專(zhuān)利名稱(chēng)：產(chǎn)生準(zhǔn)單色x射線(xiàn)的x射線(xiàn)裝置和放射性照相拍攝系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生準(zhǔn)單色χ射線(xiàn)的χ射線(xiàn)裝置以及一種醫(yī)學(xué)的放射性照相-X射線(xiàn)拍攝系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
用于基于X射線(xiàn)的、醫(yī)學(xué)成像的X射線(xiàn)系統(tǒng)，按照現(xiàn)有技術(shù)具有以下結(jié)構(gòu)點(diǎn)狀的 X射線(xiàn)源(通過(guò)電子束在陽(yáng)極上產(chǎn)生的韌致輻射)在X射線(xiàn)裝置中發(fā)射多色X射線(xiàn)；該X 射線(xiàn)通過(guò)準(zhǔn)直器特別被帶入限制的扇形的形狀。在借助位置分辨的圖像接收器拍攝對(duì)象之前，X射線(xiàn)部分地穿透待透視的對(duì)象。在使用這樣的X射線(xiàn)系統(tǒng)時(shí)的主要的效率損失通過(guò)存在的多色韌致譜產(chǎn)生。公知的是，對(duì)于每個(gè)任務(wù)，即，在定義的背景和給定的幾何內(nèi)的確定的對(duì)象的成像，給出恰好一個(gè)量子能量，該量子能量表示在患者劑量、對(duì)比度和噪聲之間的最優(yōu)折衷并且由此具有最高的效率。多色譜由此一定包含對(duì)于各個(gè)任務(wù)是多余的或干擾的譜分量。因?yàn)閷?duì)于最佳的量子能量，相鄰的能量同樣具有非常高的效率，所以為了滿(mǎn)足好的圖像質(zhì)量的任務(wù)，使用一定程度上較寬地散射的量子能量(準(zhǔn)單色的)是足夠的，例如， 限制到大約15keV的范圍；與之相比，完美的單色X射線(xiàn)并不太多地提高效率。對(duì)于理想的X射線(xiàn)系統(tǒng)，前提條件是可調(diào)的(durchstimmbare)、準(zhǔn)單色的、有效的 X射線(xiàn)裝置。然而，從多色譜中產(chǎn)生準(zhǔn)單色的X射線(xiàn)是復(fù)雜的。近似獲得這一點(diǎn)的通常方法是將借助公知的X射線(xiàn)源產(chǎn)生的多色X射線(xiàn)經(jīng)由布拉格反射(參見(jiàn)圖2)衍射到晶體上。 然而這些方法在光譜以及在空間方向上都總是包含非常大的射線(xiàn)強(qiáng)度損失。由于這個(gè)原因，按照現(xiàn)有技術(shù)的這樣的X射線(xiàn)裝置首先在透視大且厚的組織層的情況下不能被使用或者只能進(jìn)行所謂的掃描拍攝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種X射線(xiàn)裝置，其確保產(chǎn)生具有高的射線(xiàn)強(qiáng)度的盡可能準(zhǔn)單色X射線(xiàn)和盡可能大的照射區(qū)域。借助按照本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置將多色X射線(xiàn)通過(guò)在布拉格條件下、通過(guò)反射而衍射到具有晶格的晶格層面距離(Gitterebenenabstand)的特別是連續(xù)的變化(漸次)的超鏡(Superspiegel)而轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)單色的X射線(xiàn)。在此結(jié)晶材料特別具有晶格層面距離的垂直于表面的變化。通過(guò)該所謂的“局部”變化，布拉格尖峰變寬并且產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)。在這樣產(chǎn)生的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)中，射線(xiàn)強(qiáng)度明顯高于在通過(guò)公知的濾波器轉(zhuǎn)換到準(zhǔn)單色的X射線(xiàn)的情況。準(zhǔn)單色的X射線(xiàn)在此理解為直到大約15keV的能量帶。通過(guò)本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置，在X射線(xiàn)成像時(shí)，可以明顯提高每個(gè)采用的患者劑量的結(jié)果或圖像質(zhì)量，例如，在放射線(xiàn)照相中大約提高了因數(shù)3。通過(guò)按照本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置，損失相對(duì)少的X射線(xiàn)強(qiáng)度，從而能夠在良好圖像質(zhì)量的情況下進(jìn)行全圖像X射線(xiàn)成像(與掃描成像相比，在掃描成像中， 在對(duì)象上移動(dòng)一個(gè)非常窄的X射線(xiàn))。此外量子能量的按照需要的可控制性允許曝光參數(shù)與患者厚度有利的匹配(“自動(dòng)的曝光調(diào)節(jié)”)?？傮w上通過(guò)本發(fā)明，提高了 X射線(xiàn)成像中的圖像質(zhì)量，從而診斷結(jié)果更簡(jiǎn)單和更可靠或者替換地可以在保持相同的圖像質(zhì)量的情況下降低劑量。晶格層面距離的垂直于表面的變化例如具有在平均值附近的高斯分布，從而可以產(chǎn)生直到15keV的能量帶。但是也可以具有該變化的線(xiàn)性的或其他連續(xù)的分布。結(jié)晶材料例如可以由人造產(chǎn)生的晶體構(gòu)成。按照本發(fā)明的實(shí)施方式，通過(guò)結(jié)晶材料具有在沿著表面的至少一個(gè)方向上的晶格層面距離的連續(xù)變化，可以產(chǎn)生特別恒定的能量選擇。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，多色的X射線(xiàn)的反射的部分具有至少40keV和最高90keV、特別是50至70keV的量子能量。該范圍特別對(duì)于在放射線(xiàn)照相中，即在對(duì)身體部位和器官的單個(gè)拍攝中的X射線(xiàn)成像是合適的。從該范圍選出的能量帶例如延伸超過(guò)直至 15keV,即例如 50keV 至 65keV。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，晶格的晶格層面距離沿著表面的、特別是連續(xù)的變化是這樣的，即，超鏡在其表面上具有晶格層面距離的圓弧形的等值線(xiàn)(具有共同的中心)。這樣構(gòu)成的超鏡使得在合適定位時(shí)、能量帶的特別均勻反射和由此準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的產(chǎn)生是可能的。這樣的超鏡的表面例如可以構(gòu)造為矩形，其中等值線(xiàn)可以垂直于超鏡的縱向而延伸。以?xún)?yōu)選方式，為了特別簡(jiǎn)單地制造用于產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的、具有還是有效的可用性的超鏡，晶格的晶格層面距離沿著表面的特別是連續(xù)的變化是這樣的，即超鏡在其表面上具有晶格層面距離的直的、互相平行的等值線(xiàn)。這樣的超鏡的表面同樣例如可以構(gòu)造為矩形，其中等值線(xiàn)可以垂直于超鏡的縱向而延伸。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，關(guān)于射線(xiàn)源這樣布置超鏡，使得等值線(xiàn)垂直于X 射線(xiàn)的中央射線(xiàn)在超鏡上的投影。這在具有一維的以及具有二維的可變的晶格層面距離的超鏡的情況下是有利的。在X射線(xiàn)源這樣定位的情況下，保證了 X射線(xiàn)的特別有效的反射， 從而可以產(chǎn)生高強(qiáng)度的準(zhǔn)單色的X射線(xiàn)。如果如上所述超鏡是矩形的并且等值線(xiàn)垂直于縱向，則當(dāng)X射線(xiàn)的中央射線(xiàn)的投影平行于縱向時(shí)是有利的。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，這樣布置超鏡，使得其在垂直于其表面的方向上是可以調(diào)節(jié)的。以這種方式可以利用同一個(gè)的超鏡選擇地反射不同的能量帶。由此在X射線(xiàn)成像中的不同應(yīng)用是可能的。以?xún)?yōu)選方式，超鏡由材料鎳和碳的組合或者由材料鉬和硅的組合或者由材料鎢和硅的組合形成。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，晶格具有至少為0. 02nm最高為0. 25nm的晶格層面距離。以這種方式可以根據(jù)需要反射在40keV和90keV之間的量子能量或能量帶。合適地，傳輸或吸收多色的X射線(xiàn)的其他部分，S卩，沒(méi)有借助布拉格反射被反射的部分。為了防止X射線(xiàn)傷害位于X射線(xiàn)裝置之外的設(shè)備或人員，在超鏡的背面上涂覆或覆蓋高吸收的材料，特別是鉛。以這種方式吸收全部未反射的X射線(xiàn)。替換鉛，還可以例如使用鎢或鉬。本發(fā)明還包括一種具有用于產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的X射線(xiàn)裝置和X射線(xiàn)探測(cè)器的醫(yī)學(xué)放射線(xiàn)照相-X射線(xiàn)拍攝系統(tǒng)?！斑B續(xù)的變化”在此理解為變化的函數(shù)，其滿(mǎn)足數(shù)學(xué)上的連續(xù)標(biāo)準(zhǔn)并且沒(méi)有跳變。 即變化可以是例如線(xiàn)性的或指數(shù)的。


以下借助在附圖中示意性示出的實(shí)施例、在并不由此將本發(fā)明限制到這些實(shí)施例的條件下詳細(xì)解釋本發(fā)明以及其他優(yōu)選實(shí)施方式。附圖中圖1示出了具有和沒(méi)有濾波器的公知X射線(xiàn)源的量子能量的視圖，圖2示出了按照現(xiàn)有技術(shù)在布拉格條件下X射線(xiàn)到晶格的反射的視圖，圖3示出了擊中具有晶格層面距離的二維變化的超鏡的X射線(xiàn)的透視圖，圖4示出了通過(guò)具有晶格層面距離的二維變化的超鏡的截面，圖5示出了按照本發(fā)明的醫(yī)學(xué)X射線(xiàn)拍攝系統(tǒng)的視圖，圖6示出了具有晶格層面距離的二維變化的超鏡的俯視圖，圖7示出了具有晶格層面距離的一維變化的超鏡的俯視圖，圖8示出了具有在垂直于表面的兩個(gè)位置擊中的X射線(xiàn)的超鏡的表面的側(cè)面視圖，圖9示出了公知的X射線(xiàn)源的量子能量與按照本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置相比較的視圖，圖10示出了超鏡的第一示例性設(shè)置，和圖11示出了超鏡的另一個(gè)示例性設(shè)置。
具體實(shí)施例方式圖1示出了按照現(xiàn)有技術(shù)的通常的多色X射線(xiàn)源的X射線(xiàn)韌致譜，其中實(shí)線(xiàn)示出未濾波的X射線(xiàn)譜而虛線(xiàn)和點(diǎn)劃線(xiàn)示出利用銅濾波器(Kupfer-Filter)濾波的X射線(xiàn)譜。 所有的X射線(xiàn)譜利用X射線(xiàn)源的大約IOOkV的相似管電壓來(lái)產(chǎn)生。點(diǎn)劃線(xiàn)的X射線(xiàn)譜利用比虛線(xiàn)更強(qiáng)的濾波來(lái)產(chǎn)生。通過(guò)使用濾波器，使得X射線(xiàn)譜的低能量部分淡出；然而也會(huì)強(qiáng)烈降低強(qiáng)度。在產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)時(shí)，即，其量子能量限制到主要為KkeV或更少的能量帶的X射線(xiàn)，只剩下如此少的強(qiáng)度，使得在全圖像拍攝中，只能對(duì)非常薄的對(duì)象成像。X射線(xiàn)譜的最高能量由管電壓確定。圖2示出了 X射線(xiàn)的所謂的布拉格反射。結(jié)晶材料的原子6布置在具有一般是規(guī)則的固定的晶格層面距離d的晶格層面7內(nèi)。當(dāng)X射線(xiàn)5的波長(zhǎng)λ滿(mǎn)足以下條件η λ = 2dsine，其中n是任意整數(shù)，以入射角θ入射的X射線(xiàn)5正好反射。所有其他波長(zhǎng)被傳輸或吸收。本發(fā)明利用布拉格反射借助具有一個(gè)平的表面的反射器從多色X射線(xiàn)中產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)，該反射器具有晶格的晶格層面距離的垂直于表面(“局部的”)和同時(shí)沿著表面的連續(xù)變化。該反射器還可以稱(chēng)為所謂的多層超鏡(multilayeredsupermirror)。通過(guò)垂直于表面的晶格層面距離d的連續(xù)變化(漸次)，借助布拉格反射不是僅反射唯一一個(gè)波長(zhǎng)，而是反射相應(yīng)于各個(gè)X射線(xiàn)擊中的各個(gè)晶格層面距離的整個(gè)范圍，即能量帶。通過(guò)沿著表面的變化，在點(diǎn)狀的X射線(xiàn)源和超鏡的平的表面的情況下，在X射線(xiàn)的入射角沿著表面改變的情況下，確保了恒定的反射的能量帶。晶格層面距離的垂直于表面的變化例如是這樣的，即，X射線(xiàn)的直到15keV的能量帶被反射。在此，變化例如可以高斯形狀地圍繞平均值分布，其中平均值相應(yīng)于例如50keV或70keV的反射的能量。(垂直于表面的)“局部的” 變化從現(xiàn)有技術(shù)中例如在構(gòu)造望遠(yuǎn)鏡時(shí)是公知的。
如圖3所示，除了垂直于表面的(未示出的)變化，晶格層面距離沿著超鏡1的表面12變化。超鏡1的表面12例如構(gòu)造為具有縱向和橫向的矩形形狀。在此這樣連續(xù)地構(gòu)造晶格層面距離沿著表面的變化，使得在表面12上存在圓弧形的等值線(xiàn)15，S卩，具有相同的晶格層面距離的線(xiàn)。按照一種變形，等值線(xiàn)15例如可以構(gòu)造為具有共同的、位于超鏡的表面的層面中的中心的圓弧線(xiàn)組成的截面。該中心例如可以在縱向上設(shè)置在超鏡的第一末端之外或之上。在這種情況下，X射線(xiàn)裝置的X射線(xiàn)源優(yōu)選在超鏡上方的層面中的這樣的位置中，即，到超鏡的表面的層面上的垂直投影恰好落在圓弧線(xiàn)的中心中。然而與該幾何特征不同也是可能的。從由X射線(xiàn)源2發(fā)送的X射線(xiàn)形成的X射線(xiàn)扇形在超鏡上具有擊中平面13。擊中平面13在其靠近X射線(xiàn)源的第一末端擊中另一個(gè)、特別是比其遠(yuǎn)離X射線(xiàn)源的第二末端更小的晶格層面距離。特別地，晶格層面距離沿著擊中表面從第一末端到第二末端連續(xù)改變?yōu)楦蟮木Ц駥用婢嚯x。晶格層面距離的垂直于表面的未示出的變化產(chǎn)生準(zhǔn)單色能量帶， 即，布拉格-尖峰變寬(參見(jiàn)圖9)，而沿著表面的變化使得總是保持相同的能量帶。在圖6 中以俯視圖示出了超鏡1的表面，其中，連續(xù)變化的方向14徑向地從通過(guò)X射線(xiàn)源2到超鏡1的層面上的投影形成的中心16出發(fā)延伸。圖4示出了在縱向從第一末端到第二末端(圖3中用虛線(xiàn)表示)通過(guò)圖3的超鏡 1的截面，其中還示出，不同的X射線(xiàn)在不同的位置并且由此在不同的晶格層面距離的情況下?lián)糁斜砻?2。反射的X射線(xiàn)5. 1這樣延伸，使得就像X射線(xiàn)從通過(guò)X射線(xiàn)源2在表面12 的鏡像形成的虛擬X射線(xiàn)源8出發(fā)。在X射線(xiàn)源2和表面12的層面之間形成高度距離H 和長(zhǎng)度距離L。沒(méi)有示出的又是晶格層面距離的垂直于表面存在的變化。圖7示出了本發(fā)明的另一種構(gòu)造。對(duì)于超鏡1的簡(jiǎn)化制造，在方向14上從靠近X 射線(xiàn)源的第一末端到其遠(yuǎn)離X射線(xiàn)源的第二末端，沿著表面這樣構(gòu)造晶格層面距離的連續(xù)變化，使得等值線(xiàn)15在這種情況下構(gòu)造為直的且平行的。圖9以實(shí)線(xiàn)示出了按照本發(fā)明具有雙重變化的X射線(xiàn)裝置的X射線(xiàn)譜看起來(lái)是如何的；與之相比，虛線(xiàn)示出常規(guī)的X射線(xiàn)輻射器的、利用銅濾波器濾波的X射線(xiàn)譜。利用按照本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置產(chǎn)生的X射線(xiàn)譜是準(zhǔn)單色的并且展現(xiàn)出突出的最大值，該突出的最大值具有例如10至15keV的有限的量子能量帶上的小的強(qiáng)度損失；其余的能量幾乎沒(méi)有強(qiáng)度。借助這樣的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)譜可以在良好實(shí)現(xiàn)的質(zhì)量的情況下進(jìn)行利用X射線(xiàn)射擊(一次曝光)的全域X射線(xiàn)拍攝(Vollfeld-R0ntgenaufnahmen)。圖5示例性示出了放射線(xiàn)照相-X射線(xiàn)拍攝系統(tǒng)10，其具有按照本發(fā)明的帶有多色射線(xiàn)源2和超鏡1的X射線(xiàn)裝置。反射的X射線(xiàn)5. 1穿透對(duì)象11并且然后擊中X射線(xiàn)探測(cè)器3。X射線(xiàn)裝置可以固定地或可動(dòng)地安裝。例如可以與X射線(xiàn)探測(cè)器一起布置在例如以C弧形式的支架上。其他的布置，例如具有移動(dòng)的X射線(xiàn)探測(cè)器，也是可能的。在拍攝X射線(xiàn)圖像期間，在多色射線(xiàn)源2和超鏡之間的布置不可移動(dòng)。然而在兩次拍攝之間完全可以設(shè)置一個(gè)調(diào)整。按照本發(fā)明的實(shí)施方式，這樣布置超鏡，使得其垂直于晶體表面是可以調(diào)整的。這樣的調(diào)整導(dǎo)致選擇的準(zhǔn)單色能量帶改變，從而借助這樣的可調(diào)整的X射線(xiàn)裝置也可以在不更換超鏡的情況下可以選擇各個(gè)不同的能量帶。圖8示出了這樣的調(diào)整9和其對(duì)入射的X射線(xiàn)5的位置和由此擊中平面的作用。通過(guò)擊中平面的偏移， X射線(xiàn)分別擊中另一個(gè)晶格層面距離；由此也反射不同的能量帶。可以設(shè)置調(diào)整裝置，從而例如可以借助電機(jī)來(lái)自動(dòng)地控制調(diào)整。超鏡例如可以由材料鎳和碳的組合或者由材料鉬和硅的組合或者由材料鎢和硅的組合形成。這些材料可以以簡(jiǎn)單方式以可變的晶格層面距離被涂覆，例如沉積或涂層。為了產(chǎn)生這樣的可變的晶格層面距離，例如產(chǎn)生人造的晶體結(jié)構(gòu)。用于制造這樣的層的例子， 由 A· Ivan et al.的文章"Design and optimization ofmultilayer coatings for hard χ-ray mirrors，，，Proceedings of SPIE, Vol. 3773,1999, Denver Colorado，從第 107 頁(yè)及其后中公開(kāi)。晶格的在至少0. 02nm和最高0. 25nm之間的晶格層面距離的構(gòu)造是特別有利的， 因?yàn)橐赃@種方式可以反射在40keV和90keV之間的量子能量。在超鏡背面上例如可以利用鉛涂覆或覆蓋。以這種方式，不反射的X射線(xiàn)被吸收并且不會(huì)在超鏡的背面上進(jìn)一步傳播和在那里導(dǎo)致設(shè)備和人員傷害。按照本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，通過(guò)(與從大約50keV至IOOkeV的“正常管電壓” 相比)高出超過(guò)lOOkeV、例如或150keV( “高壓管”)的更高管電壓，可以提高確定的能量的量子數(shù)，因?yàn)楦倪M(jìn)了 X射線(xiàn)裝置的效率。然而該提高的缺陷在于，通過(guò)布拉格公式的周期性還反射更高階的量子(兩倍/三倍...能量；例如在50keV還有IOOkeV和150keV 的情況下)。在示例性的X射線(xiàn)裝置中超鏡可以長(zhǎng)30cm、寬IOcm并且具有在0. 05nm和0. 22nm 之間的晶格層面距離。在X射線(xiàn)的在分別兩個(gè)方向上的7°的開(kāi)放角的情況下并且在X射線(xiàn)源與超鏡的表面的高度距離H = 12mm以及長(zhǎng)度距離L = 0的情況下，如圖10所示形成擊中平面，在高度距離H = 16. 9mm的情況下如圖11所示。借助按照本發(fā)明的X射線(xiàn)裝置可以明顯提高性能，即，每個(gè)采用的患者劑量(每個(gè)患者的X射線(xiàn)劑量)的圖像質(zhì)量；在放射線(xiàn)照相中直到因數(shù)3。通過(guò)本發(fā)明，X射線(xiàn)強(qiáng)度損失小。無(wú)需如在按照現(xiàn)有技術(shù)的裝置中那樣進(jìn)行按照掃描方法的X射線(xiàn)拍攝，以獲得尚且足夠的強(qiáng)度。此外，能量的可控制性允許曝光參數(shù)與患者厚度的目前通常的匹配(“自動(dòng)的曝光調(diào)節(jié)”)?？梢匀缦潞?jiǎn)短概括本發(fā)明對(duì)于具有高的射線(xiàn)強(qiáng)度的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)，設(shè)置用于產(chǎn)生用于照射對(duì)象的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的X射線(xiàn)裝置，該X射線(xiàn)裝置具有用于發(fā)送多色X射線(xiàn)的點(diǎn)狀的射線(xiàn)源和用于衍射多色X射線(xiàn)的衍射裝置，該衍射裝置具有由帶有平的表面的結(jié)晶材料構(gòu)成的超鏡，在該超鏡中，結(jié)晶材料具有晶格的晶格層面距離的至少一個(gè)、特別是連續(xù)的變化，其中這樣布置射線(xiàn)源和衍射裝置，使得從多色X射線(xiàn)通過(guò)在超鏡上的部分反射產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)。優(yōu)選地，既有在沿著表面的至少一個(gè)方向上的晶格層面距離的連續(xù)變化而且還有垂直于表面的晶格層面距離的變化。
權(quán)利要求
1.一種用于產(chǎn)生用于照射對(duì)象的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的X射線(xiàn)裝置，具有-用于發(fā)送多色X射線(xiàn)(5)的點(diǎn)狀的射線(xiàn)源O)，和-用于衍射多色X射線(xiàn)的(5)衍射裝置，該衍射裝置具有由帶有平的表面(12)的結(jié)晶材料構(gòu)成的超鏡(1)，在該超鏡(1)中，所述結(jié)晶材料具有晶格的晶格層面距離(d)的至少一個(gè)連續(xù)的變化，其中，這樣布置所述射線(xiàn)源( 和衍射裝置，使得從所述多色X射線(xiàn)( 的一部分通過(guò)在超鏡上的布拉格反射產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)(5. 1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述結(jié)晶材料具有在沿著表面(12)的至少一個(gè)方向上晶格層面距離(d)的連續(xù)變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述結(jié)晶材料具有晶格層面距離(d) 的垂直于表面的變化。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述多色X射線(xiàn)(5)的其他部分被傳輸和/或吸收。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述準(zhǔn)單色X射線(xiàn)(5.1)具有至少40keV和最高90keV的量子能量。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線(xiàn)裝置，其中，晶格的晶格層面距離(d)沿著表面的特別是連續(xù)的變化是這樣的，即，所述超鏡(1)在其表面(1 上具有晶格層面距離(d)的直的、 互相平行的等值線(xiàn)(15)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線(xiàn)裝置，其中，晶格的晶格層面距離(d)沿著表面的特別是連續(xù)的變化是這樣的，即，所述超鏡(1)在其表面(1 上具有晶格層面距離(d)的圓弧形的等值線(xiàn)(15)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的X射線(xiàn)裝置，其中，關(guān)于所述射線(xiàn)源(2)這樣布置所述超鏡(1)，使得所述等值線(xiàn)(15)垂直于X射線(xiàn)的中央射線(xiàn)在所述超鏡(1)上的投影。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，這樣布置所述超鏡(1)，使得其在垂直于其表面(1 的方向上是可以調(diào)節(jié)的。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述超鏡(1)由材料鎳和碳的組合或者由材料鉬和硅的組合或者由材料鎢和硅的組合形成。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，所述超鏡(1)的晶格具有至少為0. 02nm最高為0. 25nm的晶格層面距離(d)。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的X射線(xiàn)裝置，其中，在所述超鏡(1)的背面上涂覆或覆蓋高吸收的材料，特別是鉛。
13.—種醫(yī)學(xué)放射線(xiàn)照相-X射線(xiàn)拍攝系統(tǒng)，具有按照權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的用于產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)(5. 1)的X射線(xiàn)裝置(4)，以及具有X射線(xiàn)探測(cè)器(3)。
全文摘要
對(duì)于具有高的射線(xiàn)強(qiáng)度的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)，設(shè)置用于產(chǎn)生用于照射對(duì)象的準(zhǔn)單色X射線(xiàn)的X射線(xiàn)裝置，該X射線(xiàn)裝置具有用于發(fā)送多色X射線(xiàn)的點(diǎn)狀的射線(xiàn)源和用于衍射多色X射線(xiàn)的衍射裝置，該衍射裝置具有由具有平的表面的結(jié)晶材料構(gòu)成的超鏡，在該超鏡中，結(jié)晶材料具有晶格的晶格層面距離的至少一個(gè)、特別是連續(xù)的變化，其中這樣布置射線(xiàn)源和衍射裝置，使得從多色X射線(xiàn)通過(guò)在超鏡上的部分反射產(chǎn)生準(zhǔn)單色X射線(xiàn)。
文檔編號(hào)A61B6/00GK102327119SQ20111014587
公開(kāi)日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月7日
發(fā)明者菲利普.伯恩哈特 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司