專利名稱：石英和硅石顆粒的在線球化處理工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顆粒在預(yù)制品上的等離子沉積。本發(fā)明尤其涉及在預(yù)制品上沉積顆粒之前對顆粒的在線球化處理。
本發(fā)明可用于制造可以拉制光纖的預(yù)制品。這種光纖用于通訊中，通常由已經(jīng)沉積了一層或多層覆層材料的預(yù)制品拉制成。本發(fā)明在某種程度上利用一預(yù)熱器來沉積這種覆層材料，該預(yù)熱器用于球化處理覆層材料顆粒，減小顆粒的尺寸分布，并防止顆粒的過度污染。在沉積并熔化在預(yù)制品上之前，所述顆粒最好通過預(yù)熱器加熱。
相關(guān)技術(shù)的描述預(yù)制品通常由稱作“覆層”的工藝在初始預(yù)制品上沉積顆粒而形成。所述初始預(yù)制品可以通過利用載氣將合成的或天然的石英顆粒注入等離子流中，然后使顆粒直射到初始預(yù)制品上而實現(xiàn)覆層。所述等離子流進一步加熱沉積在初始預(yù)制品上的顆粒，且將沉積的顆粒在初始預(yù)制品周圍熔化成均質(zhì)的覆層。
覆層質(zhì)量和覆層沉積速度在某種程度上是顆粒尺寸和形狀分布的函數(shù)。例如，當顆粒具有較大的尺寸分布時，在顆粒沉積在初始預(yù)制品表面上時，較大的顆?？赡芪慈刍Ｒ虼?，顆粒沒有被等離子炬熔化，而沒有形成有用的覆層。相反，較小的顆?？赡鼙坏入x子流的熱量蒸發(fā)，而減小了可用于加熱和熔化其他顆粒的能量，降低了沉積在初始預(yù)制品上的顆粒量。由于至少前面所述的原因，較大的顆粒尺寸分布降低了覆層工藝的效用和效率。
顆粒的形狀分布也對覆層工藝的效用和效率產(chǎn)生影響。例如，任意形狀的顆粒不能進入到初始預(yù)制品上較密實的層中。相反，球形顆?？梢杂行У剡M入初始預(yù)制品上較密實的層中，然后可以容易地熔化成大致均質(zhì)的覆層。這樣球形顆粒密實層可以比任意尺寸的顆粒層更有效地熔化成覆層。
顆粒的尺寸和形狀分布通常是如何產(chǎn)生顆粒的結(jié)果。機械加工比如粉碎和研磨是產(chǎn)生沉積在初始預(yù)制品上的顆粒的常規(guī)方法。通過機械加工產(chǎn)生的顆粒通常沒有球形形狀或均勻的尺寸，必須經(jīng)過附加處理，以減小顆粒的尺寸和形狀分布。這種附加處理包括可能污染顆粒的機械篩分和化學處理操作，因此降低了所述覆層的光學特性和性能。附加處理還增加了顆粒的制造成本。因此，在顆粒的制造過程中，控制顆粒尺寸和形狀分布是很難的且成本高，而且，用于減小顆粒尺寸和形狀分布的處理經(jīng)常導致顆粒污染。
鑒于前面的論述，需要一種用于減小覆蓋在初始預(yù)制品上的顆粒尺寸和形狀分布的設(shè)備和方法。而且，需要一種廉價地減小顆粒尺寸和形狀分布且不污染顆粒的方法和設(shè)備。
發(fā)明目的在本發(fā)明的第一方面，提供了一種預(yù)制品覆層裝置，該裝置包括用于提供具有預(yù)定材料的顆粒的注射器。所述預(yù)制品覆層裝置還包括用于預(yù)熱由所述注射器提供的顆粒的預(yù)熱器，和用于加熱由預(yù)熱器預(yù)熱的顆粒且使之沉積在預(yù)制品上的加熱器。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于預(yù)制品覆層的方法。該方法包括注射具有預(yù)定材料的顆粒的步驟，和預(yù)熱在注射步驟中提供的顆粒的步驟。該方法還包括加熱在預(yù)熱步驟中預(yù)熱的顆粒且使之沉積在預(yù)制品上的步驟。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種預(yù)制品覆層裝置。該預(yù)制品覆層裝置包括用于提供具有預(yù)定材料的顆粒的注射裝置，和用于預(yù)熱由所述注射裝置提供的顆粒的預(yù)熱裝置。所述預(yù)制品覆層裝置還包括用于加熱由預(yù)熱裝置預(yù)熱的顆粒且使其沉積在預(yù)制品上的加熱裝置。
從下面參照附圖給出的優(yōu)選實施例的詳細描述，本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點將變得明顯。
附圖簡要說明

圖1是本發(fā)明的優(yōu)選實施例的平面圖。
圖2是具有根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例沉積的覆層的預(yù)制品剖面圖。
圖3是本發(fā)明優(yōu)選實施例的各部件的剖面圖。
圖4是注射器28和預(yù)熱器34的另一實施例。
本發(fā)明的詳細描述如下詳述，本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供了一種利用覆層單元在預(yù)制品上沉積顆粒的設(shè)備和方法，其中該覆層單元具有用于在線球化處理顆粒的預(yù)熱器。當然，本發(fā)明不僅限于這些特征。下面參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例的這些和其他特征。
在圖1中示出了預(yù)制品覆層單元10。該預(yù)制品覆層單元10包括一預(yù)制品支架12，該支架具有中心件14，該中心件具有兩相對的支架16。在最初的覆層操作過程中，預(yù)制品18安裝在支架16上，從而使支架16繞預(yù)制品18的縱向軸線轉(zhuǎn)動預(yù)制品18。例如，支架16以每分鐘約1至50轉(zhuǎn)的速度轉(zhuǎn)動預(yù)制品18，更可取的是每分鐘3至30轉(zhuǎn)。預(yù)制品支架12例如可以是普通的玻璃覆層加工機床。
參照圖2，由支架16固定的預(yù)制品18包括初始預(yù)制品20。最初的覆層22和一或多層后續(xù)覆層24可以下述方式沉積在初始預(yù)制品20上。初始預(yù)制品20最好是固體的圓柱形棒，例如天然或合成的硅石玻璃。初始預(yù)制品20最好具有約0.5至1.5米的長度。初始預(yù)制品20的直徑最好約15至40毫米。初始預(yù)制品20可以具有其他尺寸，而仍落在本發(fā)明范圍內(nèi)。
在圖1中，中心件14由預(yù)制品支架12支撐，從而在支架16繞預(yù)制品18的縱向軸線轉(zhuǎn)動預(yù)制品18時，使中心件14從初始位置移動到返回位置。中心件14的移動由控制器25利用可執(zhí)行代碼控制，比如具有存儲器的中央處理單元?？刂破?5通過調(diào)節(jié)中心件14沿其移動的螺桿(未示出)的轉(zhuǎn)動速度和方向來控制中心件14。中心件14的速度和運動方向可以由控制器25根據(jù)例如預(yù)制品18的轉(zhuǎn)動速度以及預(yù)制品18的預(yù)期厚度來控制。當然，中心件14的速度和運動方向可以由其他結(jié)構(gòu)來控制，且可以根據(jù)其他參數(shù)來控制。
中心件14和預(yù)制品18移動經(jīng)過用于在預(yù)制品18上沉積材料的沉積單元。該沉積單元包括用于將顆粒發(fā)送入氣體中的注射器28。帶入所述氣體中的顆粒是將熔化在初始預(yù)制品20的外表面上而形成最初覆層22和后續(xù)覆層24的顆粒。(見圖2)。顆粒從顆粒儲存器30比如將顆粒送到運送帶上的普通漏斗供應(yīng)到注射器28。然后顆粒進入由氣體供應(yīng)源32供應(yīng)的氣流中，比如普通的壓縮機或其他已知的氣體供應(yīng)源，然后氣體和顆?；旌衔飶淖⑸淦?8中朝預(yù)熱器34(下面詳細描述)排出。所述顆?？梢允抢缇哂蓄A(yù)定光學特性的天然或合成的硅石或石英顆粒。當然，所述顆?？梢院腥魏纹渌牧系膿诫s物，比如TiO2或Al2O3，且可以具有任何所需的物理特性。所述氣體最好是空氣或空氣、氮氣和氧氣的混合物。所述氣體還可以是含氟或氯的氣體，或者甚至是純氟或氯氣，這在Drouart等人的美國專利US6269663中公開，在本文中通過引用而包含其整個內(nèi)容。含氟氣體可以是六氟化硫SF6，或通常從歐洲法令授權(quán)的那些氣體中選擇的氟利昂，比如C2F6。含氯氣體例如可以是氯氣Cl2。所述氣體最好以每分鐘約100至2000立方厘米(cm3/min)的流量輸送，可取的是從200至1000cm3/min。當然，其他適當?shù)臍怏w和流量也認為是在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
在圖1和3中所示的優(yōu)選實施例中，預(yù)熱器34位于注射器28附近，且提供熱流26。注射器28將氣體和顆粒流注入熱流26中，從而減小顆粒的尺寸和形狀分布。具體而言，當經(jīng)過熱流26時較小的顆粒蒸發(fā)，而其余的顆粒被加熱到球化處理溫度。在球化處理溫度下，顆粒表面充分熔化，所以每個顆粒的表面張力使相應(yīng)的顆粒成為球形。因此，當經(jīng)過來自預(yù)熱器34的熱流26時，從氣體和顆粒流中去除了較小的顆粒，且對其余的顆粒進行球化處理。因此減小了顆粒尺寸和形狀分布。而且，因為在實際覆層過程中預(yù)熱器34對顆粒進行了球化處理，而不是在覆層工藝之前利用機械或化學工藝，所以避免了顆粒和最初覆層22的污染。
在優(yōu)選實施例中，預(yù)熱器34是等離子炬，供應(yīng)例如2000至5500℃的溫度的熱流。例如，預(yù)熱器34的等離子炬可以是具有旋流氣體操作的水冷雙殼體等離子炬。當然，可以使用其他的等離子炬或加熱器，而沒有脫離本發(fā)明的范圍。顆粒表面最好通過流經(jīng)預(yù)熱器34的熱流26由預(yù)熱器34加熱到例如2000至3500℃的球化處理溫度。顆粒從等離子流26中排出而直徑約50至500微米，更可取的是約50至300微米。當然，顆粒直徑可以大于或小于所述范圍，而仍然落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
在圖4中示出了注射器28和預(yù)熱器34的另一實施例。如圖所示，注射器28合并到預(yù)熱器34中，所以氣體和顆粒流沿預(yù)熱器34的縱向軸線輸送。然后所述氣體和顆粒流直接注入熱流26中。
如圖1和3所示，在經(jīng)過來自預(yù)熱器34的熱流26之后，氣體和顆粒經(jīng)過來自等離子炬36的等離子流35。等離子炬36最好位于預(yù)熱器34附近，且提供等離子流35，該等離子流將從預(yù)熱器34排出的顆粒加熱到顆粒可以熔化的溫度。例如，等離子炬36可以是采用旋流氣體操作的水冷雙殼體等離子炬。當然，也可以使用其他等離子炬或熱源，而沒有脫離本發(fā)明的范圍。來自等離子炬36的等離子流35朝初始預(yù)制品20正對且將顆粒沉積在初始預(yù)制品20上。因為沉積在初始預(yù)制品20的顆粒通常是球形的，且一般具有均勻的尺寸，所以顆?？梢杂行颐軐嵉胤e聚在初始預(yù)制品20上。在將顆粒沉積在初始預(yù)制品20上之后，等離子炬36進一步加熱顆粒，從而使顆粒熔化成初始預(yù)制品20表面上的均勻的最初覆層22。(見圖2)。在覆層過程中，初始預(yù)制品20由中心件14的支架16轉(zhuǎn)動，同時中心件14由控制器25控制而接近預(yù)熱器34和等離子炬36，該等離子炬例如約是預(yù)制品18的長度。通過這種配置，初始預(yù)制品20的整個長度和圓周由最初覆層22所覆蓋。在中心件14已經(jīng)移動了預(yù)制品18的長度之后，控制器25控制預(yù)制品支架12移動中心件14，從而使預(yù)制品18遠離等離子炬36預(yù)定的距離。例如，中心件14和預(yù)制品18可以沿遠離等離子炬36的方向沿等離子炬36的縱向軸線移動約3毫米。當然，中心件14和預(yù)制品18可以移動任何其他的預(yù)定距離。這樣，預(yù)制品18的外表面保持在離等離子炬36預(yù)定距離處。
前面的描述詳細解釋了最初覆層22沉積在初始預(yù)制品20上的過程。后續(xù)覆層24可以以類似的方式加到所述最初覆層22頂面上。具體而言，支撐預(yù)制品18的中心件14由控制器25控制而掉轉(zhuǎn)方向，沿中心件14先前經(jīng)過的方向移動，同時在預(yù)制品18上沉積另一層顆粒。當中心件14和預(yù)制品18平行于預(yù)制品18的縱向軸線移動時，預(yù)制品18繞其縱向軸線轉(zhuǎn)動。當中心件14和預(yù)制品18沿相反方向移動時，顆粒儲存器30繼續(xù)為注射器28提供顆粒，且顆粒進入氣體供應(yīng)源32提供的氣流中。被帶走的顆粒從注射器28排出，而進入預(yù)熱器34的熱流26中。當經(jīng)過來自預(yù)熱器34的熱流26時，較小的顆粒蒸發(fā)，而剩余的顆粒進行球化處理，從而減小顆粒的尺寸和形狀分布。在從預(yù)熱器34的熱流26中排出之后，球化處理的顆粒進入等離子炬36的等離子流35中。來自等離子炬36的等離子流35進一步加熱顆粒，然后把顆粒沉積并熔化在最初覆層22上，同時預(yù)制品18通過支架16繞其縱向軸線轉(zhuǎn)動。在中心件14和預(yù)制品18已經(jīng)到達其最初位置之后，控制器25控制預(yù)制品支架12，使中心件14和預(yù)制品18遠離等離子炬36預(yù)定的距離。這種覆層操作可以重復進行所需的任何次，從而產(chǎn)生一具有所需尺寸和特性的預(yù)制品18。例如，預(yù)制品18可以具有2至50層覆層，或者更多，且更可取的是有8至12層。當然，層數(shù)不限于這些數(shù)目，也可以沉積更多或更少的層數(shù)，而仍然落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
雖然前面已經(jīng)描述了當沿相反方向移動時沉積顆粒而形成后續(xù)覆層24的沉積操作，但本發(fā)明還包括在開始后續(xù)覆層操作之前使中心件14和預(yù)制品18返回到最初開始位置的情況。具體而言，在最初覆層22之后，中心件14可以掉轉(zhuǎn)方向，且可以在控制器25控制下平行于預(yù)制品18的縱向軸線移動到最初位置，而沒有沉積后續(xù)覆層24。在中心件14到達最初位置之后，可以控制中心件14再次掉轉(zhuǎn)方向，后續(xù)覆層24可以從最初位置以前面所述的方式開始沉積。
通過控制操作參數(shù)比如顆粒的質(zhì)量流量和中心件14相對于預(yù)熱器34和等離子炬36的速度，覆層22和24可以形成任何所需的厚度。這樣，預(yù)制品18可以增大到任何預(yù)定的直徑。而且，預(yù)熱器34、等離子炬36和中心件14可以在控制器25控制下僅沿預(yù)制品18的預(yù)定長度沉積覆層。因此，預(yù)制品18直徑的局部波動可以標準化。而且，可以控制預(yù)制品18的轉(zhuǎn)動和中心件14的移動而沿預(yù)制品18的圓周在有限區(qū)域上沉積顆粒，以便例如有選擇地增大預(yù)制品18的某些部分。
雖然前面已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)當理解，這一描述僅是說明性的。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，除了上述之外，可以對應(yīng)于優(yōu)選實施例的所述各方面作出各種改進和等價結(jié)構(gòu)，而沒有脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的主旨，其中權(quán)利要求的范圍應(yīng)當給予最寬的解釋，而包括這些改進和等價結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種預(yù)制品覆層裝置，包含用于提供具有預(yù)定材料的顆粒的注射器；用于預(yù)熱由所述注射器提供的所述顆粒的預(yù)熱器；用于加熱由所述預(yù)熱器預(yù)熱的所述顆粒并使之沉積在預(yù)制品上的加熱器。
2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述注射器提供從石英和硅石構(gòu)成的組中選取的顆粒。
3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器將所述顆粒預(yù)熱到至少2000℃的溫度。
4.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器將所述顆粒預(yù)熱到至少3000℃的溫度。
5.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器通過加熱所述顆粒減小由所述注射器提供的所述顆粒的尺寸分布。
6.如權(quán)利要求5所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器通過加熱所述顆粒而使由所述注射器提供的顆粒的一部分蒸發(fā)。
7.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器減小由所述注射器提供的所述顆粒的形狀分布。
8.如權(quán)利要求7所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱器使由所述注射器提供的顆粒的一部分球化。
9.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述加熱器進一步加熱由所述預(yù)熱器預(yù)熱的所述顆粒。
10.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于至少所述預(yù)熱器和所述加熱器之一是等離子炬。
11.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于至少所述預(yù)熱器和所述加熱器之一是采用旋流氣體的雙殼體等離子炬。
12.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于還包含用于對所述注射器供應(yīng)氣體的氣體源。
13.如權(quán)利要求12所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述氣體至少是空氣、含氟氣體和含氯氣體中的一種。
14.如權(quán)利要求1所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于還包含在顆粒的沉積過程中用于在所述預(yù)制品和所述加熱器之間執(zhí)行相對運動的支架。
15.如權(quán)利要求14所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于還包含用于控制所述支架的中央處理單元。
16.一種用于預(yù)制品覆層的方法，包含步驟注射具有預(yù)定材料的顆粒；預(yù)熱在所述注射步驟中提供的顆粒；加熱在所述預(yù)熱步驟中預(yù)熱的顆粒并使之沉積在預(yù)制品上。
17.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述注射步驟提供從石英和硅石構(gòu)成的組中選取的顆粒。
18.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟將所述顆粒預(yù)熱到至少2000℃的溫度。
19.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟將所述顆粒預(yù)熱到至少3000℃的溫度。
20.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟減小所述顆粒的尺寸分布。
21.如權(quán)利要求20所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟使所述顆粒的一部分蒸發(fā)。
22.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟減小所述顆粒的形狀分布。
23.如權(quán)利要求22所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述預(yù)熱步驟使所述顆粒的一部分球化。
24.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述加熱和沉積步驟還包括使在所述預(yù)熱步驟中預(yù)熱的顆粒一起熔化在預(yù)制品上。
25.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于還包含對注射器供應(yīng)氣體的步驟。
26.如權(quán)利要求25所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于所述氣體至少是空氣、含氟氣體和含氯氣體中的一種。
27.如權(quán)利要求25所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于還包含使所述顆粒帶入所述氣體中的步驟。
28.如權(quán)利要求16所述的用于預(yù)制品覆層的方法，其特征在于還包含在沉積顆粒的過程中，在所述預(yù)制品和加熱器之間執(zhí)行相對運動的步驟。
29.一種預(yù)制品覆層裝置，包含用于提供具有預(yù)定材料的顆粒的注射裝置；用于預(yù)熱由所述注射裝置提供的所述顆粒的預(yù)熱裝置；用于加熱由所述預(yù)熱裝置預(yù)熱的所述顆粒并使其沉積在預(yù)制品上的加熱裝置。
30.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述注射裝置提供從石英和硅石構(gòu)成的組中選取的顆粒。
31.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置將所述顆粒預(yù)熱到至少2000℃的溫度。
32.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置將所述顆粒預(yù)熱到至少3000℃的溫度。
33.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置通過加熱所述顆粒減小由所述注射裝置提供的所述顆粒的尺寸分布。
34.如權(quán)利要求33所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置通過加熱所述顆粒而使由所述注射裝置提供的顆粒的一部分蒸發(fā)。
35.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置減小由所述注射裝置提供的所述顆粒的形狀分布。
36.如權(quán)利要求35所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述預(yù)熱裝置使由所述注射裝置提供的顆粒的一部分球化。
37.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述加熱裝置提供使所述預(yù)熱裝置預(yù)熱的所述顆粒一起熔化在預(yù)制品上的熱量。
38.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于至少所述預(yù)熱裝置和所述加熱裝置之一是等離子炬。
39.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于至少所述預(yù)熱裝置和所述加熱裝置之一是采用旋流氣體的雙殼體等離子炬。
40.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于還包含用于對所述注射裝置供應(yīng)氣體的氣體源。
41.如權(quán)利要求40所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于所述氣體至少是空氣、含氟氣體和含氯氣體中的一種。
42.如權(quán)利要求29所述的預(yù)制品覆層裝置，其特征在于還包含在顆粒的沉積過程中用于在所述預(yù)制品和所述加熱裝置之間執(zhí)行相對運動的支架。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種預(yù)制品覆層裝置。該預(yù)制品覆層裝置包括用于提供具有預(yù)定材料的顆粒的注射器，和用于預(yù)熱由所述注射器提供的顆粒的預(yù)熱器。該預(yù)制品覆層裝置還包括用于加熱由所述預(yù)熱器預(yù)熱的顆粒并使之沉積在預(yù)制品上的加熱器。
文檔編號C03B19/00GK1412137SQ02146819
公開日2003年4月23日 申請日期2002年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月12日
發(fā)明者雅克·古多, 羅杰·查爾頓, 丹尼爾·G·格萊特徹 申請人:阿爾卡塔爾公司