交叉參考相關申請

本申請要求由Joseph D.Brannan于2008年1月23日提交的序列號為61/023,031，名稱為“扼流電介質加載的電極端偶極微波天線”的美國臨時申請的優(yōu)先權利益，其通過引用被合并于此。

技術領域

本公開一般地涉及在組織切除過程中使用的微波涂藥器。更特別地，本公開指向一種具有液體或固體加載的電極端偶極天線的微波涂藥器。

背景技術：

某些疾病的治療需要破壞惡性組織生長(例如，腫瘤)。已知的是，腫瘤細胞在比對周圍健康的細胞有害的溫度稍低的高溫下會改變性質。因此，已知的諸如高溫療法的治療方法，加熱腫瘤細胞至高于41℃的溫度，同時保持附近的健康細胞在較低的溫度以避免不可挽回的細胞損害。這種方法需要應用電磁輻射來加熱組織并且包括組織的切除和凝固。特別地，微波能被用于凝固和/或切除組織以使癌細胞改變性質或殺死癌細胞。

微波能經由穿透組織以觸及腫瘤的微波切除天線而被應用。有幾種類型的微波天線，比如單極和偶極。在單極和偶極天線中，微波能從導體的軸垂直地輻射。單極天線包括單一的、伸長的微波導體。偶極天線可具有包括由電介質部分隔開的內導體和外導線的同軸結構。更特別地，偶極微波天線可具有沿著天線的縱軸延伸的長的、細的內導體并且被外導線圍繞。在某些變型例中，外導體的一部分或多部分可選擇性地去除以提供更加有效的能量的向外輻射。這種類型的微波天線結構被典型地稱為“有漏波導”或“漏泄同軸”天線。

常規(guī)的微波天線具有窄的工作帶寬和實現最佳工作效率的波長范圍，因此，不能保持預定的在微波傳送系統(例如發(fā)生器、電纜等)和圍繞微波天線的組織之間的阻抗匹配。更特別地，當微波能被應用于組織時，直接圍繞微波天線的組織的介電常數由于組織被加熱(cooked)而減小。此減少引起正被應用于組織的微波能的波長增加超過天線的帶寬。因此，在常規(guī)的微波天線的帶寬和正被應用的微波能之間存在失配。從而，窄帶微波天線可能失諧阻礙有效的能量傳送和分散。

技術實現要素：

根據本公開的一種方案，一種微波天線組件被公開。天線組件包括：不平衡偶極天線；短路扼流圈，其具有延伸經過導體層的電介質層；以及連接插座，其連接到用于使電介質冷卻液流體流通經過天線組件的冷卻液系統。

根據本公開的另一種方案，一種微波天線組件被公開。天線組件包括具有內導體、外導體和置于其間的內絕緣體的饋線。輻射部被包括，其具有不平衡偶極天線，不平衡偶極天線具有近側部和比近側部長的遠側部。近側部包括內導體和內絕緣體的至少一部分，遠側部包括導電構件。天線組件還包括環(huán)繞饋線的至少一部分布置的扼流圈。扼流圈包括內電介質層和外傳導層，其中外傳導層被短接到饋線的外導體上，并且內電介質層延伸經過外傳導層。組件進一步包括布置在饋線和輻射部上方的套管，套管環(huán)繞饋線和輻射部限定出腔體，腔體適于使電介質冷卻液流通經過其中。

根據本公開的另外的方案，一種微波天線組件被公開。天線組件包括：饋線，其具有內導體、外導體和置于其間的內絕緣體；以及輻射部，其包括不平衡偶極天線，不平衡偶極天線具有近側部和有不同長度的遠側部。近側部包括內導體和內絕緣體的至少一部分，并且遠側部包括導電構件。天線組件還包括環(huán)繞饋線的至少一部分布置的扼流圈。扼流圈包括內電介質層和外傳導層，其中外傳導層被短接到饋線的外導體上，并且內電介質層延伸經過外傳導層。天線組件進一步包括：冷卻套，其布置在饋線上方且環(huán)繞饋線限定近側腔體，腔體適于使電介質冷卻液流體流通經過其中；以及固體電介質加載，其具有限定在其中的中央腔體且適于安裝在輻射部附近，固體電介質加載從冷卻套延伸出。

附圖說明

當結合附圖時，根據下面的詳細描述本公開的以上和其它方案、特征、以及優(yōu)點將變得更加明顯，其中：

圖1是根據本公開的一個實施例的微波切除系統的示意圖；

圖2是根據本公開的微波天線組件的立體橫截面圖；

圖3是圖2的微波天線組件的一部分的放大橫截面；

圖4是圖2的微波天線組件的一部分的放大橫截面；

圖5是圖2的微波天線組件的饋線的遠側部的側視圖；

圖6是根據本公開的一個實施例的平衡偶極天線的示意圖；

圖7是根據本公開的一個實施例的不平衡偶極天線的示意圖；

圖8是圖2的微波天線組件的不平衡偶極天線的側視圖；

圖9是圖2的微波天線組件的遠側端的放大橫截面；

圖10是圖2的微波天線組件的輻射部的側視圖；

圖11是圖2的微波天線組件的電極端和套管的側視圖；

圖12是圖2的微波天線組件的饋線的近側端的側視圖；

圖13是圖2的微波天線組件的連接插座和近側端的橫截面圖；

圖14是圖2的微波天線組件的流入管的示意視圖；

圖15是根據本公開的一個實施例的微波天線組件的側視圖；

圖16和17是圖15的微波天線的立體橫截面圖；以及

圖18是圖15的微波天線的橫截面放大立體圖。

具體實施方式

下面在這里將參考附圖對本公開的特定實施例進行描述。在下面的描述中，對眾所周知的功能或結構不進行詳細描述以避免使本公開被不必要的細節(jié)所遮掩。

圖1示出微波切除系統10，其包括經由柔性同軸電纜16連接到微波發(fā)生器14上的微波天線組件12。發(fā)生器14被配置為以從大約500MHz至大約5000MHz的工作頻率來提供微波能。

天線組件12通常包括輻射部18，其可以由饋線20(或軸)連接到電纜16上。更特別地，天線組件12通過連接插座(hub)22連接到電纜16上。連接插座22還包括以流體連接的方式與套管38連接的流體出口端口30和流體進口端口32。套管38包住輻射部18和饋線20以允許來自端口30和32的冷卻液流體被提供并且環(huán)繞天線組件12而流動。而且端口30和32連接到供給泵34上，供給泵34又連接到供給箱36上。供給箱36存儲冷卻液流體并且使流體保持在預定的溫度。在一個實施例中，供給箱36可包括冷卻液單元，其冷卻從天線組件12返回的液體。在另一個實施例中，冷卻液流體可以是氣體和/或流體和氣體的混合物。

組件12還包括具有錐形端24的電極端(tip)48，在一個實施例中錐形端24終止于尖頭端26處以允許在輻射部18的遠側端處以最小的阻力插入組織。在那些輻射部18被插入預先存在的開口的情況下，電極端48可以是圓的或平的。

圖2示出具有不平衡偶極天線40的天線組件12的輻射部18。偶極天線40被連接到將天線組件12電連接到發(fā)生器14上的饋線20上。如圖3至4所示，饋線20包括由內絕緣體52圍繞的內導體50(例如金屬線)，內絕緣體52然后被外導體56(例如，圓筒狀的導電套管)圍繞。內導體和外導體可由銅、金、不銹鋼或其它具有相似的電導率值的導電金屬構成。該金屬可鍍有其它材料，如其它導電材料，以提高它們的特性，例如提高導電率或減小能量損失等。在一個實施例中，饋線20可由具有0.047”外徑的額定用于50歐姆的金屬線的同軸半剛性電纜或同軸柔性電纜形成。

偶極天線40包括通過在饋電點46處的電介質隔離件相互連接的近側部42和遠側部44。遠側部44和近側部42具有不同的、不相等的長度使得偶極天線40為不平衡的。在一個實施例中，如圖7所示，遠側部44可以比近側部42長。近側部42由內導體50和內絕緣體52形成，內導體50和內絕緣體52延伸到外導體56的外側，如圖4所最佳示出。在一個實施例中，其中饋線20由同軸電纜形成，外導體56和內絕緣體52可被切掉以露出內導體50，如圖5所示。

遠側部44包括可由諸如金屬(例如銅、不銹鋼、錫以及其各種合金)的任何類型的導電材料形成的導電構件45。遠側部44可具有實心結構并且可由實芯線(例如10AWG)形成。在另一個實施例中，遠側部44可由同軸電纜的外導線的中空套筒或另外的圓筒狀導體形成。圓筒狀導體之后可填充焊料以使圓筒變成實心軸。更特別地，焊料可被加熱至足夠的溫度以使在圓筒狀導體內的焊料液化(例如500°F)從而制造出實心軸。

在另一個實施例中，近側部42也可由實芯線或填充有焊料的圓筒狀導體形成。近側部42此后被連接到內導體50上，如圖4所示。這可通過將近側部42焊接到內導體50的遠側端實現，例如通過熔化近側部42的焊料并且將內導體50插入其中。

在一些實施例中，不平衡偶極天線40在切除期間提供更好的阻抗匹配。切除期間組織性質的變化使微波切除天線的實部阻抗匹配變得復雜。在切除的整個過程中，由于合成的(resulting)動態(tài)電流和電壓關系，偶極上的給定位置的實際阻抗發(fā)生改變。圖6示出使用包括等長度的兩部分的半波偶極天線在匹配實部阻抗中的困難，在偶極的中心處電壓減到最小并且電流達到最大。然而，實部阻抗在近側部42和遠側部44的端部減到最小和達到最大。與此相反，本公開的不平衡偶極天線40使得饋電點實部阻抗和電纜16之間的阻抗差在整個切除期間的積分最小化。如圖7所示，不平衡半波偶極通過使近側部42和遠側部44之間的空隙遠離偶極天線40的中心而布置，來提供初始阻抗對實部阻抗的更好匹配。在一個實施例中，遠側部40的長度大約為40mm以最小化組件12的回波損耗。

圖8示出連接到近側部42上的遠側部44。遠側部44可被焊接到近側部42的內導體50上以在其間建立機電接觸。在一個實施例中，其中遠側部44由填充有焊料材料的中空圓筒狀導體形成，通過液化遠側部44的焊料且將內導體50的遠側端插入其中，遠側部44可連接到近側部42上。內導體50的遠端部的一部分被插入遠側部44使得偶極饋電空隙(feed gap)“G”在饋電點46處保持在近側部42和遠側部44之間?？障丁癎”可為從大約1mm至大約3mm。天線的偶極饋電空隙是同軸場模式在傳輸到自由空間時遇到的第一個結構。因而空隙在回波損耗或者系統對天線的阻抗匹配中具有重要的作用。在一個實施例中，空隙“G”隨后被填充電介質材料以在饋電點46處形成電介質隔離件。在另一個實施例中，內絕緣體52被延伸到饋電點46內。電介質材料可以是諸如由德國威明頓的杜邦公司銷售的的聚四氟乙烯(PTFE)。在另一個實施例中，如圖4所示，空隙“G”可通過電介質密封敷層而被涂敷，這將在下文更詳細地論述。

如圖2和9所示，遠側部44被連接到電極端48上，電極端48可由多種適于穿透組織的耐熱材料形成，比如金屬(例如不銹鋼)和各種熱塑性材料，比如聚醚酰亞胺，聚酰胺熱塑性樹脂，其一個示例為由美國康涅狄格州費爾菲德市通用電氣公司銷售的電極端48可以由各種桿狀材料(stock rod)加工以獲得需要的形狀。電極端48可使用諸如環(huán)氧密封件49的各種粘合劑而被連接到遠側部44上。如果電極端48為金屬，電極端48可被焊接到遠側部44上。

圖11示出電極端48的各種形狀和樣式，即不銹鋼電極端48a和電介質電極端48b。電極端48a和48b兩者都包括具有比電極端48a和49的直徑小的外徑的插入基部51，以允許更容易地插入套管38。這種結構還在電極端48和套管38之間提供更好的密封，這將在下文更詳細地論述。

參考圖2和3，天線組件12還包括扼流圈60。扼流圈60環(huán)繞饋線20布置并且包括內電介質層62和外傳導層64。在一個實施例中，扼流圈60為在近側定位的四分之一波長短路扼流圈。通過使用環(huán)繞由電介質層隔開的饋線20的外導體56的外傳導層64，扼流圈60實施為四分之一波長短路。扼流圈60通過焊接或其它方法在扼流圈60的近側端被短接到饋線20的外導體56上。在一個實施例中，電介質層32由諸如四氟乙烯、全氟丙烯等的含氟聚合物形成，并且具有0.005英寸的厚度。外傳導層34可由諸如高導電金屬(例如銅)的所謂的“理想導體”材料形成。

在實施例中，扼流圈60可以是四分之一波長短路扼流圈、半波長開路扼流圈、以及反相四分之一波長短路扼流圈或空隙消除扼流圈。扼流圈60限制從發(fā)生器14到組件12的輻射部20的微波能，從而限制沿著饋線20的微波能沉積區(qū)域長度。扼流圈28提供高阻抗給沿著傳導饋線20的外側向下傳導的微波能，從而限制對天線末端的能量沉積。

置于天線組件12上的近側部42的高阻抗點的短路四分之一波扼流圈使天線電流局限在組件12的輻射段18，由于幾乎球形的功率耗散區(qū)域從而減小了長度并且最大化了切除的橫截面直徑。

電介質層62的電介質朝向組件12的遠側端延伸經過扼流圈導體層64，如圖10所示。在一個實施例中，電介質層62可以延伸過扼流圈導體層64大約6mm。這種延伸的電介質通過將電容置于偶極的近側部42和扼流圈導體層64的外表面之間來改進扼流圈60的性能，從而阻止電流跨接到扼流圈導體層64上。由電介質形成的電容對微波電流是高阻抗勢壘，以便完全避免扼流圈結構，否則微波電流會從近側部42跨接到扼流圈60靠近其入口的外表面。作為代替，這些電流通過電容被引入四分之一波扼流圈60，從而提高它的有效性。

如上面所論述的，由于組織脫水而導致的波長增加使得在近側部42上的高阻抗點沿著組件12向近側移動。有效的扼流圈必須在這個可變的點處呈現高阻抗。延伸的電介質有效地作為可變位置扼流圈，覆蓋這個點所變動的范圍，在近側部42的高阻抗點保持在延伸的電介質邊界內時維持扼流圈的有效性。電介質層62可以延伸到扼流圈傳導層64和饋電點46之間的任意長度處。

在一個實施例中，電介質層62可以通過應用諸如5/64”厚的PTFE熱縮塑料包的電介質收縮材料于外導體56上形成。一旦熱縮塑料包材料環(huán)繞外導體56布置，材料被加熱使得材料被熔化并且圍繞外導體56設置。加熱可以通過熱風鼓風機來完成，熱風鼓風機能夠提供大約750°F的熱風流。可應用PTFE熱縮塑料包的多個層并且連續(xù)地加熱以形成期望厚度的電介質層62。在一個實施例中，應用了PTFE熱縮塑料包的三個或更多層。

如圖3和10所示，導體層64可通過應用導電的金屬箔(例如銅)的一個或更多層于電介質層62上而形成。箔可延伸經過電介質層62的近側端，如圖12所示。箔使用各種類型的粘合劑(例如紫外線活性膠、環(huán)氧樹脂等)可接附到電介質層62上。在一個實施例中，延伸經過電介質層62的箔的近側端通過所謂的“繞接”技術可接附到饋線20上以便提供可靠的電連接至箔和饋線20，如圖12所示。金屬線在箔開始向下經過電介質層62而逐漸變細的位置處卷繞在銅箔上。金屬線被纏繞后，沿著纏繞的整個長度將金屬線自身相焊接以便固定金屬線并且防止金屬線解繞。在另一個實施例中，其它方法可被用來將箔固定到饋線20上，例如，中空圓筒可環(huán)繞著頸縮經過電介質層62的過量箔而放置。在進一步的實施例中，箔可基本上與電介質層62等長以避免需要將箔的近側端固定到饋線20上。

組件12還包括連接插座22，如圖13中所更詳細示出。連接插座22包括電纜連接器79和流體端口30和32。連接插座22可包括三分支魯爾型連接器72，具有被用來容納電纜連接器70的中指74和分別容納流體出口端口30和流體進口端口32的左指76和右指78。連接插座22還包括布置在中指74的遠側端的基部81。

組件12還包括如圖1、13和14所示的有源冷卻液系統。更特別地，組件12包括包住饋線20的套管38、從電極端48至基部81的輻射部18。冷卻液由泵34供給并且在輻射部18、饋線20和套管38之間的空間中流通。由于輻射部18和饋線20與冷卻液直接接觸，因此組件12的這些部件應當被密封以防止任何流體在其中滲漏。這可通過應用任何類型的使用常規(guī)的注射成型和螺旋擠壓技術的熱熔加工的聚合體來實現。在一個實施例中，氟化乙丙烯(FEP)熱縮塑料包的套筒可被應用于整個組件12上，即饋線20和輻射部18，如圖1所示。FEP套筒然后被加熱以密封饋線20和輻射部18。所得的FEP密封件防止任何冷卻液流體滲入組件12。FEP套筒可在應用外傳導層64之前或之后被應用。另外，FEP還可被應用在內導體50和內絕緣體52延伸經過外導體56的位置處，從而產生真空53，如圖4所示。

套管38可以是任何類型的剛性管，如由聚酰亞胺和其它類型的聚合體制作的導管。套管38可通過以下方式被組裝：首先將電極端48固定到套管38的遠側端，然后將組合的套管和電極端的組件插入到組件12上。套管38還被固定到連接插座22的基部81和電極端48上，使得套管38與連接插座22流體連接并且在基部81和電極端48之間限定出腔體89。

流入管86可以包括一個或更多個流入管86a和86b。流入管86a和86b可以是具有足夠的外徑以安裝在饋線20和套管38之間的腔體89(圖4和9)的內部的任何類型的柔性管。流入管86a和86b被插入經過流體出口端口30。更特別地，流入管86a差不多被插到遠側部44的遠側端并且流入管86b被插到接近于饋電點46，如圖14所示。流入管86a和86b然后被固定到輻射部18上(例如使用環(huán)氧樹脂、膠水等)。流入管86a和86b被定位在這種結構中以便提供經過套管38的最佳冷卻液流。來自流入管86a的流體流被噴射入電極端48并且沿近側方向折回。來自流入管86b的流體流沿著輻射部18提供冷卻液。在工作期間，泵34經過流入管86a和86b供給流體到組件12，從而使冷卻液流通經過包括連接插座22的組件12的整個長度。然后流體通過流體出口端口32從中指74和左指76被抽回。

上述的冷卻液系統提供經過天線組件12的整個長度的電介質冷卻液流體(例如鹽水、去離子水等)的流通。電介質冷卻液流體帶走了由組件12產生的熱量。另外，電介質冷卻液流體充當用于組件12的緩沖并且避免組件12的近場電介質性質因組織電介質性質的變化而改變。當在切除期間應用微波能時，環(huán)繞輻射部18的組織的脫水導致組織復介質常數下降了很多倍(例如大約10)。介電常數(er`)下降增加了組織中微波能的波長，這顯著影響了無緩沖的微波天線組件的阻抗，從而使天線組件與系統阻抗失配(例如電纜16和發(fā)生器14的阻抗)。波長的增加還導致功率耗散區(qū)域，該區(qū)域沿著組件12的長度比橫截面直徑長很多。組織電導率(er``)的減小還影響組件12的阻抗的實部。根據本公開的流體電介質緩沖還緩和了傳送能量的波長的增加和近場電導率的下降，從而減少組件12的阻抗的改變，不管組織狀態(tài)而允許更多一致的天線對系統的阻抗匹配和球形功率耗散區(qū)域。

波長變化的緩沖還允許更有效的扼流網絡。扼流圈必須被置于近側部42的端部上的在弱電流點處或高阻抗點處。在扼流的濕電極端中具有波長緩沖的條件下，偶極輻射段上的半波長電流圖形被維持，使得高阻抗點的位置較少變化因而允許更有效的扼流圈網絡。共同地，電纜冷卻和電介質緩沖允許有目標的和有效的能量傳送到組織以使幾乎球形的切除區(qū)域和快速的切除時間成為可能。鹽水或去離子水能與組件12一起使用。

圖15-18示出微波天線組件112的另一個實施例，其具有輻射部118和將組件112連接到電纜16上的饋線120。更特別地，天線組件112通過連接插座122連接到電纜16上，連接插座122包括流體出口端口130和流體進口端口132。

圖16和17示出天線組件112的輻射部118，其具有不平衡偶極天線140，其中套管38由金屬管(例如冷卻套200)和固體電介質加載(loading)190代替。偶極天線140連接到饋線120上，饋線120將天線組件112電連接到發(fā)生器14上。如圖18所示，與饋線20相似，饋線120包括由內絕緣體152圍繞的內導體150(例如金屬線)，內絕緣體152又被外導體156(例如圓筒狀導電套管)圍繞。

偶極天線140包括通過在饋電點146處的電介質隔離件相互連接的近側部142和遠側部144。遠側部144包括導電構件145。遠側部144和近側分142具有不同的、不相等的長度使得偶極天線140為不平衡的。近側部142由內導體150和內絕緣體152形成，內導體150和內絕緣體152延伸到外導體156的外側。在一個實施例中，其中饋線120由同軸電纜形成，外導體156和內絕緣體152可被切掉以露出內導體150，如圖18所示。

遠側部144可由諸如金屬(例如銅、不銹鋼、錫以及其各種合金)的任何類型的導電材料形成。部144可具有實心結構并且可由實芯線(例如10AWG)或填充有與組件12的部44相似的焊料的圓筒狀導體形成。近側部144其后被連接到內導體150上。

參考圖16-18，天線組件112還包括扼流圈160。扼流圈160環(huán)繞饋線120布置并且包括內電介質層162和外導體層164。在一個實施例中，扼流圈160為近側定位的四分之一波短路扼流圈，其通過焊接或其它方法在扼流圈160的近側端被短接到饋線120的外導體156上。電介質層162的電介質朝向組件112的遠側端延伸經過扼流圈導體層164。

組件112還包括連接插座122，如圖15所示。連接插座122包括電纜連接器179和流體出口130和流體進口端口132。連接插座122可包括三分支魯爾型連接器172，具有被用來容納電纜連接器179的中指174和分別容納流體出口端口130和流體進口端口132的左指176和右指178。電纜連接器179在饋線120的近側端處被連接到內導體152和外導體156上，內導體152和外導體156延伸到外導體156的外側。連接插座122還包括布置在中指174的遠側端的基部181。在一個實施例中，組件112包括一個或更多個流入管186，其通過右指178被供給。

組件112包括布置在偶極天線140上方的固體電介質加載190，以替代組件112的液體電介質材料。固體電介質加載190從扼流圈導體層164的端點延伸。更特別地，組件112包括在扼流圈導體層164的遠側端上方的液封192。在一個實施例中，加載190可通過膠水和其它方法連接到密封件192上。

加載190可為具有限定在其中的中央腔體198且適于插在天線140上的圓筒狀。加載190還可具有帶有尖頭電極196的錐形端194，從而避免需要電極端48。加載190還可在腔體198內連接到天線140的遠側端(例如在其遠側部144處)。腔體198可具有根據其橫截面形狀適于安裝在天線140上的大致的圓筒形狀。另外，腔體198包括近側部197和遠側部199，其中近側部197具有比遠側部199大的內徑，以容納扼流圈電介質層162。扼流圈層162可延伸到扼流圈傳導層164和饋電點146之間的任意長度處。為容納延伸的扼流圈層162，近側部197的深度相應地改變。

加載190具有大致等于饋線120的厚度的外徑和大致等于偶極天線140的直徑的內徑。由于加載190布置在偶極天線140上并且沒有冷卻液流體將與之接觸，因此天線140可不覆蓋電介質熱縮塑料包來密封它的部件。

在一個實施例中，加載190的電介質材料可具有從大約2.5和150的介電常數并且可由陶瓷材料制成，例如氧化鋁陶瓷或塑料材料，例如聚酰胺塑料(例如從特拉華(州)威明頓的杜邦公司可得到的)。加載190在輻射部118和組織之間充當電介質緩沖，使得雖然組織的電特性在切除期間發(fā)生變化，但天線組件112在整個切除過程中仍保持半波諧振和與能量傳送系統(例如發(fā)生器14、電纜16等)的阻抗匹配。

天線組件112還包括布置在基部181和密封件192之間的冷卻套200。冷卻套200可由不銹鋼或其它適合的醫(yī)用金屬形成。冷卻套200在扼流圈導體層164和冷卻套200之間限定出近側腔體201，電介質冷卻液流體通過連接插座122被供給到近側腔體201內。更特別地，與管86a和86b相似的一個或更多個流入管186可延伸到腔體201內以使電介質冷卻液流體流通經過冷卻套200。密封件192被布置在冷卻套200和扼流圈導體層164的遠側端處的冷卻套200和扼流圈導體層164之間。密封件192可由任何類型的適于將腔體201與加載190密封隔離的電介質(例如合成橡膠)和/或導電材料形成。

本公開的所述實施例意圖為說明性的而非限制性的，并且沒有意圖描述本公開的每一個實施例。在不背離如下面的權利要求書中既以字面又以慣例認可的等同所闡述的本公開的精神或范圍的情況下，能夠進行各種改進和變型。