專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對(duì)基板進(jìn)行清洗處理的基板處理裝置。成為處理對(duì) 象的基板，例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基
板、FED (Field Emission Display:場(chǎng)致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、 磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，半導(dǎo)體晶片(下面簡(jiǎn)稱為"晶片")的周 緣部的污染物有時(shí)給晶片處理品質(zhì)帶來的不可忽視的影響。具體而言，在所 謂的批處理工序中，由于多張晶片以鉛直姿勢(shì)浸漬在處理液中，因此若污染 物質(zhì)附著到晶片的周端部，則該污染物質(zhì)在處理液中擴(kuò)散，進(jìn)而有可能再附 著在晶片表面的器件形成區(qū)域。
因此，最近，對(duì)晶片等基板的周緣部進(jìn)行清洗的要求正在提高。 作為與清洗基板周端部有關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，例如公開了如下的技術(shù)，艮P，
在由藥液除去附著于基板表面的附著物(污染)之后， 一邊旋轉(zhuǎn)基板一邊向 該基板表面的中央部供給純水，從而在除去殘留在基板表面的藥液以及附著 物之際，通過使圓柱狀刷子的外周面與基板的周端部抵接，除去附著于基板 周端面的附著物(參照例如JP特開2006-278592號(hào)公報(bào))。
但是，在基板表面表現(xiàn)為疏水性的情況下(例如，將Low-k膜形成在基 板表面的情況以及裸硅露出在基板表面的情況等)，若向作為器件形成區(qū)域 的表面的中央部供給純水，則器件形成區(qū)域有可能會(huì)產(chǎn)生水印(純水的干躁 痕跡)。而且，在銅布線等形成在基板表面的情況下，若向基板表面的中央 部供給純水，則有可能因銅布線被氧化而發(fā)生腐蝕。
為了避免這樣的問題，可以考慮不向基板表面供給純水，但是若這樣則 由刷子從基板的周緣部刮去的污染物殘留在周緣部，而且在殘存該污染物的 狀態(tài)下使基板干躁，從而該污染物有可能會(huì)牢牢地粘在基板。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置不給 基板表面的器件形成區(qū)域帶來壞影響，并且能夠從基板表面的周緣區(qū)域良好 地除去污染物。
本發(fā)明的基板處理裝置具有基板旋轉(zhuǎn)單元，其用于使基板旋轉(zhuǎn)；刷子， 其針對(duì)由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板，至少與基板表面的周緣區(qū)域抵接； 周緣沖洗液噴出單元，其向規(guī)定的沖洗液噴出位置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向 上的該規(guī)定的沖洗液噴出位置的內(nèi)側(cè)噴出沖洗液，其中，所述規(guī)定的沖洗液 噴出位置是相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域中與所述刷子接觸的區(qū)域而向著基板的 旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的位置。
在該結(jié)構(gòu)中，針對(duì)由基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板，至少在基板表面的周緣 區(qū)域與刷子抵接，由此能夠刮去附著于該周緣區(qū)域的污染物。另一方面，在 基板表面的周緣區(qū)域中，向相對(duì)與刷子接觸區(qū)域而向著基板的旋轉(zhuǎn)方向下游 側(cè)隔開了間隔的沖洗液噴出位置，供給來自周緣沖洗液噴出單元的沖洗液。 由此，在該刮去結(jié)束之后，緊接著用沖洗液來清洗被刷子刮去的污染物。由 此，能夠防止在基板表面的周緣區(qū)域殘留被刷子刮去的污染物并牢牢地粘住。
進(jìn)一步地，由于將供給沖洗液的沖洗液噴出位置以相對(duì)刷子接觸的區(qū)域 而向著基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的方式設(shè)置，因此被供給到?jīng)_洗液 噴出位置的沖洗液幾乎不會(huì)供給至刷子。因而，能夠抑制由沖洗液洗去的污 染物附著于刷子。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區(qū)域上的沖洗液噴出位置的沖洗液 從晶片的旋轉(zhuǎn)半徑方向的該沖洗液噴出位置的內(nèi)側(cè)供給，因此其具有朝向晶 片的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外側(cè)的矢量。然后，在該供給之后，因晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生 的離心力作用于沖洗液。因此，被供給到晶片表面的周緣區(qū)域的沖洗液幾乎 不進(jìn)入到晶片表面的中央部。從而，不用擔(dān)心沖洗液給晶片表面的器件形成 區(qū)域帶來不良影響。
其結(jié)果，不給晶片表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響，就能夠從基板表 面的周緣區(qū)域良好地除去污染物。
也可以另外具有用于向所述刷子供給藥液的藥液供給單元。根據(jù)該結(jié)構(gòu)， 藥液被供給到刷子，其內(nèi)部包含藥液的刷子與基板表面的周緣區(qū)域抵接。通
過具有高清洗能力的藥液，能夠良好地除去附著于基板表面的周緣區(qū)域的污 染物。
所述藥液供給單元也可以向規(guī)定的藥液噴出位置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方 向的該規(guī)定的藥液噴出位置的內(nèi)側(cè)噴出藥液，其中，所述規(guī)定的藥液噴出位 置是相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域中與所述刷子接觸的區(qū)域而位于基板的旋轉(zhuǎn)方 向上游側(cè)的位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在基板表面的周緣區(qū)域中，向相對(duì)刷子接觸 的區(qū)域而位于基板旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)的藥液噴出位置，供給來自藥液供給單 元的藥液。因此，被供給到晶片的表面周緣區(qū)域的藥液受到因晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn) 生的離心力，從而流到與晶片的周緣部接觸的刷子。因此，能夠向刷子良好 地供給藥液。
而且，從藥液供給單元供給到藥液噴出位置的藥液沿著基板表面的周緣 區(qū)域，供給至處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的刷子。因此，與從藥液供給單元向刷子直接供 給藥液的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制伴隨刷子旋轉(zhuǎn)藥液飛散。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區(qū)域上的藥液噴出位置的藥液相對(duì) 從晶片的旋轉(zhuǎn)半徑方向的該藥液噴出位置的內(nèi)側(cè)供給，因此其具有朝向晶片 的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外側(cè)的矢量。然后，在此供給之后，因晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的 離心力作用于藥液。因此，被供給到晶片表面的周緣區(qū)域的藥液幾乎不會(huì)進(jìn) 入到晶片表面的中央部。從而，藥液不給基板表面的器件形成區(qū)域帶來不良 影響，就能夠向刷子供給藥液。
所述基板旋轉(zhuǎn)單元也可以將基板保持為基板的表面朝向上方的大致水平 姿勢(shì)，并且圍繞鉛直軸線旋轉(zhuǎn)。在此情況下，所述藥液供給單元也可以向由 所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的背面供給藥液。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，被^^給到基板 背面的藥液受到因基板旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力，沿著基板背面流向其周緣區(qū)域。 然后，到達(dá)基板背面的周緣區(qū)域的藥液被供給到與基板周緣部接觸的刷子。 因此，不將藥液供給到基板表面的器件區(qū)域，就能夠向刷子供給藥液。
而且，也可以另外具有藥液吸引單元，所述藥液吸引單元用于吸引包含 在所述刷子的內(nèi)部的藥液。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于向刷子供給來自藥液供給單元 的藥液，并且通過藥液吸引單元吸引包含在刷子內(nèi)部的藥液，因此刷子的內(nèi) 部包含充分滿足需要的量的藥液。因此，在基板表面的周緣區(qū)域中與刷子接 觸的區(qū)域，能夠形成具有適當(dāng)濕潤(rùn)寬度的藥液的液體膜。
其結(jié)果，藥液不給晶片表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響，就能夠良好 地清洗基板表面的周緣區(qū)域。
也可以另外具有下游側(cè)周緣藥液噴出單元，所述下游側(cè)周緣藥液噴出單 元用于向規(guī)定的藥液噴出位置，相從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向的該規(guī)定的藥液噴 出位置的內(nèi)側(cè)噴出藥液，其中，所述規(guī)定的沖洗液噴出位置是相對(duì)基板表面 的周緣區(qū)域中與所述刷子接觸的區(qū)域而向著基板旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)隔開了間 隔的位置。根據(jù)此結(jié)果，向晶片表面的周緣區(qū)域中的相對(duì)與刷子接觸位置而 向著晶片旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)相隔了間隔的藥液噴出位置，供給來自下游側(cè)周 緣藥液噴出單元的藥液。由此，進(jìn)行完該刮去之后，緊接著通過藥液能夠洗 去刷子所刮去的污染物。因此，能夠防止刷子所刮去的污染物殘留于晶片表 面的周緣區(qū)域且牢牢地粘住。
進(jìn)一步地，由于供給藥液的藥液噴出位置相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域與刷 子之間的接觸區(qū)域而向著基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)相隔間隔，因此能夠防止供 給到藥液噴出位置的藥液經(jīng)由基板直接與刷子接觸。由此，能夠防止藥液洗 掉的污染物附著于刷子。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區(qū)域上的藥液噴出位置的藥液從晶 片的旋轉(zhuǎn)半徑方向的該藥液噴出位置的內(nèi)側(cè)供給，因此其具有朝向晶片的旋 轉(zhuǎn)半徑方向的外側(cè)的矢量。然后，在該供給之后，因晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心 力作用于藥液。因此，被供給到晶片表面的周緣區(qū)域的藥液幾乎不會(huì)進(jìn)入到 晶片表面的中央部。從而，不用擔(dān)心藥液給晶片表面的器件形成區(qū)域帶來不 良影響。
其結(jié)果，不給晶片表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響，就能夠從基板表 面的周緣區(qū)域良好地除去污染物。
而且，優(yōu)選地還具有氣體噴附單元，所述氣體噴附單元用于針對(duì)由所述 周緣沖洗液噴出單元而供給到基板表面的周緣區(qū)域的沖洗液，在相比所述規(guī) 定的沖洗液噴出位置而向著基板旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的位置上，從基 板的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)噴附惰性氣體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，針對(duì)被供給到基板表 面的周緣區(qū)域的沖洗液，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)噴附惰性氣體。因此， 能夠向基板外側(cè)排出清洗污染物之后的沖洗液。由此，能夠從基板表面的周 緣區(qū)域迅速地除去污染物，而且能夠抑制污染物在千燥之后牢牢地粘在基板的表面。
而且，在設(shè)置氣體噴附單元的情況下，即使周緣沖洗液噴出單元噴出的 沖洗液的量少，也能夠從基板表面的周緣區(qū)域良好地除去污染物。在此情況 下，由于被供給到基板表面周緣區(qū)域的沖洗液的量少，因此能夠防止從基板 周緣區(qū)域飛散的沖洗液彈回基板表面。
所述刷子可以用可彈性變形的材料形成，而且具有第一清洗面，所述第 一清洗面具有朝向與由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面垂直的垂線方向 的一側(cè)變窄的形狀。由于這種形狀的第一清洗面相對(duì)該垂線方向傾斜，因此 能夠以橫跨基板表面的周緣區(qū)域以及周端面的方式與此相抵接。因此，能夠 同時(shí)清洗基板表面的周緣區(qū)域以及周端面。
而且，所述刷子具有第二清洗面，所述第二清洗面的形狀是從所述第一 清洗面的所述一側(cè)的端緣向所述垂線方向的所述一側(cè)擴(kuò)寬。這樣的第二清洗 面能夠以橫跨基板背面的周緣區(qū)域以及周端面的方式與其相抵接。因此，能 夠同時(shí)清洗基板背面的周緣區(qū)域以及周端面。因而，通過第一清洗面能夠同 時(shí)清洗基板表面的周緣區(qū)域以及周端面，而且，通過第二清洗面能夠同時(shí)清 洗基板背面的周緣區(qū)域以及周端面。其結(jié)果，能夠良好地清洗包括基板的兩 個(gè)面的周緣區(qū)域以及周端面的整個(gè)周緣部區(qū)域。
進(jìn)一步地，所述藥液也可以是氨與雙氧水的混合液。
參照附圖，通過后述的實(shí)施方式的說明，能夠明確本發(fā)明上述的以及另 外其它的目的、特征及效果


圖1是示意性地表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式(第一實(shí)施方式)的基板處理 裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖2是表示圖1所示的刷子的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖3是圖1所示的保持在旋轉(zhuǎn)卡盤上的晶片的俯視圖。
圖4是用于說明圖1所示的基板處理裝置的電性結(jié)構(gòu)的框圖。
圖5是用于說明圖1所示的基板處理裝置中的晶片處理的工序圖。
圖6是示意性地表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖7是圖6所示的保持在旋轉(zhuǎn)卡盤上的晶片的俯視圖。 圖8是用于說明圖6所示的基板處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。
圖9是用于說明圖6所示的基板處理裝置的晶片的處理的工序圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是示意性地表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式(第一實(shí)施方式)的基板處理 裝置l的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
基板處理裝置1是一張一張地處理作為基板的一個(gè)例子的晶片w的單張
式裝置。該基板處理裝置l具有旋轉(zhuǎn)卡盤3，其用于將晶片W大致水平地 保持并使之旋轉(zhuǎn)，而且該晶片W的表面(形成器件的一側(cè)的面)朝向上方； 一對(duì)背面SC1噴嘴5 (圖l僅示出了一個(gè))，其用于向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3上 的晶片W的背面(與表面相反側(cè)的面)供給作為藥液的SC1 (氨與雙氧水的
混合液7乂千二7過酸化水素水)； 一對(duì)背面DIW噴嘴6 (圖l僅示出了
一個(gè))，其用于向晶片W的背面供給作為沖洗液的DIW (脫離子水)；刷 子機(jī)構(gòu)7，其用于清洗晶片W的周緣部；第一表面SC1噴嘴8，其用于向晶 片W的表面的周緣區(qū)域(不形成器件的區(qū)域)40供給SC1;第一表面DIW 噴嘴9，其用于向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給DIW; N2氣體噴嘴10，其 用于向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給作為惰性氣體N2氣體。
此外，所謂晶片W的周緣部是指包括晶片W表面的周緣區(qū)域40、晶片 W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42的部分。而且，所謂的周緣區(qū)域40、 41 例如是指從晶片W的邊緣起寬度為1 4mm的環(huán)狀區(qū)域。
旋轉(zhuǎn)卡盤3是真空吸附式卡盤，并且其具有旋轉(zhuǎn)軸ll，其大致沿鉛直 方向延伸；吸附基座12，其安裝在該旋轉(zhuǎn)軸11的上端，并且以大致水平的 姿勢(shì)吸附晶片W的背面從而保持晶片W;旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13，其具有與旋轉(zhuǎn)軸ll 同軸地連接的旋轉(zhuǎn)軸。在吸附基座12吸附保持晶片W背面的狀態(tài)下，若驅(qū) 動(dòng)旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13，則晶片W繞旋轉(zhuǎn)軸11的中心軸線旋轉(zhuǎn)。
來自SC1供給源的SC1經(jīng)由背面SC1閥14供給到各背面SC1噴嘴5。 來自DIW供給源的DIW經(jīng)由背面DIW閥15供給到各背面DIW噴嘴6 。 來自SC1供給源的SC1經(jīng)由第一表面SC1閥16供給到第一表面SC1噴 嘴8。
來自DIW供給源的DIW經(jīng)由第一表面DIW閥17供給到第一表面DIW 噴嘴9。
來自N2氣體供給源的N2氣體經(jīng)由N2氣體閥18供給到N2氣體噴嘴10。 刷子機(jī)構(gòu)7具有搖動(dòng)臂19，其位于由旋轉(zhuǎn)卡盤3保持的晶片W的保 持位置的上方且大致水平地延伸；臂支撐軸20，其支撐搖動(dòng)臂19;刷子21， 其保持在搖動(dòng)臂19的頂端，并且用于清洗晶片W的周緣部。
臂支撐軸20沿鉛直方向延伸設(shè)置。該臂支撐軸20的上端部與搖動(dòng)臂19 的一端部(基端部)的下面連接。能夠?qū)u動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23的驅(qū)動(dòng)力輸入到 臂支撐軸20。通過將搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23的驅(qū)動(dòng)力輸入到臂支撐軸20來使臂 支撐軸20往復(fù)旋轉(zhuǎn)，從而能夠以臂支撐軸20為支點(diǎn)對(duì)搖動(dòng)臂19進(jìn)行搖動(dòng)。 而且，臂支撐軸20與升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24連接。通過升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，上下 移動(dòng)臂支撐軸20，進(jìn)而使搖動(dòng)臂19與該臂支撐軸20 —起上下移動(dòng)。
在搖動(dòng)臂19的頂端部，可旋轉(zhuǎn)地保持有刷子旋轉(zhuǎn)軸25。刷子旋轉(zhuǎn)軸25 在搖動(dòng)臂19的內(nèi)部連接用于使刷子旋轉(zhuǎn)軸25旋轉(zhuǎn)的刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26。另一 方面，在刷子旋轉(zhuǎn)軸25的下端部，固定有架安裝部27。在架安裝部27，中 間隔著刷架28安裝有刷子21。
圖2是表示刷子21的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
刷子21例如由PVA (Polyvinyl Alcohol:聚乙烯醇)等海綿材料構(gòu)成。 該刷子21具有上下一體的第一清洗部30和第二清洗部31，而且形成為繞鉛 直軸線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的大致沙漏的形狀，其中，該第一清洗部30用于清洗晶片W 表面的周緣區(qū)域40以及周端面42，該第二清洗部31用于清洗晶片W背面 的周緣區(qū)域41以及周端面42。
第一清洗部30的上部30a呈大致圓柱形狀，下部30b呈向下方變窄的大 致圓錐臺(tái)形狀。第一清洗部30的下部30b的側(cè)面是以上端邊緣與上部30a側(cè) 面的下端邊緣連接，并且相對(duì)其中心軸線具有例如45度的傾斜角度，而且越 往下方則越接近于中心軸線的方式傾斜。在該第一清洗部30中，下部30b 的側(cè)面成為與晶片W表面的周緣區(qū)域40及周端面42抵接的第一清洗面32。
第二清洗部31與第一清洗部30的下端一體地連接，并且，將該第二清 洗部31配置成與第一清洗部30共用中心軸線。該第二清洗部31的上部31a 呈向下方擴(kuò)展的大致圓錐臺(tái)形狀，下部31b呈大致圓柱形狀。第二清洗部31
的上部31a側(cè)面是以上端邊緣與第一清洗部30的下部30b側(cè)面的下端邊緣連 接，并且相對(duì)該中心軸線具有45度的傾斜角度，而且越往下方則越遠(yuǎn)離中心 軸線的方式傾斜。而且，上部31a側(cè)面的下端邊緣與下部31b側(cè)面的上端邊 緣連接。在該第二清洗部31中，上部31a側(cè)面成為與晶片W背面的周緣區(qū) 域41及周端面42抵接的第二清洗面33。
圖3是保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3上的晶片的俯視圖。
在俯視時(shí)，在將旋轉(zhuǎn)軸ll的中心軸線作為中心的圓周上，以該中心軸線 作為中心對(duì)稱的方式配置有一對(duì)背面SC1噴嘴5。各背面SC1噴嘴5將其噴 出口配置成位于接近晶片W的背面的位置且朝向鉛直方向上方。
在俯視時(shí)， 一對(duì)背面DIW噴嘴6在與背面SC1噴嘴5同一個(gè)的圓周上 配置在與背面SC1噴嘴5的位置偏移90°的位置上，而且該一對(duì)背面DIW 噴嘴6將該中心軸線作為中心對(duì)稱。各背面DIW噴嘴6將其噴出口配置成位 于接近晶片W的背面的位置且朝向鉛直方向上方。
在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方，第一表面SC1噴嘴8將其噴出口對(duì)著晶片W表 面的周緣區(qū)域40上的SC1著液位置P2，而且將其配置在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑 方向上的SC1著液位置P2的內(nèi)側(cè)。因此，在俯視時(shí)，第一表面SC1噴嘴8 的噴出口噴出的SC1沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向從其內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)。將SC1 著液位置P2設(shè)定在相對(duì)于刷子接觸位置Pl位于晶片W的旋轉(zhuǎn)方向(用箭頭 35來表示的方向)下游側(cè)相隔了間隔L1的位置上，其中，該刷子接觸位置 Pl是刷子21所接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置Pl。作為該間隔Ll， 能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方，第一表面DIW噴嘴9將其噴出口對(duì)著晶片W表 面的周緣區(qū)域40上的DIW著液位置P3，而且將其配置在晶片W的旋轉(zhuǎn)半 徑方向上的DIW著液位置P3的內(nèi)側(cè)。因此，在俯視時(shí)，第一表面DIW噴嘴 9的噴出口噴出的DIW沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向從其內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)。將 DIW著液位置P3設(shè)定在相對(duì)于SC1著液位置P2位于晶片W的旋轉(zhuǎn)方向下 游側(cè)相隔了間隔L2的位置上。作為該間隔L2，能夠示例晶片W直徑的1/10 左右的尺寸。
在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方，N2氣體噴嘴10將其噴出口對(duì)著晶片W表面的周 緣區(qū)域40上的N2氣體噴附位置P4，并將其配置在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向
上的N2氣體噴附位置P4的內(nèi)側(cè)。因此，在俯視時(shí)，N2氣體噴嘴10的噴出
口噴出的N2氣體沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向從其內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)。將N2氣體 噴附位置P4設(shè)定在位于相對(duì)DIW著液位置P3在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè) 相隔了間隔L3的位置上。作為該間隔L3，能夠示例晶片W直徑的1/10左 右的尺寸。
圖4是用于說明基板處理裝置的電性結(jié)構(gòu)的框圖。
基板處理裝置1具有控制部50，該控制部50具有包括微型計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)。
該控制部50與作為控制對(duì)象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13、背面SC1閥14、背面DIW 閥15、第一表面SC1閥16、第一表面DIW閥17、 N2氣體閥18、搖動(dòng)驅(qū)動(dòng) 機(jī)構(gòu)23、升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24以及刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26連接。
圖5是用于說明基板處理裝置1的晶片W的處理的工序圖。下面，舉例 說明對(duì)在其表面的中央部(器件形成區(qū)域)形成了Low-k膜(疏水膜)的晶 片W進(jìn)行清洗的情況。
被運(yùn)入到基板處理裝置l內(nèi)的晶片W以其表面朝向上方的方式保持在旋 轉(zhuǎn)卡盤3。
若晶片W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3，則通過控制部50控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13，從而 由旋轉(zhuǎn)卡盤3晶片W開始旋轉(zhuǎn)(步驟Sl)。晶片W例如以100rpm的旋轉(zhuǎn) 速度沿箭頭35所示的方向旋轉(zhuǎn)。
接著，通過控制部50打開背面SC1閥14，從而開始從一對(duì)背面SC1噴 嘴5向晶片W的背面供給SC1 (步驟S2)。 一對(duì)背面SC1噴嘴5噴出的SC1 的流量例如為20mL/min。供給到晶片W背面的SC1受到因晶片W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn) 生的離心力，從而沿著晶片W的背面向其周緣區(qū)域41流動(dòng)。
而且，若通過控制部50打開第一表面SC1閥16，則從第一表面SC1噴 嘴8向晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1著液位置P2噴出SC1 (步驟S2)。 在俯視時(shí)，供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1具有沿著晶片W的旋轉(zhuǎn) 半徑方向從其內(nèi)側(cè)向外側(cè)的矢量。第一表面SC1噴嘴8噴出的SC1的流量例 如為10mL/min。如此地將SC1的流量設(shè)定為較小量是因?yàn)?，從晶片W表面 飛散的SC1打到配置在旋轉(zhuǎn)卡盤3周圍的部件(例如，未圖示的以包圍旋轉(zhuǎn) 卡盤3的方式將其收納的處理杯)彈回，從而防止SC1附著于晶片W表面
的中央部。
而且，通過控制部50打開N2氣體閥18，從N2氣體噴嘴10向晶片W表 面的周緣區(qū)域40的N2氣體噴附位置P4噴附N2氣體(步驟S2) 。 N2氣體噴 嘴10噴出的N2氣體的流量例如為5L/min。
而且，通過控制部50控制刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26，從而刷子21例如以100 200rpm的旋轉(zhuǎn)速度沿與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向旋轉(zhuǎn)。然后，通過控 制部50控制搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23以及升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，從而刷子21的第二清 洗面33與晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42抵接(步驟S3)。具體 而言，首先，控制升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，將刷子21移動(dòng)到預(yù)先設(shè)定的高度位置， 從而刷子21的第二清洗面33與晶片W的周端面42對(duì)置。接著，控制搖動(dòng) 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23，使得搖動(dòng)臂19旋轉(zhuǎn)，刷子21水平移動(dòng)，從而晶片W切入到 刷子21的第二清洗面33，并且晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42被 刷子21的第二清洗面33推壓。在此狀態(tài)下，到達(dá)晶片W背面的周緣區(qū)域 41的SC1被供給到刷子21。而且，通過供給了 SC1的刷子21，清洗晶片W 背面的周緣區(qū)域41以及周端面42。
若在刷子21的第二清洗面33抵接到晶片W之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則通過 控制部50控制升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，將刷子21降低至規(guī)定高度(步驟S4)。由 此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接到 第一清洗面32。而且，晶片W擠進(jìn)第一清洗面32 (步驟S5:與刷子的第一 清洗面抵接)，晶片W表面的周緣區(qū)域40以及周端面42被第一清洗面32 推壓。在此狀態(tài)下，SC1繼續(xù)供給到晶片W背面，并且沿著晶片W背面到 達(dá)周端面42的SC1供給到刷子21。由此，通過供給SC1 了的刷子21，清洗 晶片W表面的周緣區(qū)域40以及周端面42。
向在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向上位于刷子接觸位置Pl的下游側(cè)的SC1著液位 置P2，供給來自第一表面SC1噴嘴8的SC1。通過來自第一表面SC1噴嘴8 的SC1，洗掉由刷子21從晶片W剝離的污染物。由于SC1供給到旋轉(zhuǎn)方向 的刷子接觸位置Pl下游側(cè)，因此能夠通過SC1洗掉剛剛從表面的周緣區(qū)域 40剝離的污染物。
供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1受到因晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心 力，從而向晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外側(cè)流動(dòng)。由于SC1著液位置P2位于
與刷子接觸位置P1相隔間隔L1的位置，因此清洗之后的SC1不會(huì)經(jīng)由晶片 W直接與刷子21接觸。
而且，針對(duì)供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1， N2氣體噴嘴10 從晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)噴附N2氣體。由此，SC1被推向旋轉(zhuǎn)半徑 方向的外側(cè)，不停留在晶片W表面的周緣區(qū)域40上，從而能夠迅速地從周 緣區(qū)域40上除去。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則通過 控制部50控制搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23以及升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，刷子21退避至處理 開始前的原位置(home position)(步驟S6)。而且，在刷子21回到原位置 的期間內(nèi)，控制刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26，停止刷子21的旋轉(zhuǎn)。而且，由控制部50 關(guān)閉背面SC1閥14以及第一表面SC1閥16，從而停止從背面SC1噴嘴5以 及第一表面SC1噴嘴8供給SC1 (步驟S7)。
然后，通過控制部50打開背面DIW閥15，向晶片W背面的中央部供 給DIW(步驟S8)。由此，洗掉附著于晶片W背面的SC1。而且，由控制 部50打開第一表面DIW閥17。由此，洗掉附著于晶片W表面的周緣區(qū)域 40的SC1。
此時(shí)，N2氣體噴嘴10繼續(xù)向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給N2氣體。 由此，能夠防止DIW漫延到表面的中央部。
若在打開背面DIW閥15以及第一表面DIW閥17之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間， 則由控制部50關(guān)閉背面DIW閥15以及第一表面DIW閥17，從而停止從背 面DIW噴嘴6供給DIW以及從第一表面DIW噴嘴9供給DIW (步驟S9)。 而且，通過控制部50關(guān)閉N2氣體閥18，從而停止從N2氣體噴嘴10供給N2 氣體(步驟S9)。
其后，通過控制部50控制旋轉(zhuǎn)卡盤13，高速(例如3000rpm)地旋轉(zhuǎn)晶 片W，從而甩開附著在晶片W的DIW，使晶片W干燥。在以規(guī)定時(shí)間連續(xù) 高速旋轉(zhuǎn)晶片W之后，停止通過旋轉(zhuǎn)卡盤3進(jìn)行的晶片W的旋轉(zhuǎn)。然后， 在晶片W靜止之后，從基板處理裝置1中運(yùn)出該處理完畢的晶片W。
如上所述地，根據(jù)該實(shí)施方式，通過將刷子21抵接到由旋轉(zhuǎn)卡盤3旋轉(zhuǎn) 的晶片W表面的周緣區(qū)域40，從而能夠刮去附著于該周緣區(qū)域40的污染物。 另一方面，在晶片W表面的周緣區(qū)域40上，相比與刷子接觸位置P1向著晶片W旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)相隔了間隔Ll的SC1著液位置P2，供給來自第一表面
SC1噴嘴8的SC1。由此，在該刮去結(jié)束之后，緊接著通過SC1能夠洗掉被 刷子21刮去的污染物。因此，能夠防止用刷子21刮去的污染物殘留在晶片 W表面的周緣區(qū)域40且牢牢地粘住。
而且，由于SC1著液位置P2相對(duì)于刷子接觸位置Pl而向著晶片W的 旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)相隔了間隔L1，因此能夠防止供給到SC1著液位置P2的SC1 經(jīng)由晶片W直接與刷子21接觸。從而，能夠防止用SC1洗掉的污染物附著 于刷子21。
而且，由于供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40上的SC1著液位置P2的 SC1，從晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的該SC1著液位置P2內(nèi)側(cè)起供給，因此該 SC1具有朝向晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向外側(cè)的矢量。然后，在結(jié)束此供給之后， 由晶片W的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用于SC1。由此，供給到晶片W表面的周 緣區(qū)域40的SC1幾乎不進(jìn)入到晶片W表面的中央部。從而，不用擔(dān)心SC1 給晶片W表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響。
其結(jié)果，不給晶片W表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響，就能夠從晶片 W表面的周緣區(qū)域40良好地除去污染物。
圖6是示意性地表示本發(fā)明其它實(shí)施方式(第二實(shí)施方式)的基板處理 裝置51的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。在該第二實(shí)施方式中，在與上述圖1 圖5的實(shí)施 方式(第一實(shí)施方式)所示各部對(duì)應(yīng)的部分上，標(biāo)注與圖1 圖5的情況相 同的附圖標(biāo)記，并且除了需特別說明的情況下，省略其說明。
在第一實(shí)施方式中，因?yàn)橄蛩⒆?1供給SC1，所以對(duì)向晶片W背面供 給來自背面SC1噴嘴5的SC1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但是在第二實(shí)施方式中， 使用向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給的SC1，向刷子21供給SC1。而且， 在該第二實(shí)施方式中，省略了背面SC1噴嘴5以及背面DIW噴嘴6。
基板處理裝置51具有用于向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給SC1的第 二表面SC1噴嘴52以及用于向晶片W表面的周緣區(qū)域40供給DIW的第二 表面DIW噴嘴57。
來自未圖示SC1供給源的SC1經(jīng)由第二表面SC1閥53供給到第二表面 SC1噴嘴52。
來自未圖示DIW供給源的DIW經(jīng)由第二表面DIW閥58供給到第二表
面DIW噴嘴57。
而且，基板處理裝置51具有用于吸引含在刷子21內(nèi)部的SC1的吸嘴54。 吸嘴54與吸管55的一端連接。吸管55的另一端與用于對(duì)吸管55的內(nèi)部進(jìn) 行真空吸引的吸引裝置(未圖示)連接。在吸管55的中途，安裝有用于切換 吸嘴54的吸引/吸引停止的吸引閥56。通過卡止在刷架28的保持零部件(未 圖示)，該吸嘴54具有可與刷子21—體地升降的結(jié)構(gòu)。
圖7是圖6所示的保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3上的晶片的俯視圖。
在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方，第二表面SC1噴嘴52將其噴出口對(duì)著晶片W表 面的周緣區(qū)域40上的SC1著液位置P5，而且其配置在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方 向上的SC1著液位置P5的內(nèi)頂lj。因此，在俯視時(shí)，第二表面SC1噴嘴52 的噴出口噴出的SC1沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向從其內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)。將SC1 著液位置P5設(shè)定成相對(duì)于刷子21接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置 Pl，是在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向(用箭頭35來表示的方向)的上游側(cè)相隔了間 隔L4的位置上。作為該間隔L4，能夠示例晶片W直徑的1/30左右的尺寸。
在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方，將第二表面DIW噴嘴57的噴出口對(duì)著晶片W表 面的周緣區(qū)域40上的DIW著液位置P6，而且其配置在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑 方向上的DIW著液位置P6的內(nèi)側(cè)。因此，在俯視時(shí)，第二表面DIW噴嘴 57的噴出口噴出的DIW沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向從其內(nèi)側(cè)超向外側(cè)。將 DIW著液位置P6設(shè)定成相對(duì)于刷子21接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸 位置P1，是在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)相隔了間隔L5的位置。作為該間 隔L5，能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
而且，在第二實(shí)施方式中，將N2氣體噴附位置P4設(shè)定在相對(duì)于DIW著 液位置P6位于晶片W的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)相隔了間隔L6的位置上，而且該 N2氣體噴附位置P4被噴附來自N2氣體噴嘴10的N2氣體。作為該間隔L6， 能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
以吸嘴54的頂端與刷子21的周面(在圖6及圖7中，例如第二清洗面) 相隔微小間隔(例如3mm)的方式來配置吸嘴54。因此，在刷子21含有SC1 的狀態(tài)下，若打開吸引閥56，由吸引裝置(未圖示)對(duì)吸管55的內(nèi)部進(jìn)行 吸引，則包含在刷子21內(nèi)部的SC1被吸嘴54吸引。從而，不妨礙刷子21 的旋轉(zhuǎn)，就能夠由吸嘴54吸引包含在刷子21內(nèi)部的SC1。
圖8是用于說明基板處理裝置51的電性結(jié)構(gòu)的框圖。
控制部50與作為控制對(duì)象的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13、第二表面SC1閥53、第二表 面DIW闊58、 N2氣體閥18、吸嘴56、搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23、升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24 以及刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26連接。
圖9是用于說明基板處理裝置51中的晶片的處理的工序圖。與第一實(shí)施 方式相同地，舉例說明對(duì)在晶片表面的中央部(器件形成區(qū)域)形成了 Low-k 膜(疏水膜)的晶片W進(jìn)行清洗的情況。
被運(yùn)入到基板處理裝置51內(nèi)的晶片W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3，而且其表面 朝向上方。
若晶片W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤3，則通過控制部50控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)13，從而 開始由旋轉(zhuǎn)卡盤3進(jìn)行的晶片W的旋轉(zhuǎn)(步驟Sll)。晶片W例如以100rpm 的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
接著，通過控制部50打開第二表面SC1閥53 (步驟S12)。由此，第 二表面SC1噴嘴52向晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1著液位置P5噴出 SC1(步驟S12)。第二表面SC1噴嘴52噴出的SC1的流量例如為20mL/min。 在俯視時(shí)，供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1具有沿著晶片W的旋轉(zhuǎn) 半徑方向從其內(nèi)側(cè)向外側(cè)的矢量。
而且，通過控制部50打開吸引閥56 (步驟S12)。
還有，通過控制部50打開N2氣體閥18，從N2氣體噴嘴10向晶片W表 面的周緣區(qū)域40的N2氣體噴附位置P4噴附N2氣體(步驟S12) 。 N2氣體 噴嘴10噴出的N2氣體的流量例如為5L/min。
而且，通過控制部50控制刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26，從而刷子21例如以100 200rpm的旋轉(zhuǎn)速度沿與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向旋轉(zhuǎn)。然后，通過控 制部50控制搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23以及升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，從而刷子21的第二清 洗面33與晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42抵接(步驟13)，清洗 晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42。步驟S13的處理與圖5的步驟S3 的處理相同。
若在刷子21的第二清洗面33抵接到晶片W之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則通過 控制部50控制升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24,將刷子21降低至規(guī)定高度(步驟S14)。 由此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接
到第一清洗面32。然后，晶片W擠進(jìn)第一清洗面32 (步驟S15:與刷子的
第一清洗面抵接)，并且周緣區(qū)域40以及周端面42被第一清洗面32推壓。 在此狀態(tài)下，第二表面SC1噴嘴52繼續(xù)供給SC1。被供給到晶片W表面的 周緣區(qū)域40的SC1著液位置P5的SC1受到因晶片W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力， 在表面的周緣區(qū)域40上向晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外側(cè)移動(dòng)，到達(dá)與晶片 W的周端部接觸的刷子21。由此，通過供給了 SC1的刷子21，清洗晶片W 表面的周緣區(qū)域40以及周端面42。從而，剝離附著在晶片W表面的周緣區(qū) 域40及周端面42的污染物。
而且，在此狀態(tài)下，吸嘴54繼續(xù)吸引SC1。 S卩，在第二表面SC1噴嘴 52對(duì)刷子21供給SC1,另一方面通過噴嘴54吸引包含在刷子21內(nèi)部的SC1 。
由于通過吸嘴54吸引包含在刷子21內(nèi)部的SC1，而且SC1被供給到刷 子21，因此保障了包含于刷子21的SC1充分滿足需要且適量。因此，在刷 子21所接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置Pl上，能夠形成適當(dāng)?shù)臐駶?rùn) 寬度(例如2mm)的SC1的液膜。
而且，針對(duì)供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1， N2氣體噴嘴10 從晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)噴附N2氣體。由此，SC1被推向旋轉(zhuǎn)半徑 方向的外側(cè)，不停留在晶片W表面的周緣區(qū)域40上，就能夠迅速地從周緣 區(qū)域40除去。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則通過 控制部50關(guān)閉第二表面SC1閥53，從而停止從第二表面SC1噴嘴52供給 SC1 (步驟16)。而且，吸引閥56通過控制部50維持打開的狀態(tài)，從而吸 嘴54繼續(xù)吸引SC1 (步驟S16)。而且，通過控制部50關(guān)閉N2氣體閥18， 停止從而N2氣體噴嘴10供給N2氣體(步驟S16)。
然后，通過控制部50打開第二表面DIW閥58 (步驟S17)。由此，從 第二表面DIW噴嘴57向晶片W表面的周緣區(qū)域40的DIW著液位置P6噴 出DIW。第二表面DIW噴嘴57噴出的DIW的流量例如為10mL/min。在俯 視時(shí)，供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的DIW具有沿著晶片W的旋轉(zhuǎn)半 徑方向從內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)的矢量。而且，因晶片W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力作用于 供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的DIW。因此，噴出到著液位置P6的DIW 的絕大部分被排出到晶片W的外側(cè)。然而，DIW的一部分殘留在晶片W表面的周緣區(qū)域40。
而且，通過控制部50控制升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，將刷子21升高至規(guī)定高度 (步驟S18)。由此，刷子21的第一清洗面32從晶片W離開，晶片W的 周緣部與第二清洗面33抵接。然后，晶片W擠進(jìn)第二清洗面33 (步驟S19: 與刷子的第二清洗面抵接)，從而晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42 被第二清洗面33推壓。在此狀態(tài)下，伴隨晶片W的旋轉(zhuǎn)，殘留在晶片W表 面的周緣區(qū)域40的DIW供給到刷子21。通過供給了DIW的刷子21，清洗 晶片W背面的周緣區(qū)域41以及周端面42，從而洗掉附著于晶片W背面的周 緣區(qū)域41的SC1。
若在刷子21的第二清洗面33與晶片W抵接之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則一行 控制部50控制升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，將刷子21降低至規(guī)定高度(步驟S20)。 由此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接 到第一清洗面32。然后，晶片W擠進(jìn)第一清洗面32 (步驟S21:與刷子的 第一清洗面抵接)，周緣區(qū)域40以及周端面42被第一清洗面32推壓。在此 狀態(tài)下，第二表面DIW噴嘴57繼續(xù)供給SC1。因而，伴隨晶片W的旋轉(zhuǎn)， 殘留在晶片W表面的周緣區(qū)域40的DIW供給到刷子21。通過供給了 DIW 的刷子21，清洗晶片W表面的周緣區(qū)域40以及周端面42，從而洗掉附著于 晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1。
向位于晶片W的旋轉(zhuǎn)方向上的刷子接觸位置P1的下游側(cè)的DIW著液位 置P6，供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。通過來自第二表面DIW噴 嘴57的DIW，洗掉被刷子21從晶片W剝離的污染物。由于DIW供給到位 于旋轉(zhuǎn)方向上的刷子接觸位置P1的下游側(cè)，因此能夠通過DIW來洗掉從表 面周緣區(qū)域40剝離的污染物。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，則通過 控制部50控制搖動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)23以及升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，刷子21退避至處理 開始前的原位置，并且通過控制部50關(guān)閉吸引閥56，從而吸嘴54停止吸引 (步驟S22)。而且，在刷子21回到原位置的期間內(nèi)，控制刷子自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)26， 停止刷子21的旋轉(zhuǎn)。而且，通過控制部50關(guān)閉第二表面DIW閥58，從而 第二表面DIW噴嘴57停止供給DIW (步驟S23)。
其后，通過控制部50控制旋轉(zhuǎn)卡盤13，高速地(例如3000rpm)旋轉(zhuǎn)晶
片W，從而附著于晶片W的DIW被甩開，進(jìn)而使晶片W干燥。在以規(guī)定時(shí)
間連續(xù)高速旋轉(zhuǎn)晶片W之后，旋轉(zhuǎn)卡盤3停止旋轉(zhuǎn)晶片W。然后，在晶片 W靜止之后，從基板處理裝置51中運(yùn)出該處理完畢的晶片W。
如上所述地，通過將供給了 SC1的刷子21抵接到由旋轉(zhuǎn)卡盤3旋轉(zhuǎn)的 晶片W表面的周緣區(qū)域40，從而能夠刮去附著于該周緣區(qū)域40的污染物。 另一方面，在晶片W表面的周緣區(qū)域40，向相對(duì)于刷子接觸位置P1位于晶 片W旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)相隔了間隔L5的DIW著液位置P6，供給來自第二表 面DIW噴嘴57的DIW。因此，能夠通過DIW洗掉被刷子21刮去的污染物。 因此，能夠防止被刷子21刮去的污染物殘留在晶片W表面的周緣區(qū)域40且 牢牢地粘住。
而且，由于著液位置P6相對(duì)于刷子接觸位置Pl在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向下 游側(cè)DIW相隔了間隔L5，因此供給到DIW著液位置P6的DIW的絕大部分 經(jīng)由晶片W而不與刷子21直接接觸。由此，能夠抑制被DIW洗掉的污染物 附著于刷子21。
而且，由于供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40上的DIW著液位置P6的 DIW從晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)向該DIW著液位置P6供給，具有朝 向晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向外側(cè)的矢量。然后，在結(jié)束此供給之后，由晶片W 的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用于DIW。由此，供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40 的DIW幾乎不進(jìn)入到晶片W表面的中央部。從而，不用擔(dān)心DIW給晶片W
表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響。
其結(jié)果，不給晶片W表面的器件形成區(qū)域帶來不良影響，就能夠從晶片 W表面的周緣區(qū)域40良好地除去污染物。
而且，在由旋轉(zhuǎn)卡盤3旋轉(zhuǎn)的晶片W表面的周緣區(qū)域40，第二表面SC1 噴嘴52向在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向上的刷子接觸位置Pl的上游側(cè)的SC1著液 位置P5供給SC1。被供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的SC1受到因晶片 W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力，從而流到與晶片W的周緣部接觸的刷子21。因此， 能夠針對(duì)刷子21良好地供給SC1 。
而且，來自第二表面SC1噴嘴52的SC1沿著晶片W表面的周緣區(qū)域40 供給到處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的刷子21。由此，與從第二表面SC1噴嘴52向刷子21 直接噴出SC1的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制SC1伴隨刷子21旋轉(zhuǎn)的飛散。
還有，向刷子21供給來自第二表面SC1噴嘴52的SC1，并且通過吸嘴 54吸引包含在刷子21內(nèi)部的SC1，從而刷子21的內(nèi)部包含充分滿足需要量 的SC1。因此，在晶片W表面的周緣區(qū)域40上的刷子接觸位置P1，能夠形 成具有適當(dāng)?shù)臐駶?rùn)寬度的SC1的液膜。其結(jié)果，SC1不給晶片W表面的器 件形成區(qū)域SC1帶來不良影響，就能夠良好地清洗晶片W表面的周緣區(qū)域 40。
上面，對(duì)本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是也能夠由其它實(shí)施方 式來實(shí)施本發(fā)明。例如，還能夠采用向刷子21直接供給SC1的結(jié)構(gòu)。在此 情況下，可以向刷子21的清洗面32、 33供給SC1，也可以經(jīng)由刷子旋轉(zhuǎn)軸 25向刷子21的內(nèi)部供給SC1。
而且，在所述兩個(gè)實(shí)施方式中，舉例說明了如下的情況，即，使用基板 處理裝置l、 51，并對(duì)在晶片W表面的中央部形成了Low-k膜(疏水膜)的 晶片W進(jìn)行清洗的情況，但是，使用了基板處理裝置l、 51的清洗處理能夠 將在其表面的中央部形成了銅布線的晶片W作為清洗對(duì)象，而且也能夠?qū)⒊?此以外的晶片W作為清洗對(duì)象。
另外，雖然在第一實(shí)施方式的基板處理裝置1不具有吸引刷子21的吸嘴， 但是也可以設(shè)置與第二實(shí)施方式的基板處理裝置51相同的吸嘴54以及吸管 55，以使其吸引刷子21內(nèi)的SC1等液體。
還有，雖然第一實(shí)施方式的基板處理裝置1的處理工序中，在步驟S8 的沖洗處理時(shí)，刷子21退避到原位置，但是也可以使進(jìn)行該沖洗處理時(shí)的刷 子21與晶片W的周緣部接觸。在此情況下，在沖洗處理中，如步驟S2 S7 的SC1處理一樣，優(yōu)選地，首先使刷子21的第二清洗面33與晶片W背面 的周緣區(qū)域41以及周端面42抵接，然后使刷子21的第一清洗面32與晶片 W表面的周緣區(qū)域40以及周端面42抵接。
而且，在第二實(shí)施方式的基板處理裝置51中，也能夠如第一實(shí)施方式的 基板處理裝置1 一樣采用配設(shè)背面DIW噴嘴6的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，當(dāng)步 驟S17 S22的沖洗處理時(shí)，也能夠向刷子21供給來自背面DIW噴嘴6的 DIW。因此，無需向刷子21供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。
從而，在步驟S17 S22的沖洗處理中，也能夠從N2氣體噴嘴10噴出 N2氣體。此時(shí)，針對(duì)供給到晶片W表面的周緣區(qū)域40的DIW，從晶片W
的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)開始噴附來自N2氣體噴嘴10的N2氣體。從而，DIW
被推向旋轉(zhuǎn)半徑方向外側(cè)，不停留在晶片W表面的周緣區(qū)域40上，就被迅 速地從周緣區(qū)域40上除去。
而且，在沖洗處理中，在從N2氣體噴嘴10噴出N2氣體的情況下，即使 第二表面DIW噴嘴57噴出的DIW的量少，也能夠從晶片W表面的周緣區(qū) 域40良好地除去污染物。通過減少來自第二表面DIW噴嘴57的DIW的量， 能夠防止從晶片W表面的周緣區(qū)域40飛散的DIW彈回到晶片W表面。
而且，在配設(shè)背面DIW噴嘴6的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)進(jìn)行沖洗處理時(shí)，向刷子 21供給充足的DIW。因此，可以是如下的結(jié)構(gòu)，即，不僅在步驟S12 S16 的SC1處理中進(jìn)行吸引噴嘴54的吸引，在步驟S17 S22的沖洗處理中也進(jìn) 行吸引噴嘴54的吸引的結(jié)構(gòu)。在此情況下，能夠防止DIW進(jìn)入到晶片W的 中央部。
而且，在所述兩個(gè)實(shí)施方式中，雖然舉例在SC1處理之后進(jìn)行沖洗處理 的結(jié)構(gòu)并進(jìn)行了說明，但是，也能夠不使用SC1 (藥液)而僅使用DIW (沖 洗液)清洗晶片W表面的周緣區(qū)域40。在這種情況下，在第二實(shí)施方式中， 能夠刪除有關(guān)步驟S12 S16的SC1處理的工序。
在此情況下，通過被供給DIW的刷子21與晶片W表面的周緣區(qū)域40 接觸，能夠刮去附著于該周緣區(qū)域40的污染物。另一方面，在晶片W表面 的周緣區(qū)域40，向相對(duì)于刷子接觸位置Pl在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)相隔 了間隔L5的DIW著液位置P6，供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。由 此，在結(jié)束該刮去之后，緊接著通過DIW能夠洗掉被刷子21刮去的污染物。 因此，能夠防止被刷子21刮去的污染物殘留在晶片W表面的周緣區(qū)域40且 牢牢地粘住。
另外，在所述兩個(gè)實(shí)施方式中，作為藥液示例了 SC1，但是除此以外也 能夠使用例如氨水。
而且，作為沖洗液不僅限于DIW，也能夠使用例如碳酸水、離子水、臭 氧水、還原水(含氫水)或者磁化水等功能水。
而且，在所述2個(gè)實(shí)施方式中，使用真空吸附式卡盤作為旋轉(zhuǎn)卡盤3， 但是旋轉(zhuǎn)卡盤3不僅限于這種真空吸附式卡盤。例如，也能夠使用如下的輥 式卡盤，即，使用多個(gè)旋轉(zhuǎn)輥輪夾持晶片W的周端面42，從而能夠以大致
水平姿勢(shì)保持晶片W。此時(shí)，在采用向晶片W背面供給藥液或沖洗液的結(jié)構(gòu) 的情況下，優(yōu)選地通過向晶片W背面的旋轉(zhuǎn)中心附近供給藥液或沖洗液，從 而達(dá)到向刷子21供給藥液或沖洗液的目的。而且，在不采用向晶片W背面 供給藥液或處理液的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠采用如下的端面夾持型卡盤，艮口，
通過使用多個(gè)卡盤銷(chuck pin)夾持晶片W的周端面42，能夠以大致水 平姿勢(shì)保持晶片W。
雖然對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但是這些只不過是為了明 確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而采用的具體例，因此本發(fā)明不應(yīng)被這些具體實(shí)施例的 限定解釋，僅由權(quán)利要求書來限定本發(fā)明的技術(shù)方案以及保護(hù)范圍。
本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于2007年7月26日向日本特許廳提交的JP特愿2007-194166 號(hào)專利，在此引用并進(jìn)行改編就為該申請(qǐng)的全部公開。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有基板旋轉(zhuǎn)單元，其用于使基板旋轉(zhuǎn)；刷子，其針對(duì)由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板，至少抵接在基板表面的周緣區(qū)域；周緣沖洗液噴出單元，其向規(guī)定的沖洗液噴出位置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向上的該規(guī)定的沖洗液噴出位置的內(nèi)側(cè)噴出沖洗液，其中，所述規(guī)定的沖洗液噴出位置是相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域中與所述刷子接觸的區(qū)域而向著基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有藥液供給 單元，所述藥液供給單元用于向所述刷子供給藥液。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液供給單 元向規(guī)定的藥液噴出位置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向上的該規(guī)定的藥液噴出位 置的內(nèi)側(cè)噴出藥液，其中，所述規(guī)定的藥液噴出位置是相對(duì)基板表面的周緣 區(qū)域中與所述刷子接觸的區(qū)域而位于基板的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的位置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板旋轉(zhuǎn)單元將基板保持為基板的表面朝向上方的大致水平的姿勢(shì)，并使基板圍繞鉛直軸線旋轉(zhuǎn)；所述藥液供給單元向由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的背面供給藥液。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有藥液吸引 單元，所述藥液吸引單元用于吸引包含在所述刷子內(nèi)部的藥液。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有下游側(cè)周 緣藥液噴出單元，所述下游側(cè)周緣藥液噴出單元用于向規(guī)定的沖洗液噴出位 置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向上的該規(guī)定的藥液噴出位置的內(nèi)側(cè)噴出藥液，其 中，所述規(guī)定的藥液噴出位置是相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域中與所述刷子接觸 的區(qū)域而向著基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的位置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有氣體噴附 單元，所述氣體噴附單元用于針對(duì)由所述周緣沖洗液噴出單元而供給到基板 表面的周緣區(qū)域的沖洗液，在相比所述規(guī)定的沖洗液噴出位置而向著基板的 旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)隔開了間隔的位置上，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向的內(nèi)側(cè)噴附惰 性氣體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述刷子用可彈 性變形的材料形成，而且具有第一清洗面，所述第一清洗面具有朝向與由所 述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面垂直的垂線方向的一側(cè)變窄的形狀。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，所述刷子具有第 二清洗面，所述第二清洗面的形狀是從所述第一清洗面的所述一側(cè)的端緣向 所述垂線方向的所述一側(cè)擴(kuò)寬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液是氨 與雙氧水的混合液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其具有基板旋轉(zhuǎn)單元，其用于旋轉(zhuǎn)基板；刷子，其針對(duì)由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板，至少與基板表面的周緣區(qū)域抵接；周緣沖洗液噴出單元，其向規(guī)定沖洗液噴出位置，從基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向上的該規(guī)定沖洗液噴出位置的內(nèi)側(cè)噴出沖洗液，其中，所述規(guī)定沖洗液噴出位置是相對(duì)基板表面的周緣區(qū)域與所述刷子接觸的區(qū)域位于基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)隔開間隔的位置。
文檔編號(hào)B08B1/04GK101355020SQ20081014432
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日
發(fā)明者石井淳一, 野野村正浩 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社