一種帶有內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及超低頻經(jīng)顱磁刺激設(shè)備，尤其涉及一種帶有內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于傳統(tǒng)的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其通常是利用恒定峰值的電壓驅(qū)動(dòng)方式來(lái)驅(qū)動(dòng)刺激線圈工作。然而，當(dāng)刺激儀連續(xù)使用一段時(shí)間后，刺激線圈會(huì)發(fā)熱從而導(dǎo)致刺激線圈的內(nèi)阻增加，這樣則會(huì)導(dǎo)致刺激線圈輸出的刺激磁場(chǎng)強(qiáng)度迅速降低，從而影響治療效果。所以，為了能夠根據(jù)刺激線圈的內(nèi)阻從而調(diào)整輸出的電壓，以保證刺激儀的正常工作，應(yīng)在刺激儀中設(shè)置一刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀。
[0004]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種帶有內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其包括MCU處理器、信號(hào)輸入電路、功放電路、刺激線圈以及內(nèi)阻檢測(cè)電路，所述MCU處理器分別與信號(hào)輸入電路、功放電路以及內(nèi)阻檢測(cè)電路連接，所述功放電路和內(nèi)阻檢測(cè)電路均與刺激線圈連接。
[0005]進(jìn)一步，所述內(nèi)阻檢測(cè)電路包括繼電器和電阻測(cè)量電路，所述MCU處理器的輸出端與繼電器的控制端連接，所述繼電器的公共觸點(diǎn)與刺激線圈連接，所述繼電器的靜觸點(diǎn)與功放電路連接，所述繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)與電阻測(cè)量電路的輸入端連接，所述電阻測(cè)量電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0006]進(jìn)一步，所述繼電器包括第一繼電器和第二繼電器，所述第一繼電器的公共觸點(diǎn)和第二繼電器的公共觸點(diǎn)分別與刺激線圈的兩端連接，所述第一繼電器的靜觸點(diǎn)和第二繼電器的靜觸點(diǎn)均與功放電路連接，所述第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)和第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)均與電阻測(cè)量電路的輸入端連接；
[0007]所述MCU處理器的輸出端分別與第一繼電器的控制端和第二繼電器的控制端連接。
[0008]進(jìn)一步，所述電阻測(cè)量電路包括第一電阻、第一電壓跟隨器以及濾波電路，所述第一電阻的一端接第一供電電壓，所述第一電阻的另一端分別與第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)以及第一電壓跟隨器的輸入端連接，所述第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)接地，所述第一電壓跟隨器的輸出端通過(guò)濾波電路進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。
[0009]進(jìn)一步，所述內(nèi)阻檢測(cè)電路還包括驅(qū)動(dòng)電路，所述MCU處理器輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路與繼電器的控制端連接。
[0010]進(jìn)一步，其還包括溫度檢測(cè)電路和/或磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)電路，所述溫度檢測(cè)電路的輸出端和/或磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0011]進(jìn)一步，所述溫度檢測(cè)電路包括熱敏電阻供電電源、熱敏電阻、第二電壓跟隨器以及低通濾波電路，所述熱敏電阻的一端分別與熱敏電阻供電電源的輸出端以及第二電壓跟隨器的輸入端連接，所述熱敏電阻的另一端接地，所述第二電壓跟隨器的輸出端通過(guò)低通濾波電路進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。
[0012]進(jìn)一步，其還包括傳動(dòng)控制電路和電動(dòng)升降座椅，所述MCU處理器通過(guò)傳動(dòng)控制電路進(jìn)而與電動(dòng)升降座椅連接。
[0013]進(jìn)一步，其還包括散熱風(fēng)扇、散熱風(fēng)扇控制電路以及散熱風(fēng)扇監(jiān)測(cè)電路，所述MCU處理器通過(guò)散熱風(fēng)扇控制電路與散熱風(fēng)扇連接，所述散熱風(fēng)扇監(jiān)測(cè)電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0014]進(jìn)一步，其還包括刺激信號(hào)調(diào)零電路，所述MCU處理器的輸出端與刺激信號(hào)調(diào)零電路的輸入端連接。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的刺激儀設(shè)有內(nèi)阻檢測(cè)電路，因此，本實(shí)用新型的刺激儀能夠?qū)Υ碳ぞ€圈的內(nèi)阻進(jìn)行檢測(cè)，這樣便能根據(jù)檢測(cè)得到的刺激線圈的電阻，進(jìn)而調(diào)整輸出的電壓，以保證刺激儀的工作效果，大大提高刺激儀工作的穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說(shuō)明:
[0017]圖1是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀的結(jié)構(gòu)框圖；
[0018]圖2是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中內(nèi)阻檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0019]圖3是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中內(nèi)阻檢測(cè)電路的一具體實(shí)施例電子電路示意圖；
[0020]圖4是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中內(nèi)阻檢測(cè)電路的另一具體實(shí)施例電子電路示意圖；
[0021]圖5是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中溫度檢測(cè)電路的一具體實(shí)施例電子電路示意圖；
[0022]圖6是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中磁場(chǎng)強(qiáng)度檢測(cè)電路的一具體實(shí)施例電子電路示意圖；
[0023]圖7是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中傳動(dòng)控制電路的一具體實(shí)施例電子電路不意圖；
[0024]圖8是本實(shí)用新型一種帶有刺激線圈內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀中刺激信號(hào)調(diào)零電路的一具體實(shí)施例電子電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]如圖1所示，一種帶有內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其包括MCU處理器、信號(hào)輸入電路、功放電路、刺激線圈以及內(nèi)阻檢測(cè)電路，所述MCU處理器分別與信號(hào)輸入電路、功放電路以及內(nèi)阻檢測(cè)電路連接，所述功放電路和內(nèi)阻檢測(cè)電路均與刺激線圈連接。對(duì)于所述的信號(hào)輸入電路，其具體為觸控屏和/或按鍵。
[0026]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，如圖2所示，所述內(nèi)阻檢測(cè)電路包括繼電器9和電阻測(cè)量電路，所述MCU處理器的輸出端與繼電器9的控制端連接，所述繼電器9的公共觸點(diǎn)與刺激線圈連接，所述繼電器9的靜觸點(diǎn)與功放電路連接，所述繼電器9的動(dòng)觸點(diǎn)與電阻測(cè)量電路的輸入端連接，所述電阻測(cè)量電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接。
[0027]上述刺激儀的內(nèi)阻檢測(cè)工作原理為:當(dāng)刺激線圈LI正常工作時(shí)，繼電器9不工作，即繼電器9的公共觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)閉合連接，功放電路與刺激線圈LI之間通電連接；而當(dāng)需要對(duì)刺激線圈LI進(jìn)行電阻測(cè)量時(shí)，MCU處理器則輸出控制信號(hào)至繼電器9的控制端，從而使繼電器9工作，此時(shí)，繼電器9的公共觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)斷開(kāi)，繼電器的公共觸點(diǎn)與動(dòng)觸點(diǎn)閉合連接，此時(shí)，刺激線圈LI接入電阻測(cè)量電路的輸入端，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)刺激線圈LI的電阻測(cè)量。由此可得，本實(shí)用新型的刺激儀能對(duì)刺激線圈的電阻進(jìn)行檢測(cè)，這樣便能根據(jù)檢測(cè)得到的刺激線圈的電阻進(jìn)而調(diào)整輸出的電壓，以保證刺激儀可穩(wěn)定地正常工作。而對(duì)于如何利用測(cè)量得出的電阻來(lái)進(jìn)行輸出電壓的調(diào)整，其可采用現(xiàn)有手段實(shí)現(xiàn)，因此此處并不做詳細(xì)的闡述。
[0028]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，如圖3所示，所述繼電器9包括第一繼電器和第二繼電器，所述第一繼電器的公共觸點(diǎn)6和第二繼電器的公共觸點(diǎn)3分別與刺激線圈LI的兩端連接，所述第一繼電器的靜觸點(diǎn)7和第二繼電器的靜觸點(diǎn)2均與功放電路連接，所述第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)5和第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)4均與電阻測(cè)量電路的輸入端連接；
[0029]所述MCU處理器的輸出端分別與第一繼電器的控制端和第二繼電器的控制端連接。
[0030]本實(shí)用新型一具體實(shí)施例
[0031 ] 如圖1-圖3所示，一種帶有內(nèi)阻檢測(cè)電路的超低頻經(jīng)顱磁刺激儀，其包括MCU處理器、信號(hào)輸入電路、功放電路、刺激線圈以及內(nèi)阻檢測(cè)電路，所述MCU處理器分別與信號(hào)輸入電路、功放電路以及內(nèi)阻檢測(cè)電路連接，所述功放電路和內(nèi)阻檢測(cè)電路均與刺激線圈連接；
[0032]所述內(nèi)阻檢測(cè)電路包括繼電器9和電阻測(cè)量電路，所述MCU處理器的輸出端與繼電器9的控制端連接，所述繼電器9的公共觸點(diǎn)與刺激線圈連接，所述繼電器9的靜觸點(diǎn)與功放電路連接，所述繼電器9的動(dòng)觸點(diǎn)與電阻測(cè)量電路的輸入端連接，所述電阻測(cè)量電路的輸出端與MCU處理器的輸入端連接；
[0033]所述繼電器9包括第一繼電器和第二繼電器，所述第一繼電器的公共觸點(diǎn)6和第二繼電器的公共觸點(diǎn)3分別與刺激線圈LI的兩端連接，所述第一繼電器的靜觸點(diǎn)7和第二繼電器的靜觸點(diǎn)2均與功放電路連接，所述第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)5和第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)4均與電阻測(cè)量電路的輸入端連接；
[0034]所述MCU處理器的輸出端分別與第一繼電器的控制端和第二繼電器的控制端連接;
[0035]所述電阻測(cè)量電路包括第一電阻Rl、第一電壓跟隨器10以及濾波電路11，所述第一電阻Rl的一端接第一供電電壓，所述第一電阻Rl的另一端分別與第一繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)5以及第一電壓跟隨器10的輸入端連接，所述第二繼電器的動(dòng)觸點(diǎn)4接地，所述第一電壓跟隨器10的輸出端通過(guò)濾波電路11進(jìn)而與MCU處理器的輸入端連接。進(jìn)一步，所述第一供電電壓為0.5V。
[0036]優(yōu)選地，所述電阻測(cè)量電路還包括第一電容Cl，所述第一電容Cl的一端與第一電阻Rl的一端連接，所述第一電容Cl的另一端接地。
[0037]上述刺激儀的內(nèi)阻檢測(cè)工作原理為:當(dāng)刺激線圈LI正常工作時(shí)，繼電器9不工作，即繼電器9的公共觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)閉合連接，功放電路與刺激線圈LI之間通電連接；而當(dāng)需要對(duì)刺激線圈LI進(jìn)行電阻測(cè)量時(shí)，MCU處理器則輸出控制信號(hào)至繼電器9的控制端，從而使繼電器9工作，此時(shí)，繼電器9的公共觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)斷開(kāi)，繼電器的公共觸點(diǎn)與動(dòng)觸點(diǎn)閉合連接，此時(shí)，刺激線圈LI接入第一電壓跟隨器10的輸入端，這樣便能對(duì)刺激線圈LI兩端的電壓進(jìn)行采集，并將采集到的電壓依次經(jīng)過(guò)第一電壓跟隨器10和濾波電路11輸入至MCU處理器，而MCU處理器根據(jù)接收到的電壓信號(hào)便能換算得出相應(yīng)的刺激線圈的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)刺激線圈LI的電阻測(cè)量。對(duì)于如何利用測(cè)量得出的刺激線圈LI兩端的電壓來(lái)得出刺激線圈LI的電阻，其為物理常識(shí)，因此處并不做詳細(xì)闡述。
[0038]另外，根據(jù)物理常識(shí)可知，利用刺激線圈LI的電阻可換算出其溫度，因此，通過(guò)上述的內(nèi)阻檢測(cè)電路也能實(shí)現(xiàn)溫度檢測(cè)功能。
[0039]優(yōu)選地，如圖4所示，所述內(nèi)阻檢測(cè)電路還包括驅(qū)動(dòng)電路12，所述MCU處理器輸出端通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路12與繼電器9的控制端連接。具體地，驅(qū)動(dòng)電路12中的電感兩端，即連接點(diǎn)I和連接點(diǎn)8，其與繼電器9的控制端連接。當(dāng)MCU