專利名稱：超聲波清洗單晶硅片裝置的制作方法
技術領域：
超聲波清洗單晶硅片裝置技術領域：
本實用新型涉及一種清洗裝置，尤其是屬于一種超聲波清洗單晶硅片 裝置。背景技術：
在半導體硅片加工過程中，每一道工序都涉及到清洗，由于很多半導 體分立器件是在硅研磨片表面直接制造或襯底擴散而成，因此，硅研薩片清洗質量的好壞將直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性。 目前，常規(guī)的半導體硅研磨片的清洗方法有兩種手洗和超聲波清洗。手 洗效果差，清洗后的研磨硅片上仍然會有許多研磨金剛砂、硅粉末殘留。 超聲波清洗裝置的結構包括一清洗槽，槽壁上設有去離子水進出口，使去 離子水在保持一定高度的情況下始終處于流動狀態(tài)，清洗槽的槽底下方設 有超聲波振子。清洗時，將硅片依次豎插在承載花籃內， 一起浸入清洗槽內的去離子水中，經(jīng)過6 8道工位超聲，每道超洗10 15分鐘，然后，經(jīng)去離子純水沖洗、漂洗、甩干而完成超洗。但是，上述超聲波清洗裝置存在如下缺陷 一方面，硅片豎插在承載 花籃內，超聲波源從底部發(fā)生往上發(fā)射與硅片表面?zhèn)让娼佑|，超洗后硅片表面的污染物會殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不千凈；另一方面，用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的 傳遞，從而也會造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈現(xiàn)象。
發(fā)明內容為克服現(xiàn)有技術存在的上述技術問題，本實用新型旨在提供一種結構 新穎的超聲波清洗單晶硅片裝置，該裝置結構簡單，用其清洗單晶硅片不 會出現(xiàn)局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象。為達到上述目的，本實用新型采用了如下的技術方案這種超聲波清 洗單晶硅片裝置的結構包括清洗槽，清洗槽.的槽壁上設有進水口和出水口， 槽底部下方設有超聲波振子，其要點是清洗槽槽內設有一擱置單晶硅片 的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒，石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內。如上所述的超聲波清洗單晶硅片裝置，其特征是石英棒距離清洗槽 底壁為15厘米。有益效果本實用新型用底壁為柵欄狀石英棒的框架替代用聚四氟材 料制成的承載硅片的軟休花籃后，清洗時，單晶硅片可以平置在石英棒上， 將現(xiàn)有的豎超洗改成平超洗，不但消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，超聲 波源從底部發(fā)生往上發(fā)射與硅片表面?zhèn)让娼佑|，超洗后硅片表面的污染物 會殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及用聚四氟材料制 成的承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而也會造成 硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象，而且結構更為簡單、用水量也可以 大大減少。為加深理解，下面通過實施例并結合附屈對本實用新型作進一歩說明。
圖1為本實用新型一個實施例的立體結構示意圖。圖中序號分別表示框架側壁i,清洗槽側壁2，進水口3，超聲波振 子安裝框4，石英棒5，單晶硅片6。
具體實施方式
參見圖1。清洗槽側壁2用UPVC板制成，它是一個矩形無頂?shù)南潴w， 進水口 3和出水口既口丄以確保清洗槽內具有一定的去離子水高度，又能使 去離子水處于流動狀態(tài)。槽底部下方設有超聲波振子安裝框4。擱置雖.晶 硅片6的框架，底壁為柵欄狀的石英棒5，多根石英棒5形成一個平面， 該平面低于去離子水水平面，并確保放置單晶硅片后也浸沒在水中，整個 框架由支撐腳支撐在清洗槽內。為達到最好的清洗效果，申請人作了反復試驗，石英棒所在的平面距 離清洗槽底壁最好為15厘米。
權利要求1、一種超聲波清洗單晶硅片裝置，包括清洗槽，清洗槽的槽壁上設有進水口(3)和出水口，槽底部下方設有超聲波振子，其特征是清洗槽槽內設有一擱置單晶硅片(6)的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒(5)，石英棒(5)形成的平面低于去離子水水平面，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內。
2、 如權利要求1所述的一種超聲波清洗單晶硅片裝置，其特征是石英棒(5)距離清洗槽底壁為15厘米。
專利摘要一種超聲波清洗單晶硅片裝置，清洗槽的槽壁上設有進水口和出水口，槽底部下方設有超聲波振子，清洗槽槽內設有一擱置單晶硅片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒，石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內。具體實施時，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時，單晶硅片可以平置在石英棒上，將現(xiàn)有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，污染物會殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象，具有結構更為簡單、用水量大大減少的優(yōu)點。
文檔編號B08B3/12GK201098688SQ20072019257
公開日2008年8月13日 申請日期2007年11月27日 優(yōu)先權日2007年11月27日
發(fā)明者樓春蘭, 汪貴發(fā), 輝 鄭 申請人:萬向硅峰電子股份有限公司