磁共振成像裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁共振成像裝置。該磁共振成像裝置具備：傾斜磁場(chǎng)線圈、線圈冷卻管。傾斜磁場(chǎng)線圈向靜磁場(chǎng)內(nèi)放置的被檢體施加傾斜磁場(chǎng)。線圈冷卻管被設(shè)置在傾斜磁場(chǎng)線圈上，通過使冷媒在管內(nèi)流通從而冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈。在此，線圈冷卻管被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈的形狀返回到一端。
【專利說明】磁共振成像裝置
[0001]本申請(qǐng)是 申請(qǐng)人:于2010年9月25日提出的申請(qǐng)?zhí)枮?01010292692.3、發(fā)明名稱為磁共振成像裝置的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及磁共振成像裝置。
[0003]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0004]本申請(qǐng)基于2009年9月28日提交的日本專利申請(qǐng)N0.2009-223239以及2010年8月17日提交的日本專利申請(qǐng)N0.2010-182462并要求其優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。
【背景技術(shù)】
[0005]磁共振成像裝置為向靜磁場(chǎng)內(nèi)放置的被檢體施加高頻磁場(chǎng),檢測(cè)由于高頻磁場(chǎng)的施加從被檢體產(chǎn)生的磁共振信號(hào)從而生成圖像的裝置。該磁共振成像裝置具備通過向被檢體施加傾斜磁場(chǎng)，從而對(duì)磁共振信號(hào)附加空間位置信息的傾斜磁場(chǎng)線圈。
[0006]該傾斜磁場(chǎng)線圈由于在攝像中反復(fù)地供給脈沖電流而很大地發(fā)熱。特別是，近年來，隨著成像技術(shù)的高 速化，傾斜磁場(chǎng)的通斷的高速化以及傾斜磁場(chǎng)的高強(qiáng)度化成為必須的，從而傾斜磁場(chǎng)線圈的發(fā)熱更加顯著。
[0007]并且，傾斜磁場(chǎng)線圈的發(fā)熱有可能對(duì)所攝像的圖像的畫質(zhì)產(chǎn)生影響，對(duì)成為攝像對(duì)象的被檢體產(chǎn)生痛苦。因此，例如，提出了通過在傾斜磁場(chǎng)線圈的內(nèi)部所設(shè)置的冷卻管中使冷媒循環(huán)，從而在攝像過程中使傾斜磁場(chǎng)線圈冷卻的技術(shù)(例如，參照日本特開2006-311957 號(hào)公報(bào))。
[0008]然而，在上述以往技術(shù)中，如以下說明，存在無(wú)法冷卻到傾斜磁場(chǎng)線圈的端部的課題。
[0009]圖10為用于說明使用冷卻管的以往技術(shù)的課題的圖。圖10示出了形成為大致圓筒狀的傾斜磁場(chǎng)線圈的一端的內(nèi)部的情況。如圖10所示，例如，在傾斜磁場(chǎng)線圈I中，冷卻管2被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈I的一端向另一端的方向進(jìn)入后向外周方向彎曲，然后，沿著傾斜磁場(chǎng)線圈I的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊達(dá)到另一端。
[0010]這種情況下，例如，如圖10所示，在傾斜磁場(chǎng)線圈I的端部，形成侵入緊接之后冷卻管與第I圈的冷卻管所包圍的區(qū)域3。該區(qū)域3由于沒有配置冷卻管，因此無(wú)法通過冷媒被冷卻。其結(jié)果，例如，無(wú)法冷卻為了校正攝像區(qū)域內(nèi)的靜磁場(chǎng)不均勻性而在傾斜磁場(chǎng)線圈I上配備的多個(gè)鐵墊片中的、被配備在傾斜磁場(chǎng)線圈I的端部的鐵墊片5。
[0011]另外，在以往技術(shù)中，也存在以提高傾斜磁場(chǎng)線圈的冷卻效率為目的，使多個(gè)冷卻管與傾斜磁場(chǎng)線圈并列卷繞的情況。那種情況下，在傾斜磁場(chǎng)線圈的端部，由于為了使多個(gè)冷卻管彎曲所需要的空間變得更加寬闊，因此無(wú)法冷卻的區(qū)域變得更大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明涉及的磁共振成像裝置，包括:傾斜磁場(chǎng)線圈、線圈冷卻管。傾斜磁場(chǎng)線圈向靜磁場(chǎng)內(nèi)放置的被檢體施加傾斜磁場(chǎng)。線圈冷卻管被設(shè)置在上述傾斜磁場(chǎng)線圈上，通過使冷媒在管內(nèi)流通從而冷卻上述傾斜磁場(chǎng)線圈。在此，上述線圈冷卻管被設(shè)置為在沿著從上述傾斜磁場(chǎng)線圈的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著上述傾斜磁場(chǎng)線圈的形狀返回到上述一端。
[0013]在下面的描述中將提出本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，部分內(nèi)容可以從說明書的描述中變得明顯，或者通過實(shí)施本發(fā)明可以明確上述內(nèi)容。通過下文中詳細(xì)指出的手段和組合可以實(shí)現(xiàn)和得到本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。 [0014]發(fā)明的效果
[0015]根據(jù)與實(shí)施方式相關(guān)的磁共振成像裝置，可以冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈直到端部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]結(jié)合在這里并構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述本發(fā)明當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施方式，并且與上述的概要說明以及下面的對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述一同用來說明本發(fā)明的原理。
[0017]圖1為表示與實(shí)施例1相關(guān)的MRI裝置的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖2為表示與實(shí)施例1相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈的構(gòu)造的透視圖。
[0019]圖3為表示與實(shí)施例1相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈的內(nèi)部構(gòu)造的構(gòu)造圖。
[0020]圖4為表示與實(shí)施例1相關(guān)的屏蔽線圈(shield coil)側(cè)冷卻系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的透視圖。
[0021]圖5為表示與實(shí)施例1相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈的一端的第I冷卻管以及第2冷卻管的配置的圖。
[0022]圖6為表示與實(shí)施例2相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈的構(gòu)造的透視圖。
[0023]圖7為與實(shí)施例2相關(guān)的RF屏蔽物的外觀圖。
[0024]圖8為表示與實(shí)施例2相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈的內(nèi)部構(gòu)造的構(gòu)造圖。
[0025]圖9為表示與實(shí)施例3相關(guān)的冷卻管的屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的透視圖。
[0026]圖10為用于說明使用冷卻管的以往技術(shù)的課題的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下，根據(jù)附圖詳細(xì)說明與本發(fā)明相關(guān)的磁共振成像裝置(以下，稱為“MRI(Magnetic Resonance Imaging)裝置”)的實(shí)施例。另外，并不根據(jù)以下所示的實(shí)施例來限定本發(fā)明。另外，在以下所示的實(shí)施例中，針對(duì)作為用于冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈的冷媒使用水(以下，稱為“冷卻水”)的情況進(jìn)行說明。
[0028]首先，使用圖1，針對(duì)與實(shí)施例1相關(guān)的MRI裝置100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1為表示與實(shí)施例1相關(guān)的MRI裝置100的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。如同圖所示，該MRI裝置100具有靜磁場(chǎng)磁鐵10、傾斜磁場(chǎng)線圈20、RF線圈30、床板40、傾斜磁場(chǎng)電源50、發(fā)送部60、接收部65、序列控制裝置70、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80、冷卻裝置90。
[0029]靜磁場(chǎng)磁鐵10具有形成為大致圓筒狀的真空容器11與在真空容器中被浸潰在冷卻液中的超導(dǎo)線圈12，在作為攝像區(qū)域的孔(bore)(靜磁場(chǎng)磁鐵10的圓筒內(nèi)部的空間)內(nèi)產(chǎn)生靜磁場(chǎng)。
[0030]傾斜磁場(chǎng)線圈20形成為大致圓筒狀，被設(shè)置在靜磁場(chǎng)磁鐵10的內(nèi)側(cè)。該傾斜磁場(chǎng)線圈20為普通的ASGC (Actively Shielded Gradient Coil:自屏蔽型傾斜磁場(chǎng)線圈)，具有主線圈(main coil) 21與屏蔽線圈22。主線圈21通過從傾斜磁場(chǎng)電源50供給的電流，向被檢體P施加在X軸、Y軸、Z軸方向上強(qiáng)度變化的傾斜磁場(chǎng)。屏蔽線圈22通過利用從傾斜磁場(chǎng)線圈20供給的電流在主線圈21的外側(cè)產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而遮蔽由主線圈21產(chǎn)生的傾斜磁場(chǎng)。
[0031]在此，在主線圈21與屏蔽線圈22之間，形成墊片托盤插入引導(dǎo)件23。在該墊片托盤插入引導(dǎo)件23中，插入有收納了用于校正孔內(nèi)的靜磁場(chǎng)的不均勻性的鐵墊片25的墊片托盤24。另外，針對(duì)該傾斜磁場(chǎng)線圈20的構(gòu)造，后面進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0032]RF線圈30在傾斜磁場(chǎng)線圈20的內(nèi)偵彳，以隔著被檢體P相對(duì)的方式被固定。該RF線圈30根據(jù)從發(fā)送部60發(fā)送的RF脈沖向被檢體P施加高頻磁場(chǎng)。另外，RF線圈30接收由于氫原子核的激勵(lì)從被檢體P放出的磁共振信號(hào)。
[0033]床板40向水平方向可移動(dòng)地被設(shè)置在未圖示的床上，攝影時(shí)載置被檢體P向孔內(nèi)移動(dòng)。傾斜磁場(chǎng)線圈電源50根據(jù)來自序列控制裝置70的指示，向傾斜磁場(chǎng)線圈20供給電流。
[0034]發(fā)送部60根據(jù)來自序列控制裝置70的指示，向RF線圈30發(fā)送RF脈沖(pulse)。接收部65檢測(cè)由RF線圈30所接收到的磁共振信號(hào)，并對(duì)序列控制裝置70發(fā)送使檢測(cè)出的磁共振信號(hào) 字化取得的原始數(shù)據(jù)。
[0035]序列控制裝置70在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80的控制下，通過分別驅(qū)動(dòng)傾斜磁場(chǎng)電源50、發(fā)送部60以及接收部65進(jìn)行被檢體P的掃描。并且，序列控制裝置70進(jìn)行掃描的結(jié)果，當(dāng)從接收部65發(fā)送原始數(shù)據(jù)時(shí)，將其原始數(shù)據(jù)發(fā)送至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80。
[0036]計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80控制MRI裝置100整體。例如，經(jīng)由輸入部由操作者受理攝像條件的輸入，根據(jù)所受理的攝像條件使序列控制裝置70執(zhí)行掃描。另外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80根據(jù)從序列控制裝置70發(fā)送的原始數(shù)據(jù)重建圖像。另外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)80在顯示部上顯示重建的圖像。
[0037]冷卻裝置90向傾斜磁場(chǎng)線圈20內(nèi)設(shè)置的冷卻管供給冷卻水。具體而言，冷卻裝置90向傾斜磁場(chǎng)線圈20具有的第I冷卻管以及第2冷卻管分別供給冷卻水。在此，冷卻裝置90以使第I冷卻管內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的方向與第2冷卻管內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的方向分別成為相反方向的方式，向各冷卻管供給冷卻水。另外，在本實(shí)施例1中，針對(duì)作為冷媒使用冷卻水的情況進(jìn)行說明，但也可以使用其他種類的冷媒。
[0038]其次，使用圖2以及圖3，針對(duì)傾斜磁場(chǎng)線圈20的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖2為表示與實(shí)施例I相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈20的構(gòu)造的透視圖。如圖2所示，傾斜磁場(chǎng)線圈20具有分別形成為大致圓筒狀的主線圈21以及屏蔽線圈22。在此，在主線圈21與屏蔽線圈22之間，形成多個(gè)墊片托盤插入引導(dǎo)件23。
[0039]墊片托盤插入引導(dǎo)件23是在傾斜磁場(chǎng)線圈20的兩端面形成開口的貫通孔，形成在傾斜磁場(chǎng)線圈20的整個(gè)長(zhǎng)度方向。該墊片托盤插入引導(dǎo)件23在主線圈21與屏蔽線圈22所夾著的區(qū)域中，以互相平行的方式在圓周方向上等間隔地形成。并且，在該墊片托盤插入引導(dǎo)件23中，插入有墊片托盤24。
[0040]墊片托盤24使用作為非磁性且非導(dǎo)電性材料的樹脂來制作，形成大致棒狀。在該墊片托盤24中，收納有規(guī)定數(shù)量的鐵墊片25。并且，墊片托盤24被插入到墊片托盤插入引導(dǎo)件23內(nèi)，分別被固定在傾斜磁場(chǎng)線圈20的中央部。
[0041]另外，雖然圖2中省略了圖示，但是在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，沿著圓筒形狀，呈螺旋狀埋設(shè)有多個(gè)冷卻管。圖3為表示與實(shí)施例1相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈20的內(nèi)部構(gòu)造的構(gòu)造圖。圖3示出了傾斜磁場(chǎng)線圈20的一部分。在圖3中，上側(cè)面示出了傾斜磁場(chǎng)線圈20的外周面，下側(cè)面示出了傾斜磁場(chǎng)線圈20的內(nèi)周面。在此，在傾斜磁場(chǎng)線圈20的內(nèi)側(cè)，形成放置被檢體的攝像區(qū)域。
[0042]如圖3所示，具體而言，在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，在墊片托盤插入引導(dǎo)件23與主線圈21之間，埋設(shè)有主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26。另外，在墊片托盤插入引導(dǎo)件23與屏蔽線圈22之間，埋設(shè)有屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。在此，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27分別具有呈螺旋狀埋設(shè)的多個(gè)冷卻管。
[0043]具體而言，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26具有第I冷卻管和與第I冷卻管并列那樣設(shè)置的第2冷卻管。第I冷卻管在規(guī)定的方向(圖3所示的實(shí)線箭頭方向)使冷卻水循環(huán)，第2冷卻管在與第I冷卻管使冷卻水循環(huán)的方向相反的方向(圖3所示的虛線箭頭方向)使冷卻水循環(huán)。另外，屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27也一樣，具有第I冷卻管與第2冷卻管。針對(duì)該主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的結(jié)構(gòu)，后面進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0044]這樣，在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，在主線圈21與鐵墊片25之間配置主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26，在屏蔽線圈22與鐵墊片25之間配置屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。并且，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26與屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27以隔著鐵墊片25的方式分別被配置。由此，由主線圈21以及屏蔽線圈22產(chǎn)生的熱很難傳遞到鐵墊片25。
[0045]其次，使用圖4以及圖5，針對(duì)主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27由于分別具有一樣的結(jié)構(gòu)，因此在此舉例說明屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。
[0046]圖4為表示與實(shí)施例1相關(guān)的屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的透視圖。如圖4所示，屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有分別呈螺旋狀形成的3條第I冷卻管27a和、與第I冷卻管27a并列那樣設(shè)置的3條第2冷卻管27b。在此，在第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b的端部，分別設(shè)置分流或合流冷卻水的集管(分流管)。另外，集管使用黃銅等金屬來形成。
[0047]具體而言，在第I冷卻管27a的一端部，設(shè)置有入口側(cè)集管27c，在另一端部設(shè)置有出口側(cè)集管27d。在此，入口側(cè)集管27c分流從冷卻裝置90供給的冷卻水，并使分流的冷卻水分別流入3條第I冷卻管27a。另外，出口側(cè)集管27d合流從3條第I冷卻管27a流出的冷卻水并返回到冷卻裝置90。另外，圖4所示的實(shí)線箭頭示出了第I冷卻管27a內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的流向。
[0048]同樣，在第2冷卻管27b的一端部，設(shè)置有入口側(cè)集管27e，在另一端部設(shè)置有出口側(cè)集管27f。在此，入口側(cè)集管27e分流從冷卻裝置90供給的冷卻水，并使分流的冷卻水分別流入3條第2冷卻管27b。另外，出口側(cè)集管27f合流從3條第2冷卻管27b流出的冷卻水并返回到冷卻裝置90。另外，圖4所示的虛線箭頭示出了第2冷卻管27b內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的流向。
[0049]另外，如圖4所示，第I冷卻管27a的入口側(cè)集管27c與第2冷卻管27b的入口側(cè)集管27e分別被設(shè)置在相反側(cè)的端部。另外，第I冷卻管27a的出口側(cè)集管27d與第2冷卻管27b的出口側(cè)集管27f分別被設(shè)置在相反側(cè)。即，第I冷卻管27a與第2冷卻管27b分別使冷卻水在相反方向流通。
[0050]由此，在第I冷卻管27a內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的溫度升高的地方，第2冷卻管27b內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的溫度降低，相反，在第2冷卻管27b內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的溫度升高的地方，第I冷卻管27a內(nèi)流動(dòng)的冷卻水的溫度降低。因此，由于作為屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27整體，冷卻水的溫度均勻，因此可以將傾斜磁場(chǎng)線圈20均等地冷卻。
[0051]另外，屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的各冷卻管與各集管分別經(jīng)由絕緣材料形成的管分別被連接。
[0052]具體而言，第I冷卻管27a的一端部經(jīng)由絕緣材料形成的管(tube) 27g與入口側(cè)集管27c連接。另外，第I冷卻管27a的另一端部經(jīng)由絕緣材料形成的管27h與出口側(cè)集管27d連接。另外，第2冷卻管27b的一端部經(jīng)由絕緣材料形成的管27i與入口側(cè)集管27e連接。另外，第2冷卻管27b的另一端部經(jīng)由絕緣材料形成的管27j與出口側(cè)集管27f連
接。
[0053]這樣，通過在屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的各冷卻管與各集管之間設(shè)置絕緣材料形成的管，可以防止由屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的各冷卻管形成電閉環(huán)。
[0054]另外，在此，針對(duì)使用黃銅等金屬形成的集管的情況進(jìn)行說明，例如，也可以使用特富龍(注冊(cè)商標(biāo))或PET等絕緣材料形成的集管。由此，可以更可靠地防止由各冷卻管形成電閉環(huán)。
[0055]并且，在本實(shí)施例1中，第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b分別被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。
[0056]例如，如圖4所示，第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b分別被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端A向另一端B的方向延伸到達(dá)另一端B后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端A。這樣，在使各冷卻管彎曲的位置離開卷繞開始的位置，將冷卻管呈螺旋狀卷回到傾斜磁場(chǎng)線圈20的端部時(shí)，可以將冷卻管纏繞到靠近傾斜磁場(chǎng)線圈20的端部為止。
[0057]圖5為表示與實(shí)施例1相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端A的第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b的配置的圖。如圖5所示,如上述所說明的在配置了第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b時(shí)，可以將第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b分別纏繞到入口側(cè)集管27c以及出口側(cè)集管27f的附近為止。由此，可以縮小以往在傾斜磁場(chǎng)線圈20的端部產(chǎn)生的無(wú)法被冷卻的區(qū)域的大小。
[0058]另外，在此，針對(duì)第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b分別被設(shè)置為在從一端到達(dá)另一端后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端的情況進(jìn)行了說明。然而，例如，冷卻管也可以被設(shè)置為沿著從一端向另一端的方向延伸，并在傾斜磁場(chǎng)線圈20的長(zhǎng)度的中央附近折返，然后返回到一端。此時(shí)，分別從相反的端部開始卷繞第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b。另外，折返各冷卻管的位置并不限于傾斜磁場(chǎng)線圈20的長(zhǎng)度的中央附近，也可以是從中央附近向任一端部偏離的位置。
[0059]另外，如圖5所示，在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，沿著從圓筒的一端向另一端的方向形成多個(gè)槽部28。并且,例如,管27g以及第I冷卻管27a (未圖示)被設(shè)置為配置在槽部28內(nèi)在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。另外，管27j以及第2冷卻管27b (未圖示)也一樣，被設(shè)置為配置在其他槽部28內(nèi)在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。由此，各冷卻管被有效配置在傾斜磁場(chǎng)線圈20內(nèi)。
[0060]另外，例如，槽部28如圖5所示，在傾斜磁場(chǎng)線圈20中所設(shè)置的多個(gè)墊片托盤插入引導(dǎo)件23之間形成。由此，有效利用以往沒有被使用的部分的同時(shí)有效冷卻鐵墊片25。
[0061]如上所述，在本實(shí)施例1中，MRI裝置100具有形成為大致圓筒狀，向圓筒內(nèi)產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)內(nèi)所放置的被檢體施加傾斜磁場(chǎng)的傾斜磁場(chǎng)線圈20、被設(shè)置在傾斜磁場(chǎng)線圈20內(nèi)，通過在使冷卻水在管內(nèi)流通從而冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈20的主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。并且，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的冷卻管被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。因此，根據(jù)本實(shí)施例1，由于能夠?qū)⒗鋮s管纏繞到靠近傾斜磁場(chǎng)線圈20的端部的位置，因此可以冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈20直到端部。
[0062]另外，在本實(shí)施例1中，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的冷卻管被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸到達(dá)另一端后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng) 線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。因此，根據(jù)本實(shí)施例1,由于冷卻管的纏繞作業(yè)一次結(jié)束，因此可以在傾斜磁場(chǎng)線圈20中容易地配置冷卻管。
[0063]另外，在本實(shí)施例1中，傾斜磁場(chǎng)線圈20具有沿著從圓筒的一端向另一端的方向所形成的槽部28。并且，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的冷卻管配置在傾斜磁場(chǎng)線圈20具有的槽部28內(nèi)，并被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。因此，根據(jù)本實(shí)施例1，由于可以在傾斜磁場(chǎng)線圈20內(nèi)高效地配置冷卻管，因此可以擴(kuò)大成為攝像區(qū)域的孔的口徑。
[0064]另外，在本實(shí)施例1中，傾斜磁場(chǎng)線圈20具有多個(gè)插入有收納用于校正靜磁場(chǎng)的不均勻性的鐵墊片25的墊片托盤24的墊片托盤插入引導(dǎo)件23，該墊片托盤插入引導(dǎo)件是在傾斜磁場(chǎng)線圈20的兩端面形成開口的貫通孔。并且，配置冷卻管的槽部28在上述多個(gè)墊片托盤插入引導(dǎo)件23之間形成。因此，根據(jù)本實(shí)施例1，可以有效地利用以往沒有被使用的部分，同時(shí)高效地冷卻鐵墊片25。
[0065]另外，在本實(shí)施例1中，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27分別包含并列配置的多個(gè)冷卻管，入口側(cè)集管分流從冷卻裝置90供給的冷卻水，并使分流的冷卻水分別流入多個(gè)冷卻管。另外，出口側(cè)集管合流從各冷卻管流出的冷卻水并返回到冷卻裝置90。在此，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的各冷卻管與入口側(cè)集管以及出口側(cè)集管經(jīng)由絕緣材料形成的管分別被連接。由此，可以防止由主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的各冷卻管形成電閉環(huán)。因此，根據(jù)本實(shí)施例1，能夠避免冷卻管與傾斜磁場(chǎng)線圈之間的電磁耦合，從而可以使攝像區(qū)域內(nèi)的靜磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0066]另外，在本實(shí)施例1中，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27分別包含使冷卻水在規(guī)定的方向流通的第I冷卻管和與第I冷卻管并列設(shè)置的第2冷卻管。并且，第2冷卻管使冷卻水在與第I冷卻管使冷卻水流通的方向相反的方向流通。因此，根據(jù)實(shí)施例1，由于作為主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27整體，冷卻水的溫度均勻，因此可以均等冷卻放置被檢體P的攝像區(qū)域。
[0067]另外，在本實(shí)施例1中，針對(duì)主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27分別具有3條第I冷卻管以及第2冷卻管的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不僅限于此。例如，在進(jìn)一步增加了各冷卻管的條數(shù)時(shí)，各冷卻管的長(zhǎng)度變短即可。其結(jié)果，由于抑制各冷卻管的壓力損失，因此能夠增加冷卻水的流量。因此，可以更高效地冷卻攝像區(qū)域。
[0068]另外，在上述實(shí)施例1中，針對(duì)主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27具有的冷卻管分別被同樣卷繞配置的情況進(jìn)行了說明。然而，主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的任一方也可以如圖4所示被卷繞設(shè)置。[0069]例如，在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，構(gòu)造上也存在限制可配置冷卻管的范圍的情況。例如，在形成墊片托盤插入引導(dǎo)件23的間隔狹窄時(shí)，圖5所示的槽部28的寬度就變小，也有可能無(wú)法在槽部28內(nèi)配置主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27兩者的管。在這種情況下，如使主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的任一方圖4所示那樣卷繞。
[0070]另外，即使在槽部28的寬度充分大的情況下，如圖4所示卷繞任一方系統(tǒng)的冷卻管與同樣卷繞兩者系統(tǒng)的冷卻管時(shí)相比配置冷卻管時(shí)的作業(yè)效率變好。另外，一般而言，在ASGC中，沿著傾斜磁場(chǎng)線圈的圓筒方向在比配置主線圈的范圍廣的范圍內(nèi)配置屏蔽線圈。因此，在提高冷卻效率上希望如圖4所示設(shè)置至少屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27的冷卻管。
[0071]其次，針對(duì)實(shí)施例2進(jìn)行說明。在實(shí)施例1中，針對(duì)傾斜磁場(chǎng)線圈20在主線圈21與屏蔽線圈22之間具有冷卻管的情況進(jìn)行了說明。然而，近年來，也有傾斜磁場(chǎng)線圈在主線圈的內(nèi)周側(cè)還具有冷卻管的情況。因此，在實(shí)施例2中，針對(duì)與實(shí)施例1相關(guān)的MRI裝置100的傾斜磁場(chǎng)線圈20在主線圈21的內(nèi)周側(cè)還具有冷卻管的情況進(jìn)行說明。
[0072]圖6為表示與實(shí)施例2相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈120的構(gòu)造的透視圖。另外，在此，對(duì)于實(shí)現(xiàn)與圖2所示的各部一樣的作用的構(gòu)成要素，附加同一符號(hào)并省略詳細(xì)說明。如圖6所示，在本實(shí)施例2中，傾斜磁場(chǎng)線圈120除了具有主線圈21以及屏蔽線圈22之外，還具有RF屏蔽物128。RF屏蔽物128形成為大致圓筒狀，被設(shè)置在主線圈21的內(nèi)周側(cè)。
[0073]圖7為與實(shí)施例2相關(guān)的RF屏蔽物128的外觀圖。如圖7所示，RF屏蔽物128形成為大致圓筒狀。在此，RF屏蔽物128例如組合像斷面成為半圓狀那樣被彎曲的2張導(dǎo)體板128a以及128b而形成。另外，在此，針對(duì)使用2張導(dǎo)體板的情況進(jìn)行說明，但RF屏蔽物128也可以使用I張導(dǎo)體板形成，也可以組合3張以上的導(dǎo)體板形成。
[0074]在此，在本實(shí)施例2中，與實(shí)施例1 一樣，在主線圈21的外周側(cè)，接近主線圈21設(shè)置主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26。另外，在屏蔽線圈22的內(nèi)周側(cè)，接近屏蔽線圈22設(shè)置屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。并且，在本實(shí)施例2中，在傾斜磁場(chǎng)線圈120的最內(nèi)層也設(shè)置冷卻管。這樣，可以通過在傾斜磁場(chǎng)線圈120的最內(nèi)層也設(shè)置冷卻管，強(qiáng)化傾斜磁場(chǎng)線圈120的冷卻的同時(shí)更可靠地抑制放置被檢體的攝像區(qū)域的溫度上升。
[0075]圖8為表示與實(shí)施例2相關(guān)的傾斜磁場(chǎng)線圈120的內(nèi)部構(gòu)造的構(gòu)造圖。如圖8所示，在墊片托盤插入引導(dǎo)件23與主線圈21之間，埋設(shè)有呈螺旋狀形成的主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26。另外，在墊片托盤插入引導(dǎo)件23與屏蔽線圈22之間，埋設(shè)有呈螺旋狀形成的屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27。在這些主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27中，從冷卻裝置90送來的冷卻水流入，流入的冷卻水在通過各冷卻管在傾斜磁場(chǎng)線圈20的內(nèi)部循環(huán)后向傾斜磁場(chǎng)線圈120的外面流出。這樣，冷卻水通過主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以及屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)27進(jìn)行循環(huán)，由此冷卻主線圈21、屏蔽線圈22以及鐵墊片25。
[0076]另外，在主線圈21的內(nèi)側(cè)，設(shè)置RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A。在本實(shí)施例2中，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A被設(shè)置在主線圈21的內(nèi)側(cè)所設(shè)置的RF屏蔽物128的內(nèi)側(cè)。該RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有使用銅呈螺旋狀形成的多個(gè)冷卻管。
[0077]在此，例如，在主線圈21與RF屏蔽線圈128之間設(shè)置冷卻管時(shí)，由于僅冷卻管部分RF屏蔽物128靠近RF線圈30，因此需要使RF線圈30產(chǎn)生更強(qiáng)的高頻磁場(chǎng)。但是，當(dāng)高頻磁場(chǎng)增強(qiáng)時(shí)，由于SAR (Specific Absorption Rate:吸收率)增加，因此對(duì)于被檢體的安全性有可能降低。對(duì)此，在本實(shí)施例2中，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A由于被設(shè)置在RF屏蔽物128的內(nèi)側(cè)，因此可以在RF屏蔽物128與RF線圈30之間確保充分的距離。由此，由于不需要增強(qiáng)高頻磁場(chǎng)的強(qiáng)度，因此可以確保對(duì)于被檢體的安全性。 [0078]另外，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管被形成為具有比主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26具有的冷卻管的管徑小的管徑。進(jìn)一步，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管被形成為與主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26具有的冷卻管相比螺旋的間隔縮小。并且，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管分別像斷面成為向傾斜磁場(chǎng)線圈20的測(cè)定方向被壓縮的橢圓那樣形成。
[0079]并且，在RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的多個(gè)冷卻管之間，填充有低電容率的物體12B。在此所說的低電容率的物體是例如特富龍(注冊(cè)商標(biāo))或PET等。
[0080]由此，可以防止RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的各冷卻管電結(jié)合。
[0081]另外，在RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管與RF屏蔽物128之間，設(shè)置絕緣材料形成的絕緣膜129。在此所說的絕緣材料例如特富龍(注冊(cè)商標(biāo))或PET等?；蛘?絕緣材料也可以是FRP(Fiberglass Reinforced Plastics)。由此，可以防止RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管與RF屏蔽物128電結(jié)合。另外，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A以及主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)26以?shī)A著主線圈21的方式分別設(shè)置。由此，可以高效地冷卻主線圈21。
[0082]在這種結(jié)構(gòu)中，在本實(shí)施例2中，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管與圖4所示的第I冷卻管27a以及第2冷卻管27b —樣地被設(shè)置。即，RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的冷卻管分別被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的圓筒形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。由此，由于可以將RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)12A具有的各冷卻管纏繞到靠近傾斜磁場(chǎng)線圈20的端部的位置，因此可以冷卻放置被檢體的攝像區(qū)域的廣闊范圍。
[0083]下面，針對(duì)實(shí)施例3進(jìn)行說明。在實(shí)施例1以及實(shí)施例2中，針對(duì)冷卻管被卷繞成螺旋狀的情況進(jìn)行了說明，但是冷卻管的形狀并不僅限于此。因此，在實(shí)施例3中，作為另外一例，針對(duì)冷卻管沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的長(zhǎng)度方向折返那樣地設(shè)置的情況進(jìn)行說明。
[0084]圖9為表示與實(shí)施例3相關(guān)的冷卻管的屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的透視圖。另外，在圖9中，只示出了屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)227中所包含的第I冷卻管。如圖9所不，在本實(shí)施例3中，設(shè)置3條第I冷卻管227a。并且,各第I冷卻管227a被設(shè)置為如下形狀沿傾斜磁場(chǎng)線圈20的周圍方向一邊錯(cuò)開位置一邊進(jìn)行重復(fù)的結(jié)構(gòu)，該形狀是指在沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端A向另一端B的方向延伸達(dá)到另一端B后彎曲，并在沿著從另一端B向一端A的方向延伸到達(dá)一端A后進(jìn)一步彎曲,進(jìn)一步沿著從一端A向另一端B延伸的方向延伸的形狀。
[0085]在各第I冷卻管227a中，冷卻水例如像從位于傾斜磁場(chǎng)線圈20的一端A的端部流入，從位于另一端B的端部流出那樣流動(dòng)(參照箭頭I以及箭頭O)。即，第I冷卻管227a從一端部取入冷卻水，然后從相反的端部排出。另外，流入各第I冷卻管227a的冷卻水與實(shí)施例1中的第I冷卻管27a —樣，由入口側(cè)集管分流。另外從各第I冷卻管227a流出的冷卻水與實(shí)施例1中的第I冷卻管27a —樣，由出口側(cè)集管合流。
[0086]另外，圖9中省略了圖示，但在傾斜磁場(chǎng)線圈20中，與實(shí)施例1 一樣，沿著第I冷卻管并列設(shè)置使冷卻水在與第I冷卻管相反的方向流通的第2冷卻管。另外，在此，針對(duì)屏蔽線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)進(jìn)行了說明，但主線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)中包含的冷卻管或RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)中包含的冷卻管也可以以圖9所示的形狀配置。
[0087]這樣，通過在傾斜磁場(chǎng)線圈20的兩端部使第I冷卻管227a彎曲，從而可以沿著傾斜磁場(chǎng)線圈20的長(zhǎng)度方向在整個(gè)廣闊范圍內(nèi)配置第I冷卻管227a。由此，可以冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈20的廣闊范圍。
[0088]另外，在上述實(shí)施例1、2以及3中，針對(duì)具有形成為大致圓筒狀的傾斜磁場(chǎng)線圈的MRI裝置進(jìn)行了說明，但實(shí)施例并不僅限于此。例如，即使在產(chǎn)生與被檢體的體軸方向垂直的傾斜磁場(chǎng)的、被稱為所謂的開放(open)型的MRI裝置中，也可以實(shí)施上述實(shí)施例中所說明的技術(shù)。
[0089]一般而言，開放型的M RI裝置具備以隔著放置被檢體的攝像空間相對(duì)的方式被配置的I對(duì)靜磁場(chǎng)磁鐵、對(duì)由靜磁場(chǎng)磁鐵在攝像空間產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)附加傾斜磁場(chǎng)的傾斜磁場(chǎng)線圈、向攝像空間內(nèi)放置的被檢體施加高頻磁場(chǎng)的RF線圈。例如，I對(duì)靜磁場(chǎng)被上下配置，在垂直方向產(chǎn)生靜磁場(chǎng)。另外，傾斜磁場(chǎng)線圈以及RF線圈分別呈平板狀形成，并分別被固定在上下的靜磁場(chǎng)磁鐵上。
[0090]并且，在這種開放型的MRI裝置中，也存在設(shè)置用于冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈中產(chǎn)生的熱的線圈冷卻管的情況。例如，在開放型的MRI裝置中，例如，線圈冷卻管在傾斜磁場(chǎng)線圈的外表面或傾斜磁場(chǎng)線圈內(nèi)部的同一平面內(nèi)被配置成螺旋狀。此時(shí)，例如，線圈冷卻管被設(shè)置為在沿著從傾斜磁場(chǎng)線圈的一端向另一端的方向延伸后彎曲，并沿著傾斜磁場(chǎng)線圈的平面形狀一邊呈螺旋狀卷繞一邊返回到一端。由此，由于能夠?qū)⒗鋮s管纏繞到靠近傾斜磁場(chǎng)線圈的周緣部的位置，因此可以冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈的廣闊范圍。
[0091]對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出的，并不限定發(fā)明的范圍。這些實(shí)施方式能夠通過其他各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式或其變形與包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)一樣包含專利要求的范圍內(nèi)所記載的說明與其均等的范圍。
[0092]還有，根據(jù)上述實(shí)施方式中公開的適宜多個(gè)的構(gòu)成要素的組合，可以形成各種的發(fā)明。例如:既可以削除從實(shí)施方式中顯示的全部構(gòu)成要素的幾個(gè)構(gòu)成要素，又可以適當(dāng)?shù)亟M合不同實(shí)施方式內(nèi)的構(gòu)成要素。
[0093]本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到其它優(yōu)點(diǎn)和變更方式。因此，本發(fā)明就其更寬的方面而言不限于這里示出和說明的具體細(xì)節(jié)和代表性的實(shí)施方式。因此，在不背離由所附的權(quán)利要求書以及其等同物限定的一般發(fā)明概念的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改 。
【權(quán)利要求】
1.一種磁共振成像裝置，其特征在于，包括: 傾斜磁場(chǎng)線圈，該傾斜磁場(chǎng)線圈向靜磁場(chǎng)內(nèi)所放置的被檢體施加傾斜磁場(chǎng)；以及 線圈冷卻管，該線圈冷卻管被設(shè)置在上述傾斜磁場(chǎng)線圈上，通過使冷媒在管內(nèi)流通而冷卻上述傾斜磁場(chǎng)線圈， 上述線圈冷卻管被設(shè)置為在沿著從上述傾斜磁場(chǎng)線圈的一端向另一端的方向延伸并在上述傾斜磁場(chǎng)線圈的長(zhǎng)度的中央附近折返，并沿著上述傾斜磁場(chǎng)線圈的形狀返回到上述一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述線圈冷卻管包含并列配置的多個(gè)冷卻管， 上述磁共振成像裝置還具備分流管，該分流管分流從上述冷卻裝置供給的冷媒，并使分流的冷媒分別流入上述多個(gè)冷卻管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述線圈冷卻管包含第I冷卻管和與上述第I冷卻管并列設(shè)置的第2冷卻管，上述第2冷卻管使冷媒在與上述第I冷卻管使冷媒流通的方向相反的方向流通。
4.一種磁共振成像裝置，其特征在于，包括: 傾斜磁場(chǎng)線圈，該傾斜磁場(chǎng)線圈向靜磁場(chǎng)內(nèi)所放置的被檢體施加傾斜磁場(chǎng)；以及 線圈冷卻管，該線圈冷卻管被設(shè)置在上述傾斜磁場(chǎng)線圈上，通過使冷媒在管內(nèi)流通而冷卻上述傾斜磁場(chǎng)線圈， 上述線圈冷卻管被設(shè)置為在沿著從上述傾斜磁場(chǎng)線圈的一端向另一端的方向延伸并在上述傾斜磁場(chǎng)線圈的長(zhǎng)度的中央附近折返，并沿著上述傾斜磁場(chǎng)線圈的形狀呈螺旋狀地一邊卷繞一邊返回到上述一端。
【文檔編號(hào)】A61B5/055GK103932709SQ201410145314
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2010年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2009年9月28日
【發(fā)明者】坂倉(cāng)良知 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝, 東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會(huì)社