專利名稱：半導(dǎo)體晶片清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片清洗裝置，特別涉及一種改進(jìn)的半導(dǎo)體晶片清洗裝置，該清洗裝置具有可調(diào)內(nèi)槽，所以，在清洗晶片時(shí)可以減少清洗空間，減少清洗液的消耗量。
在制造高集成度半導(dǎo)體器件時(shí)，晶片表面上的微細(xì)顆粒會(huì)嚴(yán)重?fù)p害器件特性。
因此，近來，能有效地清洗晶片表面上的微細(xì)顆粒的清洗技術(shù)被認(rèn)為是本行業(yè)最重要的技術(shù)。
在LSI技術(shù)中，2μm半導(dǎo)體器件已實(shí)際用于產(chǎn)業(yè)中。在制造這種半導(dǎo)體器件時(shí)，高集成度半導(dǎo)體器件制造工藝需要保持超凈的清洗技術(shù)。
因此，隨著制造的晶片越來越大及芯片尺寸越來越小，已研制出一種新的清洗裝置。特別是，已進(jìn)一步研究出一種減少供給清洗槽的清洗液(或清洗水)的技術(shù)。
圖1展示的是常規(guī)半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)，這是一種溢流槽系統(tǒng)。
如圖所示，該裝置包括外槽1，它具有置于其下部的清洗液供給管1a和排放管1b；置于外槽1內(nèi)的內(nèi)槽2；把清洗液供給裝在內(nèi)槽2的底部上的晶片“W”的擋板3；及給供給清洗液的供給管1a配置的泵4。
下面參照


在常規(guī)半導(dǎo)體清洗裝置中清洗晶片的操作。
首先，把要清洗的晶片“W”裝在內(nèi)槽2內(nèi)，然后，開動(dòng)泵4，通過設(shè)置在外槽1下部的供給管1a，向內(nèi)槽2內(nèi)提供清洗液，清洗晶片“W”表面上的微細(xì)顆粒。
這里，由多個(gè)形成于擋板3內(nèi)的分送孔(未示出)控制供給內(nèi)槽2的清洗液的量及流速，從而清洗晶片“W”。當(dāng)清洗液裝滿內(nèi)槽2時(shí)，清洗液溢流到外槽1中，電動(dòng)機(jī)4又將這樣溢流的清洗液供給內(nèi)槽2。若清洗液被污染，則通過預(yù)定的通道把被污染的清洗液排放到外在。
然而，這種常規(guī)半導(dǎo)體晶片清洗裝置是一種溢流槽系統(tǒng)，用于給內(nèi)槽2提供清洗，并使清洗液溢流，所以使清洗液必須超出晶片“W”頂部，到達(dá)內(nèi)槽2的邊緣。因此，不可能減少清洗液的用量。另外，對(duì)于各種形狀的晶片“W”來說，不可能控制清洗液的流動(dòng)方式，因此，晶片清洗效果變差。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種克服了已有技術(shù)中存在的問題的半導(dǎo)體晶片清洗裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體晶片清洗裝置，其內(nèi)槽能分成上部和下部，從而形成可調(diào)內(nèi)槽，所以，可以在清洗晶片時(shí)合攏內(nèi)槽的上部，從而減小清洗空間，這樣便可以減少清洗液用量，增強(qiáng)清洗效果。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種半導(dǎo)體晶片清洗裝置，包括具有供應(yīng)清洗液的供給管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽內(nèi)的下部?jī)?nèi)槽，置于下部?jī)?nèi)槽上的上部?jī)?nèi)槽，上部?jī)?nèi)槽在第一鉸接部件的協(xié)助下可調(diào)；所設(shè)置的驅(qū)動(dòng)部件它與一個(gè)第二部件配合，用于關(guān)開上部?jī)?nèi)槽；控制驅(qū)動(dòng)部件的控制部件；分送通過供給管供給的清洗液的擋板；以及置于供給管內(nèi)的泵，用于給內(nèi)槽提供清洗液。
下面的說明會(huì)更清楚地顯示本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)。
參閱以下的詳細(xì)說明和只是說明性的附圖，會(huì)更充分地理解本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些，其中圖1展示的是常規(guī)半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)；圖2是展示按照本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖3A和3B分別是展示晶片放置在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置中的狀況的剖面圖和頂視圖；圖4A和4B分別是說明在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置中清洗洗晶片的狀況的剖面圖和頂視圖5是展示按照本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖2是展示按照本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖。
如該圖所示，下部?jī)?nèi)槽11置于外槽10內(nèi)，具有提供清洗液的供給管10a和排放清洗液的排放管10b，供給管10a的上端與下部?jī)?nèi)槽11相連，排放管10b的上端與外槽10相連。上部?jī)?nèi)槽13可調(diào)地形成于下部?jī)?nèi)槽11之上與第一鉸接部件12的配合下。自動(dòng)臂15是置于上部?jī)?nèi)槽13的上部的可動(dòng)部件，環(huán)形可調(diào)第二鉸接部件14與之配合。
另外，控制部件16置于自動(dòng)臂15中，用于控制自動(dòng)臂15的運(yùn)動(dòng)。擋板17置于上部和下部?jī)?nèi)槽13和11的底部。在擋板17之上形成多個(gè)分送孔(未示出)，用于均勻地將通過供給管10a引入的清洗液分送給晶片“W”。
另外，泵18置于供給管10a內(nèi)，用于把清洗液抽送到上部和下部?jī)?nèi)槽13和11內(nèi)。這里，上部和下部?jī)?nèi)槽13和11、第一鉸接部件12、和第二鉸接部件14皆是由不產(chǎn)生雜質(zhì)的材料制成，且具有很好的耐清洗液特性。
下面將結(jié)合

利用本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置清洗晶片的工作情況。
首先，如圖3A和3B所示，上部?jī)?nèi)槽13沒有在自動(dòng)臂15的作用下合攏，下部?jī)?nèi)槽11的兩側(cè)壁和未合攏的上部?jī)?nèi)槽的兩側(cè)壁皆是垂直的。用晶片夾具(未示出)把要清洗的晶片“W”送入上部和下部?jī)?nèi)槽13和11內(nèi)。
然后，如圖4A和4B所示，在置于上部?jī)?nèi)槽13之上的自動(dòng)臂15向上部和下部?jī)?nèi)槽13和11內(nèi)移動(dòng)時(shí)，第一鉸接部件12和第二鉸接部件14變彎，上部?jī)?nèi)槽13向內(nèi)合攏。此時(shí)，上部?jī)?nèi)槽13的相鄰頂角彼此接觸。結(jié)果，把清洗空間限定在上部?jī)?nèi)槽13和晶片“W”的上部之間的空間內(nèi)，所形成的兩者間的間隙大于1mm。在此狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)泵18，便通過供給管10a給上部和下部?jī)?nèi)13和11提供清洗液，以便清洗其中的晶片“W”。
連續(xù)提供清洗液時(shí)，清洗液沿晶片“W”的外圓周表面及合攏的內(nèi)槽13溢流，隨后溢流到上部?jī)?nèi)槽13的上邊緣之外，并通過排放管10b排放出來。另外，在泵18的作用下，排放的清洗液沿上述液流通道循環(huán)。在循環(huán)預(yù)定次數(shù)后，被污染的清洗液被排放到系統(tǒng)外。
此外，在完成晶片清洗工藝時(shí)，在進(jìn)行了預(yù)定次數(shù)的清洗工藝后，如圖3A所示，自動(dòng)臂15向外反向運(yùn)動(dòng)，上部?jī)?nèi)槽13的兩側(cè)壁和下部?jī)?nèi)槽11和兩側(cè)壁又變成垂直的，然后，用晶片夾具將晶片取出，為下一步工藝備用。
圖5是展示按照本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片清洗裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖。
如圖所示，在下部?jī)?nèi)槽20的上部設(shè)置固定壁21，與第一鉸接部件12一起在固定壁21之間設(shè)置可傾斜壁23。在可傾斜壁23上部設(shè)置自動(dòng)臂25，該自動(dòng)臂25可與第二鉸接部件一起運(yùn)動(dòng)。即，利用自動(dòng)臂25與上述部件，可以使可傾斜壁向內(nèi)合攏，從而減小清洗空間，所以可以減少清洗液用量。
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗裝置把內(nèi)槽分成了上下兩部分，這樣便形成了可調(diào)內(nèi)槽，所以，可以在清洗晶片時(shí)，合攏內(nèi)槽的上部，可以減小清洗空間，從而，可以減少清洗液的用量，增強(qiáng)清洗效果。
盡管為了說明公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是，顯然在不脫離所附權(quán)利要求書所述的本發(fā)明的范圍和精神實(shí)質(zhì)的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以作出各種改型、附加和替換。
權(quán)利要求
1一種半導(dǎo)體晶片清洗裝置，包括具有提供清洗液的供給管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽內(nèi)的下部?jī)?nèi)槽；置于下部?jī)?nèi)槽之上的上部?jī)?nèi)槽，上部?jī)?nèi)槽在第一鉸接部件的配合下可調(diào)；與一個(gè)第二部件一起配置的驅(qū)動(dòng)部件，用于關(guān)開所述上部?jī)?nèi)槽；控制驅(qū)動(dòng)部件的控制部件；分送通過供給管供給的清洗液的擋板；以及給供給管配置的泵，用于給內(nèi)槽提供清洗液。
2根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，在清洗工藝過程中，上部?jī)?nèi)槽的內(nèi)圓周表面與晶片相隔1mm以上。
3根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，所述上部?jī)?nèi)槽有四面壁，每面壁皆是平行四邊形。
4根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其特征在于，所述上部?jī)?nèi)槽有四面壁，每面壁皆是平行四邊形。
全文摘要
一種改進(jìn)的半導(dǎo)體晶片清洗裝置，其內(nèi)槽分成上下兩部分形成可調(diào)內(nèi)槽，可在清洗晶片時(shí)合攏內(nèi)槽上部，以減小清洗空間和清洗液用量，增強(qiáng)清洗效果。該裝置包括具有清洗液供給管和排放管的外槽；置于外槽內(nèi)的下部?jī)?nèi)槽，置于下部?jī)?nèi)槽上的上部?jī)?nèi)槽，上部?jī)?nèi)槽在第一鉸接部件的配合下可調(diào)；與第二部件一起配置的驅(qū)動(dòng)部件，用于關(guān)開上部?jī)?nèi)槽；控制驅(qū)動(dòng)部件的控制部件；配送清洗液的擋板；以及為供給管配置的向內(nèi)槽提供清洗液的泵。
文檔編號(hào)B08B3/04GK1164124SQ96114250
公開日1997年11月5日 申請(qǐng)日期1996年12月19日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月19日
發(fā)明者韓石彬 申請(qǐng)人:Lg半導(dǎo)體株式會(huì)社