專(zhuān)利名稱(chēng)：防污染裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體晶片工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種防污染裝置。
背景技術(shù)：
隨著晶片的尺寸越來(lái)越大，特征尺寸越來(lái)越小，所要求的晶片表面的潔凈度越來(lái)越苛刻。在晶片清洗過(guò)程中，化學(xué)試劑及清洗產(chǎn)物易沿晶片邊緣進(jìn)入晶片背面，使晶片背面及邊緣造成污染，如果不能及時(shí)去除這種污染，會(huì)使晶片背面和邊緣造成缺陷，尤其在后續(xù)的高溫處理工藝加工過(guò)程中，會(huì)使背面及邊緣的污染物擴(kuò)散到正面，嚴(yán)重影響晶片的質(zhì)量，而現(xiàn)有技術(shù)中，并沒(méi)有能夠有效防止晶片背面及邊緣污染的裝置， 使得晶片的質(zhì)量無(wú)法進(jìn)一步提聞。
實(shí)用新型內(nèi)容(一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何防止清洗液及清洗產(chǎn)物沿晶片邊緣進(jìn)入晶片背面，從而防止晶片背面和邊緣形成缺陷。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種防污染裝置，包括吹掃單元、供氣管道和氣體供應(yīng)單元，在所述吹掃單元內(nèi)設(shè)有通氣管，所述吹掃單元的上端設(shè)有若干第一氣孔，所述若干第一氣孔分別與所述通氣管連通，所述供氣管道的一端與所述通氣管連通，所述供氣管道的另一端與所述氣體供應(yīng)單元連通。優(yōu)選地，所述吹掃單元為中空的圓臺(tái)形、且上底面的直徑小于下底面的直徑，所述通氣管繞所述吹掃單元的圓周方向一周設(shè)置，所述吹掃單元上端的外側(cè)壁與內(nèi)側(cè)壁之間的夾角為銳角。優(yōu)選地，所述吹掃單元的上端為圓環(huán)形，所述圓環(huán)形的外圓與所述吹掃單元的外側(cè)壁連接，所述圓環(huán)形的內(nèi)圓與所述吹掃單元的內(nèi)側(cè)壁連接，所述若干第一氣孔設(shè)于所述吹掃單元的上端。優(yōu)選地，所述若干第一氣孔為豎直向上設(shè)置、或按被吹掃對(duì)象沿圓周旋轉(zhuǎn)的切線方向與豎直向上方向之間呈預(yù)設(shè)角度傾斜設(shè)置。優(yōu)選地,所述供氣管道包括自氣體供應(yīng)單元向吹掃單元方向依次連通的中空管、連接管和連接通道，所述連接通道與所述吹掃單元的通氣管連通。優(yōu)選地，所述連接通道沿所述吹掃單元的直徑設(shè)置，所述連接通道的外表面為柱體，且橫截面為梯形，所述連接通道橫截面的上底長(zhǎng)度小于下底長(zhǎng)度、且兩腰之間呈鈍角的夾角。優(yōu)選地，所述連接通道的上端設(shè)有若干第二氣孔，所述若干第二氣孔分別與所述通氣管連通。優(yōu)選地，所述裝置應(yīng)用于單晶片清洗設(shè)備中。(三)有益效果本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置吹掃單元，實(shí)現(xiàn)了防止清洗液及清洗產(chǎn)物沿晶片邊緣進(jìn)入晶片背面，從而防止晶片背面和邊緣形成缺陷。

圖I是按照本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的防污染裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I所示的防污染裝置的俯視圖；圖3是圖2所示的防污染裝置的局部放大圖；圖4是圖I所示的防污染裝置的仰視具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。圖I是按照本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的防污染裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括吹掃單元I、供氣管道和氣體供應(yīng)單元，在所述吹掃單元I內(nèi)設(shè)有通氣管2，所述吹掃單元I的上端設(shè)有若干第一氣孔3，所述若干第一氣孔3分別與所述通氣管2連通，所述通氣管2與所述供氣管道的一端連通，所述供氣管道的另一端與所述氣體供應(yīng)單元連通。優(yōu)選地，所述吹掃單元I為中空的圓臺(tái)形、且上底面的直徑小于下底面的直徑，所述通氣管繞所述吹掃單元I的圓周方向一周設(shè)置，所述吹掃單元I上端的外側(cè)壁與內(nèi)側(cè)壁之間的夾角為銳角。為方便所述若干第一氣孔3的設(shè)置，優(yōu)選地，所述吹掃單元的上端為圓環(huán)形，所述圓環(huán)形的外圓與所述吹掃單元的外側(cè)壁連接，所述圓環(huán)形的內(nèi)圓與所述吹掃單元的內(nèi)側(cè)壁連接，所述若干第一氣孔設(shè)于所述吹掃單元的上端。優(yōu)選地，所述若干第一氣孔3為豎直向上設(shè)置、或被吹掃對(duì)象沿圓周旋轉(zhuǎn)的切線方向與豎直向上方向之間呈預(yù)設(shè)角度傾斜設(shè)置。優(yōu)選地,所述供氣管道包括自氣體供應(yīng)單元向吹掃單元方向依次連通的中空管4、連接管5和連接通道6，所述連接通道6與所述吹掃單元I的通氣管2連通。參照?qǐng)DI 4，優(yōu)選地，所述連接通道6沿所述吹掃單元I的直徑設(shè)置，所述連接通道6的外表面7為柱體，且橫截面為梯形，所述連接通道6橫截面的上底長(zhǎng)度大于下底長(zhǎng)度、且兩腰之間呈鈍角的夾角，所述連接通道6的外表面7的下端與所述中空管4連通，所述連接通道6通過(guò)安裝孔8與所述中空管4連接。優(yōu)選地，所述連接通道6的上端設(shè)有若干第二氣孔9，所述若干第二氣孔9分別與所述通氣管2連通，所述若干第一氣孔和若干第二氣孔的形狀可以為圓形、扇形、三角形的其中的一種或幾種，但不限于這幾種 形狀。優(yōu)選地，所述氣體供應(yīng)單元所供應(yīng)的氣體包括惰性氣體，例如氬氣、氮?dú)獾?。為加快去除晶片上的化學(xué)試劑及清洗產(chǎn)物產(chǎn)生的濕痕，優(yōu)選地，所述氣體供應(yīng)單元所供應(yīng)的氣體還包括易揮發(fā)氣體，所述易揮發(fā)氣體為能夠與水混溶、且易揮發(fā)的氣體，該氣體由醇類(lèi)、酮類(lèi)及其一種或幾種的混合溶劑加熱后產(chǎn)生，該混合溶劑在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下的沸點(diǎn)為70 85°C之間。優(yōu)選地，所述裝置應(yīng)用于單晶片清洗設(shè)備中，本實(shí)施方式中，所述單晶片清洗設(shè)備包括中空的旋轉(zhuǎn)軸10、與所述旋轉(zhuǎn)軸10相連的旋轉(zhuǎn)主體11、設(shè)于所述旋轉(zhuǎn)主體上的晶片支架12、噴嘴和阻 擋側(cè)壁，所述中空管4設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸10的中心，在所述旋轉(zhuǎn)軸10旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述中空管4不隨所述旋轉(zhuǎn)軸10旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施方式的防污染裝置的工作原理為將晶片放置于晶片支架12上，所述旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)主體旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)主體通過(guò)晶片支架帶動(dòng)晶片在大于Orpm、且小于2000rpm的轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，晶片的上表面在被單晶片清洗設(shè)備中的噴嘴所噴射的化學(xué)試劑進(jìn)行清洗，由于晶片在旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，使晶片上表面的化學(xué)試劑及清洗產(chǎn)物沿晶片切線方向運(yùn)動(dòng)，但液體本身的重力導(dǎo)致部分液滴會(huì)沿晶片邊緣流下，吹掃單元上的若干第一氣孔不斷吹掃晶片邊緣，克服液滴的重力，使得液滴沿晶片切線方向脫離晶片；當(dāng)晶片上表面的化學(xué)試劑及清洗產(chǎn)物較多或晶片的轉(zhuǎn)速不夠，導(dǎo)致有部分液滴沿晶片邊緣向下滴落，優(yōu)選地，所述吹掃單元上端的外側(cè)壁與內(nèi)側(cè)壁之間的夾角為銳角，可防止滴落的液滴對(duì)第一氣孔的影響，還可防止清洗過(guò)程中離心運(yùn)動(dòng)甩出的液滴打在阻擋側(cè)壁上后，反濺到晶片背面，另外，由于吹掃單元上的若干第一氣孔不斷吹出氣體，形成了“氣墻”，對(duì)反濺的液滴起到了阻擋作用；為克服液滴的重力，優(yōu)選地，所述若干第一氣孔可以為豎直向上設(shè)置，另外，為了加強(qiáng)液滴沿晶片切線方向的力，所述若干第一氣孔為按被吹掃對(duì)象沿圓周旋轉(zhuǎn)的切線方向與豎直向上方向之間呈預(yù)設(shè)角度傾斜設(shè)置；當(dāng)晶片上表面的化學(xué)試劑及清洗產(chǎn)物較多或晶片的轉(zhuǎn)速不夠，導(dǎo)致有部分液滴沿晶片背面向下滴落，為防止滴落的液滴打到連接通道的上表面后，反濺至晶片背面，優(yōu)選地，所述連接通道沿所述吹掃單元的直徑設(shè)置，所述連接通道的外表面為柱體，且橫截面為梯形，所述連接通道橫截面的上底長(zhǎng)度小于下底長(zhǎng)度、且兩腰之間呈鈍角的夾角；當(dāng)晶片的背面有液滴流過(guò)后，為迅速將該濕痕去除，優(yōu)選地，所述連接通道的上端設(shè)有若干第二氣孔，所述若干第二氣孔分別與所述通氣管連通。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.ー種防污染裝置，其特征在于，包括吹掃單元、供氣管道和氣體供應(yīng)單元，在所述吹掃單元內(nèi)設(shè)有通氣管，所述吹掃単元的上端設(shè)有若干第一氣孔，所述若干第一氣孔分別與所述通氣管連通，所述供氣管道的一端與所述通氣管連通，所述供氣管道的另一端與所述氣體供應(yīng)單元連通。
2.如權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述吹掃單元為中空的圓臺(tái)形、且上底面的直徑小于下底面的直徑，所述通氣管繞所述吹掃單元的圓周方向一周設(shè)置，所述吹掃単元上端的外側(cè)壁與內(nèi)側(cè)壁之間的夾角為銳角。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述吹掃単元的上端為圓環(huán)形。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述若干第一氣孔為豎直向上設(shè)置、或按被吹掃對(duì)象沿圓周旋轉(zhuǎn)的切線方向與豎直向上方向之間呈預(yù)設(shè)角度傾斜設(shè)置。
5.如權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述供氣管道包括自氣體供應(yīng)單元向吹掃単元方向依次連通的中空管、連接管和連接通道，所述連接通道與所述吹掃単元的通氣管連通。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述連接通道沿所述吹掃単元的直徑設(shè)置，所述連接通道的外表面為柱體，且橫截面為梯形，所述連接通道橫截面的上底長(zhǎng)度小于下底長(zhǎng)度、且兩腰之間呈鈍角的夾角。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述連接通道的上端設(shè)有若干第二氣孔，所述若干第二氣孔分別與所述通氣管連通。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種防污染裝置，涉及半導(dǎo)體晶片工藝技術(shù)領(lǐng)域，包括吹掃單元、供氣管道和氣體供應(yīng)單元，在所述吹掃單元內(nèi)設(shè)有通氣管，所述吹掃單元的上端設(shè)有若干第一氣孔，所述若干第一氣孔分別與所述通氣管連通，所述供氣管道的一端與所述通氣管連通，所述供氣管道的另一端與所述氣體供應(yīng)單元連通。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置吹掃單元，實(shí)現(xiàn)了防止清洗液及清洗產(chǎn)物沿晶片邊緣進(jìn)入晶片背面，從而防止晶片背面和邊緣形成缺陷。
文檔編號(hào)B08B3/00GK202366896SQ201120361230
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者劉效巖 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司