1.一種曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒，其特征在于，由aie熒光納米顆粒和曲妥珠單抗偶聯(lián)得到，所述aie熒光納米顆粒表面含有羧基和氨基中的至少一種，所述aie熒光納米顆粒內(nèi)部負(fù)載有aie分子；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒，其特征在于，所述曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒的平均粒徑為90-150nm；所述曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒的分散系數(shù)為0.05-0.1；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒，其特征在于，所述兩親性高分子聚合物包括式ⅰ、式ⅱ中的至少一種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒，其特征在于，所述aie熒光納米顆粒的制備方法包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒，其特征在于，步驟（1）中，所述的aie分子和兩親性高分子聚合物的質(zhì)量用量比為1:(0.3-10)；所述的揮發(fā)性有機(jī)溶劑為四氫呋喃或二氯甲烷；所述aie分子的質(zhì)量和揮發(fā)性有機(jī)溶劑的體積比為1mg:(0.5-5)ml；
6.權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述差速離心法為：將粗產(chǎn)物先于真空條件下4000-5000rpm離心5-10min，去掉沉淀留上清；再于真空條件下10000-12000rpm離心10-20min，去掉上清留沉淀后加超純水復(fù)溶；之后在真空條件下5000-6000rpm離心5-10min，去掉沉淀留上清，得到曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒。
9.一種aie熒光造影劑，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆粒。
10.權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的曲妥珠單抗修飾的aie熒光納米顆?；驒?quán)利要求9所述的aie熒光造影劑在非疾病診斷和/或治療目的的乳腺癌腫瘤熒光靶向的應(yīng)用。