一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置,包括主磁塊、勻場(chǎng)磁塊和軛鐵底座,所述的軛鐵底座上對(duì)稱放置有左右兩塊主磁塊,所述的左右兩塊主磁塊上各設(shè)有對(duì)稱的凹槽,所述的勻場(chǎng)磁塊包括縱向勻場(chǎng)磁塊和橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁塊的凹槽內(nèi)各放置有兩塊縱向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁塊之間、各主磁塊上設(shè)有兩塊橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的主磁塊在表面上方的目標(biāo)成像區(qū)域、提供沿水平方向的主磁場(chǎng)。本實(shí)用新型采用一次激發(fā)、而非分立位置逐次激發(fā)的方式,本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)對(duì)2mm厚度的皮膚組織實(shí)施快速成像,成像參數(shù)包括質(zhì)子的橫向弛豫時(shí)間和自擴(kuò)散系數(shù)。
【專利說(shuō)明】一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及核磁共振成像【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及基于單邊磁體的核磁共振表面 探測(cè)成像裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 核磁共振成像技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)影像診斷領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,包括:1.偵測(cè)及診 斷心臟疾病、腦血管意外及血管疾?。?.胸腔及腹腔的器官疾病的偵測(cè)與診斷;3.診斷 及評(píng)價(jià)、追蹤腫瘤的情況及功能上的障礙等。另外,醫(yī)學(xué)皮膚檢查在燒傷/燙傷、皮下組織 病變等疾病的診斷中發(fā)揮著重要的作用。
[0003]目前,常規(guī)的對(duì)皮膚進(jìn)行檢查的主要方法有體格檢查和實(shí)驗(yàn)室檢查兩種,具體包 括濾過(guò)紫外線檢查、微生物檢查以及棘層細(xì)胞松解現(xiàn)象檢查法等,為醫(yī)生迅速有效的疾病 確診和治療觀察提供了依據(jù)。
[0004] 無(wú)論是體格檢查中的輔助物理檢查,還是各種病理檢查或微生物實(shí)驗(yàn),都無(wú)法定 量地判斷皮膚組織的損傷程度以及用藥恢復(fù)程度。磁共振成像雖然具有無(wú)損成像的功能, 但是在皮膚檢測(cè)方面,由于要求的圖像分辨率高,達(dá)到10微米到50微米,不能采用大梯度 電流的掃描脈沖序列,以免在皮膚組織中形成電磁感應(yīng)渦流而造成意外灼傷。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本實(shí)用新型的目的在于提供一種采取無(wú)梯度線圈的 方式、對(duì)2毫米層厚區(qū)域進(jìn)行高縱向分辨率的基于單邊磁體的核磁共振表面探測(cè)成像裝 置。
[0006] 為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案:一種基于永磁單邊磁體的核 磁共振成像裝置,包括主磁塊、勻場(chǎng)磁塊和軛鐵底座,所述的軛鐵底座上對(duì)稱放置有左右兩 塊主磁塊,所述的左右兩塊主磁塊上各設(shè)有對(duì)稱的凹槽,所述的勻場(chǎng)磁塊包括縱向勻場(chǎng)磁 塊和橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁塊的凹槽內(nèi)各放置有兩塊縱向勻場(chǎng)磁塊,所述的 左右兩塊主磁塊之間、各主磁塊上設(shè)有兩塊橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的主磁塊在表面上方的目 標(biāo)成像區(qū)域、提供沿水平方向的主磁場(chǎng)。
[0007] 所述的左主磁塊的充磁方向沿Z軸正向,所述的右主磁塊的磁場(chǎng)方向沿Z軸負(fù)向, 所述的左勾場(chǎng)磁塊的充磁方向沿Z軸負(fù)向,所述的右勾場(chǎng)磁塊的充磁方向沿Z軸正向。
[0008] 采用上述技術(shù)方案后,本實(shí)用新型具有以下有益效果:1.本實(shí)用新型利用磁共振 成像技術(shù),而非常規(guī)的體格檢查和或?qū)嶒?yàn)室檢查,來(lái)對(duì)人體進(jìn)行定性和定量的組織成像;
[0009] 2.不同于常規(guī)的磁共振成像技術(shù),需要借助梯度線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)進(jìn)行定位,本 實(shí)用新型基于梯度磁場(chǎng)分布的單邊磁體、對(duì)皮膚不同層次結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描,避免了使用高速 電流切換產(chǎn)生的渦流效應(yīng)給人體帶來(lái)的傷害;
[0010] 3.采用一次激發(fā)、而非分立位置逐次激發(fā)的方式,本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)對(duì)2_厚度的 皮膚組織實(shí)施快速成像,成像參數(shù)包括質(zhì)子的橫向弛豫時(shí)間和自擴(kuò)散系數(shù)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 下面根據(jù)說(shuō)明書附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的解釋。
[0013] 如圖1所示,一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置,包括左主磁塊2和右 主磁塊7、勻場(chǎng)磁塊和軛鐵底座1,勻場(chǎng)磁塊起到調(diào)節(jié)磁場(chǎng)空間分布場(chǎng)型的作用,能有效降 低主磁塊磁場(chǎng)的梯度。勻場(chǎng)磁塊由兩對(duì)、八塊磁鋼組成,安裝在主磁塊上,所述的軛鐵底座 1上對(duì)稱放置有左右兩塊主磁塊,所述的左右兩塊主磁塊上各設(shè)有對(duì)稱的凹槽,所述的勾場(chǎng) 磁塊包括縱向勻場(chǎng)磁塊3、11、6、8和橫向勻場(chǎng)磁塊4、10、5、9,所述的左右兩塊主磁塊的凹 槽內(nèi)各放置有兩塊縱向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁塊之間、各主磁塊上設(shè)有兩塊橫向 勻場(chǎng)磁塊,所述的主磁塊在表面上方的目標(biāo)成像區(qū)域、提供沿水平方向的主磁場(chǎng)。由于兩個(gè) 主磁塊的對(duì)稱性,在一定范圍內(nèi)、隨著距離的增加,磁場(chǎng)梯度增加增加;近似條件下,(〇,〇, z0)點(diǎn)附近磁場(chǎng)的表達(dá)式如下,Boix.y.zh:B0(Z0)+G0(知j(z-z0) +Xx(Z0)Xi+ … 式中,Β0(ζ0)表示均勾磁場(chǎng)分量,GO、alpha_x和alpha_y分別為一次項(xiàng)和二次項(xiàng)的系數(shù); 其中,對(duì)于本實(shí)用新型的磁體結(jié)構(gòu),alpha_x項(xiàng)對(duì)delta_B的影響可以忽略,而alpha_y遠(yuǎn) 大于四次項(xiàng)和其他高階項(xiàng),后面有關(guān)于alpha_y的計(jì)算分析。
[0014] 所述的左主磁塊2的充磁方向沿z軸正向,所述的右主磁塊7的磁場(chǎng)方向沿z軸 負(fù)向,所述的左勻場(chǎng)磁塊3、4、11、10的充磁方向沿z軸負(fù)向,所述的右勻場(chǎng)磁塊5、6、9、8的 充磁方向沿z軸正向。
[0015] 基于本實(shí)用新型單邊磁體皮膚磁共振成像,可以定量地分析組織內(nèi)部、質(zhì)子橫向 弛豫時(shí)間和分子擴(kuò)散系數(shù)的空間分布,從而對(duì)診療康復(fù)過(guò)程有一個(gè)及時(shí)準(zhǔn)確的分析。
[0016] 通過(guò)有效將單邊磁體的空間磁場(chǎng)梯度從20T/M降低到2T/m,以及成像皮膚深度方 向的梯度均勻性,在不降低縱向分辨率的情況下,增加了成像區(qū)域的厚度。在選層區(qū)域內(nèi), 中間位置分辨率可以達(dá)到25微米。而且,采用這種新型低磁場(chǎng)梯度磁體,特別適用于掃描 范圍在2毫米的皮膚磁共振成像,進(jìn)行單次射頻激發(fā)即可完成選層以內(nèi)的全部位置的信號(hào) 探測(cè),無(wú)需像常規(guī)磁共振那樣不斷變換成像目標(biāo)位置,大大減少了醫(yī)生診斷時(shí)間。
[0017] 另外,和常規(guī)的磁共振成像相比,本實(shí)用新型皮膚深度接觸不需要梯度線圈和相 關(guān)電流放大器,從而避免了電磁渦流和特定吸收功率對(duì)人體潛在的傷害。
【權(quán)利要求】
1. 一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置,包括主磁塊、勻場(chǎng)磁塊和軛鐵底座,其 特征在于:所述的軛鐵底座上對(duì)稱放置有左右兩塊主磁塊,所述的左右兩塊主磁塊上各設(shè) 有對(duì)稱的凹槽,所述的勻場(chǎng)磁塊包括縱向勻場(chǎng)磁塊和橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁 塊的凹槽內(nèi)各放置有兩塊縱向勻場(chǎng)磁塊,所述的左右兩塊主磁塊之間、各主磁塊上設(shè)有兩 塊橫向勻場(chǎng)磁塊,所述的主磁塊在表面上方的目標(biāo)成像區(qū)域、提供沿水平方向的主磁場(chǎng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于永磁單邊磁體的核磁共振成像裝置,其特征在于: 所述的左主磁塊的充磁方向沿z軸正向,所述的右主磁塊的磁場(chǎng)方向沿z軸負(fù)向,所述的左 勾場(chǎng)磁塊的充磁方向沿Z軸負(fù)向,所述的右勾場(chǎng)磁塊的充磁方向沿Z軸正向。
【文檔編號(hào)】A61B5/055GK204192616SQ201420526610
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年9月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月15日
【發(fā)明者】李曉南, 陳國(guó)華, 陸海浪 申請(qǐng)人:蘇州露宇電子科技有限公司