直到圖像 檢測(cè)器1的一半時(shí)，使殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)強(qiáng)度為100%，確認(rèn)當(dāng)配置磁性材料4時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度被 降低直到50%。
[0091] 如第一實(shí)施例那樣，第二實(shí)施例也實(shí)現(xiàn)了以下作用：在外部磁場(chǎng)到達(dá)圖像檢測(cè)器 1之前，從側(cè)面開口進(jìn)入到殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)被設(shè)置在圖像檢測(cè)器1背面的磁性材料4所吸 弓丨，并且繞過去。在第一實(shí)施例中所描述的應(yīng)用示例可類似地應(yīng)用于第二實(shí)施例。將從開 口進(jìn)入殼體的磁場(chǎng)吸引至磁性材料的效果能夠進(jìn)一步增強(qiáng)，并且到達(dá)圖像檢測(cè)器的磁場(chǎng)能 夠減小。
[0092] 更具體的，即使在第二實(shí)施例中，也在具有開口 3的側(cè)面上朝著殼體2內(nèi)側(cè)的開口 配置磁性材料4。這提高了吸引磁場(chǎng)的效果，降低了到達(dá)圖像檢測(cè)器1的磁場(chǎng)并因而降低了 拍攝圖像的噪聲量。通過將在圖像檢測(cè)器1的背面配置的并朝著側(cè)面的開口彎曲的磁性材 料4配置直到側(cè)面的開口的內(nèi)側(cè)端部，增強(qiáng)了進(jìn)一步吸引進(jìn)入殼體2的磁場(chǎng)的效果。另外， 通過增加圖像檢測(cè)器1背面的磁性材料4的數(shù)量或側(cè)面磁性材料4的數(shù)量來獲得該效果。 無論背面的磁性材料4的數(shù)量和側(cè)面磁性材料4的數(shù)量中的哪一個(gè)增加，都能夠降低到達(dá) 圖像檢測(cè)器的磁場(chǎng)。
[0093] [第三實(shí)施例]
[0094] 圖15A和圖15B表示根據(jù)第三實(shí)施例的成像裝置的結(jié)構(gòu)。圖15A是當(dāng)從殼體的側(cè) 面觀察時(shí)根據(jù)本實(shí)施例的成像裝置的截面圖。圖15B是示出從成像面觀察時(shí)根據(jù)本實(shí)施例 的成像裝置的透視圖。根據(jù)本實(shí)施例的成像裝置的殼體結(jié)構(gòu)包括：包含平面狀圖像檢測(cè)器 1的導(dǎo)電殼體2、以及具有成像面5的導(dǎo)電殼體2'。
[0095] 為了包含平面狀的圖像檢測(cè)器，殼體2具有下箱配置，該下箱配置具有底面和側(cè) 面4邊。殼體2'具有上箱配置，該上箱配置具有用于接收X射線的成像面5和側(cè)面4邊。 殼體2'被配置為覆蓋殼體2。殼體2和殼體2'具有在側(cè)面的4邊相互重合的結(jié)構(gòu)。在該 結(jié)構(gòu)中，在除了物理上固定殼體2和殼體2'且電氣地獲取導(dǎo)通的螺絲13之外的側(cè)面的4 邊形成開口。磁性材料4被配置在由殼體2和殼體2'所構(gòu)成的殼體中所包括的圖像檢測(cè) 器1的外圍之外的側(cè)面的4邊。沿著殼體2的內(nèi)側(cè)面配置磁性材料4,以便從殼體2的內(nèi)側(cè) 面的開口端部向殼體2的底面配置磁性材料4的端部。
[0096] 注意，殼體2和導(dǎo)電性殼體2'由通常在產(chǎn)品的外部殼體中使用的導(dǎo)電性金屬制 成，諸如鋁、不銹鋼或鋼板。利用坡莫合金、非晶態(tài)合金、FINEMET?或鐵氧體等制成磁性 材料4,該磁性材料4是在IkHz至IOOkHz的頻段中具有相對(duì)磁導(dǎo)率為1000至200000的磁 性材料。
[0097] 接下來，將參照?qǐng)D16A至圖16C來說明當(dāng)磁場(chǎng)從外部入射時(shí)，從外部進(jìn)入到具有參 照?qǐng)D15A和圖15B所述殼體結(jié)構(gòu)的成像裝置的殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)。圖16A至圖16C是用于說 明根據(jù)本實(shí)施例的外部磁場(chǎng)噪聲影響的視圖。在圖16A至圖16C中，為了說明在外部磁場(chǎng) 入射時(shí)進(jìn)入到殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)，省略了在圖15A和圖15B中的殼體2內(nèi)部所包含的圖像檢 測(cè)器1和磁性材料4。作為外部磁場(chǎng)噪聲的影響，將要說明入射到成像裝置的外部磁場(chǎng)的矢 量分量。
[0098] 在來自附近安裝的設(shè)備或大電力設(shè)備的磁場(chǎng)的放射或磁場(chǎng)的泄漏的影響下，來自 各種方向的磁場(chǎng)根據(jù)安裝位置和使用狀態(tài)而進(jìn)入到成像裝置。為了使說明清楚，將利用沿 著X、Y和Z三個(gè)軸的空間矢量來說明外部磁場(chǎng)。在本實(shí)施例中，垂直入射到成像面5的垂 直分量的磁場(chǎng)是Z分量，以及與Z分量垂直且垂直入射到殼體側(cè)面的磁場(chǎng)分量是X分量和 Y分量。由于在根據(jù)本實(shí)施例的殼體中，當(dāng)從成像面觀看時(shí)左右結(jié)構(gòu)和上下結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的 結(jié)構(gòu)，因此入射到殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)的X分量和Y分量在它們從殼體的側(cè)面入射時(shí)是相等的。 作為垂直入射到殼體側(cè)面的磁場(chǎng)分量，為了方便將僅說明X分量。
[0099] 圖16A是用于說明從成像面5垂直入射的Z分量的磁場(chǎng)（實(shí)線的箭頭）照射殼體 2的情況的視圖。圖16A是在從殼體的側(cè)面觀看時(shí)的截面圖。注意，入射磁場(chǎng)是交流分量。 在圖16A中，為了方便，將磁場(chǎng)矢量通過一個(gè)方向的箭頭表示，并且將說明進(jìn)入到殼體的內(nèi) 部的磁場(chǎng)的分量的類型。如圖16A所示，當(dāng)垂直入射到成像面5的Z分量的磁場(chǎng)照射殼體 時(shí)，如實(shí)線箭頭所示，在成像面5及作為該成像面的背面的導(dǎo)電殼體2的底面上，存在比殼 體內(nèi)部所包含的圖像檢測(cè)器的投影面積更寬的平板形狀的磁場(chǎng)。由此，當(dāng)垂直入射到成像 面5的Z分量的磁場(chǎng)照射殼體2時(shí)，由楞次定律在成像面5和作為殼體底面的殼體2上生 成渦流。在所照射的磁場(chǎng)被抵消的方向上，該渦流生成由虛線的箭頭表示的磁場(chǎng)，并且該渦 流起到抵消將會(huì)入射到成像面的Z分量的磁場(chǎng)的作用。因此，殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)強(qiáng)度不會(huì)增 加。也就是說，垂直入射到成像面5的Z分量的磁場(chǎng)幾乎不進(jìn)入到殼體內(nèi)部，從而抑制了到 達(dá)包含在殼體內(nèi)部的圖像檢測(cè)器1的磁場(chǎng)分量。
[0100] 接下來，將通過X分量來說明與Z分量垂直且垂直地入射到殼體的側(cè)面的磁場(chǎng)分 量。圖16B和圖16C是用于說明垂直入射到殼體2和導(dǎo)電性殼體2'的側(cè)面的X分量的磁 場(chǎng)（實(shí)線的箭頭）照射殼體2和導(dǎo)電性殼體2'的情況的視圖。圖16B是當(dāng)從殼體的側(cè)面 觀察時(shí)的截面圖。圖16B示出磁場(chǎng)從圖中的左側(cè)面垂直照射殼體的情況，如實(shí)線箭頭所示。 當(dāng)垂直入射到殼體側(cè)面的X分量的磁場(chǎng)照射圖中具有左側(cè)開口 3的側(cè)面時(shí)，磁場(chǎng)從左側(cè)開 口 3進(jìn)入到殼體內(nèi)部，如實(shí)線箭頭所示。類似的，在作為面對(duì)被照射側(cè)面的面的右側(cè)面中形 成開口 3。因此，如虛線的箭頭所示，從側(cè)面的左側(cè)開口 3進(jìn)入殼體的磁場(chǎng)穿過該開口，在殼 體內(nèi)擴(kuò)散，并且在圖中從左到右穿過殼體內(nèi)部。然后，磁場(chǎng)集中在右側(cè)開口 3并射出殼體。
[0101] 圖16C是表示從成像面觀察時(shí)的成像裝置的透視圖。圖16C示出磁場(chǎng)如圖16B中 那樣從圖中殼體的左側(cè)面垂直照射殼體的情況。當(dāng)磁場(chǎng)照射具有圖16C中左側(cè)開口 3的側(cè) 面時(shí)，磁場(chǎng)從左側(cè)開口 3的間隙進(jìn)入到殼體內(nèi)部。類似的，在作為對(duì)向面的右側(cè)面中形成開 口 3。如參照?qǐng)D16B所述，如虛線箭頭所示，磁場(chǎng)穿過殼體的內(nèi)部空間，并且從右側(cè)開口 3射 出殼體。而且，如圖16C中實(shí)線箭頭所示，通過圖16C中的上側(cè)面和下側(cè)面的開口 3,磁場(chǎng)從 通過磁場(chǎng)照射的圖中左側(cè)進(jìn)入殼體內(nèi)部。
[0102] 雖然將省略詳細(xì)描述，但是如圖中實(shí)線箭頭所示，當(dāng)利用外部磁場(chǎng)照射時(shí)，在集中 于殼體開口外圍的渦流的影響下，外部磁場(chǎng)從圖中上下開口 3進(jìn)入到殼體內(nèi)部。從上下開 口 3進(jìn)入到殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)從圖16C中的右側(cè)開口 3射出殼體。殼體內(nèi)部的實(shí)際磁場(chǎng)強(qiáng)度 具有通過合成以下的兩個(gè)磁場(chǎng)而獲得的強(qiáng)度分布，即，由虛線箭頭所示的從圖16C中左側(cè) 開口 3進(jìn)入殼體并射出至右側(cè)開口 3的磁場(chǎng)，以及由實(shí)線箭頭所示的從圖中上下開口 3的 左側(cè)進(jìn)入殼體并射出至上下開口的右側(cè)的磁場(chǎng)。以這種方式，當(dāng)在殼體的側(cè)面的4邊形成 開口時(shí)，水平分量的外部磁場(chǎng)從全部4邊的開口 3進(jìn)入到殼體內(nèi)部并穿過殼體的內(nèi)部。因 此，外部磁場(chǎng)到達(dá)殼體內(nèi)部的圖像檢測(cè)器1，并在拍攝圖像中出現(xiàn)噪聲。
[0103] 如上所述，在具有在側(cè)面的4邊形成的開口的導(dǎo)電性殼體中，水平分量的磁場(chǎng)作 為從開口 3進(jìn)入到殼體內(nèi)部的磁場(chǎng)分量。如果水平分量的磁場(chǎng)到達(dá)殼體內(nèi)部的圖像檢測(cè)器 1，則如【背景技術(shù)】中所述，在拍攝圖像中周期性地出現(xiàn)橫條紋噪聲。
[0104] 接下來，參照?qǐng)D17A和圖17B描述根據(jù)本實(shí)施例的作用。圖17A和圖17B是分別 對(duì)應(yīng)圖16A和圖16B的視圖。磁性材料4被配置在圖像檢測(cè)器1外圍之外的側(cè)面的4邊。 當(dāng)從殼體側(cè)面觀察時(shí)如圖17A的截面圖所示，在側(cè)面的4邊所配置的磁性材料被配置為在 殼體內(nèi)側(cè)面上從殼體內(nèi)側(cè)面的開口端部直到殼體底面。
[0105] 如在從殼體的側(cè)面觀看時(shí)圖17A的截面圖所示，從圖中左側(cè)面的開口 3進(jìn)入殼體 的磁場(chǎng)在穿過開口 3之后試圖在殼體中擴(kuò)散。然而，如實(shí)線箭頭所示，從殼體的內(nèi)側(cè)面的開 口端部所配置的磁性材料4產(chǎn)生將磁場(chǎng)吸引到磁性材料4的作用。如在從成像面觀看時(shí)圖 17B的透視圖所示，從圖中左側(cè)開口 3進(jìn)入殼體且吸引至磁性材料4的磁場(chǎng)在圖中沿著作 為磁路的磁性材料4向上或向下行進(jìn)，如虛線箭頭所示。并且，沿著圖17B中作為磁路的上 側(cè)或下側(cè)的磁性材料4被吸引直至圖中右側(cè)的磁性材料4的磁場(chǎng)繞過圖17B中右側(cè)面上的 磁性材料4。從圖17B中上開口和下開口 3進(jìn)入殼體的磁場(chǎng)被吸引至磁性材料4,并且沿著 作為磁路的磁性材料4從圖中右側(cè)的磁性材料4的旁邊經(jīng)過（pass by)。從殼體側(cè)面的開 口 3進(jìn)入殼體的磁場(chǎng)在殼體內(nèi)側(cè)面的開口端部處被吸引至磁性材料4,沿著作為磁路的磁 性材料4行進(jìn)，然后在圖17A和圖17B中離開右側(cè)的磁性材料4而行進(jìn)，并且從圖中的右側(cè) 開口 3射出殼體。
[0106] 如上所述，磁性材料4被配置在導(dǎo)電性殼體內(nèi)部的圖像檢測(cè)器1外圍之外，該導(dǎo)電 性殼體具有在側(cè)面的4邊所形成的開口。在殼體內(nèi)部的殼體側(cè)面的開口端部處配置磁性材 料4的端部。從側(cè)面的開口進(jìn)入殼體的磁場(chǎng)在其到達(dá)圖像檢測(cè)器1之前被吸引。而且，磁 場(chǎng)從磁性材料4的旁邊經(jīng)過直到進(jìn)入的磁場(chǎng)沿著作為磁路的磁性材料4射出殼體為止。因 此，降低了到達(dá)圖像檢測(cè)器1的磁場(chǎng)。
[0107] [應(yīng)用示例3-1]
[0108] 圖18是用于說明應(yīng)用示例3-1的視圖。圖18是示意性地示出了當(dāng)從側(cè)面觀看時(shí)， 當(dāng)前固定式數(shù)字X射線成像裝置的截面圖，該裝置的效果實(shí)際已經(jīng)被驗(yàn)證。殼體2是包括 圖像檢測(cè)器1的下箱殼體。殼體2'是具有用于接收X射線的成像面5且被構(gòu)造為覆蓋下 箱殼體2的上箱殼體。下箱殼體2和上箱殼體2'由導(dǎo)電性材料的鋼板制成。下箱殼體2 和上箱殼體2'在側(cè)面的4邊相互重合。在重合側(cè)面的4邊的對(duì)向面被螺絲13配合以在上 殼體和下殼體之間獲得導(dǎo)通。這實(shí)現(xiàn)了以下結(jié)構(gòu)：除了物理固定下箱殼體2和上箱殼體2' 且電氣地獲得導(dǎo)通的螺絲13以外，在側(cè)面的4邊形成開口。該殼體結(jié)構(gòu)使得容易通過移除 配合的螺絲13而拆卸下箱殼體2和上箱殼體2'。除了通過螺絲配合的部分以外，在下箱和 上箱的側(cè)面的4邊形成大約Imm至3mm寬的間隙。這實(shí)現(xiàn)了以下的結(jié)構(gòu)：保證了殼體內(nèi)部 與外部的透氣性并且?guī)缀醪粫?huì)將熱量限制在內(nèi)部。
[0109] 在X射線透過率方面具有優(yōu)勢(shì)的CFRP (碳纖維增強(qiáng)塑料）6被配合在殼體外側(cè)的 成像面5的開口中。利用具有高X射線透過率和小電阻值的鋁片7從殼體內(nèi)部覆蓋開口， 并且在開口的4邊獲得與上箱殼體的導(dǎo)通。在成像時(shí)，患者可能直接接觸到X射線入射部 且增加重量。為了針對(duì)重量防止塑性變形，具有在強(qiáng)度和彈性方面有優(yōu)勢(shì)的特性的CFRP是 合適的。因?yàn)镃FRP含有碳，因此電阻值低但是明顯高于金屬的電阻值，并且不形成屏蔽結(jié) 構(gòu)。具有高X射線透過率和低電阻值的鋁片7從殼體內(nèi)部覆蓋開口，并且在開口的4邊獲 得與上箱殼體的導(dǎo)通。關(guān)于從殼體內(nèi)部覆蓋成像面的開口的鋁片7,通常使用具有約30 μ m 厚度的鋁片來抑制X射線衰減因數(shù)。
[0110] 作為補(bǔ)充說明，關(guān)于上箱的X射線入射面的開口，因?yàn)楦采w開口的鋁片在開口的4 邊獲得與非磁性金屬殼體的導(dǎo)通，所以水平分量的磁場(chǎng)被切斷。當(dāng)在該開口中既不具有殼 體也不具有鋁片時(shí)，如果水平分量的磁場(chǎng)照射殼體，則在非磁性金屬殼體中生成的渦流集 中于開口外圍，并且該磁場(chǎng)由于由渦流所生成的磁場(chǎng)而進(jìn)入殼體內(nèi)部。在本實(shí)施例中，使得 30 μπι鋁片在上箱的X射線入射面的開口中與殼體導(dǎo)通。所以，水平分量的磁場(chǎng)從上箱的開 口的進(jìn)入大幅降低，并被限制于水平磁場(chǎng)從上箱和下箱的重合側(cè)面的4邊的開口的進(jìn)入