磁鐵裝置及磁共振成像裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及磁鐵裝置和具備該磁鐵裝置的磁共振成像裝置(以下稱為MRI (Magnetic Resonance Imaging:磁共振成像)裝置)。
【背景技術】
[0002]MRI裝置將被檢體置于形成有均勻的靜磁場的攝像空間，利用向該被檢體照射高頻脈沖時產生的核磁共振現象，獲得表征被檢體的物理、化學特性的圖像。并且，該圖像主要用于醫(yī)療。MRI裝置從其靜磁場方向來看大致分為該方向朝向水平方向的水平型和朝向鉛垂方向的垂直型。在前者即水平型MRI裝置中，攝像空間處于在水平方向上貫通的隧道內，被檢者進入該隧道內接受檢查。因此，被檢者有時會有壓迫感。而后者即垂直型MRI裝置是在上下對置地配置的一對磁極之間形成攝像空間而被檢者進入該磁極間的構造，因此被檢者能夠獲得敞開感。因此，垂直型MRI裝置也被稱為敞開型MRI裝置。
[0003]為了發(fā)揮垂直型MRI裝置的特長，使被檢者周圍的空間較大程度地敞開，與一對磁極連接的磁軛的形狀采用C字或U字形狀(例如參照專利文獻I等)。本說明書中，C字或U字形狀是指將大致圓環(huán)形狀的一部分切除而敞開的形狀。但是在采用C字或U字形狀的磁軛時，從攝像空間看的包含磁軛的磁性體的分布會發(fā)生偏向，因此攝像空間內的靜磁場容易形成非軸對稱，攝像空間中的靜磁場的磁場強度容易變得不均勻。為此，在專利文獻I中采用使C字或U字形狀的磁軛的在水平方向上延設的上下一對的水平部的厚度向前端側逐漸變薄的構造，從而對攝像區(qū)域上的C字或U字形狀的開口側和柱側的磁場強度進行調節(jié)。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2005 - 168772號公報

【發(fā)明內容】

[0007]發(fā)明所要解決的課題
[0008]垂直型MRI裝置具備磁鐵裝置，用以在攝像空間中產生均勻的靜磁場。并且，在該磁鐵裝置中采用永久磁鐵或超導線圈。通常，在攝像空間中所需磁場強度小于0.5T則采用永久磁鐵，而0.5T以上則采用超導線圈。
[0009]并且，作為MRI裝置用磁鐵裝置的重要參數，除了上述磁場強度和上述磁場均勻度之外還有漏磁場擴散區(qū)域的大小。漏磁場擴散區(qū)域的大小尺度一般采用磁場強度衰減至0.5mT所需的空間大小。需要將漏磁場抑制為使該空間大小比設置MRI裝置的房間小的程度。并且，如果攝像空間的磁場強度為1.0T以下，則在該程度的漏磁場的抑制中能夠通過僅配置鐵等的磁性體來進行。而當磁場強度超過IT時，則在僅配置磁性體來抑制漏磁場時需要數十噸的磁性體，配置磁性體來抑制漏磁場并不實用。該情況下，能夠采用被稱為屏蔽線圈的超導線圈來抑制漏磁場。
[0010]總結上述內容，在攝像空間的磁場強度為0.5T以下范圍內的垂直型MRI裝置中，對磁極采用永久磁鐵來生成靜磁場，并采用磁性體來抑制漏磁場。作為磁性體，具體而言，能夠采用鐵制的磁軛。并且，在0.5T以上1.0T以下的范圍內的垂直型MRI裝置中，采用與磁性體磁極不同的超導線圈來生成靜磁場，并采用與磁極磁性體不同的磁性體來抑制漏磁場。
[0011]并且，在專利文獻I中，采用超導線圈和磁性體即空隙少的連續(xù)的鐵制磁軛，因此能夠抑制漏磁場并生成高磁場強度的靜磁場。另外，使C字或U字形狀的磁軛的水平部的厚度向前端側逐漸變薄，從而減輕磁場的非軸對稱性。
[0012]但是，在調節(jié)磁軛的水平部前端側的厚度的方法中具有無法校正的非軸對稱性。即，關于通過攝像區(qū)域中心的鉛垂軸的周向角度，在設定C字或U字形狀的柱側為O度、C字或U字形狀的開口側為180度時，即使具備使O度和180度方向的磁場的強度在磁軛的水平部前端側的厚度上一致的機構，也無法利用該機構使O度和90度及270度方向的磁場的強度一致。
[0013]并且，在專利文獻I中，在使磁軛的水平部前端側的厚度較薄的情況下，則例如上側的水平部以該水平部的外側表面向下凸起的形狀、即從上方看呈凹狀的形狀為基本形狀。這種向外側表面下方凸起的形狀與向上凸起的形狀相比，會使流向鉛垂上方的磁通向C字或U字形狀的柱側急劇地彎曲，因此C字或U字形狀的開口側的磁場向鉛垂向上方流通的距離縮短，因此導致需要均勻磁場的攝像區(qū)域變小。
[0014]為此，本發(fā)明所要解決的課題是提供一種磁鐵裝置，其能夠使靜磁場的非軸對稱性減輕并提高均勻性。并且提供搭載有該磁鐵裝置的MRI裝置。
[0015]用于解決課題的方法
[0016]為了解決上述課題，本發(fā)明是一種磁鐵裝置，其特征在于，具備:
[0017]對置地配置的一對大致圓盤狀的磁極；以及
[0018]側視呈C字或U字形狀且該C字或U字形狀的兩端部與上述磁極接近地配置的磁軛，
[0019]上述磁軛具有與上述磁極接近地對置的磁軛側對置部，
[0020]上述磁軛側對置部具有:
[0021]包含大致平分上述磁軛的鉛垂對稱面的一部分的中央帶區(qū)域；以及
[0022]從上述對稱面離開而位于上述中央帶區(qū)域兩側的兩側帶區(qū)域，
[0023]在上述磁軛側對置部的從與上述磁極接近地對置的磁軛側對置表面起的高度中，上述中央帶區(qū)域比上述兩側帶區(qū)域高。
[0024]并且，本發(fā)明是一種MRI裝置，其特征在于，具有:
[0025]該磁鐵裝置；以及
[0026]將被檢者搬送到一對磁極之間的床臺，
[0027]上述磁鐵裝置在一對上述磁極之間產生均勻的靜磁場而形成攝像空間。
[0028]發(fā)明的效果
[0029]根據本發(fā)明，能夠提供一種磁鐵裝置及搭載有該磁鐵裝置的MRI裝置，由于通過磁極流向磁軛側對置部的磁通具有朝向鉛垂對稱面的方向成分，因此能夠抑制漏磁場并使靜磁場的非軸對稱性減輕而提高均勻性。并且，上述以外的課題、結構及效果可以通過以下對實施方式的說明而明了。
【附圖說明】
[0030]圖1是本發(fā)明第一實施方式的磁共振成像裝置(MRI裝置)的立體圖。
[0031]圖2是將本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置沿鉛垂對稱面切斷的縱剖視圖。
[0032]圖3是本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置的俯視圖。
[0033]圖4是將本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置的上半部分沿與鉛垂對稱面和水平對稱面正交的平面切斷的縱剖視圖。
[0034]圖5是本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置的俯視圖，是表示所產生的磁通的流向的圖。
[0035]圖6是將本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置的上半部分沿與鉛垂對稱面和水平對稱面正交的平面切斷的縱剖視圖，是表示所產生的磁通的流向的圖。
[0036]圖7是將本發(fā)明第一實施方式的磁鐵裝置的上半部分沿鉛垂對稱面切斷的縱剖視圖，是表示所產生的磁通的流向的圖。
[0037]圖8是將比較例的磁鐵裝置的上半部分沿鉛垂對稱面切斷的縱剖視圖，是表示所產生的磁通的流向的圖。
[0038]圖9是本發(fā)明第二實施方式的磁鐵裝置的磁軛的上半部分的立體圖。
[0039]圖10是本發(fā)明第二實施方式的磁鐵裝置的俯視圖。
[0040]圖11是將本發(fā)明第二實施方式的磁鐵裝置的上半部分沿與鉛垂對稱面和水平對稱面正交的平面切斷的縱剖視圖。
[0041]圖12是將本發(fā)明第二實施方式的磁鐵裝置的上半部分沿鉛垂對稱面切斷的縱剖視圖。
[0042]圖13是本發(fā)明第三實施方式的磁鐵裝置的磁軛的上半部分的立體圖。
[0043]圖14是將采用永久磁鐵時的磁鐵裝置沿鉛垂對稱面切斷的縱剖視圖。
【具體實施方式】
[0044]接下來，適宜參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。并且，在各圖中對共通部分標注同一符號而省略重復說明。
[0045](第一實施方式)
[0046]圖1示出本發(fā)明第一實施方式的磁共振成像裝置(MRI裝置)I的立體圖。MRI裝置I具有:在攝像空間9內生成磁場強度均勻的靜磁場的磁鐵裝置2 ;將被檢者以平臥狀態(tài)向攝像空間9搬送的床臺8 ;以及對磁鐵裝置2、床臺8等MRI裝置I整體進行控制，并利用向被檢體照射高頻脈沖時產生的核磁共振現象，取得表征被檢體的物理、化學特性的圖像的控制部7。
[0047]控制部7與磁鐵裝置2、床臺8等連接。控制部7具有:能夠由操作者進行操作來調整其控制內容的操作部72 ;以及顯示取得的圖像的顯示部71。操作部72通過按鍵或旋轉開關等來接受操作者的操作。顯示部71顯示該操作信息并且顯示取得的圖像?？刂撇?由操作部72接受操作者的各種操作，并基于該操作來控制磁鐵裝置2而生成靜磁場，并控制床臺8將被檢者沿水平方向搬送到攝像空間9。
[0048]床臺8具備設于下部的驅動部81和利用該驅動部81在攝像空間9的方向