專利名稱：一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法。
背景技術：
半導體集成電路技術(包括各種不同工藝，例如蝕刻、沉積、注入以及光刻成形等)應用于晶片上以形成已設計好的電路及其間的連接關系。晶片在工藝腔室中施以工藝處理，其時該晶片被固定(Secure)在工藝腔室(ftOcessingChamber)中的晶片載物臺 (Wafer Stage)上，該晶片載物臺上具有靜電吸盤(Electrostatic Chuck, E-chuck)，晶片被放置在靜電吸盤上通過靜電將晶片吸附固定于靜電吸盤上。為確保晶片能夠被平穩(wěn)吸附于靜電吸盤上，必須避免靜電吸盤上吸附有污染顆粒物。一旦靜電吸盤上吸附有污染顆粒物，則會影響靜電吸盤的吸附能力，使晶片不能夠平穩(wěn)的吸附于靜電吸盤上，從而導致在晶片上所進行工藝的非均勻性，甚至導致工藝過程因為設備報警而無法正常進行。最嚴重的情況是工藝腔室需要重新執(zhí)行工藝維修，以去除靜電吸盤上的污染顆粒物，這樣將導致很多原料都需要被換掉，每次停機維修都需要很長時間而導致設備利用率嚴重下降，并且需要花費可能高達每次幾千美元的原料成本，并且已執(zhí)行該工藝的晶片很可能會受到良率的影響。為避免上述情況的發(fā)生，現(xiàn)有技術中通常在將需進行工藝處理的晶片送入至工藝腔內(nèi)之前將靜電吸盤擦試一下以去除其上的污染顆粒，但這種方法效果并不是很好，仍然不能百分比避免晶片放置在靜電吸盤上時靜電吸盤上不存在污染顆粒。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法， 以解決現(xiàn)有技術中工藝腔內(nèi)靜電吸盤上存在污染顆粒導致晶片不能平穩(wěn)吸附在靜電吸盤上的問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，包括以下步驟提供一污染顆粒吸附晶圓，所述污染顆粒吸附晶圓包括襯底及生長在所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層表面帶有電荷；將所述污染顆粒吸附晶圓放入至工藝腔中的靜電吸盤上，所述污染顆粒吸附晶圓的絕緣介質(zhì)層面向所述靜電吸盤；所述絕緣介質(zhì)層上所帶的電荷將靜電吸盤上的污染顆粒吸附至所述絕緣介質(zhì)層上；將所述污染顆粒吸附晶圓從所述靜電吸盤上取下并拿出所述工藝腔?？蛇x的，所述絕緣介質(zhì)層所攜帶的電荷電壓大于等于5v。可選的，所述絕緣介質(zhì)層采用等離子體輔助化學氣相沉積方法制備得到?？蛇x的，所述絕緣介質(zhì)層為氮化硅層。本發(fā)明的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法利用絕緣介質(zhì)層制備過程中聚集在絕緣介質(zhì)層上的電荷來吸附工藝腔中靜電吸盤上的污染顆粒，相較于現(xiàn)有技術可一次性非常干凈的將靜電吸盤上的污染顆粒吸附干凈，可避免工藝腔在執(zhí)行工藝過程中因為靜電吸盤上存在的污染顆粒而被迫停機維護，有效節(jié)約了材料成本和時間成本。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。本發(fā)明所述的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法可利用多種替換方式實現(xiàn)，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領域內(nèi)的普通技術人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。本發(fā)明的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法包括以下步驟首先，提供一污染顆粒吸附晶圓，所述污染顆粒吸附晶圓包括襯底及生長在所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層表面帶有電荷；其次，將所述污染顆粒吸附晶圓放入至工藝腔中的靜電吸盤上，所述污染顆粒吸附晶圓的絕緣介質(zhì)層面向所述靜電吸盤；所述絕緣介質(zhì)層上所帶的電荷將靜電吸盤上的污染顆粒吸附至所述絕緣介質(zhì)層上；最后，將所述污染顆粒吸附晶圓從所述靜電吸盤上取下并拿出所述工藝腔。作為優(yōu)選的實施例，本發(fā)明方法中所使用的污染顆粒吸附晶圓上絕緣介質(zhì)層所攜帶的電荷電壓大于等于5v。作為優(yōu)選的實施例，本發(fā)明方法中所使用的污染顆粒吸附晶圓上絕緣介質(zhì)層采用等離子體輔助化學氣相沉積方法制備得到。作為優(yōu)選的實施例，本發(fā)明方法中所使用的污染顆粒吸附晶圓上絕緣介質(zhì)層為氮
化硅層。在制備本發(fā)明方法中所使用的污染顆粒吸附晶圓時，以在其襯底上制備氮化硅層為例，現(xiàn)有技術中通常采用的等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD)制備氮化硅層，具體的制備工藝現(xiàn)有技術中已有公開。在制備過程中，由于反應過程中使用到等離子體，其中的電荷成分很容易殘留在晶圓表面制備的氮化硅層當中。而氮化硅層又是非常好的絕緣體，一旦吸附了電荷便不容易被導走，最終形成了帶電的氮化硅層。在現(xiàn)有技術的氮化硅層制備工藝中，為了導走氮化硅層上的電荷，在沉積結(jié)束后，需經(jīng)過一定時間的電荷清除步驟，即利用帶電等離子體帶走氮化硅層表面吸附的電荷。而本發(fā)明方法中所使用的污染顆粒吸附晶圓在制備時省去了電荷清除步驟，即可得到帶有電荷的氮化硅層。本發(fā)明的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法利用絕緣介質(zhì)層制備過程中聚集在絕緣介質(zhì)層上的電荷來吸附工藝腔中靜電吸盤上的污染顆粒，相較于現(xiàn)有技術可一次性非常干凈的將靜電吸盤上的污染顆粒吸附干凈，可避免工藝腔在執(zhí)行工藝過程中因為靜電吸盤上存在的污染顆粒而被迫停機維護，有效節(jié)約了材料成本和時間成本。顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權利要求
1.一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，包括以下步驟提供一污染顆粒吸附晶圓，所述污染顆粒吸附晶圓包括襯底及生長在所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層表面帶有電荷；將所述污染顆粒吸附晶圓放入至工藝腔中的靜電吸盤上，所述污染顆粒吸附晶圓的絕緣介質(zhì)層面向所述靜電吸盤；所述絕緣介質(zhì)層上所帶的電荷將靜電吸盤上的污染顆粒吸附至所述絕緣介質(zhì)層上；將所述污染顆粒吸附晶圓從所述靜電吸盤上取下并拿出所述工藝腔。
2.如權利要求1所述的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層所攜帶的電荷電壓大于等于5v。
3.如權利要求1所述的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層采用等離子體輔助化學氣相沉積方法制備得到。
4.如權利要求1所述的去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層為氮化硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種去除工藝腔內(nèi)靜電吸盤上污染顆粒的方法，包括以下步驟提供一污染顆粒吸附晶圓，所述污染顆粒吸附晶圓包括襯底及生長在所述襯底上的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層表面帶有電荷；將所述污染顆粒吸附晶圓放入至工藝腔中的靜電吸盤上，所述污染顆粒吸附晶圓的絕緣介質(zhì)層面向所述靜電吸盤；所述絕緣介質(zhì)層上所帶的電荷將靜電吸盤上的污染顆粒吸附至所述絕緣介質(zhì)層上；將所述污染顆粒吸附晶圓從所述靜電吸盤上取下并拿出所述工藝腔。本發(fā)明方法可一次性非常干凈的將靜電吸盤上的污染顆粒吸附干凈，避免工藝腔在執(zhí)行工藝過程中因為靜電吸盤上存在的污染顆粒而被迫停機維護，有效節(jié)約了材料成本和時間成本。
文檔編號B08B6/00GK102485356SQ20101057358
公開日2012年6月6日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權日2010年12月3日
發(fā)明者胡平 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司