專利名稱：一種抗輻射織物的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種新的抗輻射織物的制造方法，屬于紡織加工領(lǐng)域。具體的說是將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1通過磁控濺射鍍膜技術(shù)緊密均勻涂覆在普通纖維的織物上，使其具有抗輻射功能。
背景技術(shù)：
在科學(xué)技術(shù)高速發(fā)展的同時(shí)，人們對生活質(zhì)量的要求相應(yīng)提高，對服裝面料的追求也越來越高，優(yōu)良服裝面料的手感與外觀，已不能滿足人們的需求，人們更希望在穿著舒適的同時(shí)能夠起到環(huán)保、防護(hù)和保健的作用。然而，目前網(wǎng)絡(luò)化辦公環(huán)境的電腦輻射和強(qiáng)烈的太陽光紫外線照射，已經(jīng)困擾著眾多的電腦操作者和露天作業(yè)者。因此開發(fā)具有綠色保健、防輻射、防紫外線的高質(zhì)量、高附加值產(chǎn)品已是重中之重，此類產(chǎn)品的開發(fā)能極大地拓展功能紡織品的市場空間。納米抗輻射整理劑KASUMI-F1的化學(xué)組成是納米級的導(dǎo)電吸波金屬陰離子，可以以任何比例與冷水溶解，具有十分優(yōu)良的特點(diǎn)既能把電磁場屏蔽掉，又能吸收電磁波；賦予織物柔軟的手感；透氣性好、堅(jiān)牢、耐洗滌；防輻射性能可達(dá)60dB，是一種良好的抗輻射整理劑。磁控濺射技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)1、沉積速度快，基材溫升低，對膜層的損傷?。?、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；3、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射； 4、濺射所獲得的薄膜純度高，致密性好，成膜均勻性好；5、濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6、能夠精確控制鍍層的厚度，同時(shí)可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小；7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上； 8、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新的抗輻射織物的制造方法，利用磁控濺射技術(shù)將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1覆蓋在普通纖維織物上，得到抗輻射織物，納米抗輻射整理劑 KASUMI-F1構(gòu)成的薄膜均勻的覆蓋沉積在纖維上，且與纖維有較好的結(jié)合，增強(qiáng)了抗輻射織物的使用壽命，同時(shí)可根據(jù)該抗輻射織物的使用領(lǐng)域不同，精確調(diào)控納米抗輻射整理劑 KASUMI-F1薄膜的厚度，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。該發(fā)明的特征在于其制造流程，流程為將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1制成靶材，將普通纖維織物制成基片，采用射頻磁控濺射設(shè)備，將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1濺射到纖維織物制成的基片上沉積成膜，同時(shí)通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小， 精確的控制鍍層的厚度，經(jīng)后處理之后，就制成了具有抗輻射功能的織物。
具體實(shí)施例方式以下采用實(shí)施例具體說明本發(fā)明
實(shí)施例1樣品利用射頻反應(yīng)磁控濺射法在JGP560B型超高真空磁控濺射設(shè)備上制備。采用納米抗輻射整理劑KASUMI-F1制成靶材，直徑60mm，厚度4mm。采用30支普通棉紗制成的平紋織物為基片，樣品制備過程中真空室氣氛為純度優(yōu)于99. 99%的氬氣，基片與濺射靶的間距為50mm。本底真空為2. 5 X 10-41 ，控制建設(shè)過程中的工作氣壓為0. 751^?；瑴囟瓤刂圃谑覝兀漕l濺射功率均控制為85W，樣品沉積時(shí)間lh。操作流程為基底的前處理一將載波片放在基片架上——檢查設(shè)備，保證濺射室潔凈——抽真空泵2. 5 X 10-4Pa——通入工作氣體——預(yù)濺射IOmin——結(jié)束濺射，取出樣品——織物后處理——得到抗輻射織物。實(shí)施例2樣品利用射頻反應(yīng)磁控濺射法在JGP560B型超高真空磁控濺射設(shè)備上制備。采用納米抗輻射整理劑KASUMI-F1制成靶材，直徑60mm，厚度3mm。采用80支滌綸斜紋織物為基片，樣品制備過程中真空室氣氛為純度優(yōu)于99. 99%的氬氣，基片與濺射靶的間距為50mm。 本底真空為3. 5 X 10-4Pa,控制建設(shè)過程中的工作氣壓為0. 751^?；瑴囟瓤刂圃谑覝兀漕l濺射功率均控制為95W，樣品沉積時(shí)間lh。操作流程為基底的前處理——將載波片放在基片架上——檢查設(shè)備，保證濺射室潔凈——抽真空泵2. 5 X 10-4Pa——通入工作氣體——預(yù)濺射IOmin——結(jié)束濺射，取出樣品——織物后處理——得到抗輻射織物。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)該視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種抗輻射織物的制造方法，其特征在于用納米抗輻射整理劑KASUMI-F1作為靶材，以普通纖維織物為基片，通過磁控濺射技術(shù)將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1緊密均勻覆蓋在普通纖維織物上，使其具有抗輻射功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗輻射織物的制造方法，其特征在于通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小，可以精確的控制鍍層的厚度。
全文摘要
一種抗輻射織物的制造方法，其特征在于利用射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)將納米抗輻射整理劑KASUMI-F1覆蓋在普通纖維織物上，得到抗輻射纖維織物，納米抗輻射整理劑KASUMI-F1構(gòu)成的薄膜均勻的覆蓋在纖維上，且與纖維有較好的結(jié)合，增強(qiáng)了抗輻射纖維織物的使用壽命，同時(shí)可根據(jù)該抗輻射纖維織物的使用領(lǐng)域不同，精確調(diào)控納米抗輻射整理劑KASUMI-F1薄膜的厚度，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。
文檔編號D06M11/00GK102493172SQ20111041859
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者徐伯俊, 朱預(yù)坤, 王超, 蘇旭中, 謝春萍 申請人:江南大學(xué)