矩陣勻場線圈設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種矩陣勻場線圈設(shè)備，矩陣勻場線圈設(shè)備包括配置為提供高階勻場的多個線圈。每個線圈具有數(shù)字8形狀以及第一回路和第二回路。在另一個實施例中，每個線圈被沿著線圈的軸進一步折疊，從而形成具有上部和下部的折疊線圈。
【專利說明】矩陣勻場線圈設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及磁共振成像(MRI)系統(tǒng)，特別涉及用于有源高階勻場的設(shè)備。【背景技術(shù)】
[0002]磁共振成像(MRI)是一種醫(yī)療成像方式，其不使用X射線或其他電離輻射而生成人體內(nèi)部的圖片。MRI使用強大的磁體生成強大的均勻靜磁場(即主磁場)。當人體或者人體的一部分置入主磁場中時，與組織水中的氫核關(guān)聯(lián)的原子核自旋被極化。這意味著與這些自旋關(guān)聯(lián)的磁矩變?yōu)閮?yōu)先沿著主磁場的方向?qū)R，引起沿該軸(按照慣例稱為ζ軸)的小的凈組織磁化。MRI系統(tǒng)還包括被稱為梯度線圈的部件，當向梯度線圈施加電流時，其產(chǎn)生幅度較小、在空間上變化的磁場。通常，梯度線圈設(shè)計為產(chǎn)生沿ζ軸對齊并且幅度隨著沿X、y或ζ軸之一的位置線性變化的磁場分量。梯度線圈的效果是沿單軸在磁場強度上產(chǎn)生小斜坡(ramp)，并在原子核自旋的共振頻率上伴隨地產(chǎn)生小斜坡。具有正交軸的三個梯度線圈被使用以通過在體內(nèi)的每個位置處生成標識共振頻率(signature resonancefrequency)，從而對MR信號進行“空間編碼”。使用射頻(RF)線圈在氫核的共振頻率處或其附近生成RF能量脈沖。使用RF線圈以受控方式向原子核自旋系統(tǒng)增加能量。當原子核自旋然后弛豫回到其靜止能量狀態(tài)時，它們放出RF信號形式的能量。該信號被MRI系統(tǒng)檢測，并使用計算機和已知的重建算法轉(zhuǎn)換為圖像。
[0003]MRI系統(tǒng)中使用的梯度線圈組件可以是屏蔽的梯度線圈組件，其包括通過諸如環(huán)氧樹脂的材料粘接在一起的內(nèi)梯度線圈組件和外梯度線圈組件。通常，內(nèi)梯度線圈組件包括X、Y和Z梯度線圈對或線圈組的內(nèi)(或主)線圈，并且外梯度線圈組件包括對應(yīng)的X、Y和Z梯度線圈對或線圈組的外(或屏蔽)線圈。Z梯度線圈通常是圓柱形的，導體繞圓柱形表面螺旋式纏繞。橫向的X和Y梯度線圈通常由具有絕緣背襯層的銅板形成。可以在梯度線圈的銅層中切割導體旋轉(zhuǎn)圖案(例如指紋圖案)。
[0004]MRI系統(tǒng)要求在成像體積內(nèi)具有均勻的主磁場Btl，但是各種因素，例如制造公差、環(huán)境影響、設(shè)計局限、磁體中的瑕疵、安裝地附近的鐵磁材料等，可能引入磁場中的不均勻性。磁場Btl中的不均勻性會不利地影響MR圖像的數(shù)據(jù)獲取和重建。例如，磁場不均勻性可使掃描體積中的位置信息失真，降低圖像質(zhì)量?？梢允褂帽环Q為“勻場”的方法來補償或消除來自于磁場BO的不均勻性?？梢允褂脛驁鼍€圈或校正線圈(有源勻場)或者例如幾片鐵磁材料的無源勻場片(無源勻場)對MRI磁體進行勻場。
[0005]有源勻場使用磁體中的專用線圈來生成校正的磁場。通常，電流通過勻場線圈以產(chǎn)生校正磁場?？梢哉{(diào)節(jié)或調(diào)整通過勻場線圈的電流，以提供適當?shù)男Ｕ龍?。勻場線圈可以是電阻性的、超導的或者二者的組合。超導勻場線圈布置在磁體內(nèi)部，并在氦環(huán)境中操作。使用超導勻場線圈來補償制造公差或者掃描室的磁性環(huán)境所引起的不均勻性(諧波)。通常，在MRI掃描儀的安裝或維護過程中，將超導勻場線圈中的電流調(diào)節(jié)至恰當值。一旦電流被調(diào)節(jié)至恰當值，就固定該電流值，超導線圈在持久模式下操作。為了提供病人感應(yīng)諧波(在每次掃描中可能發(fā)生變化)的靜態(tài)補償，可以使用電阻性勻場線圈(稱為高階勻場線圈)。電阻性勻場線圈經(jīng)常包含在MRI掃描儀的梯度組件中，并通常包括二階勻場線圈組，其電流可在多次掃描之間調(diào)節(jié)。
[0006]目前，許多MRI系統(tǒng)采用較寬的病人腔，其在梯度線圈系統(tǒng)中留下較小的徑向空間以容納高階勻場線圈。需要提供一種可用在小的徑向空間內(nèi)以及考慮到二階和更高階的勻場線圈設(shè)計。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)實施例，提供一種矩陣勻場線圈設(shè)備，其包括配置為提供高階勻場的多個線圈，每個線圈具有數(shù)字8形狀，并包括第一回路和第二回路。
[0008]優(yōu)選的，每個線圈由連續(xù)的導線回路形成。
[0009]優(yōu)選的，所述多個線圈設(shè)置為nxm陣列。
[0010]優(yōu)選的，所述多個線圈中的每個線圈與相鄰的線圈重疊。
[0011 ] 優(yōu)選的，每個線圈的所述第一回路和所述第二回路具有基本上相同的尺寸。
[0012]優(yōu)選的，每個線圈的所述第一回路和所述第二回路具有不同的尺寸。
[0013]優(yōu)選的，還包括電路板，其中所述多個線圈中的每個線圈被刻蝕在所述電路板上。
[0014]優(yōu)選的，所述多個線圈中的每個線圈與另一個線圈同心。
[0015]優(yōu)選的，所述nxm陣列中的η排沿ζ方向布置。
[0016]根據(jù)另一個實施例，提供另一種一種矩陣勻場線圈設(shè)備，其包括配置為提供高階勻場的多個線圈，每個線圈具有數(shù)字8形狀，并且其中，每個線圈被沿著線圈的軸進一步折疊，從而形成具有上部和下部的折疊線圈。
[0017]優(yōu)選的，所述上部定位在第一徑向位置處，所述下部定位在第二徑向位置處。
[0018]優(yōu)選的，每個線圈由連續(xù)的導線回路形成。
[0019]優(yōu)選的，所述多個線圈設(shè)置為nxm陣列。
[0020]優(yōu)選的，還包括電路板，其中，所述多個線圈中的每個線圈被刻蝕在所述電路板上。
[0021 ] 優(yōu)選的，所述nxm陣列中的η排沿ζ方向布置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]結(jié)合附圖，通過以下具體描述，將可以更全面地理解本發(fā)明，其中相同的附圖標記指代相同的部件，其中:
[0023]圖1是根據(jù)實施例的示例性磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的示意性框圖；
[0024]圖2是根據(jù)實施例的共振組件的示意性側(cè)視圖；
[0025]圖3是根據(jù)實施例的示例性矩陣勻場線圈的視圖；
[0026]圖4是根據(jù)替代實施例的示例性矩陣勻場線圈的視圖；
[0027]圖5是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖；
[0028]圖6是根據(jù)替代實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖；
[0029]圖7是根據(jù)實施例的使用扭轉(zhuǎn)線圈的矩陣勻場線圈的視圖；
[0030]圖8是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖；
[0031]圖9是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)和折疊線圈的視圖?！揪唧w實施方式】
[0032]圖1是根據(jù)實施例的示例性磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的示意性框圖。通過操作者控制臺12控制MRI系統(tǒng)10的操作，其中操作者控制臺12包括鍵盤或其他輸入裝置13、控制面板14和顯示器16?？刂婆_12通過鏈路18與計算機系統(tǒng)20通信，并為操作者提供指定MRI掃描、顯示結(jié)果圖像、在圖像上執(zhí)行圖像處理、以及存檔數(shù)據(jù)和圖像的接口。計算機系統(tǒng)20包括多個模塊，所述多個模塊通過電和/或數(shù)據(jù)連接(例如使用背板20a所提供的)彼此進行通信。數(shù)據(jù)連接可以是直接的有線鏈路，或者可以是光纖連接，或者是無線通信鏈路等。計算機系統(tǒng)20的模塊包括圖像處理器模塊22、CPU模塊24和包括用于存儲圖像數(shù)據(jù)陣列的幀緩存器的存儲器模塊26。在替代實施例中，圖像處理器模塊22可以被CPU模塊24上的圖像處理功能代替。計算機系統(tǒng)20連接至歸檔媒體裝置、永久或備用存儲裝置或網(wǎng)絡(luò)。計算機系統(tǒng)20還可以通過鏈路34與分離的系統(tǒng)控制計算機32通信。輸入裝置13可以包括鼠標、操縱桿、鍵盤、跟蹤球、觸摸屏、光棒、語音控制器或者任何類似或等效的輸入裝置，并可用于交互式幾何指示(interactive geometry prescription)。
[0033]系統(tǒng)控制計算機32包括通過電和/或數(shù)據(jù)連接32a彼此進行通信的一組模塊。數(shù)據(jù)連接32a可以是直接的有線鏈路，或者可以是光纖連接，或者是無線通信鏈路等。在替代實施例中，計算機系統(tǒng)20和系統(tǒng)控制計算機32的模塊可以在同一計算機系統(tǒng)或多個計算機系統(tǒng)上實施。系統(tǒng)控制計算機32的模塊包括CPU模塊36和脈沖發(fā)生器模塊38，脈沖發(fā)生器模塊38通過通信鏈路40連接至操作者控制臺12。脈沖發(fā)生器模塊38可以可替代地集成在掃描器設(shè)備(例如共振組件52)中。通過鏈路40，系統(tǒng)控制計算機32從操作者接收用于指示待執(zhí)行的掃描序列的命令。脈沖發(fā)生器模塊38通過發(fā)出描述RF脈沖的定時、強度和形狀、待生成的脈沖序列的指令、命令和/或要求、以及通過發(fā)出描述數(shù)據(jù)采集窗口的定時和長度的指令、命令和/或要求，來操作發(fā)出(即執(zhí)行)期望的脈沖序列的系統(tǒng)部件。脈沖發(fā)生器模塊38連接至梯度放大器系統(tǒng)42，并產(chǎn)生被稱為梯度波形的數(shù)據(jù)，梯度波形控制掃描過程中使用的梯度脈沖的定時和形狀。脈沖發(fā)生器模塊38還可以從生理采集控制器44接收病人數(shù)據(jù)，其中生理采集控制器44從連接至病人的多個不同傳感器接收信號，例如來自于附接于病人的電極的ECG信號。脈沖發(fā)生器模塊38連接至掃描室接口電路46，掃描室接口電路46從與病人狀況和磁系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的不同傳感器接收信號。同樣通過掃描室接口電路46，病人定位系統(tǒng)48接收用于將病人檢查臺移動至掃描所需位置的命令。
[0034]脈沖發(fā)生器模塊38產(chǎn)生的梯度波形應(yīng)用于由Gx，Gy和Gz放大器構(gòu)成的梯度放大器系統(tǒng)42。每個梯度放大器激發(fā)梯度線圈組件(總體由50表示)中相應(yīng)的物理梯度線圈，以產(chǎn)生用于對采集的信號進行空間編碼的磁場梯度脈沖。梯度線圈組件50形成共振組件52的一部分，共振組件52包括具有超導主線圈54的極化超導磁體。共振組件52可包括整體RF線圈56、表面線圈或并行成像線圈76或這二者。RF線圈組件的線圈56和76可配置為用于發(fā)送和接收二者，或者僅用于發(fā)送，或者僅用于接收。病人或成像對象70可布置在共振組件52的圓柱形病人成像體積72內(nèi)。系統(tǒng)控制計算機32中的收發(fā)器模塊58產(chǎn)生脈沖，該脈沖被RF放大器60放大，并通過發(fā)送/接收開關(guān)62耦合至RF線圈56和76。病人體內(nèi)被激發(fā)的原子核所發(fā)出的結(jié)果信號可被相同的RF線圈56感測，并通過發(fā)送/接收開關(guān)62耦合至前置放大器64。或者，被激發(fā)的原子核所發(fā)出的信號被分離的接收線圈(例如并行線圈或表面線圈76)感測。放大的MR信號在收發(fā)器58的接收器部分被解調(diào)、濾波和數(shù)字化。發(fā)送/接收開關(guān)62由來自于脈沖發(fā)生器模塊38的信號控制，以便在發(fā)送模式期間將RF放大器60電連接至RF線圈56，在接收模式期間將前置放大器64電連接至RF線圈56。發(fā)送/接收開關(guān)62還使得分離RF線圈(例如并行或表面線圈76)能夠用于發(fā)送或接收模式中。
[0035]被RF線圈56或者并行或表面線圈76感測的MR信號被收發(fā)器模塊58數(shù)字化，并被轉(zhuǎn)送至系統(tǒng)控制計算機32中的存儲器模塊66。通常，對應(yīng)于MR信號的數(shù)據(jù)幀臨時存儲在存儲器模塊66中，直到其后續(xù)被轉(zhuǎn)換以產(chǎn)生圖像。陣列處理器68使用已知的轉(zhuǎn)換方法從MR信號產(chǎn)生圖像，最常用的是傅里葉變換。這些圖像通過鏈路34傳輸至計算機系統(tǒng)20，在此它存儲在存儲器中。響應(yīng)從操作者控制臺12接收的命令，該圖像數(shù)據(jù)被歸檔為長期存儲，或者其可以被圖像處理器22進一步處理并傳輸至操作者控制臺12以及呈現(xiàn)在顯示器16上。[0036]圖2是根據(jù)實施例的共振組件的示意性側(cè)視圖。共振組件100可用于MRI系統(tǒng)中，例如圖1所示的MRI系統(tǒng)10。共振組件100為圓柱形，其中包括超導磁體102、梯度線圈組件104、RF屏蔽部105和RF線圈106等。為清楚起見，圖2中省略了各種其他元件，例如蓋板、支撐件、懸架構(gòu)件、端蓋、支架等。圓柱形病人體積或腔108被病人腔管110包圍。病人腔108可配置為標準腔尺寸(大約60厘米)或者作為較寬腔尺寸(大約70厘米或更大)。RF線圈106為圓柱形，繞病人腔管110的外表面布置，并且安裝在圓柱形梯度線圈組件104內(nèi)部。RF屏蔽部105為圓柱形，并圍繞RF線圈106布置。梯度線圈組件104圍繞RF屏蔽部105布置，RF線圈106為間隔開的同軸關(guān)系，梯度線圈組件104在圓周上包圍RF屏蔽部105和RF線圈106。梯度線圈組件104安裝在磁體102內(nèi)部，并被磁體102在圓周上包圍。
[0037]病人或成像對象112可在病人檢查臺或支架116上沿中心軸114(例如Z軸)插入在共振組件100中。病人檢查臺或支架116在共振組件的“病人端” 142插入共振組件中，圓柱形共振組件的相對端是“服務(wù)端” 140。中心軸114沿共振組件100的管軸對齊，平行于磁體102產(chǎn)生的主磁場B。的方向?？梢允褂肦F線圈106向病人或?qū)ο?12施加射頻脈沖(或多個脈沖)以及可以使用RF線圈106接收從對象112返回的MR信息，如MR成像領(lǐng)域所公知的。RF屏蔽部105用于將RF線圈106與外部RF輻射源屏蔽。RF屏蔽部105可以由任何適當?shù)膶щ姴牧现圃?，例如銅片、具有微量導電銅的電路板、銅絲網(wǎng)、不銹鋼絲網(wǎng)、其他導電絲網(wǎng)等。梯度線圈組件104產(chǎn)生與時間相關(guān)的梯度磁脈沖，梯度磁脈沖用于以已知方式對成像體積內(nèi)的點進行空間編碼。
[0038]超導磁體102例如可包括若干徑向?qū)R并縱向間隔的超導線圈118，每個線圈能夠承載大電流。超導線圈118設(shè)計為生成病人體積108中的磁場仏。超導線圈118被包圍在低溫外殼122之內(nèi)的低溫環(huán)境中。低溫環(huán)境設(shè)計為將超導線圈118的溫度保持在適當?shù)呐R界溫度以下，以便超導線圈118處于具有零電阻的超導狀態(tài)中。低溫外殼122例如可包括以已知方式容納和冷卻磁體繞組的氦容器(未顯示)和熱或冷屏蔽(未顯示)。超導磁體102被例如低溫恒溫容器的磁體容器120包圍。磁體容器120配置為保持真空以及防止熱傳遞至低溫外殼122。
[0039]梯度線圈組件104是自屏蔽梯度線圈組件。梯度線圈組件104包括相對于公共軸114以同軸形式布置的圓柱形內(nèi)梯度線圈組件或繞組124和圓柱形外梯度線圈組件或繞組126。內(nèi)梯度線圈組件124包括內(nèi)(或主)X、Y和Z梯度線圈，外梯度線圈組件126包括相應(yīng)的外(或屏蔽)X、Y和Z梯度線圈。通過使電流通過線圈，可以觸發(fā)梯度線圈組件104的線圈，從而在病人體積108中產(chǎn)生MR成像所需要的梯度場。內(nèi)梯度線圈組件124和外梯度線圈組件126之間的體積138或空間可填充粘接材料，例如環(huán)氧樹脂、粘彈性樹脂、聚亞安酯等?？商娲?，可以使用具有填充材料(例如玻璃珠、二氧化硅和氧化鋁)的環(huán)氧樹脂作為粘接材料。應(yīng)理解，可以使用以上參考圖1和2描述的圓柱形組件以外的磁體和梯度結(jié)構(gòu)。例如，分割開的MRI系統(tǒng)中的平面梯度幾何形狀也適用于下述的本發(fā)明的實施例。
[0040]高階矩陣勻場線圈130布置在磁體組件100內(nèi)部的第一半徑處。在圖2中，矩陣勻場線圈130布置在梯度線圈組件104的內(nèi)部。例如，矩陣勻場線圈130可以布置在內(nèi)梯度線圈組件124和外梯度線圈組件126之間的體積或空間138中。通過將矩陣勻場線圈130設(shè)置在RF屏蔽部105之后，與RF線圈106的相互作用被限制。矩陣勻場線圈130包括二階或更高階的非屏蔽電阻性勻場線圈(未顯示)。矩陣勻場線圈130配置為提供磁場不均勻性(例如病人感應(yīng)的諧波)的補償。矩陣勻場線圈130可以由勻場驅(qū)動器140驅(qū)動。勻場驅(qū)動器140和矩陣勻場線圈130可以由電源136供電。電源136和勻場驅(qū)動器140可以由計算機系統(tǒng)137 (例如圖1所示的計算機20或系統(tǒng)控制計算機42)操作。計算機137和勻場驅(qū)動器140配置為控制供給至矩陣勻場線圈130的電流。
[0041]矩陣勻場線圈130包括布置在圍繞內(nèi)梯度線圈組件124的圓柱形表面上的多個勻場線圈。勻場線圈可以設(shè)置(或刻蝕)在電路板上，例如多層卡普頓(Kapton)電路板，并卷成適當?shù)某叽?，以便放置在梯度線圈組件104內(nèi)部(例如內(nèi)梯度線圈組件124和外梯度線圈組件126之間的體積138中)。優(yōu)選地，矩陣勻場線圈130的尺寸允許其放置在小半徑(例如〈2_)空間中。矩陣勻場線圈包括沿ζ方向的η排勻場線圈，且繞圓柱形結(jié)構(gòu)的圓周的m個勻場線圈。
[0042]圖3是根據(jù)實施例的示例性矩陣勻場線圈的視圖。圖3所示的示例性矩陣勻場線圈330包括沿ζ方向332設(shè)置為4排、沿圓柱形結(jié)構(gòu)的圓周在每排中具有七個(7)勻場線圈的多個勻場線圈334。矩陣勻場線圈330總共具有二十八(28)個勻場線圈334。具有至少7x4矩陣的設(shè)計能夠產(chǎn)生三階諧波。在矩陣勻場線圈330中，矩形勻場線圈的對336以重疊方式定位。勻場線圈334可以具有不同的形狀，例如勻場線圈334可以是P邊形(包括圓形)。圖4是根據(jù)替代實施例的示例性矩陣勻場線圈的視圖。圖4所示的矩陣勻場線圈430包括多個正方形勻場線圈434。勻場線圈434的對436設(shè)置為勻場線圈434是同心的，一個回路位于另一個回路內(nèi)部。
[0043]回到圖2，(具有P邊的)多邊形勻場線圈(包括圓形)可耦合至梯度線圈104，在脈沖過程中，梯度線圈104感應(yīng)矩陣勻場線圈130中的大電壓，需要勻場驅(qū)動器140中的大電壓進行補償。為了將矩陣勻場線圈130與梯度線圈104解耦，可以將單個的勻場線圈扭轉(zhuǎn)成數(shù)字8或者沙漏形狀。圖5是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖?？赏ㄟ^將矩形或正方形線圈回路扭轉(zhuǎn)成數(shù)字8或沙漏形狀而形成勻場線圈500。數(shù)字8形狀的線圈500的兩個回路可以具有不同的形狀。圖6是根據(jù)替代實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖。在圖6中，線圈600的兩個回路具有方整的(squared off)邊?；蛘?，兩個回路可以帶有圓角，或者為以下參考圖8進一步描述的矩形或正方形。此外，在不同實施例中，兩個回路可以具有相同的尺寸或者不同的尺寸，即非對稱的數(shù)字8或沙漏形狀。圖7是根據(jù)實施例的使用扭轉(zhuǎn)線圈的矩陣勻場線圈的視圖。圖7所示的矩陣勻場線圈730包括多個扭轉(zhuǎn)(例如數(shù)字8形狀)勻場線圈734。如上所述，勻場線圈734沿ζ方向732設(shè)置為η排，繞圓周具有m個線圈。每個勻場線圈734具有非對稱的數(shù)字8形狀。在另一個實施例中，扭轉(zhuǎn)勻場線圈的回路可具有正方形或矩形回路，如圖8所示。圖8是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)線圈的視圖。扭轉(zhuǎn)勻場線圈800以形成重疊區(qū)域838，在該重疊區(qū)域，線圈回路的上部842在線圈回路的下部840的上方。對于勻場線圈800，扭轉(zhuǎn)設(shè)計的第一回路850比線圈800的第二回路852大(即非對稱線圈)。
[0044]回到圖2，在另一個實施例中，矩陣勻場線圈130可包括被扭轉(zhuǎn)和折疊的單個的勻場線圈，以便減小在ζ方向中占用的空間以及提高矩陣勻場線圈130的效率。圖9是根據(jù)實施例的用于矩陣勻場線圈的扭轉(zhuǎn)和折疊線圈的視圖。通過對折數(shù)字8形狀的線圈回路902形成勻場線圈900 (顯示了折疊線圈的俯視圖)。例如，沿著軸904，線圈的上部902被折疊到線圈900的下部908的上方。通過這種方式，產(chǎn)生Bz場的回路902的直邊910基本上加倍。該設(shè)計還考慮到提高矩陣勻場線圈的效率的交流電流返回路徑。通過使用扭轉(zhuǎn)和折疊線圈900形成矩陣勻場線圈，矩陣勻場線圈在ζ方向所需的空間量減小，矩陣勻場線圈可以與視野(FOV)中心不在梯度線圈中心的非對稱梯度線圈兼容。在一個實施例中，當勻場線圈900被布置在梯度線圈組件104中時(如圖2所示)，折疊線圈的上部可位于第一徑向位置，折疊線圈的下部可位于第二徑向位置。
[0045]本書面描述使用示例來公開本發(fā)明，包括最佳實施方式，并使任何本領(lǐng)域技術(shù)人員能實施和使用本發(fā)明。本發(fā)明的可專利范圍由權(quán)利要求書限定，并且可以包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到的其它示例。這樣的其它示例旨在屬于權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，只要它們具有與該權(quán)利要求書的文字語言沒有區(qū)別的結(jié)構(gòu)元件，或者只要它們包括與該權(quán)利要求的文字語言無實質(zhì)區(qū)別的等同結(jié)構(gòu)元件。根據(jù)替代實施例，可以改變或重新安排任何過程或方法步驟的順序和序列。
[0046]在不背離本發(fā)明的精神的前提下，可以對本發(fā)明進行多種其他改變和修改。從所附權(quán)利要求書，這些以及其他改變的范圍將清晰呈現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種矩陣勻場線圈設(shè)備，包括: 配置為提供高階勻場的多個線圈，每個線圈具有數(shù)字8形狀以及包括第一回路和第二回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，每個線圈由連續(xù)的導線回路形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述多個線圈設(shè)置為nxm陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述多個線圈中的每個線圈與相鄰的線圈重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，每個線圈的所述第一回路和所述第二回路具有基本上相同的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，每個線圈的所述第一回路和所述第二回路具有不同的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，還包括電路板，其中所述多個線圈中的每個線圈被刻蝕在所述電路板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述多個線圈中的每個線圈與另一個線圈同心。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述nxm陣列中的η排沿ζ方向布置。
10.一種矩陣勻場線圈設(shè)備，包括: 配置為提供高階勻場的多個線圈，每個線圈具有數(shù)字8形狀；以及 其中，每個線圈被沿著所述線圈的軸進一步折疊，從而形成具有上部和下部的折疊線圈。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述上部定位在第一徑向位置處，所述下部定位在第二徑向位置處。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，每個線圈由連續(xù)的導線回路形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述多個線圈設(shè)置為nxm陣列。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，還包括電路板，其中，所述多個線圈中的每個線圈被刻蝕在所述電路板上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的矩陣勻場線圈設(shè)備，其特征在于，所述nxm陣列中的η排沿ζ方向布置。
【文檔編號】A61B5/055GK103901374SQ201310741075
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】D.A.西伯, B.安姆, J-B.馬蒂厄 申請人:通用電氣公司