專利名稱：石英晶片的清洗方法及清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種石英晶體振蕩器的加工設(shè)備，具體地說是一種清洗裝置，特別是涉及一種石英晶片的清洗方法及清洗裝置。
背景技術(shù)：
在石英晶體振蕩器制造行業(yè)中，對石英晶片清洗的潔凈程度要求非常嚴(yán)格，因?yàn)槭⒕逑吹臐崈舫潭戎苯佑绊懯⒕w振蕩器制造的產(chǎn)品質(zhì)量?，F(xiàn)有石英晶片的清洗裝置，一般是采用多個(gè)超聲波清洗槽對石英晶片逐個(gè)完成手動超聲波初洗和清洗2 9次， 清洗完后，將網(wǎng)籠里的的石英晶片取出，放入烘箱中烘干2小時(shí)。整個(gè)清洗過程的自動化程度不高，清洗時(shí)間較長，常常會因?yàn)槿藶橐蛩氐挠绊懚鴮?dǎo)致清洗后的石英晶片潔凈度不高。 同時(shí)，由于石英晶片需在高純水中清洗2 9次，每一次清洗完成后，石英晶片均無脫水甩干過程，使得上次清洗的殘留液體有少部分混入下次清洗過程中，影響石英晶片的清洗效^ ο專利號為201020180557. 5，申請日為2010年04月30日，公開號為CN201644439U 的專利公開了一種半自動晶片后洗裝置，該裝置包括初洗槽、噴淋槽、凈洗槽、甩干槽和脫水槽多個(gè)槽位，工作時(shí)，晶片通過初洗槽進(jìn)行初洗，初洗完成后，將晶片取出放入噴淋槽內(nèi)， 對其進(jìn)行噴淋，噴淋完成后，又需要將晶片取出放入凈洗槽內(nèi)，每完成一道工序，都需要將上一槽位的晶片取出移到下一槽位中，增加了工人的勞動強(qiáng)度，在轉(zhuǎn)移晶片時(shí)，容易因?yàn)槿藶橐蛩氐挠绊懚鴮?dǎo)致清洗后的石英晶片潔凈度不高；且該裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高，占地面積較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種提高清洗效率的石英晶片的清洗方法及清洗裝置。本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)其發(fā)明目的的，一種石英晶片的清洗方法，它包括對石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干，使石英晶片達(dá)到工藝要求的潔凈程度，所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是將石英晶片放入清洗裝置的清洗桶中，由PLC控制裝置控制，石英晶片無需取出，在同一清洗桶內(nèi)用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。本發(fā)明為提高清洗效果，清洗時(shí)，每次清洗后都由PLC控制裝置控制對石英晶片進(jìn)行脫水甩干，脫水甩干的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘 1000轉(zhuǎn)/分鐘。本發(fā)明為提高清洗效果，清洗時(shí)，清洗液的溫度為40°C 60°C，最后一次清洗時(shí)， 為消除石英晶片的應(yīng)力，清洗液的溫度為90°C 95°C。本發(fā)明為更加簡單，達(dá)到快速烘干的效果，所述的烘干由PLC控制裝置控制在清洗桶內(nèi)完成。一種實(shí)現(xiàn)上述石英晶片清洗方法的清洗裝置，它包括設(shè)有溢水口的清洗桶，清洗桶內(nèi)設(shè)有用于放置石英晶片的網(wǎng)籠，清洗桶底部安裝有超聲波振子，清洗桶底部設(shè)有孔，所述的孔與由電磁閥控制的進(jìn)水管和出水管連通，所述的電磁閥、超聲波振子由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的初洗、至少二次的清洗。本發(fā)明為對石英晶片進(jìn)行脫水甩干，清洗桶內(nèi)設(shè)有用于安裝網(wǎng)籠的網(wǎng)籠架，網(wǎng)籠架安裝在離心機(jī)的主軸上，所述的離心機(jī)由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的脫水甩干。本發(fā)明網(wǎng)籠架通過支架安裝在離心機(jī)的主軸上，網(wǎng)籠架通過銷軸與支架連接。本發(fā)明為對石英晶片進(jìn)行烘干，清洗桶上設(shè)有桶蓋，桶蓋上設(shè)有烘干器，所述的烘干器由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的烘干。本發(fā)明所述的烘干器為碘鎢燈。由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明較好的實(shí)現(xiàn)了發(fā)明目的，方法可行，裝置結(jié)構(gòu)簡單，提高了裝置的自動化控制程度，在每次清洗后通過脫水甩干程序，能有效的清理殘余液體，同時(shí)，采用活水清洗，提高了清洗效果，烘干時(shí)間只需20分鐘，大大減少了清洗時(shí)間，大大提高了生產(chǎn)效率，降低了工人勞動強(qiáng)度。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明網(wǎng)籠架10、支架11的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1:
一種石英晶片的清洗方法，它包括對石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干，使石英晶片達(dá)到工藝要求的潔凈程度，所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是將石英晶片放入清洗裝置的清洗桶中，由PLC控制裝置控制，石英晶片無需取出，在同一清洗桶內(nèi)用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。由圖1可知，一種實(shí)現(xiàn)上述石英晶片清洗方法的清洗裝置，它包括設(shè)有溢水口 8的清洗桶3，清洗桶3內(nèi)設(shè)有用于放置石英晶片的網(wǎng)籠4，清洗桶3底部安裝有超聲波振子9， 清洗桶3底部設(shè)有孔，所述的孔與由電磁閥控制的進(jìn)水管5和出水管6連通，所述的電磁閥、超聲波振子9由PLC控制裝置(可編程邏輯控制器)控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的初洗、至少二次的清洗。本發(fā)明工作時(shí)，首先將待洗滌的石英晶片放入網(wǎng)籠4內(nèi)，清洗劑加入清洗桶3內(nèi)， PLC控制裝置控制進(jìn)水管5的電磁閥打開，溫度為40°C 60°C的清洗液(本實(shí)施例為50°C 的高純水)不斷進(jìn)入清洗桶3內(nèi)；同時(shí)，PLC控制裝置控制超聲波振子9工作，對網(wǎng)籠4內(nèi)的石英晶片進(jìn)行初洗，多余的清洗液從溢水口 8不斷溢出，初洗時(shí)間5分鐘 15分鐘(本實(shí)施例為10分鐘)；初洗完成后，PLC控制裝置控制進(jìn)水管5的電磁閥關(guān)閉，出水管6的電磁閥打開，將清洗液排出。然后，對石英晶片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)，PLC控制裝置控制進(jìn)水管5的電磁閥打開，出水管6的電磁閥關(guān)閉，溫度為40°C 60°C的清洗液(本實(shí)施例為50°C的高純水)進(jìn)入清洗桶3內(nèi)；PLC控制裝置控制超聲波振子9工作，對網(wǎng)籠4內(nèi)的石英晶片進(jìn)行清洗，多余的清洗液從溢水口 8不斷溢出，清洗時(shí)間5分鐘 15分鐘(本實(shí)施例為10分鐘);清洗完成后，PLC控制裝置控制進(jìn)水管5的電磁閥關(guān)閉，出水管6的電磁閥打開，將清洗液排出；然后，PLC控制裝置再次關(guān)閉出水管6的電磁閥，開啟進(jìn)水管5的電磁閥，清洗液進(jìn)入清洗桶3內(nèi)對網(wǎng)籠 4內(nèi)的石英晶片進(jìn)行再次清洗，如此循環(huán)，對網(wǎng)籠4內(nèi)的石英晶片清洗2次 9次(本實(shí)施例為5次)。在對石英晶片進(jìn)行最后一次清洗時(shí)，為消除石英晶片的應(yīng)力，清洗液的溫度為 90°C 95°C (本實(shí)施例為95°C的高純水)。清洗完成后，取出網(wǎng)籠4，放入烘干箱烘干即可。實(shí)施例2
本發(fā)明為提高清洗效果，防止上次清洗的殘留液體混入下次清洗過程中，影響石英晶片的清洗效果，清洗時(shí)，每次清洗后都由PLC控制裝置控制對石英晶片進(jìn)行脫水甩干，脫水甩干的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘 1000轉(zhuǎn)/分鐘。本發(fā)明為對石英晶片進(jìn)行脫水甩干，清洗桶3內(nèi)設(shè)有用于安裝網(wǎng)籠4的網(wǎng)籠架10， 網(wǎng)籠架10安裝在離心機(jī)7的主軸12上，所述的離心機(jī)7由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的脫水甩干。由圖2可知，本發(fā)明為防止網(wǎng)籠4變形，網(wǎng)籠架10通過支架11安裝在離心機(jī)7的主軸12上，網(wǎng)籠架10通過銷軸13與支架11連接。本發(fā)明工作時(shí)，石英晶片的初洗步驟同實(shí)施例1，在清洗步驟中，每次清洗后，PLC 控制裝置控制離心機(jī)7啟動，轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘 1000轉(zhuǎn)/分鐘(本實(shí)施例為900轉(zhuǎn)/ 分鐘)，對網(wǎng)籠4內(nèi)的石英晶片脫水甩干2分鐘 4分鐘(本實(shí)施例為2分鐘)。余同實(shí)施例1。實(shí)施例3
本發(fā)明為更加簡單，達(dá)到快速烘干的效果，所述的烘干由PLC控制裝置控制在清洗桶內(nèi)完成。本發(fā)明為對石英晶片進(jìn)行烘干，清洗桶3上設(shè)有桶蓋1，桶蓋1上設(shè)有烘干器，所述的烘干器由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的烘干。所述的烘干器為碘鎢燈2。本發(fā)明工作時(shí)，石英晶片的初洗、清洗步驟同實(shí)施例1、2，在最后一次脫水甩干時(shí)， PLC控制裝置控制烘干器工作(本實(shí)施例為碘鎢燈2)，在甩干的同時(shí)，同時(shí)使用碘鎢燈2進(jìn)行烘烤，烘干時(shí)間15分鐘 30分鐘(本實(shí)施例為20分鐘)。本發(fā)明方法可行，裝置結(jié)構(gòu)簡單，提高了清洗裝置的自動化控制程度，在每次清洗后通過脫水甩干程序，能有效的清理殘余液體，同時(shí)，采用活水清洗，提高了清洗效果，烘干時(shí)間只需20分鐘左右，大大縮短了清洗時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低了工人勞動強(qiáng)度。
權(quán)利要求
1.一種石英晶片的清洗方法，它包括對石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干，使石英晶片達(dá)到工藝要求的潔凈程度，其特征是所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是將石英晶片放入清洗裝置的清洗桶中，由PLC控制裝置控制，石英晶片無需取出，在同一清洗桶內(nèi)用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶片的清洗方法，其特征是清洗時(shí)，每次清洗后都由PLC 控制裝置控制對石英晶片進(jìn)行脫水甩干。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英晶片的清洗方法，其特征是脫水甩干的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/ 分鐘 1000轉(zhuǎn)/分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶片的清洗方法，其特征是清洗液的溫度為40°C 600C，最后一次清洗時(shí)，清洗液的溫度為90°C 95°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的石英晶片的清洗方法，其特征是所述的烘干由 PLC控制裝置控制在清洗桶內(nèi)完成。
6.一種實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1所述石英晶片清洗方法的清洗裝置，它包括設(shè)有溢水口(8) 的清洗桶(3)，清洗桶(3)內(nèi)設(shè)有用于放置石英晶片的網(wǎng)籠G)，清洗桶( 底部安裝有超聲波振子(9)，其特征是清洗桶C3)底部設(shè)有孔，所述的孔與由電磁閥控制的進(jìn)水管(5)和出水管(6)連通，所述的電磁閥、超聲波振子(9)由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的初洗、至少二次的清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗裝置，其特征是清洗桶(3)內(nèi)設(shè)有用于安裝網(wǎng)籠的網(wǎng)籠架(10)，網(wǎng)籠架(10)安裝在離心機(jī)(7)的主軸(12)上，所述的離心機(jī)(7)由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的脫水甩干。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的清洗裝置，其特征是所述的網(wǎng)籠架(10)通過支架(11)安裝在離心機(jī)⑵的主軸(12)上，網(wǎng)籠架(10)通過銷軸(13)與支架(11)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的清洗裝置，其特征是清洗桶C3)上設(shè)有桶蓋(1)，桶蓋(1)上設(shè)有烘干器，所述的烘干器由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的烘干。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的清洗裝置，其特征是所述的烘干器為碘鎢燈O)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高清洗效率的石英晶片的清洗方法，其特征是由PLC控制裝置控制，石英晶片無需取出，在同一清洗桶內(nèi)用清洗液完成初洗、至少二次的清洗，所述清洗裝置包括它包括設(shè)有溢水口(8)的清洗桶(3)，清洗桶(3)內(nèi)設(shè)有用于放置石英晶片的網(wǎng)籠(4)，清洗桶(3)底部安裝有超聲波振子(9)，其特征是清洗桶(3)底部設(shè)有孔，所述的孔與由電磁閥控制的進(jìn)水管(5)和出水管(6)連通，所述的電磁閥、超聲波振子(9)由PLC控制裝置控制，實(shí)現(xiàn)對石英晶片的初洗、至少二次的清洗，本發(fā)明方法可行，裝置結(jié)構(gòu)簡單，提高了裝置的自動化控制程度和清洗效果，烘干時(shí)間只需20分鐘，大大減少了清洗時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低了工人勞動強(qiáng)度。
文檔編號B08B13/00GK102218413SQ20111012843
公開日2011年10月19日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者李群勝, 湯劍波 申請人:益陽晶益電子有限公司