本發(fā)明涉及磁共振成像(以下，稱為MRI)技術(shù)，特別是涉及一種對(duì)因靜磁場(chǎng)不均勻及梯度磁場(chǎng)非線性而產(chǎn)生的偽影(Artifact)進(jìn)行抑制的技術(shù)。

背景技術(shù)：

在水平磁場(chǎng)MRI裝置中，主流的是為了重視被檢體的開放感而縮短了門架的Z軸(磁場(chǎng)方向)長度的短門架型MRI裝置。但是，在短門架型MRI裝置中，由于靜磁場(chǎng)均勻空間和梯度磁場(chǎng)線性區(qū)域狹窄，因此，門架端部的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生變形。因?yàn)閿z影FOV以外的磁場(chǎng)變形的影響，會(huì)在攝影FOV內(nèi)產(chǎn)生高亮度的亮點(diǎn)或者月牙形偽影。將其稱為尖狀偽影(Cusp Artifact)。

在將Z軸設(shè)定在相位編碼方向上的矢狀(SAG)及冠狀(COR)截面的自旋回波(Spin Echo)系的攝影中，多會(huì)產(chǎn)生尖狀偽影，其有時(shí)會(huì)成為診斷的妨礙。

有一種通過使激勵(lì)RF脈沖(Excitation RF脈沖)和重聚焦RF脈沖(Refocus RF脈沖)兩種RF脈沖引起的激勵(lì)截面的角度偏移，以使激勵(lì)截面不在磁場(chǎng)變形區(qū)域內(nèi)重疊，從而對(duì)尖狀偽影進(jìn)行抑制的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：美國發(fā)明專利申請(qǐng)公開2012/0025826號(hào)說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，專利文獻(xiàn)1所述的方法例如在如FSE(Fast Spin Echo，快速自旋回波)序列那樣的、在一個(gè)激勵(lì)RF脈沖之后照射多個(gè)重聚焦RF脈沖的序列中無法應(yīng)對(duì)。另外，由于在切片厚度較厚的情況下需要增大兩者的激勵(lì)角度差，因此，會(huì)產(chǎn)生相鄰切片間的干擾引起的切片間亮度差、FOV內(nèi)的信號(hào)降低。

本發(fā)明鑒于上述情況而研發(fā)，其目的在于提供一種在一個(gè)激勵(lì)RF脈沖之后照射多個(gè)重聚焦RF脈沖的序列中，無論切片厚度等攝影條件如何，都能避免尖狀偽影的技術(shù)。

用于解決課題的手段

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的磁共振成像裝置通過使已知的磁場(chǎng)變形發(fā)生位置上的NMR信號(hào)(回波信號(hào))的信號(hào)值降低，從而抑制尖狀偽影。通過在磁場(chǎng)變形發(fā)生位置發(fā)生橫向磁化的相位偏移，從而使該位置上的回波信號(hào)降低。相位偏移通過在任一RF脈沖間施加微小的失相梯度磁場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)。該失相梯度磁場(chǎng)在相位編碼方向及/或切片編碼方向上施加。

具體來說，本發(fā)明的磁共振成像裝置具有以下所示的特征。

特征在于：具備：攝像部，其具備靜磁場(chǎng)發(fā)生部、梯度磁場(chǎng)發(fā)生部、高頻磁場(chǎng)發(fā)生部及高頻磁場(chǎng)檢測(cè)部；和測(cè)量部，其按照攝影序列使各部動(dòng)作，執(zhí)行測(cè)量，所述攝影序列是自旋回波系序列，在所述自旋回波系序列的高頻磁場(chǎng)脈沖間施加失相梯度磁場(chǎng)，以使發(fā)生磁場(chǎng)變形的磁場(chǎng)變形位置的回波信號(hào)降低。

特征在于：所述攝影序列是快速自旋回波序列。

另外，特征在于：以在所述磁場(chǎng)變形位置使橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量的方式施加所述失相梯度磁場(chǎng)。

另外，特征在于：還具備圖像重構(gòu)部，其根據(jù)所述測(cè)量部所測(cè)量到的回波信號(hào)對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)，所述測(cè)量部偶數(shù)次執(zhí)行所述攝影序列，每次執(zhí)行所述攝影序列都交替使極性反轉(zhuǎn)地來施加所述失相梯度磁場(chǎng)，所述圖像重構(gòu)部對(duì)通過各攝像序列得到的重構(gòu)圖像進(jìn)行相加。

另外，特征在于：還具備施加量調(diào)整部，其對(duì)所述失相梯度磁場(chǎng)的施加量進(jìn)行調(diào)整。

特征在于：所述施加量調(diào)整部按照來自用戶的指示對(duì)所述施加量進(jìn)行調(diào)整。

另外，特征在于：所述施加量調(diào)整部根據(jù)被指定為攝像條件的視野尺寸對(duì)所述施加量進(jìn)行調(diào)整。

另外，特征在于：所述施加量調(diào)整部以通過所述攝影序列得到的圖像的像素值的總和成為最小的方式對(duì)所述施加量進(jìn)行優(yōu)化。

特征在于：還具備圖像校正部，其對(duì)因施加所述失相梯度磁場(chǎng)而降低的所述回波信號(hào)進(jìn)行校正。

特征在于：所述規(guī)定量為±1/4·π[rad]或±1/2·π[rad]。

特征在于：與相位編碼梯度磁場(chǎng)的施加軸同軸地施加所述失相梯度磁場(chǎng)。

另外，特征在于：與切片編碼梯度磁場(chǎng)的施加軸同軸地施加所述失相梯度磁場(chǎng)。

另外，本發(fā)明的磁共振成像方法具有以下所示的特征。

特征在于：在自旋回波系的序列的高頻磁場(chǎng)脈沖間，以使發(fā)生磁場(chǎng)變形的磁場(chǎng)變形位置的回波信號(hào)降低的方式施加失相梯度磁場(chǎng)，并收集回波信號(hào)，得到重構(gòu)圖像。

或者，特征在于：在自旋回波系的序列的高頻磁場(chǎng)脈沖間，以使發(fā)生磁場(chǎng)變形的磁場(chǎng)變形位置的回波信號(hào)降低的方式施加失相梯度磁場(chǎng)，收集回波信號(hào)，得到第一重構(gòu)圖像，在與施加了所述自旋回波系的序列的所述失相梯度磁場(chǎng)的時(shí)刻相同的時(shí)刻，僅使極性反轉(zhuǎn)來施加所述失相梯度磁場(chǎng)，收集回波信號(hào)，得到第二重構(gòu)圖像，使所述第一重構(gòu)圖像與所述第二重構(gòu)圖像相加，得到圖像。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，無論切片厚度、FOV這樣的攝影條件如何，都能夠抑制尖狀偽影。

附圖說明

圖1是表示第一實(shí)施方式的MRI裝置的整體概要的框圖。

圖2是第一實(shí)施方式的整體控制部的功能模塊圖。

圖3中的(a)和(b)是用于對(duì)第一實(shí)施方式的磁場(chǎng)變形引起的尖狀偽影發(fā)生進(jìn)行說明的說明圖。

圖4是用于對(duì)FSE序列進(jìn)行說明的說明圖。

圖5是用于對(duì)作為第一實(shí)施方式的攝影序列的CAS序列310進(jìn)行說明的說明圖，(a)表示第奇數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310odd，(b)表示第偶數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310evn。

圖6是用于對(duì)通過第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)產(chǎn)生的空間上的相位分布進(jìn)行說明的說明圖，(a)表示第奇數(shù)次測(cè)量時(shí)的相位分布，(b)表示第偶數(shù)次測(cè)量時(shí)的相位分布。

圖7是第一實(shí)施方式的攝影處理的流程圖。

圖8是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為0時(shí)的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖9是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為1/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖10是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為2/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖11是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為3/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖12是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為4/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖13是表示第一實(shí)施方式的失相梯度磁場(chǎng)引起的相位偏移為5/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的時(shí)間方向的變化和重聚焦RF脈沖的FA依賴的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖14是表示第一實(shí)施方式的、以自磁場(chǎng)中心離開±250mm的位置相位偏移成為±1/4·π[rad]的方式施加失相梯度磁場(chǎng)時(shí)的因距離橫向磁化的磁場(chǎng)中心的距離引起的變化的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖15是表示第一實(shí)施方式的、在從磁場(chǎng)中心離開±250mm的位置以相位偏移成為±3/4·π[rad]的方式施加失相梯度磁場(chǎng)時(shí)的自橫向磁化的磁場(chǎng)中心的距離引起的變化的情形的圖表，(a)是表示第一數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(b)是表示第二數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(c)是表示第三數(shù)據(jù)的強(qiáng)度變化的情形的圖表，(d)是表示第一數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(e)是表示第二數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表，(f)是表示第三數(shù)據(jù)的相位變化的情形的圖表。

圖16是第一實(shí)施方式的變形例的攝影處理的流程圖。

圖17是第二實(shí)施方式的攝影處理的流程圖。

具體實(shí)施方式

＜＜第一實(shí)施方式＞＞

以下，按照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例詳細(xì)地進(jìn)行說明。此外，在用于說明發(fā)明的實(shí)施方式的全部附圖中，對(duì)基本上具有同一功能的部件標(biāo)記相同的符號(hào)，并省略重復(fù)的說明。

[MRI裝置的框圖]

首先，對(duì)本實(shí)施方式的MRI裝置進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的MRI裝置100的一例的整體結(jié)構(gòu)的框圖。本實(shí)施方式的MRI裝置100是利用NMR現(xiàn)象得到被檢體101的斷層圖像的裝置，如圖1所示，具備：靜磁場(chǎng)發(fā)生源102、梯度磁場(chǎng)線圈103及梯度磁場(chǎng)電源109、高頻磁場(chǎng)(RF)發(fā)送線圈104及RF發(fā)送部110、RF接收線圈105及信號(hào)處理部107、定序器(sequencer)111、整體控制部112、使搭載被檢體101的頂板出入由靜磁場(chǎng)發(fā)生源102生成的磁場(chǎng)空間的內(nèi)部的床106。

靜磁場(chǎng)發(fā)生源102，若為垂直磁場(chǎng)方式則在與被檢體101的體軸正交的方向上產(chǎn)生均勻的靜磁場(chǎng)，若為水平磁場(chǎng)方式，則在體軸方向上產(chǎn)生均勻的靜磁場(chǎng)。在被檢體101的周圍配置永磁方式、常導(dǎo)方式或者超導(dǎo)方式的、例如靜磁場(chǎng)發(fā)生磁鐵。以下，將靜磁場(chǎng)方向設(shè)為Z軸方向。另外，在本實(shí)施方式中，以一種水平磁場(chǎng)方式的隧道孔型的MRI裝置100、即縮短了門架的Z軸長度的短門架型的MRI裝置100為例進(jìn)行說明。但是，MRI裝置100的形式?jīng)]有限定。

梯度磁場(chǎng)線圈103是在作為MRI裝置100的實(shí)際空間坐標(biāo)系(靜止坐標(biāo)系)的X、Y、Z的3個(gè)軸方向上卷繞的線圈。各個(gè)梯度磁場(chǎng)線圈103與驅(qū)動(dòng)其的梯度磁場(chǎng)電源109連接，并被供給電流，產(chǎn)生梯度磁場(chǎng)。具體來說，各梯度磁場(chǎng)線圈103的梯度磁場(chǎng)電源109分別按照來自后述的定序器111的命令被驅(qū)動(dòng)，對(duì)各個(gè)梯度磁場(chǎng)線圈103供給電流。由此，在X、Y、Z的3個(gè)軸方向上產(chǎn)生梯度磁場(chǎng)Gx、Gy、Gz。該梯度磁場(chǎng)線圈103和梯度磁場(chǎng)電源109構(gòu)成梯度磁場(chǎng)發(fā)生部。

在對(duì)二維切片面進(jìn)行攝像時(shí)，在與切片面(攝像截面)正交的方向上施加切片梯度磁場(chǎng)脈沖(Gs)，設(shè)定對(duì)被檢體101的切片面。在與該切片面正交且相互正交的剩余兩個(gè)方向上施加相位編碼梯度磁場(chǎng)脈沖(Gp)和頻率編碼(讀出)梯度磁場(chǎng)脈沖(Gr)，對(duì)核磁共振信號(hào)(回波信號(hào))編碼各個(gè)方向的位置信息。

RF發(fā)送線圈104是對(duì)被檢體101照射RF脈沖的線圈，其與RF發(fā)送部110連接并被供給高頻脈沖(RF脈沖)電流。由此，在構(gòu)成被檢體101的生物組織的原子核的自旋中誘發(fā)NMR現(xiàn)象。具體來說，通過RF發(fā)送部110按照來自后述的定序器11的命令被驅(qū)動(dòng)，對(duì)RF脈沖進(jìn)行調(diào)幅，并在放大后供給到接近被檢體101配置的RF發(fā)送線圈104，由此，RF脈沖被照射到被檢體101。該RF發(fā)送線圈104和RF發(fā)送部110構(gòu)成RF脈沖發(fā)生部。

RF接收線圈105是接收通過構(gòu)成被檢體101的生物組織的原子核的NMR現(xiàn)象放出的回波信號(hào)的線圈。RF接收線圈105與信號(hào)處理部107連接，接收的回波信號(hào)被送至信號(hào)處理部107。

信號(hào)處理部107進(jìn)行由RF接收線圈105接收到的回波信號(hào)的檢測(cè)處理。具體來說，按照來自后述的定序器111的命令，信號(hào)處理部107對(duì)接收到的回波信號(hào)進(jìn)行放大，通過正交相位檢波分割成正交的兩個(gè)系統(tǒng)的信號(hào)，并分別采樣規(guī)定數(shù)(例如128、256、512等)，對(duì)各采樣信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。因此，回波信號(hào)作為由規(guī)定數(shù)的采樣數(shù)據(jù)構(gòu)成的時(shí)間序列的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(以下，稱為回波數(shù)據(jù))得到。

而且，信號(hào)處理部107對(duì)回波數(shù)據(jù)進(jìn)行各種處理，并將處理后的回波數(shù)據(jù)送至整體控制部112。此外，RF接收線圈105及信號(hào)處理部107構(gòu)成信號(hào)檢測(cè)部。

定序器111將用于收集重構(gòu)被檢體101的斷層圖像所需的回波數(shù)據(jù)的各種命令主要發(fā)送到梯度磁場(chǎng)電源109、RF發(fā)送部110、信號(hào)處理部107并對(duì)其進(jìn)行控制。具體來說，定序器111在后述的整體控制部112的控制下進(jìn)行動(dòng)作，基于規(guī)定的脈沖序列的控制數(shù)據(jù)，對(duì)梯度磁場(chǎng)電源109、RF發(fā)送部110及信號(hào)處理部107進(jìn)行控制，重復(fù)執(zhí)行對(duì)被檢體101的RF脈沖的照射及梯度磁場(chǎng)脈沖的施加、和來自被檢體101的回波信號(hào)的檢測(cè)，對(duì)關(guān)于被檢體101的攝像區(qū)域的圖像的重構(gòu)所需的回波數(shù)據(jù)進(jìn)行收集。

在重復(fù)進(jìn)行時(shí)，在二維攝像的情況下，改變相位編碼梯度磁場(chǎng)的施加量來進(jìn)行，在三維攝像的情況下，進(jìn)而也改變切片編碼梯度磁場(chǎng)的施加量來進(jìn)行。相位編碼的數(shù)通常每一張圖像選128、256、512等值，切片編碼的數(shù)通常選16、32、64等值。通過這些控制，將來自信號(hào)處理部107的回波數(shù)據(jù)輸出到整體控制部112。

整體控制部112進(jìn)行定序器111的控制、及各種數(shù)據(jù)處理和處理結(jié)果的顯示及保存等控制。整體控制部112具備：運(yùn)算處理部(CPU)114、存儲(chǔ)器113、磁盤等內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115。整體控制部112上連接顯示部118及操作部119作為用戶界面。另外，也可以連接光盤等外部存儲(chǔ)裝置117。

具體來說，經(jīng)由定序器111對(duì)各部進(jìn)行控制，收集回波數(shù)據(jù)，若經(jīng)由定序器111輸入回波數(shù)據(jù)，則運(yùn)算處理部114基于施加到該回波數(shù)據(jù)的編碼信息，將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器113內(nèi)的相當(dāng)于k空間的區(qū)域內(nèi)。以下，在本說明書中，將回波數(shù)據(jù)配置在k空間內(nèi)的意思是，將回波數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器113內(nèi)的相當(dāng)于k空間的區(qū)域內(nèi)。另外，也將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器113內(nèi)的相當(dāng)于k空間的區(qū)域內(nèi)的回波數(shù)據(jù)組稱為k空間數(shù)據(jù)。

運(yùn)算處理部114對(duì)該k空間數(shù)據(jù)執(zhí)行信號(hào)處理或基于傅立葉變換的圖像重構(gòu)等處理，使作為其結(jié)果的被檢體101的圖像在顯示部118上顯示，或者記錄在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115或外部存儲(chǔ)裝置117內(nèi)，或者經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)IF轉(zhuǎn)送到外部裝置。

顯示部118對(duì)重構(gòu)的被檢體101的圖像進(jìn)行顯示。另外，操作部119接受MRI裝置100的各種控制信息和通過上述整體控制部112進(jìn)行的處理的控制信息的輸入。操作部119具備軌跡球或鼠標(biāo)及鍵盤等。該操作部119與顯示部118近接地配置，操作者一邊觀看顯示部118一邊經(jīng)由操作部119交互地對(duì)MRI裝置100的各種處理進(jìn)行控制。

現(xiàn)在，作為臨床上正在普及的核素，MRI裝置100的攝像對(duì)象核素為作為被檢體的主要構(gòu)成物質(zhì)的氫原子核(以下，稱為質(zhì)子)。通過對(duì)與質(zhì)子密度的空間分布、激勵(lì)狀態(tài)的緩和時(shí)間的空間分布相關(guān)的信息進(jìn)行圖像化，從而，對(duì)人體頭部、腹部、四肢等的形態(tài)或功能進(jìn)行二維或者三維攝像。

[整體控制部的功能模塊]

在本實(shí)施方式中，在短門架型的MRI裝置100中，對(duì)測(cè)量進(jìn)行控制，以抑制尖狀偽影。對(duì)實(shí)現(xiàn)此功能的、本實(shí)施方式的整體控制部112的功能結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖2是本實(shí)施方式的整體控制部112的功能模塊圖。

如本圖所示，本實(shí)施方式的整體控制部112具備：按照攝影序列使各部進(jìn)行動(dòng)作并執(zhí)行測(cè)量的測(cè)量部130；和根據(jù)測(cè)量部130所測(cè)量到的回波信號(hào)對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)的圖像重構(gòu)部140。另外，如后述的本實(shí)施方式的變形例所示，整體控制部112還可以具備：對(duì)用于減少尖狀偽影的失相梯度磁場(chǎng)(以下，稱為CASD(Cusp Artifact Suppress Dephase)梯度磁場(chǎng))的施加量進(jìn)行調(diào)整的施加量調(diào)整部150；和對(duì)因施加CASD梯度磁場(chǎng)而降低的回波信號(hào)進(jìn)行校正的圖像校正部160。

本實(shí)施方式的測(cè)量部130按照預(yù)定的攝影序列，對(duì)定序器111發(fā)出指令，將得到的回波信號(hào)配置在k空間內(nèi)。圖像重構(gòu)部140根據(jù)配置在k空間內(nèi)的回波信號(hào)對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)。

整體控制部112所實(shí)現(xiàn)的各功能通過運(yùn)算處理部114將收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115或外部存儲(chǔ)裝置117內(nèi)的程序加載至存儲(chǔ)器113內(nèi)并執(zhí)行來實(shí)現(xiàn)。另外，全部或一部分的功能也可以通過ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field-programmable gate array)等硬件來實(shí)現(xiàn)。

另外，用于各功能的處理的各種的數(shù)據(jù)、處理中生成的各種的數(shù)據(jù)收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115或外部存儲(chǔ)裝置117中。

如上所述，在短門架型的MRI裝置100中，通過磁場(chǎng)變形，在FOV內(nèi)產(chǎn)生尖狀偽影。本實(shí)施方式的測(cè)量部130按照FSE系的序列、即抑制該尖狀偽影的序列(尖狀偽影抑制序列(Cusp Artifact Suppress：CAS)序列))，執(zhí)行測(cè)量。

本實(shí)施方式的CAS序列以抑制來自發(fā)生磁場(chǎng)變形的位置的回波信號(hào)的方式設(shè)計(jì)。

[磁場(chǎng)變形引起的尖狀偽影的發(fā)生]

在對(duì)本實(shí)施方式的CAS序列進(jìn)行說明之前，首先對(duì)該序列中抑制回波信號(hào)的位置進(jìn)行說明。

如上所述，短門架型的MRI裝置100中，因靜磁場(chǎng)均勻空間、及梯度磁場(chǎng)的線性區(qū)域狹窄，產(chǎn)生磁場(chǎng)變形，因由此產(chǎn)生的混疊(Aliasing)現(xiàn)象，容易產(chǎn)生尖狀偽影。使用圖3(a)及圖3(b)，對(duì)因混疊現(xiàn)象而在視野(FOV)內(nèi)產(chǎn)生磁場(chǎng)變形引起的尖狀偽影的原理進(jìn)行說明。

若靜磁場(chǎng)均勻且梯度磁場(chǎng)為線性，則不會(huì)發(fā)生磁場(chǎng)變形及由此產(chǎn)生的圖像變形。即，發(fā)生磁場(chǎng)變形的區(qū)域是靜磁場(chǎng)不均勻且沒有保持梯度磁場(chǎng)的線性的區(qū)域。這樣的區(qū)域是門架的端部。另外，攝影視野(FOV)220通常設(shè)定在門架的中心(磁場(chǎng)中心)。

因此，如圖3(a)所示，發(fā)生磁場(chǎng)變形的位置(磁場(chǎng)變形位置)210為遠(yuǎn)離FOV220的位置。

但是，由于在FOV220外也施加梯度磁場(chǎng)，因此，F(xiàn)OV220外的信息也折疊到FOV220內(nèi)(折疊現(xiàn)象)。因此，如圖3(b)所示，在FOV220內(nèi)的折疊位置211產(chǎn)生因磁場(chǎng)變形引起的亮點(diǎn)。該現(xiàn)象特別是在通過相位差識(shí)別位置的相位編碼方向上顯著出現(xiàn)。

例如，如圖3(a)及圖3(b)所示，將磁場(chǎng)變形的發(fā)生位置(磁場(chǎng)變形位置)210設(shè)為在z軸方向上距離磁場(chǎng)中心250mm的位置。將FOV220的z軸方向的長度設(shè)為150mm，將z軸方向的FOV中心設(shè)為磁場(chǎng)中心。

在這種情況下，磁場(chǎng)變形位置210為在z軸方向上距離FOV的下端部325mm的位置。來自處于磁場(chǎng)變形位置210的組織的回波信號(hào)通過折疊出現(xiàn)在FOV內(nèi)。在從FOV的下端部考慮的情況下，該位置在距離FOV的下端部為將FOV的下端部與磁場(chǎng)變形位置210間的距離325mm除以FOV的長度150mm的值的余數(shù)即25mm的位置211處被接收。

在本實(shí)施方式中，通過CAS序列抑制來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)。即，在本實(shí)施方式中，以抑制來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)的方式對(duì)CAS序列進(jìn)行設(shè)計(jì)。

[磁場(chǎng)變形位置]

此外，發(fā)生磁場(chǎng)變形(圖像變形)的位置(磁場(chǎng)變形位置)210不依賴于硬件變化。因此，在制造MRI裝置100時(shí)，在安裝時(shí)等能夠確定磁場(chǎng)變形位置210。

磁場(chǎng)變形位置210例如使用充分大的幻像，將FOV設(shè)定為不會(huì)產(chǎn)生折疊的充分大的尺寸，進(jìn)行測(cè)量，并確定。充分大的尺寸的FOV例如在圖3(a)及圖3(b)的例中設(shè)為600mm。而且，將得到的磁場(chǎng)變形位置210的坐標(biāo)信息作為系統(tǒng)信息存儲(chǔ)。

在用于確定磁場(chǎng)變形位置210的測(cè)量中，優(yōu)選使用Spin Echo(自旋回波：SE)系序列。但是，由于在其它序列中也會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)變形的影響，也可以使用攝影時(shí)間更短的Gradient Echo(GE)系的序列。此外，該磁場(chǎng)變形位置210的確定在本測(cè)量前的時(shí)刻即可。

[FSE序列]

在對(duì)本實(shí)施方式的測(cè)量部130所使用的CAS序列進(jìn)行說明之前，首先對(duì)作為基礎(chǔ)的現(xiàn)有FSE序列進(jìn)行說明。圖4是現(xiàn)有FSE序列300的一例。此外，在本圖中，RF、Gs、Gp、Gr分別表示高頻磁場(chǎng)、切片選擇梯度磁場(chǎng)、相位編碼梯度磁場(chǎng)、頻率編碼梯度磁場(chǎng)的施加時(shí)刻，A/D表示獲取核磁共振信號(hào)(回波信號(hào))的時(shí)刻，Signal表示回波信號(hào)發(fā)生的時(shí)刻。

如本圖所示，在現(xiàn)有FSE序列300中，首先，對(duì)攝像對(duì)象切片面內(nèi)的質(zhì)子與賦予高頻磁場(chǎng)的激勵(lì)RF脈沖301一起施加選擇該切片的切片選擇梯度磁場(chǎng)311。其后，以施加間隔IET(Inter Echo Time)重復(fù)施加用于使質(zhì)子的自旋在切片面內(nèi)反轉(zhuǎn)的重聚焦RF脈沖302。施加數(shù)(重復(fù)次數(shù))為預(yù)定的回波鏈長度(Echo Train Length)數(shù)。而且，每施加重聚焦RF脈沖302，則施加切片選擇梯度磁場(chǎng)314、相位編碼梯度磁場(chǎng)321、及頻率編碼梯度磁場(chǎng)332，在采樣窗口341的時(shí)刻對(duì)回波信號(hào)351進(jìn)行收集。

此外，312是用于使切片選擇梯度磁場(chǎng)311引起的相位分散重聚焦的切片重新定相梯度磁場(chǎng)。313及315是用于對(duì)重聚焦RF脈沖302引起的FID(Free Induction Decay)信號(hào)進(jìn)行抑制的擾動(dòng)梯度磁場(chǎng)。另外，在采樣之后施加對(duì)用于使相位編碼梯度磁場(chǎng)321引起的相位分散重聚焦的相位回繞梯度磁場(chǎng)322。

如上所述，在FSE序列中，作成Carr Purcell Meiboom Gill(以后稱為CPMG)狀態(tài)，收集均勻且高的信號(hào)。由于作成該CPMG狀態(tài)，因此，在現(xiàn)有FSE序列300中設(shè)定以下的攝像條件。

1)重聚焦RF脈沖302的翻轉(zhuǎn)角度(Flip Angle：FA)設(shè)為180度。

2)在將激勵(lì)RF脈沖301與重聚焦RF脈沖302之間的等待時(shí)間設(shè)為τ[msec]時(shí)，相鄰的重聚焦RF脈沖302間的等待時(shí)間設(shè)為2τ[msec]。

3)使重聚焦RF脈沖302的相對(duì)相位相對(duì)于通過激勵(lì)RF脈沖301產(chǎn)生的回波的橫向磁化的相位偏移±1/2·π[rad](±90度)。

4)在重聚焦RF脈沖302前后施加的梯度磁場(chǎng)脈沖的面積全部相同。

5)在相鄰的重聚焦RF脈沖302間，在相位軸中，施加用于使相位編碼梯度磁場(chǎng)321引起的相位分散重聚焦的相位回繞(Rewind)梯度磁場(chǎng)322。

如上所述，CPMG狀態(tài)能夠通過使重聚焦RF脈沖302的相對(duì)相位相對(duì)于通過激勵(lì)RF脈沖產(chǎn)生的回波信號(hào)的橫向磁化的相位偏移±1/2·π[rad]。

在CPMG法被報(bào)告以前的Carr Purcell(CP)法中，相對(duì)橫向磁化的相位沒有偏移±1/2·π[rad]地照射了與重聚焦RF脈沖302的相位。但是，該方法中存在如下情況：由于在重聚焦RF脈沖302中存在照射不均勻性的情況下存在引起信號(hào)降低的問題，因此，一般使用CPMG法。

在本實(shí)施方式中，通過恰當(dāng)?shù)乜刂茩M向磁化與重聚焦RF脈沖的相對(duì)相位，從而有意地誘發(fā)信號(hào)降低，抑制遠(yuǎn)離磁場(chǎng)中心的位置(偏離中心的位置)的信號(hào)。此外，在本實(shí)施方式中，偏離中心的位置為磁場(chǎng)變形位置210。

即，在本實(shí)施方式中，對(duì)CPMG法的FSE序列進(jìn)行改良，在希望的位置(磁場(chǎng)變形位置210)使橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量，使來自該位置的回波信號(hào)降低。由此，抑制來自該位置的回波信號(hào)引起的尖狀偽影。

在本實(shí)施方式的CAS序列中，為了實(shí)現(xiàn)這一目的，對(duì)圖4所示的FSE序列300的、激勵(lì)RF脈沖301與重聚焦RF脈沖302間、及重聚焦RF脈沖302的相鄰的對(duì)中至少一對(duì)間中的任一個(gè)施加一個(gè)微小的CASD梯度磁場(chǎng)。

這樣，CASD梯度磁場(chǎng)施加在任一高頻磁場(chǎng)(RF)脈沖間即可，以下，在本實(shí)施方式中，以在激勵(lì)RF脈沖301與最初的重聚焦RF脈沖302之間施加CASD梯度磁場(chǎng)的情況為例進(jìn)行說明。

圖5(a)及圖5(b)表示本實(shí)施方式的CAS序列310的例。(a)是第奇數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310odd的例，(b)是第偶數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310evn的例。如本圖所示，在CAS序列310(310odd、310evn)中，如圖4所示的、現(xiàn)有FSE序列300的、激勵(lì)RF脈沖301、和最初的重聚焦RF脈沖302之間施加作為用于減少尖狀偽影的失相梯度磁場(chǎng)的CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。(在第奇數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310odd時(shí)，施加CASD梯度磁場(chǎng)323odd，在第偶數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310evn時(shí)，施加CASD梯度磁場(chǎng)323evn)。其它脈沖與FSE序列300相同。

以使磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低的方式施加該CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。由于使磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低，因此，在本實(shí)施方式中，以在磁場(chǎng)變形位置210使橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量的方式施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。即，在磁場(chǎng)變形位置210以橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量的方式設(shè)定CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量。具體來說，以旋轉(zhuǎn)1/4·π[rad](45度)的方式設(shè)定該規(guī)定量。該理由如后所述。

另外，如圖5(a)及圖5(b)所示，在相位編碼方向(與相位編碼梯度磁場(chǎng)321的施加軸同軸)上施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。這是因?yàn)樵谙辔痪幋a方向上發(fā)生折疊。在本實(shí)施方式中，例如，將MRI裝置100的裝置坐標(biāo)系的Z軸方向設(shè)為相位編碼方向。

進(jìn)而，本實(shí)施方式的測(cè)量部130重復(fù)偶數(shù)次CAS序列310(310odd、310evn)。而且，每次重復(fù)都對(duì)CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加極性交替地進(jìn)行反轉(zhuǎn)。即，測(cè)量部130偶數(shù)次執(zhí)行CAS序列310(310odd、310evn)，每次執(zhí)行交替地使極性反轉(zhuǎn)地施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，圖像重構(gòu)部140對(duì)通過各攝像序列(CAS序列310(310odd、310evn))得到的重構(gòu)圖像進(jìn)行相加，得到最終的圖像。

如圖5(a)及圖5(b)所示，在第偶數(shù)次執(zhí)行的CAS序列310evn中，替代CASD梯度磁場(chǎng)323odd施加CASD梯度磁場(chǎng)323evn。該CASD梯度磁場(chǎng)323evn與第奇數(shù)次的CAS序列310內(nèi)的CASD梯度磁場(chǎng)323odd的施加時(shí)刻、施加量相等，僅施加極性被反轉(zhuǎn)。

圖6(a)及圖6(b)表示分別在Z軸方向上施加該CASD梯度磁場(chǎng)323odd及323evn時(shí)的相位分布(相位傾斜)的情形。如圖6(a)及圖6(b)所示，能夠在Z軸方向上賦予相位分布(相位傾斜)。因此，通過施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，從而能夠根據(jù)來自磁場(chǎng)中心的、Z軸方向的距離(偏離中心的量)，產(chǎn)生相位偏移，打破CPMG狀態(tài)。

[CASD梯度磁場(chǎng)的施加量]

實(shí)現(xiàn)上述相位偏移的CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量(施加面積)按照如下方式計(jì)算。

施加梯度磁場(chǎng)脈沖時(shí)的、從原點(diǎn)(磁場(chǎng)中心)在施加軸方向上距離D[mm]的位置(以后，單稱為位置D。)上的相位偏移θ[rad]使用梯度磁場(chǎng)強(qiáng)度G[mT/m(＝T/mm·10^-6)]、施加時(shí)間t[sec]及磁旋比γ[MHz/T(＝Hz/T·10⁶)]，由以下的式(1)表示。

θ[rad]＝2·π·γ·D·G·t…(1)

因此，在遠(yuǎn)離磁場(chǎng)中心的位置D，用于發(fā)生±1/4·π[rad]的相位偏移的梯度磁場(chǎng)強(qiáng)度G及施加時(shí)間t如下式(2)所示。

在此，G·t相當(dāng)于梯度磁場(chǎng)脈沖的施加面積[mT/m·sec]、即，梯度磁場(chǎng)脈沖的施加量。在將施加面積G·t表示為CASDA(Cusp Artifact Suppress Pulse Area)時(shí)，脈沖面積即施加量以由式(2)變形而來的下式(3)表示。

此外，在第偶數(shù)次的攝影中，如圖5(b)所示，使施加極性反轉(zhuǎn)。因此，以第偶數(shù)次的CAS序列310evn施加的CASD梯度磁場(chǎng)323evn的施加面積(施加量)CASDA_neg以下式(4)表示。

由上式可知，CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量由磁場(chǎng)變形位置210距離磁場(chǎng)中心的位置D、和磁旋比γ計(jì)算出。因此，自確定了磁場(chǎng)變形位置210的時(shí)刻以后至實(shí)際的測(cè)量開始前之間計(jì)算出施加量即可。例如，在制造MRI裝置100時(shí)，也可以在安裝時(shí)等計(jì)算出。

[攝影處理的流程]

以下，對(duì)本實(shí)施方式的測(cè)量部130和圖像重構(gòu)部140的攝影處理的流程進(jìn)行說明。圖7是本實(shí)施方式的攝影處理的處理流程。在此，CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量CASDA及CASDA_neg設(shè)為計(jì)算出的參數(shù)。另外，將TR的重復(fù)次數(shù)設(shè)為NSA次(NSA為偶數(shù))。此時(shí)，將圖5(a)及圖5(b)所示的CAS序列310odd及310evn設(shè)為交替重復(fù)的參數(shù)。

首先，測(cè)量部130對(duì)重復(fù)次數(shù)的計(jì)數(shù)器n進(jìn)行初始化(n＝1)(步驟S1101)。接下來，測(cè)量部130對(duì)n是奇數(shù)還是偶數(shù)進(jìn)行判別(步驟S1102)。

而且，若為奇數(shù)，則測(cè)量部130執(zhí)行測(cè)量次數(shù)為奇數(shù)次時(shí)執(zhí)行的奇數(shù)次用序列(CAS序列310odd)(步驟S1103)。

而且，圖像重構(gòu)部140根據(jù)得到的結(jié)果對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)(步驟S1104)，并收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115內(nèi)。其后，測(cè)量部130對(duì)是否結(jié)束了全部重復(fù)次數(shù)NSA次的測(cè)量進(jìn)行判別(步驟S1105)，在沒有結(jié)束的情況下，使計(jì)數(shù)器n增值1(步驟S1106)，并轉(zhuǎn)移到步驟S1102。

另外，在步驟S1102中，若n為偶數(shù)，則測(cè)量部130執(zhí)行在測(cè)量次數(shù)為偶數(shù)次時(shí)執(zhí)行的偶數(shù)次用序列(CAS序列310evn)(步驟S1107)。然后，轉(zhuǎn)移到步驟S1104。

在步驟S1105中，在判別為結(jié)束了全部測(cè)量的情況下，圖像重構(gòu)部140對(duì)收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115中的全部圖像進(jìn)行相加，得到最終的圖像(步驟S1108)，結(jié)束處理。

此外，在本實(shí)施方式中，在將相位編碼方向設(shè)為Z方向，并在相位編碼軸(Z軸)上施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的情況為例進(jìn)行說明，CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加方向不限于Z軸方向。

另外，CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加方向也不限于相位編碼方向。另外也可以與切片編碼梯度磁場(chǎng)的施加軸同軸地施加。

[信號(hào)降低的數(shù)值仿真]

以下，對(duì)為了通過上述CAS序列310odd、310evn使來自磁場(chǎng)變形位置210的信號(hào)降低而決定最優(yōu)的相位偏移而進(jìn)行的、數(shù)值仿真的結(jié)果進(jìn)行說明。在此，進(jìn)行了相位偏移分別為0、1/12·π[rad](15度)、2/12·π[rad](30度)、3/12·π[rad](45度)、4/12·π[rad](60度)、5/12·π[rad](75度)的各區(qū)域的、共計(jì)六種情況的回波信號(hào)的橫向磁化的舉動(dòng)的數(shù)值仿真。并將其結(jié)果示于圖8(a)～圖13(f)中。

在該數(shù)值仿真中，將被檢體101的T1設(shè)為500msec，將T2設(shè)為500msec。另外，作為攝像條件，將重聚焦RF脈沖數(shù)(Echo Train Length)設(shè)為80，將重聚焦RF脈沖的施加間隔設(shè)為5msec。

另外，在該數(shù)值仿真中，使用Matlab7.2，并使用Bloch方程式，對(duì)激勵(lì)RF脈沖301和重聚焦RF脈沖302引起的磁化矢量的舉動(dòng)進(jìn)行建模，計(jì)算出通過重復(fù)施加重聚焦RF脈沖302產(chǎn)生的各回波的橫向磁化的強(qiáng)度/相位。另外，假定為通過擾動(dòng)梯度磁場(chǎng)在每一重復(fù)時(shí)間(TR)內(nèi)橫向磁化完全消失。在此，表示1TR分的例。

如上所述，若CPMG狀態(tài)破壞，則重聚焦RF脈沖302的翻轉(zhuǎn)角度(FA)可靠性提高。為了對(duì)重聚焦RF脈沖302的FA引起的不同進(jìn)行驗(yàn)證，示出使重聚焦RF脈沖302的FA從135至180度每次變化15度的、四種情況(135度、150度、165度、180度)的結(jié)果。點(diǎn)線表示135度，點(diǎn)劃線表示150度，虛線表示165度，實(shí)線表示180度。

另外，進(jìn)行兩次測(cè)量，在第二次的測(cè)量中，使CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加極性反轉(zhuǎn)，相位誤差也反轉(zhuǎn)。

圖8(a)～圖8(f)表示不施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，相位偏移為0時(shí)的橫向磁化的信號(hào)變化。另外，圖9(a)以后為施加了CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)時(shí)的橫向磁化的強(qiáng)度及相位的變化的情形。圖9(a)～圖9(f)表示通過CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)相位(相位的旋轉(zhuǎn)量)為1/12·π[rad]的區(qū)域的橫向磁化的強(qiáng)度及相位的變化的情形；圖10(a)～圖10(f)表示同相位的旋轉(zhuǎn)量為2/12·π[rad]的區(qū)域的變化的情形；圖11(a)～圖11(f)表示同相位的旋轉(zhuǎn)量為3/12·π[rad]的區(qū)域的變化的情形；圖12(a)～圖12(f)表示同相位的旋轉(zhuǎn)量為4/12·π[rad]的區(qū)域的變化的情形；圖13(a)～圖13(f)表示同相位的旋轉(zhuǎn)量為5/12·π[rad]的區(qū)域的變化的情形。

另外，在各圖中，(a)表示通過按照CAS序列310odd執(zhí)行的第一次測(cè)量得到的數(shù)據(jù)(第一數(shù)據(jù))的強(qiáng)度變化；(b)表示通過按照CAS序列310evn執(zhí)行的第二次測(cè)量得到的數(shù)據(jù)(第二數(shù)據(jù))的強(qiáng)度變化；(c)表示使第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)相加的數(shù)據(jù)(第三數(shù)據(jù))的強(qiáng)度變化。在各圖表中，橫軸表示回波編號(hào)(Echo Number)，縱軸表示信號(hào)強(qiáng)度(Signal Intensity)。

在強(qiáng)度變化的圖表中，在時(shí)間方向(回波編號(hào)增大的方向)上緩慢產(chǎn)生信號(hào)降低是因?yàn)門2衰減的原因。此外，由于在第一次攝影與第二次攝影之間在橫向磁化上沒有產(chǎn)生不同，因此相加后的信號(hào)值變?yōu)樵瓉淼?倍。這些各個(gè)(a)～(c)中表示將圖8(c)的最大值設(shè)為1進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化的結(jié)果。

另外，(d)表示第一數(shù)據(jù)的相位變化，(e)表示第二數(shù)據(jù)的相位變化，(f)表示第三數(shù)據(jù)的相位變化。在各圖表中，橫軸表示回波編號(hào)，縱軸表示相位(Signal Phase)。

如這些圖所示，可知除圖8(a)～圖8(f)所示的、相位偏移為0的情況外，任一情況均依賴于重聚焦RF脈沖302的FA，磁化的舉動(dòng)不同。特別地顯著表示出相加后的數(shù)據(jù)(第三數(shù)據(jù))。

可知在相位偏移為1/12·π[rad]的情況下(圖9(a)～圖9(f))，相加后(第三數(shù)據(jù))的信號(hào)衰減快。

可知在相位偏移為2/12·π[rad]的情況下(圖10(a)～圖10(f))，相加后(第三數(shù)據(jù))，重聚焦RF脈沖302的FA越接近180度，被激勵(lì)的橫向磁化的信號(hào)衰減越大。

在相位偏移為3/12·π[rad]的情況下(圖11(a)～圖11(f))，相加后(第三數(shù)據(jù))與相位偏移為2/12·π[rad]的情況相同，重聚焦RF脈沖302的FA越接近180度，橫向磁化的信號(hào)衰減越大。而且可知，在重聚焦RF脈沖302的FA為180度的情況下，信號(hào)值為零。

在相位偏移為4/12·π[rad]的情況下(圖12(a)～圖12(f))，相加后(第三數(shù)據(jù))的信號(hào)值在重聚焦RF脈沖302的FA為180度的情況下，成為與相位偏移為2/12·π[rad]的區(qū)域的情況相同的結(jié)果。另一方面，重聚焦RF脈沖302的FA低于180度的情況下的信號(hào)變化與相位偏移為2/12·π[rad]的區(qū)域相比，信號(hào)衰減大。

在相位偏移為5/12·π[rad]的情況下(圖13(a)～圖13(f))，相加后(第三數(shù)據(jù))的信號(hào)值在重聚焦RF脈沖302的FA為180度的情況下，成為與相位偏移為1/12·π[rad]的區(qū)域的情況相同的結(jié)果。另一方面，重聚焦RF脈沖302的FA低于180度的情況下的信號(hào)變化與相位偏移為1/12·π[rad]的區(qū)域相比，信號(hào)衰減大。

從以上的數(shù)值仿真結(jié)果、或者實(shí)驗(yàn)結(jié)果表示出：相加后的第三數(shù)據(jù)的信號(hào)值與0最接近，即最受抑制的是相位偏移為3/12·π[rad](1/4·π[rad])的區(qū)域。因此，表示出最符合本實(shí)施方式的目的的是相位偏移為1/4·π[rad]的近邊。

＜實(shí)施例＞

如圖3(a)及圖3(b)所示，磁場(chǎng)變形位置210設(shè)為Z軸方向的±250mm的位置。以該磁場(chǎng)變形位置210(±250mm)中的相位偏移為1/4·π[rad]的方式施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，進(jìn)行兩次測(cè)量，對(duì)使得到的數(shù)據(jù)相加的回波信號(hào)進(jìn)行相加的回波信號(hào)的情況的空間上的信號(hào)分布如圖14(a)～圖14(f)所示。(a)～(f)分別表示與圖8(a)～圖8(f)相同的信號(hào)強(qiáng)度、相位。此外，(a)～(c)中，縱軸為信號(hào)強(qiáng)度，橫軸為z軸方向的位置(距離原點(diǎn)的距離：Distance[mm])。另外，(d)～(f)中，縱軸是相位，橫軸是z軸方向的位置(Distance[mm])。

如這些圖所示，可知在使第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)相加的第三數(shù)據(jù)中，朝向z軸方向的兩端(±250mm附近位置)產(chǎn)生信號(hào)降低，在z軸方向的兩端，信號(hào)強(qiáng)度幾乎為0。另外，同樣可知，在第三數(shù)據(jù)中，相位偏移在任意位置也均為0。

此外，由上式(2)可知，因CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)而使信號(hào)強(qiáng)度降低的位置具有周期性。因此，可以使相位偏移為1/4·π+1/2·π·N[rad](N＝0，1，2··的整數(shù))的多個(gè)位置的信號(hào)強(qiáng)度降低。利用這一方法，能夠使多個(gè)位置的偽影減少。

例如，通過在z軸方向的、Z軸方向的±125mm的位置和±250mm的位置為磁場(chǎng)變形位置210的情況下(發(fā)生偽影的情況下)，以±250mm的位置的相位偏移為3/4·π[rad]的方式，決定CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量，從而能夠使±125mm的位置和±250mm的位置的信號(hào)值形成為0。

圖15(a)～圖15(f)表示以±250mm的位置的相位偏移為3/4·π[rad]的方式設(shè)定CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量時(shí)的、信號(hào)強(qiáng)度及相位偏移。(a)～(f)及橫軸縱軸分別與圖14(a)～圖14(f)相同。

如圖15(c)及圖15(f)所示，在第三數(shù)據(jù)中，在±125mm的位置和±250mm的位置，信號(hào)強(qiáng)度成為0，另外，相位偏移在全部的位置中為0。

如以上說明的那樣，本實(shí)施方式的MRI裝置100具備按照攝影序列使各部動(dòng)作并執(zhí)行測(cè)量的測(cè)量部130，所述攝影序列是自旋回波系序列，在任一高頻磁場(chǎng)脈沖(RF脈沖)之間施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，以使發(fā)生磁場(chǎng)變形的磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低的方式施加所述CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。例如，也可以在激勵(lì)脈沖(激勵(lì)RF脈沖)301與最初的重聚焦脈沖(重聚焦RF脈沖)302之間施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。

在所述磁場(chǎng)變形位置210，以使橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量的方式施加所述CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)。

另外，還具備根據(jù)所述測(cè)量部130所測(cè)量到的回波信號(hào)對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)的圖像重構(gòu)部140，所述測(cè)量部130偶數(shù)次執(zhí)行所述攝影序列，每次執(zhí)行交替地使極性反轉(zhuǎn)地施加所述CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)，所述圖像重構(gòu)部140對(duì)通過各攝像序列得到的重構(gòu)圖像進(jìn)行相加。

所述攝影序列也可以是快速自旋回波序列。另外，所述規(guī)定量也可以為±1/4·π[rad]。另外，所述CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)也可以與相位編碼梯度磁場(chǎng)施加軸同軸地施加。另外，CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)也可以與切片編碼梯度磁場(chǎng)施加軸同軸地施加。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過使已知的磁場(chǎng)變形位置210上的回波信號(hào)值降低，從而抑制尖狀偽影。通過在該位置使橫向磁化發(fā)生相位偏移，從而使來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低。

相位偏移通過在任一RF脈沖之間、例如，激勵(lì)RF脈沖301與最初的重聚焦RF脈沖302之間施加微小的CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)來實(shí)現(xiàn)。

由此，根據(jù)本實(shí)施方式，在激勵(lì)RF脈沖301與重聚焦RF脈沖302之間，一邊維持CPMG狀態(tài)，一邊在磁場(chǎng)變形位置210使橫向磁化發(fā)生相位偏移。由此，能夠有效地僅對(duì)來自磁場(chǎng)變形位置210的信號(hào)進(jìn)行抑制。另外，橫向磁化的相位偏移通過專用的失相梯度磁場(chǎng)而產(chǎn)生，與現(xiàn)有技術(shù)那樣的激勵(lì)RF脈沖301與重聚焦RF脈沖302的激勵(lì)角度差沒有關(guān)系，也不需要根據(jù)切片厚度改變激勵(lì)角度那樣的處理，對(duì)切片厚度沒有限制。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，在一個(gè)激勵(lì)RF脈沖301之后照射多個(gè)重聚焦RF脈沖302的序列中，無論切片厚度等攝影條件如何，都能夠以簡單的結(jié)構(gòu)避免尖狀偽影，可以得到高品質(zhì)的圖像。

＜變形例：施加面積的微調(diào)整＞

根據(jù)硬件的機(jī)器差異，在實(shí)際的MRI裝置中，有時(shí)不會(huì)產(chǎn)生如理論那樣的相位偏移。在這種情況下，如圖2所示，整體控制部112還可以具備調(diào)整CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量的施加量調(diào)整部150。

施加量調(diào)整部150經(jīng)由專用的調(diào)整UI(用戶界面)，從用戶接受施加量調(diào)整的指示，并按照指示對(duì)CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量進(jìn)行調(diào)整。

在這種情況下，在施加面積的計(jì)算公式中設(shè)有下式(5)及式(6)所示的調(diào)整項(xiàng)α。α為0以上2以下的數(shù)值，設(shè)為以1為中心的規(guī)定范圍的值。例如，設(shè)為0.95～1.05的范圍的值。此外，式(5)是第奇數(shù)次攝影的計(jì)算公式，式(6)是第偶數(shù)次攝影的計(jì)算公式。

施加量調(diào)整部150接受α的輸入作為來自用戶的調(diào)整的指示。施加量調(diào)整部150在從用戶經(jīng)由專用的UI接受α的值的輸入時(shí)，使用接受的值計(jì)算出施加量。施加量的調(diào)整例如在安裝裝置時(shí)等進(jìn)行。

例如，在施加量調(diào)整部150每計(jì)算出施加量時(shí)，測(cè)量部130進(jìn)行測(cè)量，圖像重構(gòu)部140將得到的重構(gòu)圖像顯示在顯示部118。由此，可以設(shè)定在視覺上偽影最不明顯的施加量。

作為自動(dòng)調(diào)整，在0.5～1.0范圍(0.05刻度)內(nèi)計(jì)算每α的施加量進(jìn)行測(cè)量，在顯示屏上顯示每α的攝影圖像?？梢允怯脩魪乃@示的圖像中選擇偽影最小的α的形式。

另外，施加量調(diào)整部150也可以構(gòu)成為，通過對(duì)得到的圖像進(jìn)行解析并反饋給調(diào)整量計(jì)算，自動(dòng)計(jì)算出最優(yōu)的施加量。即，施加量調(diào)整部150也可以構(gòu)成為，以通過攝影序列(CAS序列310(310odd、310evn))得到的圖像的像素值的總和成為最小的方式對(duì)施加量進(jìn)行優(yōu)化。

即，施加量調(diào)整部150將α在0.5～1.0范圍(0.05刻度)內(nèi)設(shè)定為多個(gè)不同的值，每次設(shè)定時(shí)，按照上式(5)及式(6)，計(jì)算出CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量候補(bǔ)。而且，在每次計(jì)算出施加量候補(bǔ)時(shí)，以該施加量候補(bǔ)執(zhí)行測(cè)量，得到圖像。計(jì)算出得到的圖像內(nèi)的規(guī)定のROI內(nèi)的各像素值(亮度值)的總和，將施加量與像素值的總和的關(guān)系作為散布圖顯示在顯示屏上，顯示給用戶。如果可以將像素值的總和成為最小的施加量作為最終的調(diào)整值，則用戶通過按下Apply按鍵，決定CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量。

另外，施加量調(diào)整部150也可以構(gòu)成為，根據(jù)被指定為攝像條件的視野(FOV)的大小對(duì)CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量進(jìn)行調(diào)整。

在FOV極端大的情況下，例如，即使進(jìn)行后述的陰影校正等信號(hào)校正，噪音的提高也會(huì)顯著。因此，施加量調(diào)整部150例如根據(jù)FOV尺寸階段性地減小CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加面積(施加量)。

通過減小CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加面積(施加量)，從而來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)的抑制效果降低，其結(jié)果，偽影的抑制效果降低。但是，在臨床經(jīng)驗(yàn)上，因磁場(chǎng)變形的影響引起的折疊偽影成為問題為較小的FOV的情況。

例如，施加量調(diào)整部150對(duì)作為預(yù)定的基準(zhǔn)的任意的FOV(以下稱為基準(zhǔn)FOV_a)進(jìn)行預(yù)定。而且，對(duì)作為攝像條件設(shè)定的FOV和基準(zhǔn)FOV_a進(jìn)行比較，根據(jù)FOV比基準(zhǔn)FOV_a小還是在該基準(zhǔn)FOV_a以上，以不同的計(jì)算公式，計(jì)算出施加量。

例如，在低于基準(zhǔn)FOV_a的情況下，設(shè)為固定值，并按照上式(5)及式(6)計(jì)算。另一方面，在基準(zhǔn)FOV_a以上的情況下，根據(jù)FOV的尺寸，階段性地減小CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加面積。

下式(7)表示這一情況下的、施加面積的計(jì)算公式的一例。

此外，在上式中，F(xiàn)OV_max在MRI裝置100中為可設(shè)定的最大的FOV。

＜變形例：Shading校正＞

在施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)時(shí)，產(chǎn)生基于距離磁場(chǎng)中心的距離的信號(hào)變化，F(xiàn)OV兩端的信號(hào)基于FOV尺寸而降低。在這種情況下，如圖2所示，整體控制部112還可以具備對(duì)因施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)而降低的回波信號(hào)進(jìn)行校正的圖像校正部160。

表示因施加CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)引起的、基于距離磁場(chǎng)中心的距離的信號(hào)降低的形態(tài)的信號(hào)降低(Shading)曲線如圖14(a)～圖14(c)及圖15(a)～圖15(c)所示的那樣，事先知曉。因此，圖像校正部160通過使其與基于施加量而定的信號(hào)降低曲線的倒數(shù)相乘，進(jìn)行所謂稱為陰影(Shading)校正的信號(hào)校正。由于信號(hào)校正是在圖像重構(gòu)后進(jìn)行，因此，由于在抑制磁場(chǎng)變形位置的信號(hào)的基礎(chǔ)上，對(duì)FOV內(nèi)的信號(hào)值的斜度進(jìn)行校正，因此，不會(huì)出現(xiàn)Cusp Artifact信號(hào)提高的情況。

通過具備圖像校正部160，能夠得到更高畫質(zhì)的圖像。

[流程圖]

以下，由上述施加量調(diào)整部150及圖像校正部160進(jìn)行的攝影處理的流程如圖16所示。與上述圖7所示的處理流程相同，將CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的施加量的初始值設(shè)為計(jì)算出的值，將重復(fù)次數(shù)設(shè)為NSA次。

另外，在從用戶接受到上式(5)及式(6)的α的指定的同時(shí)，作為攝像條件，設(shè)定為設(shè)定了規(guī)定的FOV的條件。此外，在此，不考慮施加量調(diào)整部150優(yōu)化施加量的處理。

首先，施加量調(diào)整部150對(duì)設(shè)定的FOV和基準(zhǔn)FOV_a進(jìn)行比較(步驟S1201)。根據(jù)比較結(jié)果，施加量調(diào)整部150使用輸入的α，按照上式(7)，計(jì)算出調(diào)整后的施加量CASDA及CASDA_neg(步驟S1202)。而且，施加量調(diào)整部150將計(jì)算結(jié)果反映到CAS序列310odd及310evn(步驟S1203)。

接下來，測(cè)量部130對(duì)重復(fù)次數(shù)的計(jì)數(shù)器n進(jìn)行初始化(n＝1)(步驟S1204)。而且，測(cè)量部130對(duì)n是奇數(shù)還是偶數(shù)進(jìn)行判別(步驟S1205)。

若為奇數(shù)，則測(cè)量部130執(zhí)行奇數(shù)次用的序列(CAS序列310odd)(步驟S1206)。

圖像重構(gòu)部140根據(jù)得到的結(jié)果對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)(步驟S1207)，并收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115中。其后，測(cè)量部130對(duì)是否結(jié)束了全部重復(fù)次數(shù)NSA次的測(cè)量進(jìn)行判別(步驟S1208)，在沒有結(jié)束的情況下，使計(jì)數(shù)器n增值1(步驟S1209)，并轉(zhuǎn)移到步驟S1205。

另外，在步驟S1205中，若n為偶數(shù)，則測(cè)量部130執(zhí)行偶數(shù)次用的序列(CAS序列310evn)(步驟S1210)。而且，轉(zhuǎn)移到步驟S1207。

在步驟S1208中，在判別為結(jié)束了全部測(cè)量的情況下，圖像重構(gòu)部140對(duì)收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115中的全部圖像進(jìn)行相加，得到相加圖像(步驟S1211)。

其后，圖像校正部160對(duì)相加圖像進(jìn)行陰影校正(步驟S1212)，結(jié)束處理。

＜＜第二實(shí)施方式＞＞

接下來，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在第一實(shí)施方式中，通過將重復(fù)次數(shù)NSA設(shè)為偶數(shù)，交替地執(zhí)行使CASD梯度磁場(chǎng)(323odd、323evn)的極性反轉(zhuǎn)的測(cè)量，并使其相加，從而，得到抑制了來自磁場(chǎng)變形位置的回波信號(hào)的圖像。另一方面，在本實(shí)施方式中，根據(jù)一次測(cè)量結(jié)果，得到對(duì)來自磁場(chǎng)變形位置的回波信號(hào)進(jìn)行了抑制的圖像。因此，即使重復(fù)次數(shù)NSA為奇數(shù)也可以適用。

本實(shí)施方式的MRI裝置基本上與第一實(shí)施方式的MRI裝置100相同。其中，測(cè)量部130所遵循的CAS序列的結(jié)構(gòu)是不同的。以下，對(duì)于本實(shí)施方式，以與第一實(shí)施方式不同的結(jié)構(gòu)為重點(diǎn)進(jìn)行說明。

作為本實(shí)施方式的攝像序列的CAS序列基本上具有與圖5(a)所示的CAS序列310odd相同的結(jié)構(gòu)。其中，在本實(shí)施方式中，以CASD梯度磁場(chǎng)引起的磁場(chǎng)變形位置210的橫向磁化的相位的旋轉(zhuǎn)量成為±1/2·π[rad]的方式?jīng)Q定CASD梯度磁場(chǎng)的施加量。例如，在原來的CPMG法中，在將重聚焦RF脈沖302和橫向磁化的相對(duì)相位設(shè)為±1/2·π[rad]時(shí)，通過施加±1/2·π[rad]的相位偏移，將相對(duì)相位設(shè)為0或±π[rad]，作出CP(Carr Purcell)狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，由此，利用因照射不均勻的影響而自然產(chǎn)生信號(hào)降低的原理，通過執(zhí)行一次CAS序列，能夠使來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低。

根據(jù)上式(1)，在遠(yuǎn)離磁場(chǎng)中心的位置D，用于使±1/2·π[rad]的相位偏移發(fā)生的、本實(shí)施方式的CASD梯度磁場(chǎng)的施加量CASDA_sgl通過下式(8)算出。

在本實(shí)施方式中也可以具備施加量調(diào)整部150。在這種情況下，若考慮從用戶接受調(diào)整時(shí)的調(diào)整項(xiàng)α、FOV，施加量(施加面積)CASDA_sgl由下式(9)表示。

測(cè)量部130通過執(zhí)行施加由上式(8)或(9)計(jì)算出的施加量CASDA_sgl的CASD梯度磁場(chǎng)的CAS序列，進(jìn)行測(cè)量。而且，以設(shè)定的重復(fù)次數(shù)重復(fù)進(jìn)行該CAS序列的執(zhí)行。另外，圖像重構(gòu)部140通過根據(jù)得到的結(jié)果對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)并相加，從而得到最終的圖像。

在本實(shí)施方式中也可以具備與第一實(shí)施方式相同的圖像校正部160。另外，施加量調(diào)整部150與第一實(shí)施方式相同，也可以具備優(yōu)化施加量的功能。

而且，在本實(shí)施方式中，也可以構(gòu)成為，在重復(fù)次數(shù)NSA為奇數(shù)次的情況下，在全部重復(fù)測(cè)量中，僅執(zhí)行1次施加施加量CASDA_sgl的CASD梯度磁場(chǎng)的CAS序列，其它與第一實(shí)施方式相同，交替地執(zhí)行CAS序列310odd及CAS序列310evn。

以下，在NSA次(NSA為3以上的奇數(shù))中，僅最后一次執(zhí)行CAS序列310odd，其它次以第奇數(shù)次執(zhí)行CAS序列310odd，第偶數(shù)次執(zhí)行CAS序列310evn的情況為例進(jìn)行列舉，使用圖17對(duì)攝影處理的流程進(jìn)行說明。在此，設(shè)定為由施加量調(diào)整部150進(jìn)行的施加量調(diào)整處理及由圖像校正部160進(jìn)行的陰影校正處理。

首先，施加量調(diào)整部150對(duì)設(shè)定的FOV和基準(zhǔn)FOVa進(jìn)行比較(步驟S2101)。根據(jù)比較結(jié)果，施加量調(diào)整部150使用輸入的α，按照上式(7)及式(9)，計(jì)算出調(diào)整后的施加量CASDA、CASDA_neg、CASDA_sgl(步驟S2102)。而且，施加量調(diào)整部150反映到執(zhí)行計(jì)算結(jié)果的CAS序列(步驟S2103)。

接下來，測(cè)量部130對(duì)重復(fù)次數(shù)的計(jì)數(shù)器n進(jìn)行初始化(n＝1)(步驟S2104)。而且，測(cè)量部130對(duì)n為奇數(shù)還是偶數(shù)進(jìn)行判別(步驟S2105)。

若為偶數(shù)，則測(cè)量部130執(zhí)行偶數(shù)次用的序列(CAS序列310evn)(步驟S2106)，圖像重構(gòu)部140根據(jù)得到的結(jié)果對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)(步驟S2107)。重構(gòu)結(jié)果收納在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置115等中。而且，將n增值1(步驟S2108)，并轉(zhuǎn)移到步驟S2105。

另一方面，在步驟S2105中，n為奇數(shù)的情況下，測(cè)量部130對(duì)n是否與NSA相等、即，是否為最后的測(cè)量次進(jìn)行判別(步驟S2109)。在不是最后的測(cè)量次的情況下，執(zhí)行奇數(shù)次用序列(CAS序列310odd)(步驟S2110)，并轉(zhuǎn)移到步驟S2107。

另外，在步驟S2109中，在判別為最后的測(cè)量次的情況下，作為最終次用的序列，執(zhí)行施加施加量CASDA_sgl的CASD梯度磁場(chǎng)的CAS序列(步驟S2111)，圖像重構(gòu)部140根據(jù)得到的結(jié)果對(duì)圖像進(jìn)行重構(gòu)(步驟S2112)。

其后，圖像重構(gòu)部140對(duì)通過全部測(cè)量得到的圖像進(jìn)行相加，得到相加圖像(步驟S2113)。最后，圖像校正部160對(duì)相加圖像進(jìn)行陰影校正(步驟S2114)，結(jié)束處理。

如以上說明的那樣，本實(shí)施方式的MRI裝置100與第一實(shí)施方式相同，具備測(cè)量部130，在任一RF脈沖之間、例如，激勵(lì)RF脈沖301與重聚焦RF脈沖302之間，在磁場(chǎng)變形位置210以橫向磁化的相位旋轉(zhuǎn)規(guī)定量的方式施加CASD梯度磁場(chǎng)。而且，在本實(shí)施方式中，將規(guī)定量設(shè)為±1/2·π[rad]。

由此，根據(jù)本實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式相同，能夠使磁場(chǎng)變形位置210上的回波信號(hào)的信號(hào)值降低，能夠抑制尖狀偽影。因此，在施加一個(gè)激勵(lì)RF脈沖后，即使是施加多個(gè)重聚焦RF脈沖的序列，也可以通過簡單的結(jié)構(gòu)得到高品質(zhì)的圖像。

而且，根據(jù)本實(shí)施方式，即使重復(fù)次數(shù)為奇數(shù)次，也可以與第一實(shí)施方式同樣地，僅通過對(duì)脈沖序列施加CASD梯度磁場(chǎng)，就能夠使來自磁場(chǎng)變形位置210的回波信號(hào)降低。根據(jù)本實(shí)施方式，無需限制重復(fù)次數(shù)即可得到與第一實(shí)施方式相同的效果。

因此，即使是短門架型MRI裝置，也能夠不添加特殊的硬件地、另外，不進(jìn)行復(fù)雜的處理地，有效地抑制尖狀偽影。因此，能夠不限制裝置地得到抑制尖狀偽影的高畫質(zhì)的圖像。

此外，在上述各實(shí)施方式中，以作為攝影序列，使用在一個(gè)激勵(lì)RF脈沖301之后照射多個(gè)重聚焦RF脈沖302的FSE系的脈沖序列的情況為例進(jìn)行了說明，本發(fā)明的各實(shí)施方式不限于此。只要是在一個(gè)激勵(lì)RF脈沖之后照射重聚焦RF脈沖的自旋回波(SE)系的序列即可。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

根據(jù)本發(fā)明，無論切片厚度、FOV這樣的攝影條件如何都能夠抑制尖狀偽影。

符號(hào)說明

100 MRI裝置

101 被檢體

102 靜磁場(chǎng)發(fā)生源

103 梯度磁場(chǎng)線圈

104 RF發(fā)送線圈

105 RF接收線圈

106 床

107 信號(hào)處理部

109 梯度磁場(chǎng)電源

110 RF發(fā)送部

111 定序器

112 整體控制部

113 存儲(chǔ)器

114 運(yùn)算處理部

115 內(nèi)部存儲(chǔ)裝置

117 外部存儲(chǔ)裝置

118 顯示部

119 操作部

130 測(cè)量部

140 圖像重構(gòu)部

150 施加量調(diào)整部

160 圖像校正部

210 磁場(chǎng)變形位置

211 折疊位置

220 FOV

300 FSE序列

301 激勵(lì)RF脈沖

302 重聚焦RF脈沖

310 CAS序列

310evn CAS序列

310odd CAS序列

311 切片選擇梯度磁場(chǎng)

312 切片重新定相梯度磁場(chǎng)

313 擾動(dòng)梯度磁場(chǎng)

314 切片選擇梯度磁場(chǎng)

315 擾動(dòng)梯度磁場(chǎng)

321 相位編碼梯度磁場(chǎng)

322 相位回繞梯度磁場(chǎng)

323evn CASD梯度磁場(chǎng)

323odd CASD梯度磁場(chǎng)

332 頻率編碼梯度磁場(chǎng)

341 采樣窗口

351 回波信號(hào)