專利名稱：堿性后化學機械平面化清洗組合物的制作方法
技術(shù)領域：
在半導體工業(yè)中，用銅互連作為互連材料正日益增加且勝于鋁。銅超過鋁的優(yōu)良電導率可以產(chǎn)生更大載流容量的更高速互連。目前，通過使用所謂的“波紋”或“雙元波紋”制造工藝形成銅互連。簡單地說，波紋敷金屬工藝通過暫停形成在半導體晶片表面上所形成的凹槽中進行導電金屬的沉積形成互連。典型地，在半導體基片上形成半導體裝置(例如，集成電路)。通常以氧化層覆蓋這些基片?？梢詮男纬砷_口的氧化層的選定區(qū)域除掉材料，該選定區(qū)域稱為基片表面內(nèi)的嵌入(in-laid)區(qū)域。這些嵌入?yún)^(qū)域相當于形成裝置的導體布線的電路互連圖案。
一旦在氧化層內(nèi)部形成嵌入圖案，可以制造薄阻擋層，甚至覆蓋所形成圖案的氧化層。該阻擋層可以由，但不局限于，氮化鈦、氮化鉭、或氮化鎢組成。在形成阻擋層之后，沉積導電金屬的種層，優(yōu)選包含銅。通過各種沉積技術(shù)包括，但不局限，物理濺射、化學氣相沉積(CVD)、或電鍍，使銅種層為銅的大量沉積形成基礎。在沉積了大量銅之后，可以使用例如化學-機械拋光(CMP)除掉多余的銅。除了除掉過剩的材料以外，還加入CMP工藝以實現(xiàn)基片表面的平面化。銅層CMP由于能以不同的速率除掉銅、下層基片材料和擴散阻擋材料這一事實而特別具有希望。該問題經(jīng)常被稱為“選擇性”。與CMP工藝特別與銅層有關的其它問題，包括但不局限于，銅盤、氧化物侵蝕、和/或區(qū)域損失(field loss)。
背景技術(shù)：
在CMP工藝中，通過將化學和機械手段結(jié)合完成拋光和過剩材料的去除。CMP工藝包括向基片表面應用一種在化學反應介質(zhì)內(nèi)含磨料粒(例如氧化鋁、硅石、陶瓷、聚合粒子等)的CMP漿液。在典型的CMP工藝中，可以由拋光墊(pad)機械摩擦晶片表面同時含磨料粒的化學反應漿液流過表面。在另一被稱作“固定研磨CMP”(fixed abrasive CMP)CMP工藝中，可以使磨料粒嵌入拋光墊表面內(nèi)同時將晶片表面與化學反應介質(zhì)相接觸。
典型的CMP漿液是含磨料粒、反應劑、表面活性劑、和適合的氧化劑組成的水懸浮體。可以加入到漿液中的反應劑包括有機酸(例如檸檬酸)、氨基酸(例如甘氨酸)和唑類化合物(例如苯并三唑)。令人遺憾的是，CMP工藝留有殘余物，諸如來自于漿液或由工藝本身產(chǎn)生的顆粒、膜、金屬離子雜質(zhì)和氧化物。在某些CMP漿液中所使用的一些反應劑或所有反應劑也可以留有殘余物并且提供潛在侵蝕源。例如，在CMP漿液之內(nèi)磨料粒的使用可以造成各種顆粒污染物留在拋光面上。另外，某些反應劑諸如苯并三唑可以在基片表面上留下有機殘余物或膜。漿液成份中的其它反應劑諸如某些鹽如鈉、鉀、和鐵鹽和/或化合物可以留下大量這些金屬離子雜質(zhì)。另外，由于在CMP工藝期間銅的氧化作用，反應劑諸如氧化劑可以在銅上留下殘余氧化層。該殘余氧化層可以對電子裝置的電特性產(chǎn)生副作用。
為了彌補這些問題，可能需要后CMP清洗步驟除掉上面所述的殘余物同時限制侵蝕下層基片表面。后CMP清洗步驟的另一目的包括，受局限于在低介電常數(shù)(low-k)的表面上防止水印。用于半導體制造的先進低-k介電表面在本質(zhì)上是憎水的并且在晶片干燥期間趨向于形成水印。也需要通過改善晶片相對于清洗化學物潤濕性清洗化學物使水印的形成最小化。后CMP清洗步驟應該滿足這些目的同時使蝕刻基片表面最小化和避免使表面粗糙度任何明顯程度的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本文中公開的是一種后CMP清洗組合物和其應用方法。在一個具體實施方案中，提供了一種在化學機械平面化之后處理基片的組合物，其包括水、有機堿、多種含氨基多元羧酸和羥基羧酸的螯合劑、任選的表面活性劑、和任選的緩蝕劑，其中組合物的pH值可以從9.5到11.5。


圖1比較本文中所述的一些典型組合物容量與時間的關系。
圖2提供了本發(fā)明的一些典型溶液的阻抗曲線的對比。
圖3拋光樣品以及拋光+溶液處理的樣品的X-射線誘導俄歇電子峰。
本文公開了一種后CMP清洗組合物和其應用方法。可以使用本文所述的組合物和方法來除掉CMP清洗工藝中產(chǎn)生的殘余物。在某些具體實施方案中，基片包含銅或含銅的材料。術(shù)語“銅”和“含銅材料”在本文中可以互換，并包括，但不受局限于，含純銅、含銅合金諸如銅-鋁合金、以及Ti/TiN/Cu、和Ta/TaN/Cu多層基片層的基片。在這些具體實施方案中，組合物盡管是在堿性pH值范圍下配制，但出乎意料和令人驚奇的是沒有引起銅表面的氧化。進一步，該組合物也可以螯合金屬離子和清洗各種基片諸如，例如以同樣處理之后的半導體晶片。
清洗組合物包含水、有機堿、多種螯合劑、任選的表面活性劑、和任選的緩蝕劑。在某些具體實施方案中，多種螯合劑由至少一種氨基多元羧酸和至少一種羥基羧酸組成。組合物的pH值的范圍從9.5到11.5或從10到11。
本文所述的組合物包括有機堿。加入到組合物中的有機堿量應該足夠獲得pH值至少為9.5。有機堿沒有引起對下層基片特別是銅的侵蝕。在某些優(yōu)選的具體實施方案中，有機堿包含季銨氫氧化物。季銨氫氧化物的具體實例包括氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨和氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨。在一個特別的具體實施方案中，組合物包含季銨氫氧化物諸如TMAH。除季銨氫氧化物以外其它適合的有機堿的實施例包括，但不受局限于，羥胺、有機胺諸如伯、仲、叔脂肪族胺、脂環(huán)胺、芳香族胺和雜環(huán)胺、和氨水。羥胺的具體實例包括羥胺(NH2OH)，N-甲基羥基胺、N，N-二甲基羥基胺和N，N-二乙基羥基胺。脂肪族伯胺的具體實例包括單乙醇胺、乙二胺和2-(2-胺乙基胺基)乙醇。脂肪族仲胺的具體實例包括二乙醇胺、N-甲胺基乙醇、二丙基胺和2-乙氨基乙醇。脂肪族叔胺的具體實例包括二甲氨基乙醇和乙基二乙醇胺。脂環(huán)胺的具體實例包括環(huán)己胺和二環(huán)己基胺。芳香族胺的具體實例包括苯甲胺、二芐胺和N-甲基芐胺。雜環(huán)胺的具體實例包括吡咯、吡咯烷、吡咯烷酮、吡啶、嗎啉、吡嗪、哌啶、N-羥乙基哌啶、噁唑和噻唑。有機堿可以單獨使用或與另一種組合使用。
因為螯合劑對一種金屬離子而言比其它離子可能更具有選擇性，在本文所述的組合物中使用了多種螯合劑或其鹽。人們相信這些螯合劑可以與基片表面上的金屬離子污染物結(jié)合起來并且將它們?nèi)苋虢M合物。因此，在某些具體實施方案中，螯合劑應該能夠?qū)⑦@些金屬離子留在組合物中并且防止離子再沉積在基片表面上。在某些具體實施方案中，加入組合物中的螯合劑可以具有抗氧化性能即也可以在堿性pH值條件下防止銅表面氧化。
加入到組合物中的全部螯合劑濃度按重量計可以從百萬分之50(ppm)到15％或從0.1％到5％變化?？梢允褂玫倪m合的螯合劑的實例包括，但并不局限于乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羥基乙基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、氨三乙酸(nitrilotriacetic acid)(NTA)、二乙撐三胺五乙酸(diethylkenetriaminepentaceticacid)(DPTA)、乙醇二甘氨酸鹽、檸檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二磷酸、氨基三亞甲基磷酸、亞乙基-二磷酸、1-羥基亞乙基-1，1-二磷酸，1-羥基亞丙基-1、1-二磷酸、乙基氨基二亞甲基磷酸、十二烷基氨基二亞甲基磷酸、氨三亞甲基磷酸、乙二胺二亞甲基磷酸、乙二胺四亞甲基磷酸、六二胺四亞甲基磷酸、二乙撐三胺五亞甲基磷酸和1，2-丙二胺四亞甲基磷酸、或銨鹽、有機胺鹽、丙二酸(maronic acid)、琥珀酸(succinic acid)、二巰基琥珀酸、戊二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、多羧酸諸如三胺甲苯酸(tricarbaryl acid)、丙烷-1，1，2，3-四羥酸、丁-1，2，3，4-四羧酸，苯四酸、羥基羧酸諸如乙醇酸、β-羥基丙酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、丙酮酸、五倍子酸、二甘醇酸、水楊酸、五倍子酸，多酚諸如鄰苯二酚、連苯三酚，磷酸諸如焦磷酸、多磷酸，雜環(huán)化合物諸如8-羥喹啉、二酮諸如α-聯(lián)吡啶乙酰丙酮。
在某些具體實施方案中，多種螯合劑包括氨基多羧酸和羥基羧酸。氨基多羧酸可以例如在組合物之內(nèi)螯合金屬離子。然而在堿性pH值條件下可能減弱這些氨基多羧酸的螯合能力，因此降低了組合物的作用。為了彌補這點，加入羥基羧酸來改善清洗性能，尤其在堿性pH值水平下。適合的氨基多羧酸的實例包括乙二胺四乙酸(EDTA)、n-羥乙基乙二胺三乙酸(HEDTA)、二乙撐三胺五乙酸(DTPA)和氨三乙酸(NTA)。羥基羧酸的實例包括檸檬酸、葡萄糖酸、蘋果酸、酒石酸、富馬酸、乳酸。在一個詳細具體實施例中，使用三種不同螯合劑氨基多羧酸EDTA和羥基羧酸類葡萄糖酸和檸檬酸。
本文公開的組合物中也存在水。它可以作為其它組成的成份偶然存在，例如水基有機堿溶液或螯合溶液，或它可以單獨加入。水的一些非限制實施例包括去離子水、超純水、蒸餾水、再蒸餾水、或具有低金屬含量的去離子水。優(yōu)選地，存在的水量按重量計為大約65％或更多，或大約75％或更多，或大約85％或更多，或大約95％或更多。
可以任選地將表面活性劑加入組合物中?？梢允褂萌魏畏N類表面活性劑，陰離子的/陽離子的/非離子的/兩性離子的或它們的混合物。表面活性劑的選擇可以依賴于各種標準，包括濕潤性能、發(fā)泡沫性能、去污力、可漂洗性等等。在這些具體實施例中，表面活性劑的濃度可以從1ppm到10000ppm變化或從50ppm到5000ppm變化。表面活性劑的實施例還包括硅樹脂表面活性劑、聚(環(huán)氧烷)表面活性劑和含氟化合物表面活性劑。用于工藝組合物中合適的非離子型表面活性劑包括，但不局限于，辛基和壬酚乙氧基化物諸如TRITONX-114、X-102、X-45、X-15和脂肪醇乙氧基化物諸如BRIJ56(C16H33(OCH2CH2)10OH)(ICI)、BRIJ58(C16H33(OCH2CH2)20OH)(ICI)。典型的表面活性劑仍然還包括炔醇和其衍生物、炔二醇(非離子烷氧基和/或可自乳化的炔二醇表面活性劑)和其衍生物、乙醇(伯和仲)乙氧基化物、胺乙氧基化物、糖苷、葡酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-丙二醇)、或文獻McCutcheon’s Emulsifiers andDetergents，(2000年North American Edition由Manufacturers ConfectionersPublishing Co.of Glen Rock，N.J出版)提供的其它表面活性劑。
清洗工藝期間也可以任選地加入緩蝕劑為銅線提供保護。本發(fā)明公開的組合物也能任選地包含按重量計高達大約15％、或大約0.2到大約10％的緩蝕劑?？梢允褂孟嗨粕暾堉腥魏我阎木徫g劑，如本文引用的美國專利No.5,417,877中所公開的那些。緩蝕劑可以是，例如有機酸、有機酸鹽、苯酚、三唑、羥胺或其酸式鹽。具體的緩蝕劑實施例包括鄰氨基苯甲酸、五倍子酸、苯甲酸、間苯二甲酸、馬來酸、富馬酸、D，L-蘋果酸、丙二酸、苯二甲酸、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、間苯二酚、羧基苯并三唑、二乙基羥胺和其乳酸鹽和檸檬酸鹽等等?？梢允褂玫木徫g劑的實施例還包括鄰苯二酚、連苯三酚和五倍子酸的酯。能使用的具體羥胺包括二乙基羥胺和其乳酸鹽和檸檬酸鹽。適合的緩蝕劑的其它實施例還包括果糖、硫代硫酸銨、甘氨酸、乳酸、四甲基胍、亞氨基乙酰乙酸和二甲基乙酰乙酰胺。在某些具體實施例中，緩蝕劑可以包括具有pH值從大約4到大約7變化的弱酸。弱酸的實施例包括三羥基苯、二羥基苯和/或水楊基異羥肟酸。
組合物也可以包括一種或多種下述添加劑化學改性劑、著色劑、抗微生物劑、防腐劑和其它添加劑?？梢詫⑻砑觿┘尤氲剿鼈儾粚M合物pH值范圍產(chǎn)生有害影響的程度。
可以通過混合多種螯合劑與水、有機堿和其它成份諸如表面活性劑、緩蝕劑、和/或可能加入的添加劑制備本文所述的組合物。在某些具體實施方案中，可以使用離子交換法將本文所述的清洗組合物中的成份單獨凈化或作為兩種或多種成份組成的組合物來凈化以減輕微量離子污染。在某些具體實施方案中，可以在溫度為大約40到60℃條件下混合來影響其中所含成份的溶解。在含有一定的螯合酸諸如EDTA的實施方案中，其在水中的可溶性極低。在這些具體實施方案中，理想的是在加入其它成份之前，首先將這些酸溶入含有有機堿的溶液中?？梢匀芜x地過濾得到的組合物來除掉任何可能損傷基片的不溶顆粒。
在可選擇的具體實施方案中，包含多種螯合劑、有機堿、任選的表面活性劑、和任選的緩蝕劑在水中能被稀釋的濃縮組合物被提供。本發(fā)明的濃縮組合物、或“濃縮物”允許將濃縮物稀釋到理想的濃度和pH值。濃縮物也允許產(chǎn)品更久的保存期和更簡單的運輸和儲存。
在CMP步驟之后，優(yōu)選使用工藝組合物處理基片表面。適合的基片包括，但不局限于，半導體材料諸如砷化鎵(“GaAs”)、氮化硼(“BN”)硅、和包含硅諸如單晶硅、多晶硅、非晶態(tài)硅、外延硅、二氧化硅(“SiO2”)、碳化硅(“SiC”)、碳氧化硅(“SiOC”)、氮化硅(“SiN”)、碳氮化硅(“SiCN”)、有機金屬硅玻璃(“OSG”)、有機氟硅玻璃(“OFSG”)、氟硅玻璃(“FSG”)和其它適合的基片或其混合物的組合物。基片還包括各種層諸如，例如擴散阻擋層(例如，TiN、Ti(C)N、TaN、Ta(C)N、Ta、W、WN、TiSiN、TaSiN、SiCN、TiSiCN、TaSiCN、或W(C)N)、抗反射涂層、光阻材料、有機聚合物、多孔有機、無機材料、低介電常數(shù)材料、高介電常數(shù)材料、和附加的金屬層，在這些層上應用金屬材料如銅。進一步典型的基片還包括硅、鋁、或聚合樹脂。
本文所述的方法可以通過將具有后CMP工藝殘余物諸如，例如其中以薄膜或微粒殘渣存在的磨料粒、工藝殘余、氧化物、金屬離子、鹽、或絡合物或其混合物，與所述的組合物接觸來進行。清洗方法可以包括用聚合物刷子在由清洗化學物和水構(gòu)成的流動介質(zhì)中擦洗晶片。另外一種清洗晶片表面的方法可以包括用清洗化學物高速噴濺晶片表面。還有另一種清洗方法是將晶片浸入清洗化學物浴中并且用適合的傳感器施加百萬音速能量?；┞队诮M合物的典型周期可以從，例如0.1到60分鐘、或1到30分鐘、或1到15分鐘變化。在與組合物接觸之后，可以將基片漂洗然后干燥。在某些具體實施例中，在將基片與本文所述的組合物接觸之前、期間和/或之后可以采用去離子水漂洗或用含其它添加劑的去離子水漂洗。典型地在惰性氣氛下進行干燥。在可選擇的具體實施例中，也可以在含有一定濃度的揮發(fā)性溶劑諸如異丙醇的氣氛下進行干燥以便使干燥過程中的缺陷形成最小化。
具體實施例方式
提供以下實施例來進一步說明本文公開的組合物和方法。
實施例除非另作說明，采用的全部實施例在含有電鍍銅表面膜的8英寸硅晶片上進行。使用Speed-FAM IPEC 472 CMP系統(tǒng)、使用CMP漿液CP3210(由AirProducts and Chemicals Inc.制造)并用30％過氧化氫以100∶4比例稀釋，在2磅/平方英寸(psi)壓力和50轉(zhuǎn)/分鐘(RPM)工作臺速度持續(xù)30秒將電鍍銅表面膜拋光以便從銅表面除掉任何自身產(chǎn)物。在表I和II中，所有用量以重量百分比計并且總計達到100％。
實施例1使用以下成份配制500典型組合物1至5溶液8.62g由Air Products andChemicals，Inc.of Allentown，PA提供的28.91％的提純檸檬酸溶液；5.0g從AcrosOrganics獲得的50％葡萄糖酸溶液；2.5g從Acros Organics獲得的EDTA粉末；分別28.70g、29.00g、29.55g、30.11g、和30.88g來自Sachem Chemicals的25.16％TMAH溶液；和余量為水。通過在室溫下將組份一起混合在容器中直至所有固體溶解制備本文公開的組合物。
表1

為了原位氧化監(jiān)視，用拋光的晶片作為Gamry涂料電池中的工作電極。將電池用表1所列提供的典型組合物填充。使用控制電勢恒定器/穩(wěn)流器的Gamry PCL4計算機利用電化學阻抗波譜監(jiān)視氧化物生長。在用典型的組合物填充電池之后約1分鐘、5分鐘、10分鐘和15分鐘進行這些測量。將得到的電化學阻抗曲線進行曲線擬合以便獲得銅-電解質(zhì)界面的電容。較低電容表現(xiàn)出銅表面具有良好保護，可能由于在表面上保護氧化物形成。圖1提供了曲線擬合的結(jié)果。在pH值為8.93和9.51的電容是最低的，因此顯示出氧化物可能是保護性的并且可能在表面上形成Cu2O。在較高pH值水平下，電容較高，表示較低厚度的氧化物或缺陷氧化物。具有pH值在10.5左右的組合物對于某些應用可能是最佳的，該組合物具有最小的氧化物生長。
實施例2外部(ex-situ)研究清洗化學物對氧化的影響。如例1中，將典型后CMP拋光晶片浸在典型的組合物4中1、5、10和15分鐘。在以旋轉(zhuǎn)-漂洗-干燥劑干燥之后，為了監(jiān)視氧化使用這些拋光晶片作為Gamry涂料電池中的工作電極。將電池用水充滿。使用控制電勢恒定器/穩(wěn)流器的Gamly PCL4計算機利用電化學阻抗波譜監(jiān)視氧化物生長。在用水填充電池之后約1分鐘進行這些測量。圖2顯示了典型組合物4以時間為函數(shù)獲得的阻抗曲線。圖2也提供了關于比較或“對比”樣品的數(shù)據(jù)，該樣品用CMP拋光并且沒有用組合物處理。
在用典型的組合物4處理之后，在1分鐘和5分鐘之后氧化水平與對比樣品比較可能有點低。至少，這表明典型的清洗組合物在暴露的開始的5分鐘內(nèi)沒有引起嚴重的氧化問題。
實施例3在室溫下通過將以下成份一起在容器中混合直至全部固體溶解制備1000g典型的組合物6的溶液172.95g28.91％檸檬酸溶液；100.00g50％葡萄糖酸溶液；50gEDTA；597.32g25.16％TMAH溶液；9.35g10.74％的提純HOSTAPUR SAS表面活性劑溶液(從Ultra Chemicals得到)和7.04g水。表I提供了典型的組合物6中成份的重量百分比。利用電化阻學阻抗波譜(ESCA)證實在暴露于清洗組合物中之后不存在銅表面氧化。將后CMP拋光的晶片以每片約1.3cmX0.8cm的小塊。將小塊的一個浸入攪拌的用表II中所述具有化學物與DI水以10∶1稀釋形成的化學浴中1分鐘。隨后在DI水中漂洗典型的樣品10秒并且氮氣噴霧干燥。利用X-射線光電波譜(XPS)分析該樣品以及沒有用組合物處理過的對比CMP拋光樣品。在分析期間，X-射線誘導的Cu-LMM峰為人們所知在金屬銅和它的各種氧化物和氫氧化物形式之間提供良好的分辨率。圖3比較了對比樣品和組合物處理過的樣品的X-射線誘導的俄歇電子峰。這個圖形清楚地顯示在化學處理過的樣品比對比樣品的氧化銅水平更低。這表明能夠從表面溶解的氧化物。
表2

實施例4在IC1000(可以從Rohm & Hass Electronic Materials獲得)CMP墊片上用Air Products CP3210(用30％過氧化氫按體積比100∶4稀釋)使用IPEC 372拋光器將BLACK DIAMONDTM(可以從Applied Materials Inc.獲得)之內(nèi)帶有銅結(jié)構(gòu)的Sematech 854圖案的8英寸構(gòu)圖晶片拋光5分鐘除掉表面的銅。該步驟的拋光壓力為2.8psi并且壓板速度為90RPM。然后在3psi拋光壓力和90RPM工作臺速度下在POLITEXTMSupreme(可以從Rohm and Hass Electonic Materials獲得)墊片上用Air Products CP4110A漿液(用30％過氧化氫以9∶1體積比稀釋)將晶片拋光1分鐘。在ONTRAKTMSynergy(可以從Lam Research Corp.獲得)清洗器上清洗晶片。該工具由兩個由聚乙烯醇刷子構(gòu)成的電刷站組成。在每個電刷站上清洗晶片總共45秒其中包括化學清洗消耗時間5秒和用DI水漂洗40秒。另外持續(xù)用低流量DI水潤濕刷子。
將典型組合物6用于清洗晶片。通過僅單用去離子(DI)水清洗試驗對比樣品。使用ORBOTTMDuo 736計量工具(可以從Orbot Systems獲得)分析缺陷。表III比較了在電刷站利用和沒利用的典型組合物6清洗之后不同缺陷種類的缺陷數(shù)量。表III說明了用典型的組合物6處理與僅用去離子水比較減少了晶片上的缺陷數(shù)量。
表3

權(quán)利要求
1.一種用于在化學機械加工之后清洗基片的組合物，其包括水、包含季銨氫氧化物的有機堿、和包含氨基多羧酸和羥基羧酸的多種螯合劑，其中組合物pH值從9.5到11.5變化。
2.權(quán)利要求1的組合物，還包括緩蝕劑。
3.權(quán)利要求2的組合物，其中緩蝕劑選自鄰氨基苯甲酸、五倍子酸、苯甲酸、丙二酸、馬來酸、富馬酸、D，L-蘋果酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、乳酸、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、鄰苯二酚、連苯三酚、五倍子酸的酯、苯并三唑、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫酸銨、甘氨酸、四甲基胍、亞氨基乙酰乙酸、二甲基乙酰乙酰胺、硫代甘油、三羥基苯、二羥基苯、水楊基異羥肟酸、和其混合物。
4.權(quán)利要求1的組合物，還包括表面活性劑。
5.權(quán)利要求1的組合物，其中氨基多羧酸選自乙二胺四乙酸、n-羥乙二胺三乙酸、二乙撐三胺五乙酸、氨三乙酸、及其鹽和混合物。
6.權(quán)利要求5的組合物，其中氨基多羧酸包括乙二胺四乙酸。
7.權(quán)利要求1的組合物，其中羥基羧酸選自檸檬酸、葡萄糖酸、蘋果酸、酒石酸、富馬酸、乳酸、及其鹽和混合物。
8.權(quán)利要求7的組合物，其中羥基羧酸包括檸檬酸和葡萄糖酸。
9.權(quán)利要求1的組合物，其中季銨堿包括氫氧化四甲基銨。
10.一種用于從CMP加工過的基片上除掉殘余物的方法，包括將基片與含有水、有機堿、多種含有氨基多羧酸和羥基羧酸的螯合劑的組合物接觸，其中組合物具有93到11.5的pH值。
11.一種用于從CMP加工過的基片上除掉殘余物的組合物，其中組合物具有從大約93到大約11.51的pH值，組合物包括多種含有氨基多羧酸和羥基羧酸的螯合劑；有機堿；表面活性劑；任選的緩蝕劑；和水。
12.權(quán)利要求11的組合物，其中有機堿包括季銨堿。
全文摘要
本文公開了一種后CMP清洗組合物和其使用方法。一方面，提供的組合物包括水、有機堿和多種包含聚氨基多羧酸和羥基羧酸的螯合劑，其中組合物pH值從9.5到11.5變化。
文檔編號C11D11/00GK1670147SQ200510067629
公開日2005年9月21日 申請日期2005年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月19日
發(fā)明者D·C·塔博里, G·班納吉 申請人:氣體產(chǎn)品與化學公司