01-3.0摩爾份；將上述陶磁片與以賤金屬為主要成分的內(nèi)部電極層交互疊層、制作疊層體的步驟；將上述層疊體焙燒的步驟；在上述疊層體內(nèi)部電極層露出端面形成外部電極的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，用以銅為主要成分的金屬形成外部電極。
6.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述鈦酸鋇的比表面積為2-5m2/g。
7.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述鈦酸鋇在40-50°的X線衍射角2θ分成在(200)面與在(002)面的2個繞射峰。
8.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述Mg化合物是Mg(OH)2。
9.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，在所述陶磁片的制作步驟中，再添加換算為Al2O3，為0.1-3.0摩爾份的Al化合物。
10.如權(quán)利要求9所述的電容器的制造方法，其特征在于，所述Al化合物在其他的電介質(zhì)材料的初焙燒后添加。
11.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，在所述電介質(zhì)材料中，以Dy+Ho替代Dy，而Dy/(Dy+Ho)的摩爾比為0.3-0.9，將Dy和Ho分別換算為Dy2O3和Ho2O3時，其合計量為0.1-3.0摩爾份。
12.如權(quán)利要求4所述的電容器的制造方法，其特征在于，在所述焙燒步驟的降溫過程或焙燒步驟與形成外部電極的步驟之間設(shè)置將疊層體中的電介質(zhì)層再氧化的步驟。
全文摘要
提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，它包含作為主要成分的鈦酸鋇100摩爾份，其中，Ba/Ti之摩爾比為1.001－1.05；并至少包含以下輔助成分Mg，換算成MgO，為0.5－5.0摩爾份Dy，換算成Dy
文檔編號C04B35/468GK1516208SQ0215263
公開日2004年7月28日 申請日期2000年2月16日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月19日
發(fā)明者小松和博, 長井淳夫, 小林惠治, 倉光秀紀(jì), 夫, 治, 紀(jì) 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社