處理器輸出高電平控制信號至驅(qū)動(dòng)電路的RC_EN輸入端時(shí)，繼電器9工作，此時(shí)，繼電器9的公共觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)斷開，繼電器9的公共觸點(diǎn)與動(dòng)觸點(diǎn)閉合連接，此時(shí)，刺激線圈LI接入電阻測量電路的輸入端。
[0040]優(yōu)選地，其還包括溫度檢測電路和/或磁場強(qiáng)度檢測電路，所述溫度檢測電路的輸出端和/或磁場強(qiáng)度檢測電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0041]優(yōu)選地，如圖5所示，所述溫度檢測電路包括熱敏電阻供電電源13、熱敏電阻R4、第二電壓跟隨器14以及低通濾波電路15，所述熱敏電阻R4的一端分別與熱敏電阻供電電源13的輸出端以及第二電壓跟隨器14的輸入端連接，所述熱敏電阻R4的另一端接地，所述第二電壓跟隨器14的輸出端通過低通濾波電路15進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。所述熱敏電阻供電電源13是一個(gè)由電阻R12、電阻R13、集成電路芯片LM334以及一穩(wěn)壓二極管Dl組成的恒流源。所述熱敏電阻R4設(shè)置在刺激線圈LI中，以測量刺激線圈的內(nèi)部溫度。上述的溫度檢測電路通過采集到熱敏電阻R4的阻值變化，從而換算得到相應(yīng)的溫度值，以實(shí)現(xiàn)溫度檢測功能。當(dāng)檢測到的溫度超出閾值時(shí)，MCU處理器可控制刺激線圈停止工作，或者將報(bào)警信號發(fā)送至觸控屏上進(jìn)行顯示，以提醒人們，實(shí)現(xiàn)預(yù)警功能。
[0042]優(yōu)選地，如圖6所示，所述的磁場強(qiáng)度檢測電路包括線性霍爾元件U1、第三電壓跟隨器以及濾波電路，所述線性霍爾元件Ul的輸出端依次通過第三電壓跟隨器以及濾波電路進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。通過采用磁場強(qiáng)度檢測電路，本實(shí)用新型的刺激儀可根據(jù)檢測到的磁場強(qiáng)度來調(diào)整輸出的電壓，以保證刺激儀的正常工作。
[0043]所述的磁場強(qiáng)度可由以下公式計(jì)算得出，該公式如下所示:
[0044]H = NX I / Le
[0045]其中，H為磁場強(qiáng)度，單位為A/m ;N為勵(lì)磁線圈的匝數(shù)為勵(lì)磁電流(測量值)，單位為A ；Le為測試樣品的有效磁路長度，單位為m。
[0046]另，由于刺激線圈是固定的，則上述公式中N和Le都是常量，刺激線圈輸出的磁場強(qiáng)度與電流I成正比。當(dāng)刺激線圈的溫度變化時(shí)，刺激線圈的電阻值也跟著變化，當(dāng)輸出電壓恒定時(shí)，由于電流I=U/R，所以輸出電流也跟著變化，從而導(dǎo)致輸出磁場也跟著變化。因此，根據(jù)物理常識可得如下計(jì)算公式:
[0047]HT/H20 = 120/IT = RT/R20
[0048]RT = R20*( HT/H20)
[0049]其中，H20表示為刺激線圈為20°C時(shí)輸出的磁場強(qiáng)度；HT表示為刺激線圈為T°C時(shí)輸出的磁場強(qiáng)度；120表示為溫度為20°C時(shí)刺激線圈中的電流值；IT表示為溫度為T°C時(shí)刺激線圈中的電流值；R20表示為溫度為20°C時(shí)刺激線圈的電阻值；RT表示為溫度為T°C時(shí)刺激線圈的電阻值。由此可得，通過測量出刺激線圈TC時(shí)輸出的磁場強(qiáng)度便能計(jì)算得出TC時(shí)刺激線圈的電阻值，而利用計(jì)算得出的電阻值，則可再換算為相應(yīng)的溫度TC。所述的H20和R20為已知數(shù)值。
[0050]由上述可得，利用上述得磁場強(qiáng)度檢測電路，其不僅可實(shí)現(xiàn)磁場強(qiáng)度檢測功能，而且還能實(shí)現(xiàn)刺激線圈電阻檢測功能以及溫度檢測功能，即所述內(nèi)阻檢測電路和溫度檢測電路均可采用上述磁場強(qiáng)度檢測電路來實(shí)現(xiàn)。
[0051]優(yōu)選地，其還包括傳動(dòng)控制電路和電動(dòng)升降座椅，所述MCU處理器通過傳動(dòng)控制電路進(jìn)而與電動(dòng)升降座椅連接。如圖7所示，所述傳動(dòng)控制電路包括橋式電路和過流保護(hù)電路。所述橋式電路由MOS管Q11、Q2、Q7、Q8組成，而運(yùn)放U3B、與門U2D、U1D、U2C、UlC則組成過流保護(hù)電路。當(dāng)采樣電阻R18上的電壓大于參考電壓VPREF時(shí)，運(yùn)放U3B輸出低電平，從而導(dǎo)致與門U2D、U1D、U2C、UlC輸出低電平，使得MOS管Qll、Q2、Q7、Q8關(guān)閉，從而起到過流保護(hù)作用。當(dāng)控制電壓LHU、RHD為高電平，LHD、RHU為低電平時(shí)，電流經(jīng)MOS管Qll，電機(jī)Ml、MOS管Q8流動(dòng)，電機(jī)正轉(zhuǎn)；當(dāng)控制電壓LHD、RHU為高電平，LHU、RHD為低電平時(shí)，電流經(jīng)MOS管Q2、電機(jī)Ml、MOS管Q7流動(dòng)，電機(jī)反轉(zhuǎn)；當(dāng)LHU、RHD、LHD、RHU為低電平時(shí)電機(jī)沒有電流流過，電機(jī)停止。實(shí)現(xiàn)了電機(jī)的正反轉(zhuǎn)和停止的控制。LHU、RHD、LHD、RHU這四個(gè)控制電壓均由MCU處理器輸出。
[0052]優(yōu)選地，其還包括散熱風(fēng)扇、散熱風(fēng)扇控制電路以及散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路，所述MCU處理器通過散熱風(fēng)扇控制電路與散熱風(fēng)扇連接，所述散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0053]對于散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路，其包含兩個(gè)【具體實(shí)施方式】:
[0054]1、采用帶轉(zhuǎn)速輸出的散熱風(fēng)扇，此時(shí)，所述散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路則直接采集散熱風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速，從而利用散熱風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速來監(jiān)控散熱風(fēng)扇的運(yùn)行狀態(tài)；
[0055]2、散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路采用紅外傳感器來實(shí)現(xiàn)，所述紅外傳感器用于檢測散熱風(fēng)扇的扇葉，當(dāng)散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，紅外傳感器輸出脈沖，而利用所述輸出的脈沖從而間接監(jiān)控散熱風(fēng)扇的運(yùn)行狀態(tài)。
[0056]優(yōu)選地，如圖8所示，其還包括刺激信號調(diào)零電路，所述MCU處理器的輸出端與刺激信號調(diào)零電路的輸入端連接。所述刺激信號調(diào)零電路用于對功放電路進(jìn)行調(diào)零。如圖8所示，刺激信號調(diào)零電路中的電阻R5、R6、R7、R8和運(yùn)放U4B組成減法電路，R9、R10、Rll對參考電壓進(jìn)行1/2分壓，RlO為可調(diào)電阻，可以對分壓進(jìn)行微調(diào)，U5B為電壓跟隨器，對分壓進(jìn)行緩沖并作為減法電路的負(fù)輸入。兩個(gè)部分結(jié)合對輸出的參考點(diǎn)平移了負(fù)二分之一的參考電壓。刺激信號調(diào)零電路的DAC_0UT輸入端與MCU處理器的輸出端連接，刺激信號調(diào)零電路的SIGNAL輸出端，即信號輸出端，其與功放電路連接。
[0057]以上是對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說明，但本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型精神的前提下還可做作出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:其包括MCU處理器、信號輸入電路、功放電路、刺激線圈以及內(nèi)阻檢測電路，所述MCU處理器分別與信號輸入電路、功放電路以及內(nèi)阻檢測電路連接，所述功放電路和內(nèi)阻檢測電路均與刺激線圈連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:所述內(nèi)阻檢測電路包括繼電器和電阻測量電路，所述MCU處理器的輸出端與繼電器的控制端連接，所述繼電器的公共觸點(diǎn)與刺激線圈連接，所述繼電器的靜觸點(diǎn)與功放電路連接，所述繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)與電阻測量電路的輸入端連接，所述電阻測量電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:所述繼電器包括第一繼電器和第二繼電器，所述第一繼電器的公共觸點(diǎn)和第二繼電器的公共觸點(diǎn)分別與刺激線圈的兩端連接，所述第一繼電器的靜觸點(diǎn)和第二繼電器的靜觸點(diǎn)均與功放電路連接，所述第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)和第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)均與電阻測量電路的輸入端連接； 所述MCU處理器的輸出端分別與第一繼電器的控制端和第二繼電器的控制端連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:所述電阻測量電路包括第一電阻、第一電壓跟隨器以及濾波電路，所述第一電阻的一端接第一供電電壓，所述第一電阻的另一端分別與第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)以及第一電壓跟隨器的輸入端連接，所述第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)接地，所述第一電壓跟隨器的輸出端通過濾波電路進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:所述內(nèi)阻檢測電路還包括驅(qū)動(dòng)電路，所述MCU處理器輸出端通過驅(qū)動(dòng)電路與繼電器的控制端連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:其還包括溫度檢測電路和/或磁場強(qiáng)度檢測電路，所述溫度檢測電路的輸出端和/或磁場強(qiáng)度檢測電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:所述溫度檢測電路包括熱敏電阻供電電源、熱敏電阻、第二電壓跟隨器以及低通濾波電路，所述熱敏電阻的一端分別與熱敏電阻供電電源的輸出端以及第二電壓跟隨器的輸入端連接，所述熱敏電阻的另一端接地，所述第二電壓跟隨器的輸出端通過低通濾波電路進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:其還包括傳動(dòng)控制電路和電動(dòng)升降座椅，所述MCU處理器通過傳動(dòng)控制電路進(jìn)而與電動(dòng)升降座椅連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:其還包括散熱風(fēng)扇、散熱風(fēng)扇控制電路以及散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路，所述MCU處理器通過散熱風(fēng)扇控制電路與散熱風(fēng)扇連接，所述散熱風(fēng)扇監(jiān)測電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其特征在于:其還包括刺激信號調(diào)零電路，所述MCU處理器的輸出端與刺激信號調(diào)零電路的輸入端連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其包括MCU處理器、信號輸入電路、功放電路、刺激線圈以及內(nèi)阻檢測電路，所述MCU處理器分別與信號輸入電路、功放電路以及內(nèi)阻檢測電路連接，所述功放電路和內(nèi)阻檢測電路均與刺激線圈連接。本實(shí)用新型的刺激儀能夠?qū)Υ碳ぞ€圈的內(nèi)阻進(jìn)行檢測，這樣便能根據(jù)檢測得到的刺激線圈的電阻，進(jìn)而調(diào)整輸出的電壓，以保證刺激儀的工作效果，大大提高刺激儀工作的穩(wěn)定性。本實(shí)用新型作為一種帶有內(nèi)阻檢測電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀可廣泛應(yīng)用于經(jīng)顱磁刺激儀設(shè)備中。
【IPC分類】G01R27/02, H02H3/08, A61N2/04
【公開號】CN204723602
【申請?zhí)枴緾N201520425799
【發(fā)明人】劉艷
【申請人】廣州可夫醫(yī)療科技有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年6月18日