專利名稱：半導體晶片清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體晶片清洗裝置，特別涉及一種改進的半導體晶片清洗裝置，該裝置在安裝晶片的舟上設(shè)置雜質(zhì)析取管，并將從晶片上和舟上去除的雜質(zhì)排放到內(nèi)槽外，所以，可以防止正在被清洗的晶片被污染，從而可增強系統(tǒng)的清洗效果。
在制造高集成度半導體器件時，晶片表面上的微細顆粒會嚴重損害器件特性。
因此，近來，能有效地清洗晶片表面上的微細顆粒的清洗技術(shù)被認為是本行業(yè)最重要的技術(shù)。
在LSI技術(shù)中，2μm半導體器件已實際用于產(chǎn)業(yè)中。在制造這種半導體器件時，在制造這種高集成度半導體器件的工藝需要保持超凈的清洗技術(shù)。
因此，隨著制造的晶片越來越大及芯片尺寸越來越小，已研制出一種新的清洗裝置。特別是，已進一步研究出一種減少提供給清洗槽的清洗液(或清洗水)的技術(shù)。
圖1是展示常規(guī)半導體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2是展示在常規(guī)半導體晶片清洗裝置的舟上的晶片的透視圖。
如圖所示，內(nèi)槽2置于具有供應(yīng)清洗液的供給管1a和排放清洗液的排放管1b的外槽1內(nèi)。擋板3置于內(nèi)槽2的底部，用于控制通過供給管1a供給內(nèi)槽2的清洗液的流量。舟4置在擋板3上，晶片“W”安放在其上。
此外，該裝置還包括給供給管1a配置的泵6，用于抽送清洗液；控制清洗液流量的閥門7；以及過濾清洗液的雜質(zhì)從而凈化清洗液的過濾器8。
下面參照


常規(guī)晶片清洗裝置的工作情況。
首先，利用晶片夾具(未示出)，將欲清洗的晶片“W”送入內(nèi)槽2中，安裝在舟4上。
然后，通過其一端與內(nèi)槽2相連的供給管1a，給內(nèi)槽2提供清洗液。在此，由擋板3來控制清洗液的量。進入內(nèi)槽2的清洗液清洗放置在舟4上的晶片“W”。
此外，內(nèi)槽2內(nèi)裝滿了清洗液時，清洗液會溢出內(nèi)槽2的上部邊緣，流向外槽1。這樣溢出的清洗液匯集在外槽1的底部。由閥門7控制流量，并在泵6與過濾器8的共同作用下對溢出的清洗液進行過濾，在經(jīng)過了此過程之后，上述匯集的清洗液又循環(huán)進入內(nèi)槽2。若清洗液被污染到預(yù)定程度，則將該清洗液作為廢料排出。
上述常規(guī)半導體晶片清洗裝置公開于美國專利5,370,142(1994年11月6日)和“24th Symposium on ULSI(Ultra Clean Technology Japan)”上。
然而，如圖3所示，常規(guī)半導體晶片清洗裝置存在如下問題，即，在放置晶片“W”的舟4上形成的多個安裝槽4a中，會存有雜質(zhì)，這些雜質(zhì)的累積會降低產(chǎn)品的可靠性。
即，在固定舟的情況下，越來越多的雜質(zhì)聚集在安裝槽4a中，于是將晶片“W”污染，在活動舟的情況下，越來越多的雜質(zhì)聚集在安裝槽4a內(nèi)，然后，這些雜質(zhì)會附著到舟4上，這些雜質(zhì)會再跑到清洗液中，于是將晶片“W”污染。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種克服了已有技術(shù)中存在的問題的半導體晶片清洗裝置。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種半導體晶片清洗裝置，能有效地去除形成于舟上的晶片安裝槽中的雜質(zhì)和舟外表面上的雜質(zhì)，從而提高產(chǎn)品的可靠性。
為了實現(xiàn)上述目的，提供一種半導體晶片清洗裝置，包括具有通過其供應(yīng)清洗液的第一清洗液供給管和通過其排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽內(nèi)的內(nèi)槽；置于內(nèi)槽內(nèi)的擋板，用于配送供給晶片的清洗液；置于擋板上的舟，其上將放置晶片；在舟的晶片支撐部位設(shè)置雜質(zhì)析取管，用于把形成于內(nèi)槽內(nèi)的雜質(zhì)抽吸于其中，并排放到外部；以及向雜質(zhì)析取管提供清洗液的第二清洗液供給管。
下面的說明會更清楚地顯示本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特點。
參閱以下的詳細說明和只是說明性的附圖，會更充分地理解本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些，其中圖1是展示常規(guī)半導體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是展示放置在常規(guī)半導體晶片清洗裝置的舟上的晶片的透視圖；圖3是展示放置在如圖2所示的舟上的晶片的剖面圖；圖4是展示本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖5是展示放置在本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的舟上的晶片的透視圖；圖6A和6B展示的是本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的雜質(zhì)析取管。
圖4是展示本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖5是展示放置在本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的舟上的晶片的透視圖。
如圖所示，按照本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置包括外槽10，第一清洗液供給管10a和排放管10b的各一端分別與之相連，且內(nèi)槽11置于其中；置于內(nèi)槽11內(nèi)的擋板12，用于控制通過供給管10a供給內(nèi)槽11的清洗液的流量；置于擋板12上的舟13，用于在其上安裝晶片“W”。另外，該裝置還包括置于第一清洗液供給管10a上的泵15，用于給內(nèi)槽11供應(yīng)清洗液；控制清洗液流量第一閥門16；過濾清洗液中的雜質(zhì)的過濾器17。上述結(jié)構(gòu)與如圖1和圖2所示的常規(guī)半導體晶片清洗裝置相同。
不同的是，本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置具有雜質(zhì)析取管18，用于更有效地排放內(nèi)槽11內(nèi)的雜質(zhì)，和從晶片“W”上清除雜質(zhì)，還具有第二清洗液供給管20。下面將作詳細說明。
如圖4和5所示，第二清洗液供給管20與雜質(zhì)析取管18相連，且與第一清洗液供給管10a是分開的。雜質(zhì)析取管18置于舟13上，并由舟13支撐，其一端與第一清洗液供給管相連，其另一端與具有排放管10b的外槽10的內(nèi)部相通。
另外，如圖5所示，在雜質(zhì)析取管18的上表面上形成有多個雜質(zhì)接受孔18a。如圖6A和6B所示，這些雜質(zhì)接受孔18a支撐著安裝在舟13上的晶片“W”的下部，形成這些孔是為了使附著于晶片“W”和舟13上的雜質(zhì)進入雜質(zhì)析取管18。
另外，如圖4和5所示，給第二清洗液供給管20配置第二閥門19，用于適當?shù)乜刂铺峁┙o雜質(zhì)析取管18的清洗液的流量和強度。
下面將參照

本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置的工作情況。
首先，在由形成在舟13上的槽和形成于雜質(zhì)析取管18上的雜質(zhì)接受孔18a支撐晶片“W”的情況下，在通過第一清洗液供給管10a提供清洗液時，擋板12配送清洗液，并控制清洗液的流量，向晶片“W”提供清洗液，清洗安裝在舟13和雜質(zhì)析取管18上的晶片“W”。
另外，若繼續(xù)提供清洗液，則內(nèi)槽11內(nèi)裝滿清洗液。然后，清洗液會溢出內(nèi)槽11的上部邊緣，匯集在外槽10的底部。由第一閥門16控制流量，并在過濾器17與置于第一清洗液供給管10a的泵15共同進行對上述匯集的清洗片過濾，在經(jīng)過了此過程之后，上述匯集的清洗液又被送入內(nèi)槽11。通過上述過程，清洗晶片“W”。在清洗液的污染度超過預(yù)定程度后，將清洗液作為廢料排出。
此外，在清洗安裝在舟13和雜質(zhì)析取管18上的晶片“W”時，還通過支撐晶片“W”的雜質(zhì)析取管18和與第一清洗液供給管分開的第二清洗液供給管20，給內(nèi)槽11提供清洗液。由這樣提供的清洗液清洗晶片“W”和舟13上的雜質(zhì)，然后，使這些雜質(zhì)進入雜質(zhì)接受孔18a，清除并將這些雜質(zhì)排放到外部。進入雜質(zhì)析取管18的清洗液的流速由第二閥門19的開/關(guān)來控制。控制第二閥門19，以便穩(wěn)定地支撐晶片“W”，并穩(wěn)定地進行清洗工作。
即，由清洗液清洗雜質(zhì)析取管18內(nèi)聚集的雜質(zhì)，然后將這些雜質(zhì)從雜質(zhì)析取管18排放到給外槽10配置的排放管10b，由過濾器17過濾這些排放出來的雜質(zhì)，然后，將過濾后的清洗液提供給內(nèi)槽11，從而有效地防止了晶片污染。
如上所述，本發(fā)明的半導體晶片清洗裝置在其上安裝晶片的舟上設(shè)置雜質(zhì)析取管，將從晶片和舟上清除的雜質(zhì)排放到內(nèi)管之外，從而防止了要清洗的晶片被污染，因此，可增強系統(tǒng)的清洗效果。
盡管為了說明公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是，顯然在不脫離所附權(quán)利要求書所述的本發(fā)明的范圍和精神實質(zhì)的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以作出各種改型、附加和替換。
權(quán)利要求
1.一種半導體晶片清洗裝置，包括具有供應(yīng)清洗液的第一清洗液供給管和排放清洗液的排放管的外槽；設(shè)置于外槽內(nèi)的內(nèi)槽；置于內(nèi)槽內(nèi)的擋板，用于配送供給晶片的清洗液；置于擋板上的舟，其上將安裝晶片；置于舟上晶片支撐部位的雜質(zhì)析取管，用于把形成于內(nèi)槽內(nèi)的雜質(zhì)吸取于其中，并排放到外部；以及給雜質(zhì)析取管提供清洗液的第二清洗供給管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，所述雜質(zhì)析取管包括多個雜質(zhì)接受孔，用于支撐晶片和接受雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，雜質(zhì)析取管的一端與第二清洗液供給管的一端相連，排放管與其另一端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，所述第二清洗液供給管包括第二閥門，用于控制清洗液的流動。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第二清洗液供給管的一端與第一清洗液供給管相隔一定距離，其另一端與雜質(zhì)析取管的一端相連。
全文摘要
一種改進的半導體晶片清洗裝置，能有效地去除形成于舟上的晶片安裝槽中和舟外表面上的雜質(zhì)，從而提高產(chǎn)品的可靠性。該裝置包括具有供應(yīng)清洗液的第一清洗液供給管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽內(nèi)的內(nèi)槽；置于內(nèi)槽內(nèi)的擋板，用于分送供給晶片的清洗液；置于擋板上的舟，其上將安裝晶片；置于舟的晶片支撐部位的雜質(zhì)析取管，用于把形成于內(nèi)槽內(nèi)的雜質(zhì)吸取于其中，并排放到外部；以及給雜質(zhì)析取管提供清洗液的第二清洗液供給管。
文檔編號B08B3/10GK1156901SQ9611425
公開日1997年8月13日 申請日期1996年12月19日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月19日
發(fā)明者韓石彬 申請人:Lg半導體株式會社