專利名稱：Mocvd設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MOCVD設(shè)備內(nèi)的石墨基座，特別是涉及石墨基座的清洗方法。
背景技術(shù)：
M0CVD (金屬有機物化學氣相沉淀)設(shè)備作為化合物半導體材料研究和生產(chǎn)的手段，特別是作為工業(yè) 化生產(chǎn)的設(shè)備，它是別的半導體設(shè)備無法替代的。它的高質(zhì)量、穩(wěn)定性、重復性及多功能性越來越為人們 所重視。它是當今世界上生產(chǎn)半導體光電器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、發(fā)光二極管、高效 太陽能電池、光電陰極等> 是光電子等產(chǎn)業(yè)不可缺少的設(shè)備。
在MOCVD設(shè)備包括用于安置和加熱襯底的石墨基座在使用一定次數(shù)后，會在石墨基座上形成沉淀 物，沉淀物包裹在石墨基座上影響石墨的導熱，同時附著在石墨基座上的沉淀物在后續(xù)加熱的產(chǎn)品制造過 程中，對產(chǎn)品形成污染，影響產(chǎn)品質(zhì)量。
目前對MOCVD設(shè)備中的石墨基板常用的清理方法是刮除上面的附著物。石墨基座是由內(nèi)部的石墨和 表層的SiC組成，由于石墨基座的制作工藝造成SiC層上有很多凹陷的小坑，通過刮除的方法，不能刮掉 凹坑內(nèi)的附著物，如果過度刮除附著物又容易破壞SiC層，影響石墨基座的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，該方法用來清洗 MOCVD設(shè)備的石墨基座，通過該方法可以徹底的將石墨基座清洗干凈，特別是石墨基座表面的小坑內(nèi)的 附著物，而不破壞石墨基座的結(jié)構(gòu)，從而起到延長石墨基座的使用壽命和提高MOCVD設(shè)備產(chǎn)能的作用。
為了解決本發(fā)明的技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，該方法包括以下 步驟
煮酸將石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附著物被去除干凈后取出，其中，所述煮酸步 驟還包括刷去石墨基座表面的附著物；
沖水用熱去離子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物質(zhì)；
干燥干燥石墨基座，至石墨基座上無水份，其中，所述干燥步驟包括用烘烤方式干燥石墨基座。 優(yōu)選地在進行所述煮酸步驟后，用吸酸擦酸的物品吸去石墨基座上酸液，再進行所述沖水步驟。用 吸酸擦酸的物品如脫脂棉吸去石墨基座上酸液可以減少沖水次數(shù)和用水量，優(yōu)化了整個流程。
優(yōu)選地，所述煮酸步驟包括將石墨基座放入磷酸中煮一段時間，然后取出刷石墨基座，將石墨基座 上的部分附著物去掉，再放入磷酸中繼續(xù)煮。煮酸過程中，對石墨基座進行上述處理，在不會觸及貼近SiC 層上的小坑的情況下，將石墨基座表層附著物用防酸的塑料軟刷子刷去。刷去石墨基座表面的附著物這個 步驟可以放在上述煮酸的過程中進行，也可以放在煮酸過程的最后進行。
優(yōu)選地，所述沖水步驟包括蕩洗和沖洗步驟其中蕩洗步驟包括對石墨基座的正面和反面進行蕩洗， 然后用吸酸擦酸的物品對石墨基座進行拭擦，再繼續(xù)蕩洗。通過蕩洗抖動的方式可以使石SiC層上的小坑 內(nèi)的經(jīng)過酸處理的附著物變得更松散，并稀釋SiC層上的小坑內(nèi)附著的酸物質(zhì)，以減少后續(xù)沖洗步驟的用 水量，并達到較好的去除附著物的效果，用吸酸擦酸的物品對石墨基座的拭擦可以使SiC層小坑內(nèi)的剩余 的酸物質(zhì)和附著物最大程度的降低，在后面的蕩洗過程中更容易被去除。其中的優(yōu)選方式為所述蕩洗步 驟包括先依次將石墨基座的正面、后面、再正面蕩洗一遍，重復上述過程5遍；然后用吸酸擦酸的物品對 石墨基座進行拭擦；再蕩洗一遍。
優(yōu)選地，所述沖洗步驟包括將蕩洗好的石墨基座放入沖水槽中，用熱去離子水沖洗，且沖洗過程中 需要取出蕩洗擦吸。在用熱去離子水沖洗的過程中蕩洗石墨基座，通過振動石墨基座，使SiC層上的小坑 內(nèi)的附著物更大程度的脫離石墨基座的表面，可以減少沖水的時間和用水量，優(yōu)化了沖洗工藝。
優(yōu)選地所述吸酸擦酸的物品可以是脫脂棉花、化學品吸附棉、無塵紙中任一種。
優(yōu)選地所述干燥步驟包括先將石墨基座吹干，再進行烘烤?？梢韵扔玫獨鈽尨凳等ナ?br> 3基座表面附著的大顆粒水珠，這些被去除的大顆粒水珠同時會帶走溶解在水珠中的酸物質(zhì)，這樣在后續(xù)步 驟中，經(jīng)過烘干的石墨基座上可以殘留更少的酸物質(zhì)。酸物質(zhì)殘留在SiC層的小坑中，在烘烤的過程中， 會腐蝕SiC層，嚴重的會導致SiC層穿孔，使石墨暴露出來，暴露的石墨會在氣相沉淀過程中參與反應， 從而變質(zhì)報廢。
優(yōu)選地所述蕩洗的水溫為55攝氏度 65攝氏度，所述沖洗的水溫為70攝氏度 100攝氏度。蕩洗 的溫度不宜太高，蕩洗的目的是通過振動的方式，是水與石墨基座表面發(fā)生相對溫和的摩擦，從而使SiC 層上的小坑內(nèi)的酸性附著物變得松散，過高的水溫浪費能源。沖洗的水溫較蕩洗的溫度高一些，有利于石 墨基座表面的酸性物質(zhì)擴散到水中。
優(yōu)選地所述煮酸的溫度在80攝氏度 150攝氏度；所述烘烤的溫度在60攝氏度 180攝氏度。
本發(fā)明的有益效果如下
相比現(xiàn)有技術(shù)將石墨基座表面附著物刮除的方式，本發(fā)明采用的是一種濕法處理的方式。該方法可以 有效的去除石墨基座表面的附著物，特別是對石墨表面的SiC層小坑內(nèi)附著物的去除效果非常好。該方法 可以在清除石墨基座表面附著物的時候，保護石墨基座表層的SiC層不被破壞，進而保護了內(nèi)層的石墨， 它可以延長石墨基座的使用壽命和提高MOCVD設(shè)備產(chǎn)能的作用。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法。 實施例一
先將石墨基座置入70攝氏度 93攝氏度的磷酸中煮，然后取出，用防酸的塑料軟刷子刷石墨基座的 表面，去除石墨基座表面的附著物，再放入磷酸中繼續(xù)煮，再取出，用刷子將石墨基座表面的附著物刷干 凈。如果石墨基座表面仍不干凈，就重復上述煮和刷的步驟。石墨基座煮酸完成后，用脫脂棉花拭擦石墨 基座，擦去石墨基座表面的酸液。
將煮酸后的石墨基座放入70攝氏度的熱去離子水中沖洗10遍；然后泡在70攝氏度的熱去離子水中， 每l小時換水一次，共換水18次；然后泡一夜。
第二天取出石墨基座，用氮氣槍將石墨基座吹干；然后放入烘箱中，在卯攝氏度的環(huán)境下烘半個小 時，在120攝氏度的環(huán)境中烘半個小時，在180攝氏度的環(huán)境中烘15個小時。
實施例二-
先將石墨基座置入125攝氏度磷酸中煮，煮21分鐘(根據(jù)石墨基座的附著物情況)后取出，刷去石 墨基座表面的附著物。
將石墨基座放入沖水槽中，使用70攝氏度的熱去離子水沖洗32小時后取出。
然后將石墨基座置入烘箱內(nèi)在90攝氏度情況下烘烤0.5小時，110攝氏度情況下烘烤1小時，180攝 氏度情況下烘烤15小時。 實施例三
先將石墨基座置入80攝氏度磷酸中煮2小時50分鐘，取出后刷去石墨基座表面的附著物。再用脫脂 棉花立即吸擦一遍。
然后用熱去離子水沖5遍，水溫60攝氏度；再浸泡在水中，每l小時換一次水，換水26次，水溫控 制在90攝氏度。
然后烘烤干燥。烘烤溫度由60攝氏度慢慢調(diào)整到180攝氏度，前后持續(xù)4小時。 實施例四
先將石墨基座放入140攝氏度 150攝氏度的磷酸煮越70分鐘，然后用刷子刷去石墨基座表面的附著 物，如果仍有附著物，就繼續(xù)將石墨基座放入磷酸中煮，直到用刷子將石墨基座表面刷干凈為止。 然后取出石墨基座，拭擦石墨表面的酸液。
再將石墨基座進行沖水。水為60攝氏度的熱去離子水，沖水步驟具體為
1、 先將石墨基座的正面蕩洗一遍、然后將石墨基座的后面蕩洗一遍、再將石墨基座的正面再蕩洗一 遍，重復上述過程5遍；然后用脫脂棉花拭擦石墨基座的表面，然后在放入熱去離子水中蕩洗后取出。
2、 然后在將石墨基座放入沖水槽中沖洗，使用99攝氏度的熱去離子沖洗20小時，其中，每隔1時取出石墨基座蕩洗拭擦一次。
完成沖水步驟后，先用氮氣槍將石墨基座上的水吹干，再將石墨基座放入烘箱內(nèi)，烘烤溫度由90攝 氏度分90攝氏度、IIO攝氏度和180攝氏度三個階段調(diào)整到180攝氏度，前后持續(xù)2小時。
經(jīng)過上述處理過的石墨基座，其SiC層上的小坑被清洗得非常干凈。
權(quán)利要求
1、一種MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于包括以下步驟煮酸將石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附著物被去除干凈后取出，其中，所述煮酸步驟還包括刷去石墨基座表面的附著物；沖水用熱去離子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物質(zhì)；干燥干燥石墨基座，至石墨基座上無水份，其中，所述干燥步驟包括用烘烤方式干燥石墨基座。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于在進行所述煮酸步驟 后，用吸酸擦酸的物品吸去石墨基座上酸液，再進行所述沖水步驟。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述煮酸步驟包括將石墨基座放入磷酸中煮一段時間，然后取出刷石墨基座，將石墨基座上的部分附著物去掉，再放入磷酸 中繼續(xù)煮。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于所述沖水步驟包括蕩 洗和沖洗步驟；其中蕩洗步驟包括對石墨基座的正面和反面進行蕩洗，然后用吸酸擦酸的物品對石墨基座進行拭擦，再繼續(xù)蕩洗。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述蕩洗步驟包括先依次將石墨基座的正面、后面、再正面蕩洗一遍，重復上述過程5遍；然后用吸酸擦酸的物品對石 墨基座進行拭擦；再蕩洗一遍。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述沖洗步驟包括 將蕩洗好的石墨基座放入沖水槽中，用熱去離子水沖洗，且沖洗過程中需要取出蕩洗擦吸。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于所述吸酸擦酸的 物品可以是脫脂棉花、化學品吸附棉、無塵紙中任一種。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于所述干燥步驟包括先 將石墨基座吹干，再進行烘烤。
9、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于所述蕩洗的水溫為55 攝氏度 65攝氏度，所述沖洗的水溫為70攝氏度 100攝氏度。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，其特征在于所述煮酸的溫度在80 攝氏度 150攝氏度；所述烘烤的溫度在60攝氏度 180攝氏度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種MOCVD設(shè)備內(nèi)石墨基座的清洗方法，該方法用來清洗MOCVD設(shè)備的石墨基座，通過該方法可以徹底的將石墨基座清洗干凈，特別是石墨基座表面的小坑內(nèi)的附著物，而不破壞石墨基座的結(jié)構(gòu)，從而起到延長石墨基座的使用壽命和提高MOCVD設(shè)備產(chǎn)能的作用。該方法包括以下步驟煮酸將石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附著物被去除干凈后取出，其中，所述煮酸步驟還包括刷去石墨基座表面的附著物；沖水用熱去離子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物質(zhì)；干燥干燥石墨基座，至石墨基座上無水份，其中，所述干燥步驟包括用烘烤方式干燥石墨基座。本發(fā)明采用的是一種濕法處理的方式。
文檔編號B08B3/08GK101502835SQ20091011491
公開日2009年8月12日 申請日期2009年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月9日
發(fā)明者劉軍林, 江風益, 鄭銳華 申請人:晶能光電(江西)有限公司