液體的電加熱容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液體的電加熱容器，包括：容器本體，所述容器本體用于盛裝液體，且所述容器本體為用于與地線相連接的導(dǎo)電體；和水垢處理裝置，所述水垢處理裝置包括電源、可導(dǎo)電的水垢吸附體，所述電源的正極與所述容器本體相連接、負(fù)極與所述水垢吸附體相連接，且所述水垢吸附體部分或全部位于所述液體內(nèi)；其中，所述電源的電壓V電與所述電加熱容器的加熱功率P的比值V電/P大于等于2×10-4V/W且小于等于22V/W。本發(fā)明提供的液體的電加熱容器通過合理設(shè)置所述電源的電壓V電與所述電加熱容器的加熱功率P之間的比值關(guān)系，可使水垢處理裝置在不添加任何輔助裝置的情況下，最大程度的吸附液體在加熱過程中所產(chǎn)生的水垢，提高去除水垢的效果。
【專利說明】液體的電加熱容器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種家用電器，具體而言，本發(fā)明涉及一種具有除水垢裝置的液體的電加熱容器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在人們?nèi)粘Ｉ钪校ǔＳ秒姛崴畨匮b自來水燒開后飲用，此種做法存在以下幾個問題:
[0003]1、自來水中存在大量的鈣離子、鎂離子，在給水加熱過程中，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成大量碳酸鈣和氫氧化鎂等水垢，部分水垢會隨燒開的水被人飲用；
[0004]2、產(chǎn)生的水垢易凝結(jié)于壺底部，影響水壺的熱效率，且用戶需經(jīng)常清洗壺底內(nèi)水垢。
[0005]針對以上問題，目前采用在電熱水壺內(nèi)增加正電極棒和負(fù)電極棒，當(dāng)正電極棒和負(fù)電極棒通電時，水垢中的鈣離子和鎂離子被吸附到負(fù)電極棒上，這樣會在負(fù)電極棒上形成水垢，減少了形成于水壺中的水垢，但是，電熱水壺的各個參數(shù)之間的關(guān)系設(shè)置不合理，不能有效地去除水垢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述技術(shù)問題至少之一，本發(fā)明提供了一種液體的電加熱容器，包括:容器本體，所述容器本體用于盛裝液體，且所述容器本體為用于與地線相連接的導(dǎo)電體；和水垢處理裝置，所述水垢處理裝置包括電源、可導(dǎo)電的水垢吸附體，所述電源的正極與所述容器本體相連接、負(fù)極與所述水垢吸附體相連接，且所述水垢吸附體部分或全部位于所述液體內(nèi)；其中，所述電源的電壓V%與所述電加熱容器的加熱功率P的比值V%/P大于等于2X 1(T4V/W且小于等于22V/W。
[0007]本發(fā)明提供的液體的電加熱容器通過合理設(shè)置所述電源的電壓V4與所述電加熱容器的加熱功率P之間的比值關(guān)系，可以使水垢處理裝置在不添加任何輔助裝置的情況下，最大程度的吸附液體在加熱過程中所產(chǎn)生的水垢，提高了去除水垢的效果。
[0008]另外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的液體的電加熱容器還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0009]根據(jù)本發(fā)明提供的一個實(shí)施例，所述電源的電壓V4與所述電加熱容器的加熱功率P的比值V電/P大于等于(5/22)父10、/1且小于等于4.5父10、/1。由此可以進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0010]根據(jù)本發(fā)明提供的一個實(shí)施例，所述電源的電壓V4與液體的硬度d的比值v4/d大于等于l(T4V/ppm且小于等于220V/ppm ;優(yōu)選地,所述電源的電壓V %與液體的硬度d的比值V電/d大于等于8 X 10_4V/ppm且小于等于0.6V/ppm。由此可以進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0011]根據(jù)本發(fā)明提供的一個實(shí)施例，所述電源的電壓V %與液體的溫度T的比值V 4/τ大于等于10_2v/°c且小于等于220V/°C;優(yōu)選地，所述電源的電壓V4與液體的溫度T的比值V電/T大于等于5X 10_2V/°C且小于等于0.45V/°C。由此可以進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0012]根據(jù)本發(fā)明提供的一個實(shí)施例，所述水垢吸附體表面積S與所述電源的電壓乂4的比值一八帛大于等于l/220mm2/V且小于等于9X104mm2/V ;優(yōu)選地，所述水垢吸附體表面積S與所述電源的電壓V4的比值3八4大于等于9/25mm2/V且小于等于2 X 103mm2/V。由此可以進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0013]根據(jù)本發(fā)明提供的一個實(shí)施例，所述電源的電壓V4與所述容器本體的額定容積V容的比值V 4 /V #大于等于0.2V/L且小于等于9 X 104v/L ;優(yōu)選地，所述電源的電壓V 4與所述容器本體的額定容積的比值￥%八#大于等于10/3V/L且小于等于36V/L。由此可以進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0015]圖1是本發(fā)明所述的液體的電加熱容器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]其中，圖1中附圖標(biāo)記與部件名稱之間的對應(yīng)關(guān)系為:
[0017]I容器本體，2水垢吸附體，3電源。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0019]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0020]下面參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例所述液體的電加熱容器。
[0021]如圖1所示，液體的電加熱容器包括:容器本體1、電源3和可導(dǎo)電的水垢吸附體2 ;容器本體I用于盛裝液體，且容器本體I為用于與地線相連接的導(dǎo)電體，電源3的正極與容器本體I相連接、負(fù)極與水垢吸附體2相連接，且水垢吸附體2部分或全部位于液體內(nèi)；其中，電源3的電壓V%與電加熱容器的加熱功率P的比值V%/P大于等于2 X 10_4V/W且小于等于22V/W ;優(yōu)選地，電源3的電壓V4與電加熱容器的加熱功率P的比值V%/P大于等于(5/22) X 10、/W 且小于等于 4.5X 10、/W。
[0022]在本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，電源3的電壓V4與電加熱容器的加熱功率P的比值 V 電/P 為 4.5X1(T2V/W。
[0023]電源3的電壓V%不變時，電加熱容器的加熱功率P越大，吸附水垢的越多，除水垢效果越好，即加熱功率P越大液體中鈣離子和鎂離子越活躍，聚集在水垢吸附體2上的鈣離子和鎂離子越多，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢越多；當(dāng)電加熱容器的加熱功率P不變時，電源3的電壓V4越大，吸附的水垢越多，除水垢效果越好，即電壓越大，水垢吸附體2上的電子越多，聚集在水垢吸附體2上的鈣離子和鎂離子越多，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢越多；本發(fā)明提供的液體的電加熱容器，水垢處理裝置電源3的電壓卩％與電加熱容器的加熱功率P的比例合理，使水垢吸附體2能夠最大程度的吸附液體在被加熱過程中產(chǎn)生的水垢。
[0024]在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，電源3的電壓V %與液體的硬度d的比值V電/d大于等于l(T4V/ppm且小于等于220V/ppm ;優(yōu)選地，電源3的電壓V %與液體的硬度d的比值Vti/d大于等于8 X 10-4V/ppm且小于等于0.6V/ppm。
[0025]在本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，電源3的電壓V %與液體的硬度d的比值V %/d為
0.6V/ppm。
[0026]不同硬度的液體產(chǎn)生水垢的量也不相同，硬度越高單位液體體積中鈣離子和鎂離子的含量越高，本發(fā)明提供的液體的電加熱容器中的水垢處理裝置可根據(jù)液體的不同硬度設(shè)置水垢吸附體2的電源3的電壓V 4，使水垢吸附體2能夠最大程度的吸附液體在被加熱過程中產(chǎn)生的水垢，提高除水垢效果。
[0027]根據(jù)上述實(shí)施例可知，電源3的電壓V4、電加熱容器的加熱功率P和液體的硬度d之間存在比值關(guān)系，優(yōu)選地，V4:P:d=36:2200:4000,由此可進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0028]在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，電源3的電壓V4與液體的溫度T的比值V%/T大于等于10_2V/°C且小于等 于220V/°C;優(yōu)選地，電源3的電壓V4與液體的溫度T的比值V%/T大于等于5 X KT2V/°C且小于等于0.45V/°C。
[0029]在本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，電源3的電壓V4與液體的溫度T的比值V%/T為
0.45V/。。。
[0030]不同地區(qū)的液體中鈣離子和鎂離子的含量均不相同，從而導(dǎo)致液體產(chǎn)生水垢的溫度不相同，本發(fā)明提供的液體的電加熱容器中的水垢處理裝置可根據(jù)液體容器內(nèi)液體被加熱到不同的溫度而設(shè)置水垢吸附體2的電源3的電壓V電，使水垢吸附體2在不同溫度下能夠最大程度的吸附液體在被加熱過程中產(chǎn)生的水垢，提高除水垢效果。
[0031]根據(jù)上述實(shí)施例可知，電源3的電壓V %、電加熱容器的加熱功率P、液體的硬度d和液體的溫度T之間存在比值關(guān)系，優(yōu)選地，V%:P:d: T=36:2200:4000:100,由此可進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0032]在本發(fā)明一個實(shí)施例中，水垢吸附體2的表面積S與電源3的電壓V4的比值S/V電大于等于l/220mm2/V且小于等于9X 104mm2/V ;優(yōu)選地，水垢吸附體2的表面積S與電源3的電壓V電的比值S/V電大于等于9/25mm2/V且小于等于2 X 103mm2/V。
[0033]在本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，水垢吸附體2的表面積S與電源3的電壓V4的比值 S/ν 電為 9/25mm2/V。
[0034]水垢吸附體2的表面積S不變時，電源3的電壓V %值越大，水垢吸附體2吸附的水垢越多，除水垢效果越好，即電壓越大，水垢吸附體2上的電子越多，聚集在水垢吸附體2上的鈣離子和鎂離子越多，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢越多；當(dāng)電源3的電壓V4不變時，水垢吸附體2的表面積S越大，吸附的水垢越多，除水垢效果越好，即水垢吸附體2的表面積越大，聚集在水垢吸附體2上的鈣離子和鎂離子越多，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢越多。[0035]根據(jù)上述實(shí)施例可知，水垢吸附體2的表面積S、電源3的電壓、電加熱容器的加熱功率P、液體的硬度d和液體的溫度T之間存在比值關(guān)系，優(yōu)選地，S: V電:P:d:T=IO4:36:2200:4000:100,由此可進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0036]在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所述電源的電壓V4與所述容器本體的額定容積V#的比值大于等于0.2V/L且小于等于9Χ 104V/L ;優(yōu)選地，所述電源的電壓V %與所述容器本體的額定容積V #的比值V%/V#大于等于10/3V/L且小于等于36V/L。
[0037]在本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，電源3的電壓V 4與容器本體I的額定容積V #的比值V電/V容為36V/L。
[0038]電源3的電壓V4不變時，容器本體I的額定容積V#越小，除水垢效果越好，即液體的體積越小，液體中的鈣離子和鎂離子數(shù)量越少，水垢吸附體2吸附鈣離子和鎂離子的數(shù)量占液體中鈣離子和鎂離子總數(shù)量的百分比越大，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢相對較多；當(dāng)容器本體I的額定容積V#不變時，電源3的電壓V4越大，吸附的水垢越多，除水垢效果越好，即電壓越大，水垢吸附體2上的電子越多，聚集在水垢吸附體2上的鈣離子和鎂離子越多，從而水垢吸附體2上產(chǎn)生的水垢越多。
[0039]根據(jù)上述實(shí)施例可知，水垢吸附體2的表面積S、容器本體I的額定容積V#、電源3的電壓V電、電加熱容器的加熱功率P、液體的硬度d和液體的溫度T之間存在比值關(guān)系，優(yōu)選地，S:V%:V#:P:d:T=104:36:l.5:2200:4000:100,由此可進(jìn)一步提高水垢處理裝置的除水垢效果。
[0040]本申請上述的水垢吸附體2的表面積S，在水垢吸附體2全部置于液體中時，是指整個水垢吸附體2的表面積；在水垢吸附體2部分置于液體中時，是指置于液體中的水垢吸附體2的表面積，而不是整個水垢吸附體2的表面積。
[0041]本申請中，所述水垢吸附體表面積S的單位為平方毫米(mm2)、電源的電壓V4的單位為伏特(V)、容器本體的額定容積V#的單位為升(L)、電加熱容器的加熱功率P的單位為瓦特(W)、液體的硬度d的單位為ppm( Ippm代表液體中碳酸I丐含量為I毫克/升(mg/L))、液體的溫度T的單位為攝氏度(°C)。
[0042]在本說明書的描述中，術(shù)語“一個實(shí)施例” “一些實(shí)施例” “具體實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或?qū)嵗?。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0043]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種液體的電加熱容器,其特征在于,包括:容器本體，所述容器本體用于盛裝液體，且所述容器本體為用于與地線相連接的導(dǎo)電體；和水垢處理裝置，所述水垢處理裝置包括所述電源、可導(dǎo)電的水垢吸附體，所述電源的正極與所述容器本體相連接、負(fù)極與所述水垢吸附體相連接，且所述水垢吸附體部分或全部位于液體內(nèi)；其中，所述電源的電壓￥%與所述電加熱容器的加熱功率P的比值V%/P大于等于2X 1(T4V/W且小于等于22V/W。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與所述電加熱容器的加熱功率P的比值/P大于等于(5/22) X 10_2V/W且小于等于4.5X 10_2V/I
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與液體的硬度d的比值V^/d大于等于l(T4V/ppm且小于等于220V/ppm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與液體的硬度d的比值V電/d大于等于8X 10_4V/ppm且小于等于0.6V/ppm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與液體的溫度T的比值V4/T大于等 于10_2V/°C且小于等于220V/°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與液體的溫度T的比值V 4 /T大于等于5 X 10_2V/°C且小于等于0.45V/°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述水垢吸附體表面積S與所述電源的電壓V4的比值3八％大于等于l/220mm2/V且小于等于9 X 104mm2/V。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述水垢吸附體表面積S與所述電源的電壓V4的比值3八％大于等于9/25mm2/V且小于等于2 X 103mm2/V。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與所述容器本體的額定容積V容的比值V電/V容大于等于0.2V/L且小于等于9X 104V/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液體的電加熱容器，其特征在于，所述電源的電壓V4與所述容器本體的額定容積V #的比值V%/V#大于等于10/3V/L且小于等于36V/L。
【文檔編號】A47J27/21GK103598817SQ201310629263
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】陳煒杰, 朱國軍, 黃桂團(tuán), 尹坤任, 郭遠(yuǎn)久, 唐燕, 俞曉明 申請人:美的集團(tuán)股份有限公司, 廣東美的生活電器制造有限公司