專利名稱：一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制絨方法，特別涉及一種適用于太陽(yáng)能電池單晶硅片預(yù)清洗及制絨領(lǐng)域的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有單晶硅太陽(yáng)能電池硅片預(yù)清洗和堿法制絨工藝對(duì)硅片表面一般的有機(jī)物和無(wú)機(jī)雜質(zhì)的去除及后續(xù)制絨能夠達(dá)到較好的絨面效果，但要在不增加其他步驟的條件下，通過(guò)一種簡(jiǎn)單的方法去除硅片表面的指紋印和重油污并得到理想的絨面和硅片表觀一直是一個(gè)尚待解決的難題。
因此，特別需要一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，已解決上述現(xiàn)有存在的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，使被指紋印及重油污污染過(guò)的單晶硅片得到較好的絨面和表觀，工藝簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步驟:
(a)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；
(b)將硅片放入注入有制絨液的制絨槽中進(jìn)行制絨；
在上述至少一個(gè)步驟中加入活性酶。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述活性酶為脂肪酶、酯酶或角質(zhì)酶中一種或幾種的組合。
進(jìn)一步，所述活性酶的使用濃度為0.05%。Wt-10%。wt。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在上述步驟(a)中，在雙氧水堿清洗或粗拋中添加活性酶進(jìn)行清洗。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在上述步驟(a)中，直接添加活性酶進(jìn)行清洗。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇、制絨添加劑和活性酶依次添加制成。
在本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)施例中，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇和制絨添加劑依次添加制成，制絨添加劑中添加有活性酶。
本發(fā)明的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠達(dá)到顯著去除硅片表面指紋印和重油污的效果，制絨后絨面更加均勻，外觀更好，有效減少了色斑的發(fā)生及由此帶來(lái)的成品降級(jí)的問(wèn)題，利于硅片后道工序的操作，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
本發(fā)明的特點(diǎn)可參閱以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明而獲得清楚地了解。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
本發(fā)明的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，它包括如下步驟:
(a)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；
(b)將硅片放入注入有制絨液的制絨槽中進(jìn)行制絨；
在上述至少一個(gè)步驟中加入活性酶。
在本發(fā)明中，所述活性酶為脂肪酶、酯酶或角質(zhì)酶中一種或幾種的組合；所述活性酶的使用濃度為0.05%。wt-10%。wt。
活性酶可以是從市場(chǎng)上購(gòu)置，也可以是從各種微生物、動(dòng)物、植物中自行提取分離制備，在堿洗和堿法制絨中以耐堿耐高溫的活性酶效果更好。
在本發(fā)明中，在上述步驟(a)中，在雙氧水堿清洗或粗拋中添加活性酶進(jìn)行清洗。
在本發(fā)明中，在上述步驟(a)中，直接添加活性酶進(jìn)行清洗。
在本發(fā)明中，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇、制絨添加劑和活性酶依次添加制成。
在本發(fā)明中，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇和制絨添加劑依次添加制成，制絨添加劑中添加有活性酶。
實(shí)施例1
稱取0.5g的脂肪酶(酶活力≥3000.0U/g)，溶于IL去離子水中，加入氫氧化鈉8g,室溫下清洗2分鐘。在去離子水中漂洗。之后放入溶解有1.3% (wt)氫氧化鈉、3%異丙醇、0.2%制絨輔助劑、1%。的脂肪酶的制絨液中，溫度控制在80°C，制絨20分鐘。
實(shí)施例2
稱取0.5g的脂肪酶(酶活力≥3000.0U/g)，溶于IL去離子水中，加入氫氧化鈉8g,室溫下清洗2分鐘。在去離子水中漂洗。之后放入溶解有1.3% (wt)氫氧化鈉、3%異丙醇、0.2%制絨輔助劑、0.05%。的脂肪酶的制絨液中，溫度控制在80°C，制絨20分鐘。
實(shí)施例3
稱取0.5g的脂肪酶(酶活力≥3000.0U/g)，溶于IL去離子水中，加入氫氧化鈉8g,室溫下清洗2分鐘。在去離子水中漂洗。之后放入溶解有1.3% (wt)氫氧化鈉、3%異丙醇、0.2%制絨輔助劑、10%。的脂肪酶的制絨液中，溫度控制在80°C，制絨20分鐘。
本發(fā)明的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，加酶清洗和制絨后硅片絨面更均勻，有利于降低硅片的反射率和后道工序的操作，從而提高受指紋印和重油污污染過(guò)的硅片效率。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)，本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步驟: (a)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理； (b)將硅片放入注入有制絨液的制絨槽中進(jìn)行制絨； 在上述至少一個(gè)步驟中加入活性酶。
2.如權(quán)利要求1所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶為脂肪酶、酯酶或角質(zhì)酶中一種或幾種的組合。
3.如權(quán)利要求2所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶的使用濃度為0.05%。wt-10% wt。
4.如權(quán)利要求1所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，在上述步驟(a)中，在雙氧水堿清洗或粗拋中添加活性酶進(jìn)行清洗。
5.如權(quán)利要求1所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，在上述步驟(a)中，直接添加活性酶進(jìn)行清洗。
6.如權(quán)利要求1所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇、制絨添加劑和活性酶依次添加制成。
7.如權(quán)利要求1所述的去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，其特征在于，在上述步驟(b)中，所述制絨液由氫氧化鈉、異丙醇和制絨添加劑依次添加制成，制絨添加劑中添加有活性酶。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于公開(kāi)一種去除單晶硅片指紋印及重油污的方法，它包括如下步驟(a)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；(b)將硅片放入注入有制絨液的制絨槽中進(jìn)行制絨；在上述至少一個(gè)步驟中加入活性酶；與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠達(dá)到顯著去除硅片表面指紋印和重油污的效果，制絨后絨面更加均勻，外觀更好，有效減少了色斑的發(fā)生及由此帶來(lái)的成品降級(jí)的問(wèn)題，利于硅片后道工序的操作，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
文檔編號(hào)B08B3/08GK103184524SQ20111045953
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者葉俊, 馬超 申請(qǐng)人:上海晶太光伏科技有限公司