專利名稱：傾斜磁場線圈以及磁共振成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁共振成像(以下，稱作MRI)裝置，特別涉及在所述MRI裝置中使用的傾斜磁場線圈。
背景技術(shù)：
作為MRI裝置，提出了在攝像區(qū)域中形成水平方向的磁場的水平磁場型(隧道型)的MRI裝置。在該MRI裝置中，在攝像區(qū)域中生成均勻的磁場的靜磁場線圈(超導(dǎo)線圈等)被收納在中空圓筒型容器中，在該中空圓筒型容器的內(nèi)筒壁內(nèi)側(cè)(中空圓筒型容器的外部)，配置有在攝像區(qū)域中產(chǎn)生用于設(shè)定位置(信息)的脈沖狀的磁場(傾斜磁場)的傾斜磁場線圈、和激勵核自旋的RF線圈。在水平磁場型的MRI裝置的攝像區(qū)域中，在靜磁場線圈所生成的靜磁場中插入被檢體(通常為人體)，并照射RF線圈所生成的RF脈沖，由此來接收從被檢體的生物體內(nèi)產(chǎn)生的磁共振信號，取得醫(yī)療診斷用的被檢體的斷層圖像。此時，傾斜磁場線圈具有在放置了被檢體的攝像區(qū)域中，在中空圓筒型容器的軸方向(ζ軸方向)上產(chǎn)生線性地變化的傾斜磁場的ζ方向傾斜磁場線圈；產(chǎn)生在與該ζ軸垂直且與床平行的橫方向(χ軸方向)上線性地變化的傾斜磁場的χ方向傾斜磁場線圈；和產(chǎn)生在與床垂直的縱方向(y軸方向)上線性地變化的傾斜磁場的y方向傾斜磁場線圈。傾斜磁場線圈，通過對χ軸方向用的傾斜磁場線圈以及y軸方向用的傾斜磁場線圈施加脈沖狀的電流，來產(chǎn)生在各自的方向上傾斜的傾斜磁場，并對磁共振信號賦予被檢體內(nèi)的位置信息。傾斜磁場線圈在攝像區(qū)域以外也形成磁場(漏磁場)，該漏磁場使配置在周圍的中空圓筒型容器產(chǎn)生渦流。并且，該渦流所形成的磁場有時對斷層圖像產(chǎn)生不良影響，因此為了抑制漏磁場，在傾斜磁場線圈中，除了形成傾斜磁場的主線圈之外，還設(shè)置有流過與主線圈相反方向的電流的屏蔽線圈。傾斜磁場線圈，一般按照沿著收納靜磁場線圈的中空圓筒型容器的內(nèi)筒壁的方式，使與ζ軸垂直的剖面的形狀成為圓形，但為了減小被檢體、例如患者被插入內(nèi)筒壁內(nèi)時的壓迫感，提出了使圓形的剖面的形狀成為橫長(例如，參照專利文獻(xiàn)1)的技術(shù)方案。在專利文獻(xiàn)1中，傾斜磁場線圈的主線圈以及屏蔽線圈的與ζ軸垂直的剖面的形狀為橫長的橢圓形。此外，在專利文獻(xiàn)1中，提出了具備剖面形狀為橢圓形的主線圈、和配置在該主線圈的外側(cè)且其剖面形狀為圓形的屏蔽線圈的傾斜磁場線圈。在專利文獻(xiàn)2中，提出了傾斜磁場線圈的剖面形狀為非圓形的水平磁場型的MRI 裝置。該傾斜磁場線圈的主線圈，具有如下形狀與ζ軸垂直的剖面的形狀(剖面形狀)的下半部分為扁平的圓弧，上半部分為大致正圓形的圓弧。專利文獻(xiàn)2示出了在ζ方向上形成線性梯度的磁場的ζ方向傾斜磁場線圈的布線圖案的例子，示出了在主線圈與屏蔽線圈之間的間隔較狹的上側(cè)、和間隔較寬的下側(cè)，布線圖案的繞組密度不同的樣態(tài)。(在先技術(shù)文獻(xiàn))(專利文獻(xiàn))
專利文獻(xiàn)1 JP特開2001-327478號公報專利文獻(xiàn)2 JP特開2001-1700 號公報(發(fā)明要解決的課題)在ζ方向傾斜磁場線圈的主線圈和屏蔽線圈的剖面形狀都為同心圓的圓形的情況下，主線圈和屏蔽線圈的布線圖案，成為按照ζ軸貫通的方式配置的螺線管狀線圈的布線圖案。另一方面，如專利文獻(xiàn)2那樣，在ζ方向傾斜磁場線圈的主線圈的剖面形狀為非圓形，屏蔽線圈的剖面形狀為圓形的情況下，主線圈與屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同，存在較窄的區(qū)域和較寬的區(qū)域。在較窄的區(qū)域中，與較寬的區(qū)域相比，主線圈和屏蔽線圈的一方的線圈在配置了另一方的線圈的區(qū)域中形成的磁場變大。因此，僅用螺線管狀線圈的布線圖案無法形成主線圈和屏蔽線圈，還追加形成通過收納靜磁場線圈的中空圓筒型容器的中心(裝置中心)，跨越與ζ軸垂直的剖面，且ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈。像這樣，若螺線管狀線圈和環(huán)狀線圈混合存在，則由連接螺線管狀線圈和環(huán)狀線圈的布線圖案的渡線產(chǎn)生多余的磁場。該渡線所產(chǎn)生的磁場隨時間而變動，因此在周圍的中空圓筒型容器中引起渦流，可以認(rèn)為該渦流所形成的磁場對MRI裝置的斷層圖像產(chǎn)生不良影響。此外，若螺線管狀線圈和環(huán)狀線圈混合存在，則它們的連接部分的制作性惡化。并且，若僅著眼于螺線管狀線圈部分，則存在一周的電流路徑不在同一平面上的情況，必須設(shè)置用于確保加工精度的機構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第1目的在于，提供一種即使主線圈與屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同，存在較窄的區(qū)域和較寬的區(qū)域，也能夠不使用ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈地用螺線管狀線圈構(gòu)成布線圖案的傾斜磁場線圈以及具備這樣的傾斜磁場線圈的MRI裝置。此外，本發(fā)明的第2目的在于，提供一種即使在ζ方向傾斜磁場線圈的主線圈的剖面形狀為非圓形，屏蔽線圈的剖面形狀為圓形的情況下(即使主線圈與屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同，存在較窄的區(qū)域和較寬的區(qū)域)，也具有主線圈在制造上容易且螺線管狀線圈與環(huán)狀線圈不混合存在的線圈圖案的傾斜磁場線圈以及具備這樣的傾斜磁場線圈的 MRI裝置。(解決課題的手段)達(dá)成前述第1目的的本發(fā)明的特征在于，一種傾斜磁場線圈，具備大致螺線管狀的第1線圈(主線圈)，其在磁共振成像裝置的攝像區(qū)域中在軸方向上形成線性的磁場分布；和大致螺線管狀的第2線圈(屏蔽線圈)，其在所述第1線圈(主線圈)的外側(cè)，配置于在所述攝像區(qū)域中形成均勻的磁場分布的靜磁場的靜磁場線圈裝置的內(nèi)側(cè)，抑制從所述第1線圈(主線圈)向所述靜磁場線圈裝置的漏磁場，所述第1線圈(主線圈)與所述第2線圈(屏蔽線圈)的間隔，在圓周方向上不同，具有第1區(qū)域(寬區(qū)域)和與所述第1區(qū)域相比所述間隔較窄的第2區(qū)域(窄區(qū)域)，在所述第1線圈(主線圈)中，通過所述第1線圈(主線圈)的中心且與所述軸方向垂直的零面?zhèn)鹊牟季€圖案，在所述寬區(qū)域中遠(yuǎn)離所述零面，在所述窄區(qū)域中接近所述零面，在所述圓周方向上蜿蜒。此外，本發(fā)明的特征在于，一種具有本發(fā)明所涉及的傾斜磁場線圈、和與所述傾斜磁場線圈接近地配置的所述靜磁場線圈裝置的MRI裝置。此外，達(dá)成前述第2目的的本發(fā)明的特征在于，一種水平磁場型的MRI裝置，其具備產(chǎn)生靜磁場的環(huán)形的靜磁場線圈；在靜磁場線圈的環(huán)形的開口部中移動的床裝置；和生成磁場強度形成傾斜梯度的傾斜磁場的傾斜磁場線圈，傾斜磁場線圈具有在攝像區(qū)域中生成傾斜磁場的傾斜磁場主線圈(主線圈)；和抑制所生成的傾斜磁場泄露到傾斜磁場線圈的外部的傾斜磁場屏蔽線圈(屏蔽線圈)，傾斜磁場主線圈與所述傾斜磁場屏蔽線圈的間隔，被配置為在圓周方向上不同，在作為床裝置的行進(jìn)方向的Z軸方向上生成傾斜磁場的Z傾斜磁場主線圈，在與Z軸垂直的平面上具有其電流流路，是將該電流流路在Z軸方向上堆積而成的螺線管狀線圈。(發(fā)明的效果)根據(jù)本發(fā)明的第1特征，能夠提供一種即使主線圈與屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同，存在窄區(qū)域和寬區(qū)域，也能夠不使用ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈地構(gòu)成布線圖案的傾斜磁場線圈，并且，能夠提供搭載了該傾斜磁場線圈的MRI裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明的第2特征，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。此夕卜，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定， 因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。


圖IA是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖IB是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2 線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖2是本發(fā)明的第1實施方式所涉及的磁共振成像裝置的立體圖。圖3是將本發(fā)明的第1實施方式所涉及的磁共振成像裝置在包含y軸和ζ軸的平面上切斷后的剖面圖。圖4是將本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖5A是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的χ主線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖5B是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的χ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖6A是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的y主線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。
圖6B是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的y屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖7是對比較例1的傾斜磁場線圈的ζ主線圈和ζ屏蔽線圈進(jìn)行透視而記載的立體圖。圖8A是表示比較例1的傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖8B是表示比較例1的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖9A是表示比較例2的傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖9B是表示比較例2的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖IOA是對比較例2的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈進(jìn)行透視而記載的立體圖(其
1用ζ坐標(biāo)的正負(fù)來分割環(huán)狀線圈)。圖IOB是對比較例2的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈進(jìn)行透視而記載的立體圖(其
2將環(huán)狀線圈與螺線管線圈連接)。圖IlA是對本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)進(jìn)行透視而記載的立體圖。圖IlB是對本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2線圈)進(jìn)行透視而記載的立體圖。圖12A是將本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖12B是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖12C是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2 線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖13A是將本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖1 是表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖13C是表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2 線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖14A是將本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖14B是表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖14C是表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2 線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖15A是將本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖15B是表示本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第1線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖15C是表示本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2 線圈)的布線圖案的展開圖的一半的圖。圖16A是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖16B是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖17是表示將本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。圖18A是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的χ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖18B是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的χ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖19A是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的y主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖19B是表示本發(fā)明的第6實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的y屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖20是表示ζ傾斜磁場線圈所形成的磁通密度ζ分量的圖，(a)是本發(fā)明的第6 實施方式的ζ傾斜磁場線圈的情況，(b)是比較例2的ζ傾斜磁場線圈的情況，(c)是繪制了從攝像區(qū)域的中心部分向軸方向延伸的線段上的磁通密度的ζ分量的圖。圖21表示本發(fā)明的第6實施方式的ζ主線圈的布線圖案的一部分，(a)是顯示了在ζ方向上堆積的橢圓形電流流路的連接部的布線圖案，(b)是表示ζ主線圈的導(dǎo)體的一部分的圖。圖22表示本發(fā)明的第6實施方式的ζ屏蔽線圈的布線圖案的一部分，(a)是顯示了在ζ方向上堆積的橢圓形電流流路的連接部的布線圖案，(b)是表示ζ主線圈的導(dǎo)體的一部分的圖。圖23表示本發(fā)明的第7實施方式的ζ傾斜磁場線圈，(a)是ζ傾斜磁場線圈的剖面圖，(b)是表示ζ傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖，(c)是表示 ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖M表示本發(fā)明的第8實施方式的ζ傾斜磁場線圈，(a)是ζ傾斜磁場線圈的剖面圖，(b)是表示ζ傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖，(c)是表示 ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖25表示本發(fā)明的第9實施方式的ζ傾斜磁場線圈，(a)是ζ傾斜磁場線圈的剖面圖，(b)是表示ζ傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖，(c)是表示 ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。圖沈表示本發(fā)明的第10的實施方式的ζ傾斜磁場線圈，(a)是ζ傾斜磁場線圈的剖面圖，(b)是表示ζ傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖，(c)是
9表示ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖的1/2的圖。
具體實施例方式接下來，適當(dāng)參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在各圖中，對共同的部分賦予相同符號并省略重復(fù)的說明。(第1實施方式)在圖2中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的磁共振成像(MRI)裝置100的立體圖。MRI裝置100具有在躺在床41上的狀態(tài)下插入被檢體40的攝像區(qū)域(攝像空間)7 中生成均勻的靜磁場的靜磁場線圈裝置1 ；為了對攝像區(qū)域7賦予位置信息而在空間上脈沖狀地產(chǎn)生磁場強度產(chǎn)生了傾斜梯度的傾斜磁場的傾斜磁場線圈2 ；對被檢體40照射高頻脈沖的RF線圈3 ；接收來自被檢體40的磁共振信號的接收線圈(省略圖示)；和對接收到的磁共振信號進(jìn)行處理并顯示所述斷層圖像的計算機系統(tǒng)(省略圖示)。并且，根據(jù)MRI裝置100，利用對放置在均勻的靜磁場中的被檢體40照射了高頻脈沖時所產(chǎn)生的核磁共振現(xiàn)象，能夠得到表示被檢體40的物理的、化學(xué)的性質(zhì)的斷層圖像，該斷層圖像特別被用作醫(yī)療用。靜磁場線圈裝置1、傾斜磁場線圈2、RF線圈3為筒狀，筒狀的中心軸相互大體一致， 向著ζ軸方向。在此，將與床41向所述筒狀內(nèi)部的進(jìn)入方向平行的方向(靜磁場的方向) 作為ζ軸。另外，y軸方向被設(shè)定為垂直方向向上。χ軸方向被設(shè)定為水平方向，并且，被設(shè)定為將螺絲從ζ軸方向向y軸方向轉(zhuǎn)動時螺絲的前進(jìn)方向。靜磁場線圈裝置1的外周由作為中空圓筒型容器的真空容器6構(gòu)成。在作為中空圓筒型容器的真空容器6的內(nèi)筒壁內(nèi)側(cè) (中空圓筒型容器的外部)配置有傾斜磁場線圈2和RF線圈3。傾斜磁場線圈2具有配置在攝像區(qū)域7側(cè)的主線圈2a、和配置在真空容器6側(cè)的屏蔽線圈2b。主線圈加在攝像區(qū)域7中產(chǎn)生傾斜磁場，但在作為中空圓筒型容器的真空容器6中，也產(chǎn)生所謂的漏磁場。為了抑制向該作為中空圓筒型容器的真空容器6的漏磁場，在屏蔽線圈2b中，流過與主線圈加相反方向的電流。主線圈加具有產(chǎn)生在ζ軸方向上線性地變化的傾斜磁場的ζ主線圈9z ；產(chǎn)生在 χ軸方向上線性地變化的傾斜磁場的χ主線圈9x ；和產(chǎn)生在y軸方向上線性地變化的傾斜磁場的y主線圈9y。通過對ζ主線圈9z、x主線圈虹、和y主線圈9y分別施加脈沖狀的電流，能夠產(chǎn)生在相對應(yīng)的各自的方向上傾斜的傾斜磁場，并對磁共振信號賦予被檢體40內(nèi)的位置信息。屏蔽線圈2b具有抑制ζ主線圈9z所產(chǎn)生的漏磁場的ζ屏蔽線圈IOz ；抑制χ主線圈虹所產(chǎn)生的漏磁場的χ屏蔽線圈IOx ；和抑制y主線圈9y所產(chǎn)生的漏磁場的y屏蔽線圈IOy。在圖3中，示出將本發(fā)明的第1實施方式所涉及的MRI裝置100在包含y軸和ζ軸的平面上切斷后的剖面圖。MRI裝置100是在攝像區(qū)域7中形成的靜磁場8的方向為水平方向(ζ軸方向)的水平磁場型MRI裝置。此外，如前述那樣，按照相互成為直角的方式設(shè)定 χ軸、y軸、和ζ軸，原點設(shè)定在攝像區(qū)域7的中心即作為中空圓筒型容器的真空容器6的中心附近。在靜磁場線圈裝置1中，按照相對于ζ = 0面左右(ζ < 0和ζ > 0的部分)成對的方式，設(shè)置有靜磁場主線圈la、和抑制靜磁場向周圍的泄露的靜磁場屏蔽線圈lb。這些線圈la、lb分別為以ζ軸為共同的中心軸的圓環(huán)形狀。與靜磁場主線圈Ia的外徑相比，靜磁場屏蔽線圈Ib的內(nèi)徑更大。此外，在這些線圈la、lb中，多利用超導(dǎo)線圈，在此情況下， 線圈la、Ib被收納在3層構(gòu)造的容器內(nèi)。首先，線圈la、lb與制冷劑的液體氦(He) —起收納在氦容器4內(nèi)。氦容器4內(nèi)含在阻斷向內(nèi)部的熱輻射的輻射屏蔽5中。然后，作為中空圓筒型容器的真空容器6收納氦容器4以及輻射屏蔽5，同時將內(nèi)部保持為真空。真空容器 6即使配置在普通室溫的室內(nèi)，也由于真空容器6內(nèi)為真空，因此室內(nèi)的熱不會通過傳導(dǎo)或?qū)α鞫鴤鬟f給氦容器4。此外，輻射屏蔽5抑制了室內(nèi)的熱通過輻射而從真空容器6傳遞給氦容器4。因此，線圈la、Ib能夠穩(wěn)定地設(shè)定為作為液體氦的溫度的極低溫，能夠發(fā)揮超導(dǎo)電磁石的功能。在氦容器4、輻射屏蔽5、和真空容器6中，為了不產(chǎn)生不必要的磁場而使用非磁性的部件，并且，出于容易保持真空保持的目的而使用非磁性的金屬。因此，在氦容器 4和輻射屏蔽5中，特別是配置在最外周的真空容器6中，處于容易產(chǎn)生所述渦流的狀況。傾斜磁場線圈2具有筒狀的形狀，按照內(nèi)置RF線圈3和攝像區(qū)域7的方式配置。 傾斜磁場線圈2的外筒壁按照沿著作為中空圓筒型容器的真空容器6的內(nèi)筒壁而對置的方式形成。RF線圈3也具有筒狀的形狀，按照內(nèi)置攝像區(qū)域7的方式配置。RF線圈3的外筒壁按照沿著傾斜磁場線圈2的內(nèi)筒壁而對置的方式形成。RF線圈3對攝像區(qū)域7照射高頻脈沖。接收線圈(省略圖示)接收來自被檢體40的磁共振信號，并發(fā)送到計算機系統(tǒng)(省略圖示)。計算機系統(tǒng)接受來自接收線圈的磁共振信號后，對該磁共振信號進(jìn)行處理來制作被檢體40的斷層圖像，并顯示在顯示裝置(未圖示)中。在圖4中，示出將本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2在包含χ軸和 y軸的平面上切斷后的剖面圖。在(傾斜磁場)主線圈加的外側(cè)，配置有(傾斜磁場)屏蔽線圈2b。(傾斜磁場)主線圈加的剖面形狀為橢圓形，(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的剖面形狀為(正)圓形。(傾斜磁場)主線圈加的中心軸和(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的中心軸為ζ軸方向，且相一致。在(傾斜磁場)主線圈加中，χ軸方向為長軸，y軸方向為短軸。因此，主線圈加與屏蔽線圈2b的間隔，在圓周方向(Θ方向)上不同，具有第1區(qū)域 (寬區(qū)域)A1、和與該寬區(qū)域Al相比，主線圈加與屏蔽線圈2b的間隔較窄的第2區(qū)域(窄區(qū)域)A2。在(傾斜磁場)主線圈加的橢圓形的短軸的延長線上產(chǎn)生第1區(qū)域(寬區(qū)域) Al，在(傾斜磁場)主線圈加的橢圓形的長軸的延長線上產(chǎn)生第2區(qū)域(窄區(qū)域)A2。另夕卜，θ是繞ζ軸的角度。從坐標(biāo)原點起將y軸負(fù)方向作為零弧度(θ =Orad)。同樣，將χ 軸正方向作為η Λ弧度(θ = ji/^rad)。將y軸正方向作為η弧度(θ = π rad)。將 χ軸負(fù)方向作為3 π/2弧度(θ = 3 π/2弧度)。由此，寬區(qū)域Al在θ為零弧度(Θ = Orad)和π弧度(Θ = Jirad)以及它們的附近產(chǎn)生。反之，窄區(qū)域A2在θ為Ji/2弧度 (θ = π /2rad)和3 π /2弧度(θ = 3 π/2弧度)以及它們的附近產(chǎn)生。并且，在主線圈加與屏蔽線圈2b的間隔較寬的區(qū)域Al內(nèi)的、θ為j!弧度(Θ = ^rad)的一側(cè)的區(qū)域中，設(shè)置有將外部電源和主線圈加相連接的連接布線對、25。此外， 在該相同的寬區(qū)域Al中設(shè)置有將外部電源和屏蔽線圈2b相連接的連接布線沈、27。若為寬區(qū)域Al，則能夠容易地配設(shè)連接布線M 27。主線圈加的χ主線圈9x、y主線圈9y、和ζ主線圈9z，夾持著省略了圖示的絕緣層而層疊。屏蔽線圈2b的χ屏蔽線圈10x、y屏蔽線圈10y、和ζ屏蔽線圈10ζ，也夾持著省略了圖示的絕緣層而層疊。
在圖5A中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的主線圈加的χ 主線圈9x的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。S卩，在圖5Α中，示出了 θ為0 π弧度的范圍，但省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的χ主線圈虹的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的χ主線圈虹的布線圖案，以與θ為π弧度(Θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案。由此可知，χ主線圈9χ具有4個漩渦狀的鞍型環(huán)狀線圈。在圖5Β中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的屏蔽線圈2b的 X屏蔽線圈IOx的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。S卩，在圖5Β中，示出了 θ為0 η弧度的范圍，但省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的χ屏蔽線圈IOx的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的χ屏蔽線圈IOx的布線圖案，以與 θ為η弧度(Θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案。由此可知，χ屏蔽線圈IOx具有4個漩渦狀的鞍型環(huán)狀線圈。在圖6Α中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的主線圈加的 y主線圈9y的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。在圖6Α中，也示出了 θ為0 π弧度的范圍，而省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的y主線圈 9y的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的y主線圈9y的布線圖案，以與θ為π弧度(θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案。由此可知，y主線圈9y具有4個漩渦狀的鞍型環(huán)狀線圈。y主線圈9y與將χ主線圈9x在ζ軸的周圍旋轉(zhuǎn)了 90度后的線圈大體一致。在圖6Β中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的屏蔽線圈2b的 y屏蔽線圈IOy的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。在圖6Β中，也示出了 θ為0 π 弧度的范圍，而省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的y屏蔽線圈IOy的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的y屏蔽線圈IOy的布線圖案，以與θ 為η弧度(θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案。由此可知，y屏蔽線圈IOy具有4個漩渦狀的鞍型環(huán)狀線圈。y屏蔽線圈IOy與將χ屏蔽線圈IOx 在ζ軸的周圍旋轉(zhuǎn)90度后的線圈大體一致。像這樣，χ主線圈9χ、χ屏蔽線圈10x、y主線圈9y、y屏蔽線圈IOy分別能夠由4 個所構(gòu)成的漩渦狀的鞍型環(huán)狀線圈來構(gòu)成。另外，在構(gòu)成漩渦狀的環(huán)狀線圈的多重環(huán)狀線圈中，連接相鄰的環(huán)狀線圈間的渡線省略了圖示。在圖IA中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的主線圈加的 ζ主線圈(第1線圈)9z的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。S卩，在圖IA中，示出了 θ 為0 π弧度的范圍，但省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的ζ主線圈(第1線圈)9ζ的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的ζ主線圈(第1線圈)9ζ的布線圖案，以與θ為π弧度(θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案。由此可知，ζ主線圈(第1線圈)如是ζ軸貫通的大致螺線管狀線圈。 ζ主線圈(第1線圈)9ζ，在MRI裝置100的攝像區(qū)域7中，形成強度在軸方向(ζ軸方向) 上線性地傾斜的磁場分布。在ζ主線圈(第1線圈)9ζ中，通過ζ主線圈(第1線圈)9ζ的中心且與軸方向 (ζ軸方向)垂直的零面FO (z = 0面)側(cè)的布線圖案17a、17b (在圖IA中由6條構(gòu)成的布線圖案)在寬區(qū)域Al ( θ =0，π附近)中遠(yuǎn)離零面F0(z = 0面)，在窄區(qū)域Α2(θ = ji/2 附近)中接近零面F0(z = 0面)，在圓周方向(Θ方向)上蜿蜒。布線圖案17a、17b的6條布線圖案內(nèi)、最接近零面FO (ζ = 0面)的零面FO (z = 0 面)的兩側(cè)的2條布線圖案，在寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)以外的、包含窄區(qū)域Α2(θ = η/2附近)在內(nèi)的圓周方向(Θ方向)的大部分區(qū)域中，接近零面？0(2 = 0面)。因此， 該2條布線圖案，在寬區(qū)域Α1(θ =0，π附近)中，在ζ軸方向發(fā)生了位移。布線圖案17a、17b的6條布線圖案內(nèi)、最遠(yuǎn)離零面FO (z = 0面)的零面FO (ζ = 0面)的兩側(cè)的2條布線圖案，在包含寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)在內(nèi)的圓周方向(Θ方向)的大部分區(qū)域中，遠(yuǎn)離零面FO (z = 0面)而接近布線圖案18a、18b，僅在窄區(qū)域Α2( θ =η/2附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)。因此，該2條布線圖案，在窄區(qū)域Α2( θ = ji/2 附近)中，在ζ軸方向上發(fā)生了位移。布線圖案17a、17b的6條布線圖案內(nèi)、最接近零面FO (ζ = 0面)的零面FO (z = 0 面)的兩側(cè)的2條布線圖案、和最遠(yuǎn)離零面FO (z = 0面)的零面FO (z = 0面)的兩側(cè)的2 條布線圖案所夾著的2條布線圖案，在包含寬區(qū)域Al ( θ =0, π附近)在內(nèi)的周邊的區(qū)域中，遠(yuǎn)離零面FO (z = 0面)而接近布線圖案18a、18b，在包含窄區(qū)域Α2( θ = π/2附近) 在內(nèi)的周邊的區(qū)域中，接近零面F0(z = 0面)。因此，該2條布線圖案，在寬區(qū)域Α1(θ = 0，JI附近)和窄區(qū)域Α2(θ = π/2附近)之間的區(qū)域中，在ζ軸方向上發(fā)生了位移。ζ主線圈(第1線圈)9ζ還具有遠(yuǎn)離零面F0(z = 0面)的外側(cè)的布線圖案18a、 18b。布線圖案18a、18b是由在圓周方向(θ方向)上大致直線狀的、多條圖案構(gòu)成的布線圖案。另外，ζ軸為正的一側(cè)的布線圖案17a、18a中流過的電流的方向，是θ方向的正方向，ζ軸為負(fù)的一側(cè)的布線圖案17b、18b中流過的電流的方向，是θ方向的負(fù)方向。此夕卜，連接相鄰的布線圖案17a、17b、18a、18b的渡線省略了的記載。在圖IB中，示出本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2的屏蔽線圈2b 的ζ屏蔽線圈(第2線圈)10z的布線圖案的θ方向的展開圖的一半。S卩，在圖IB中，示出了 θ為0 π弧度的范圍，但省略了 π 弧度的范圍的記載。θ為π 弧度的范圍的ζ屏蔽線圈(第2線圈)10ζ的布線圖案，是將θ為0 π弧度的范圍的ζ屏蔽線圈(第2線圈)IOz的布線圖案，以與θ為π弧度(θ = π)的ζ軸平行的直線為對稱線而折疊后的線對稱的布線圖案?？芍破帘尉€圈(第2線圈)102是2軸貫通的大致螺線管狀線圈。ζ屏蔽線圈(第2線圈)10ζ，在ζ主線圈(第1線圈)9ζ的外側(cè)，抑制從ζ 主線圈(第1線圈)9ζ向靜磁場線圈裝置1的漏磁場。在ζ屏蔽線圈(第2線圈)IOz中，布線圖案19內(nèi)的、軸方向(ζ軸方向)的外側(cè)和零面F0(z = 0面)側(cè)的布線圖案，平滑地蜿蜒。布線圖案19內(nèi)的、軸方向(ζ軸方向)的外側(cè)的布線圖案的包含窄區(qū)域Α2( θ = π/2附近)在內(nèi)的圓周方向(Θ方向)的周邊區(qū)域，與其他區(qū)域相比，靠近零面FO (z = 0面)方向。布線圖案19內(nèi)的、零面F0(z = 0面) 側(cè)的布線圖案的包含寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)在內(nèi)的圓周方向(Θ方向)的周邊區(qū)域， 與其他區(qū)域相比，靠近零面FO (z = 0面)方向。另外，ζ軸為正的一側(cè)的布線圖案19中流過的電流的方向，是θ方向的負(fù)方向，ζ軸為負(fù)的一側(cè)的布線圖案19中流過的電流的方向， 是θ方向的正方向。
在圖7中，示出對比較例1的傾斜磁場線圈的ζ主線圈11和ζ屏蔽線圈12進(jìn)行透視而記載的立體圖。在比較例1中，使用以ζ軸為共同的中心軸的ζ主線圈11和ζ屏蔽線圈12，ζ主線圈11和ζ屏蔽線圈12的與ζ軸垂直的面上的剖面形狀為圓形。因此，ζ主線圈11與ζ屏蔽線圈12的間隔，在圓周方向上固定，不具有寬區(qū)域Al和窄區(qū)域A2。在圖8A中，示出比較例1的傾斜磁場線圈的ζ主線圈11的布線圖案的展開圖的一半，在圖8B中，示出ζ屏蔽線圈12的布線圖案的展開圖的一半。在比較例1中，ζ主線圈11、ζ屏蔽線圈12的剖面形狀都為圓形，ζ主線圈11與ζ屏蔽線圈12的間隔在圓周方向上一樣(固定)，因此布線圖案也成為在圓周方向(Θ方向)上固定的圖案，成為由在圓周方向(Θ方向)上大致直線狀的、多條圖案構(gòu)成的布線圖案。在圖9A中，示出比較例2的傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案13、14的展開圖的一半，在圖9B中，示出比較例2的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈的布線圖案15、16的展開圖的一半。在比較例2中，與第1實施方式的圖4的ζ主線圈9z和ζ屏蔽線圈IOz同樣， ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的間隔在圓周方向上不同，具有寬區(qū)域Al和窄區(qū)域A2。在窄區(qū)域A2中，與寬區(qū)域Al相比，ζ主線圈9z和ζ屏蔽線圈IOz的一方的線圈，在配置有另一方的線圈的場所所產(chǎn)生的磁場變強。因此，按照用該另一方的線圈來抵消該磁場(重現(xiàn)其強度(不過，方向相反))的方式，若為ζ主線圈9z則如布線圖案14那樣，若為ζ屏蔽線圈IOz則如布線圖案16那樣，形成跨越零面FO (z = 0面)的環(huán)狀線圈。布線圖案14和16 的環(huán)狀線圈，是ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈。另外，布線圖案14以外的ζ主線圈9z的布線圖案 13、和布線圖案16以外的ζ屏蔽線圈IOz的布線圖案15，在圓筒面上或者橢圓筒面上形成在圓周方向(Θ方向)上蜿蜒的大致螺線管狀線圈。在比較例2中，如圖9A的布線圖案14和圖9B的布線圖案16那樣，形成了環(huán)狀線圈，但在第1實施方式中，如圖IA的ζ主線圈9z、和圖IB的ζ屏蔽線圈IOz所示那樣，沒有形成不貫通ζ軸的環(huán)狀線圈。像這樣，在第1實施方式中，在圖IA的ζ主線圈9z、和圖IB 的ζ屏蔽線圈IOz中不形成不貫通ζ軸的環(huán)狀線圈方面取得了成功。首先，針對圖IA的ζ主線圈9z的布線圖案17a、17b、18a、18b所形成的磁場在以下進(jìn)行詳述。在ζ坐標(biāo)為正(z>0)的區(qū)域中，布線圖案17a以及布線圖案18a的電流的方向，為θ方向的正方向，在ζ坐標(biāo)為負(fù)(ζ<0)的區(qū)域中，布線圖案17b以及布線圖案18b 的電流的方向，為θ方向的負(fù)方向。因此，在零面FO (z = 0面)上，磁通密度的ζ分量成為零(0) (T)。并且，形成越遠(yuǎn)離零面FO (z = 0面)則磁通密度的ζ分量越大的傾斜磁場。在寬區(qū)域Al ( θ =0, π附近)中，蜿蜒的布線圖案17a通過布線圖案18a的附近，蜿蜒的布線圖案17b通過布線圖案18b的附近，因此布線圖案17a和布線圖案17b遠(yuǎn)離。 因此，布線圖案17a和布線圖案17b所形成的磁場不相互抵消，起到增強布線圖案17a、18a 和布線圖案17b、18b所形成的磁場(傾斜磁場和漏磁場)的作用。另一方面，在窄區(qū)域Α2( θ = π/2附近)中，蜿蜒的布線圖案17a和布線圖案17b 接近。因此，布線圖案17a和布線圖案17b所形成的磁場相互抵消，不會增強布線圖案17a、 18a和布線圖案17b、18b所形成的磁場(傾斜磁場和漏磁場)。因此，從ζ主線圈9z向外側(cè)的ζ屏蔽線圈IOz的方向離開一定距離的位置上的θ 方向的磁場的輪廓，寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)比窄區(qū)域Α2(θ = π/2附近)大。換言之，相對于離窄區(qū)域Α2(θ = π/2附近)中的ζ主線圈9ζ某距離上的磁場(漏磁場)，在寬區(qū)域Α1(θ =0，π附近)中，在比該距離更遠(yuǎn)(大)的距離的位置上，存在形成與該磁場(漏磁場)大小相等的磁場(漏磁場)的位置。即，在遠(yuǎn)離ζ主線圈9ζ的外側(cè)的ζ主線圈9ζ的區(qū)域中，存在ζ主線圈9ζ所生成的磁場(漏磁場)的圓周方向(Θ方向)的分布大致均勻的環(huán)狀的區(qū)域。并且，在該環(huán)狀的區(qū)域中，配置有ζ屏蔽線圈10ζ。ζ屏蔽線圈IOz 只要抑制(屏蔽)圓周方向(Θ方向)的分布大致均勻的磁場(漏磁場)即可，因此能夠用大致螺線管線圈容易地形成。即，在窄區(qū)域Α2(θ = π/2附近)和寬區(qū)域Α1(θ =0, π 附近)中，根據(jù)ζ主線圈9ζ與ζ屏蔽線圈IOz的間隔的大小，來調(diào)節(jié)布線圖案17a和布線圖案17b的蜿蜒的程度和條數(shù)，由此能夠?qū)ⅵ破帘尉€圈IOz形成為剖面形狀為大致圓形的螺線管線圈形狀。例如，在圖IA中，布線圖案17a和布線圖案17b各為3圈(條)，但只要 ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的最大間隔和最小間隔的差(窄區(qū)域Α2( θ = π/2附近) 和寬區(qū)域Al (θ =0，π附近)的間隔的差)越大，則越增加蜿蜒的圈數(shù)即可。根據(jù)第1實施方式，由于ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不具有環(huán)狀線圈，因此能夠?qū)⑦B接布線圖案間的渡線的引繞抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的多余的渦流，而且， 制造也變得容易。因此，在后述中，對連接布線圖案間的渡線等的連接布線進(jìn)行說明。首先，為了與第1實施方式進(jìn)行比較，針對圖9Β所示的比較例2的ζ屏蔽線圈，對連接相鄰的布線圖案 15,16間的渡線等的連接布線進(jìn)行說明。在圖IOA中，示出對比較例2的ζ屏蔽線圈進(jìn)行透視而記載的立體圖。在圖IOA 中，用ζ坐標(biāo)的正負(fù)(用零面F0(z = 0面))對布線圖案16 (16a、16b)的環(huán)狀線圈進(jìn)行了分害I]。比較例2的ζ屏蔽線圈，在寬區(qū)域Α1( θ = π附近)中，用連接布線20、21與外部連接。從連接布線20流入電流，從連接布線21流出電流。從連接布線20流入的電流，首先， 流過布線圖案15a(15)。多個布線圖案15a(15)的相互間，由渡線觀來連接。電流在流過布線圖案之后，經(jīng)由與布線圖案15a(15)大致平行的引繞線(連接布線)22，而流過環(huán)狀線圈的上側(cè)的布線圖案16a(16)。然后，將電流的方向從θ方向的負(fù)的方向變?yōu)檎姆较?，流過環(huán)狀線圈的下側(cè)的布線圖案16b(16)。接著，電流流過引繞線22，并流入到布線圖案15b(15)。多個布線圖案1恥(15)的相互間，由渡線觀來連接。布線圖案15b(15) 與連接布線21連接，電流從布線圖案1恥(15)流出到連接布線21。如圖1OA所示，引繞線22每4條接近地配置，每2條中各自的電流的方向相反，因此幾乎不由它們生成磁場，但由于以導(dǎo)體寬度的間隔而相互分離，因此生成微弱的磁場。該微弱的磁場與在攝像區(qū)域7中形成的磁場(傾斜磁場)相比可以無視，但相對于ζ屏蔽線圈IOz的徑方向外側(cè)的原本磁場被遮蔽的區(qū)域的磁場(漏磁場)則無法無視。因此，該磁場所產(chǎn)生的對周圍的構(gòu)造物的渦流影響，與不考慮圈間的連接的情況相比，變大為無法無視的程度。在圖IOB中，也示出對比較例2的ζ屏蔽線圈進(jìn)行透視而記載的立體圖。在圖IOB 中，布線圖案16的環(huán)狀線圈，與相鄰的布線圖案15(1如、1恥)，在相互最接近的位置經(jīng)由連接布線23a、2 而連接。圖IOB所示的ζ屏蔽線圈，也在寬區(qū)域Al ( θ = π附近)中，通過連接布線20、21與外部連接。從連接布線20流入電流，從連接布線21流出電流。從連接布線20流入的電流，首先，流過布線圖案15a(15)。多個布線圖案15a(15)的相互間通過渡線觀而連接。電流在流過與布線圖案16的環(huán)狀線圈接近的布線圖案15a(15)的途中，經(jīng)由與布線圖案大致垂直的連接布線23a，流過環(huán)狀線圈的布線圖案16，并返回到布線圖案15a(15)。然后，流過布線圖案之后，電流將方向從θ方向的負(fù)的方向變?yōu)檎姆较?，并流過布線圖案15b(15)。電流在流過與布線圖案16的環(huán)狀線圈接近的布線圖案1恥(15)的途中，經(jīng)由與布線圖案1恥(15)大致垂直的連接布線23b，流過環(huán)狀線圈的布線圖案16，并返回到布線圖案15b(15)。電流流過布線圖案15b(15)。多個布線圖案 15b (15)的相互間通過渡線觀而連接。布線圖案15b (15)與連接布線21連接，電流從布線圖案15b (15)流出到連接布線21。如圖IOB所示，連接布線23a、23b，由于能夠縮短布線長度，故而能將渦流的影響抑制在最小限度，但若環(huán)狀線圈的布線圖案16成為2圈O圈)以上，則2條連接布線23a 中的1條、和2條連接布線23b中的1條，與環(huán)狀線圈的布線圖案16交叉。該交叉在窄區(qū)域Α2(θ = π/^3 π Λ附近)中產(chǎn)生，ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的間隔變得最窄，只要使用一條線圈絞線用一個繞組來形成，則在空間上沒有使布線交叉的空余。接下來，針對圖IA所示的第1實施方式的ζ主線圈9ζ，對連接相鄰的布線圖案 17 (17a、17b)、18 (18a、18b)間的渡線等的連接布線進(jìn)行說明。在圖IlA中，示出對本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ主線圈(第 1線圈)9z進(jìn)行透視而記載的立體圖。第1實施方式的Z主線圈9z，在寬區(qū)域Α1(θ = JI 附近)中，通過連接布線對、25與外部連接。從連接布線M流入電流，從連接布線25流出電流。從連接布線M流入的電流，首先，流過布線圖案18b。多個布線圖案18b的相互間，通過渡線觀而連接。電流在流過布線圖案18b之后，經(jīng)由渡線觀，流過蜿蜒的布線圖案17b。 然后，電流流過渡線觀，將方向從θ方向的負(fù)的方向，變?yōu)檎姆较?，并流過蜿蜒的布線圖案17a。接著，電流流過渡線28，流入到布線圖案18a。多個布線圖案18a的相互間通過渡線觀而連接。布線圖案18a與連接布線25連接，電流從布線圖案18a流出到連接布線25。如圖IlA所示，所有的渡線觀能夠設(shè)置在寬區(qū)域Α1(θ = π附近)中，并能夠與連接布線M接近地配置為大致平行。流過渡線觀的電流的方向，大體朝向ζ軸方向的正的方向，因此與流過連接布線M的電流的方向相反，幾乎不由它們產(chǎn)生磁場。此外，連接布線M雖然與布線圖案17a、17b、18a、18b以及渡線觀交叉，但該交叉在寬區(qū)域Al ( θ = ji 附近)中產(chǎn)生，因此ζ主線圈9z與ζ屏蔽線圈IOz的間隔變得最寬，能夠容易地確保使布線交叉的空間上的余地。接下來，針對圖IB所示的第1實施方式的ζ屏蔽線圈10z，對連接相鄰的布線圖案 19間的渡線等的連接布線進(jìn)行說明。在圖IlB中，示出對本發(fā)明的第1實施方式所涉及的傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈(第2線圈)IOz進(jìn)行透視而記載的立體圖。第1實施方式的ζ屏蔽線圈10z，在寬區(qū)域 AK θ = π附近)中，通過連接布線沈、27與外部連接。從連接布線沈流入電流，從連接布線27流出電流。從連接布線沈流入的電流，首先流過布線圖案19a(19)。多個布線圖案19a的相互間，通過渡線28而連接。然后，在流過布線圖案19a(19)之后，電流流過渡線 28，將方向從θ方向的負(fù)的方向變?yōu)檎姆较?，并流過布線圖案19b(19)。多個布線圖案 19b (19)的相互間，通過渡線觀而連接。布線圖案19b(19)與連接布線27連接，電流從布線圖案19b流出到連接布線27。如圖IlB所示，所有的渡線觀能夠設(shè)置在寬區(qū)域Α1(θ = π附近)中，并能夠與連接布線27接近地配置為大致平行。流過渡線28的電流的方向，大體朝向ζ軸方向的負(fù)的方向，因此與流過連接布線27的電流的方向相反，幾乎不由它們產(chǎn)生磁場。此外，連接布線27雖然與布線圖案19(19a、19b)以及渡線觀交叉，但由于該交叉在寬區(qū)域Al ( θ = π 附近)中產(chǎn)生，因此ζ主線圈9ζ與ζ屏蔽線圈IOz的間隔變得最寬，能夠容易地確保空間上使布線交叉的余地。如前述那樣，根據(jù)第1實施方式，ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不生成不貫通 ζ軸的環(huán)狀線圈，從而能夠?qū)⑦B接圈間的連接布線的引繞距離抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的多余的渦流，也能夠容易地制造。通過如本實施方式那樣配置傾斜磁場屏蔽線圈2b(10X、10y、10Z)，能夠抑制傾斜磁場主線圈h(9X、9y、9z)所生成的脈沖狀的磁場泄露到傾斜磁場線圈的外部的情況，能夠抑制在覆蓋靜磁場線圈裝置1的容器(氦容器、輻射屏蔽、真空容器)中產(chǎn)生渦流，并能夠得到希望的傾斜磁場分布。此外，通過在傾斜磁場主線圈與靜磁場線圈裝置1之間配置傾斜磁場屏蔽線圈2b，能夠抑制靜磁場線圈裝置1中流過的電流和從傾斜磁場主線圈加泄露的磁場所產(chǎn)生的振動電磁力導(dǎo)致的靜磁場線圈裝置1的振動，能夠防止在攝像區(qū)域中形成的均勻磁場隨時間而變動。(第2實施方式)在圖12A中，示出將本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2A在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。第2實施方式的傾斜磁場線圈2A與第1實施方式的傾斜磁場線圈2的不同點在于，主線圈2a、特別是ζ主線圈9z的剖面形狀成為跑道形狀。不過，ζ主線圈9z的剖面形狀與第1實施方式同樣，χ軸方向(水平方向)的寬度成為最大寬度，因此在被檢體40 (參照圖2、仰臥的情況下，能夠在肩寬方向上具有余地地插入，因此能夠提高被檢體40對MRI裝置100 (參照圖2)所感到的寬敞感。(傾斜磁場)主線圈加的中心軸與(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的中心軸成為ζ軸方向，且相一致。在(傾斜磁場)主線圈加的所述跑道形狀的短軸的延長線上產(chǎn)生第1區(qū)域(寬區(qū)域)A1，在(傾斜磁場)主線圈加的跑道形狀的長軸的延長上線上產(chǎn)生第2區(qū)域(窄區(qū)域)A2。此外，與第1實施方式同樣，ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔根據(jù)圓周方向(Θ方向)而不同，χ軸上 (Θ = Ji/2，3 π/2(窄區(qū)域A2))的ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的間隔，比y軸上(Θ = 0，η (寬區(qū)域Al))的間隔窄。在圖12Β中，示出本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2Α的ζ主線圈 (第1線圈)9ζ的布線圖案17a、17b、18a、18b的展開圖的一半。在第2實施方式中，也與第1實施方式同樣，在寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)中，接近外側(cè)的大致螺線管線圈形狀的布線圖案18a和18b，在窄區(qū)域Α2( θ = π/2附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成繞ζ 軸向θ方向前進(jìn)且在ζ軸方向上蜿蜒的大致螺線管狀線圈的布線圖案17a、17b。在圖12C中，示出本發(fā)明的第2實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2A的ζ屏蔽線圈 (第2線圈)IOz的布線圖案19的展開圖的一半。在第2實施方式中，也第1實施方式同樣，ζ屏蔽線圈IOz形成不生成ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈的大致螺線管狀線圈的布線圖案19。根據(jù)第2實施方式，與第1實施方式同樣，ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不生成環(huán)狀線圈，從而能夠?qū)⑦B接圈間的連接布線的引繞抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的渦流，并且，制造變得容易。
(第3實施方式)在圖13A中，示出將本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2B在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。第3實施方式的傾斜磁場線圈2B與第1實施方式的傾斜磁場線圈2的不同點在于，在主線圈加、特別是ζ主線圈9z的剖面形狀中，成為使短軸所通過的周邊的圓弧部分為橢圓形狀，并使該橢圓形狀的長軸所通過的周邊的圓弧部分成為使該橢圓形狀向y軸方向膨脹那樣的曲率不同的圓弧的、組合了多個具有不同的曲率的圓弧的形狀。即，在與(傾斜磁場)主線圈加的軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀，以橢圓形為基礎(chǔ)，使該橢圓形的長軸的兩端周邊的圓弧部分，成為向該橢圓形的短軸方向膨脹那樣的圓弧。(傾斜磁場)主線圈加的中心軸、和(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的中心軸， 成為ζ軸方向，且相一致。在(傾斜磁場)主線圈加的橢圓形的短軸的延長線上產(chǎn)生第1 區(qū)域(寬區(qū)域)A1，在(傾斜磁場)主線圈加的橢圓形的長軸的延長上產(chǎn)生第2區(qū)域(窄區(qū)域)A2。不過，ζ主線圈9z的剖面形狀，與第1實施方式同樣，χ軸方向(水平方向)的寬度為最大寬度，因此在被檢體40 (圖2參照)仰臥的情況下，由于能夠在肩寬方向上留有余地地插入，因此能夠提高被檢體40對MRI裝置100(參照圖2)所感到的寬敞感。此外， 與第1實施方式同樣，ζ主線圈9z與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔根據(jù)圓周方向(θ方向) 而不同，χ軸上(θ = π/2，3 π/2(窄區(qū)域Α2))的ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的間隔， 比y軸上(Θ =0，π (寬區(qū)域Al))上的間隔窄。在圖13Β中，示出本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2Β的ζ主線圈 (第1線圈)9ζ的布線圖案17a、17b、18a、18b的展開圖的一半。在第3實施方式中，也第1 實施方式同樣，在寬區(qū)域Α1( θ =0，π附近)中，接近外側(cè)的大致螺線管線圈形狀的布線圖案l&i和18b，在窄區(qū)域Α2(θ = Ji/2附近)中，接近零面F0(z = 0面)，形成繞ζ軸向 θ方向前進(jìn)且在ζ軸方向上蜿蜒的大致螺線管狀線圈的布線圖案17a、17b。在圖13C中，示出本發(fā)明的第3實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2B的ζ屏蔽線圈 (第2線圈)IOz的布線圖案19的展開圖的一半。在第3實施方式中，也與第1實施方式同樣，ζ屏蔽線圈IOz形成不生成ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈的大致螺線管狀線圈的布線圖案19。根據(jù)第3實施方式，與第1實施方式同樣，ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不生成環(huán)狀線圈，從而由于能夠?qū)⑦B接圈間的連接布線的引繞抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的渦流，并且，制造變得容易。(第4實施方式)在圖14Α中，示出將本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2C在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。第4實施方式的傾斜磁場線圈2C與第1實施方式的傾斜磁場線圈2的不同點在于，主線圈加、特別是ζ主線圈9z的剖面形狀為圓形形狀，ζ主線圈9z的圓形形狀的中心與ζ屏蔽線圈IOz的圓形形狀的中心不一致，不是同心圓，成為各自的圓形形狀的中心在y軸方向上偏離(圓形的中心位置不同)的形狀。不過，與第1實施方式同樣，ζ主線圈9z與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔根據(jù)圓周方向(θ方向)而不同， y軸上(θ = 窄區(qū)域A2))的ζ主線圈如與2屏蔽線圈IOz的間隔，比y軸上(Θ = 0(寬區(qū)域Al))的間隔窄。S卩，在(傾斜磁場)主線圈加和(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的中心軸偏離的方向的進(jìn)退兩個方向中的一方產(chǎn)生了第1區(qū)域(寬區(qū)域)Al，在另一方產(chǎn)生了第 2區(qū)域(窄區(qū)域)A2。
在圖14B中，示出本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2C的ζ主線圈 (第1線圈)9ζ的布線圖案17a、17b、18a、18b的展開圖的一半。在第4實施方式中，也與第 1實施方式同樣，在寬區(qū)域Α1( θ =0附近)中，接近外側(cè)的大致螺線管線圈形狀的布線圖案18a和18b，在窄區(qū)域Α2(θ = π附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成繞ζ軸向θ 方向前進(jìn)且在ζ軸方向上蜿蜒的大致螺線管狀線圈的布線圖案17a、17b。在第1 第3實施方式中，ζ主線圈9z的剖面形狀相對于yz面、xz面為面對稱， 因此與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔為最大間隔的區(qū)域(寬區(qū)域)Al存在于θ =0、θ = π 這2處，在各個寬區(qū)域Al中，蜿蜒的布線圖案17a、17b接近于大致螺線管線圈狀的布線圖案18a、18b，而在第4實施方式中，與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔成為最大間隔的區(qū)域(寬區(qū)域)Al為θ =0這1處，因此該寬區(qū)域Al僅在一處，蜿蜒的布線圖案17a、17b接近大致螺線管線圈狀的布線圖案18a、18b。在圖14C中，示出本發(fā)明的第4實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2C的ζ屏蔽線圈 (第2線圈)IOz的布線圖案19的展開圖的一半。在第4實施方式中，也與第1實施方式同樣，ζ屏蔽線圈IOz形成不生成ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈的大致螺線管狀線圈的布線圖案19。根據(jù)第4實施方式，與第1實施方式同樣，ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不生成環(huán)狀線圈，從而由于能夠?qū)⑦B接圈間的連接布線的引繞抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的渦流，并且，制造變得容易。(第5實施方式)在圖15Α中，示出將本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2D在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。第5實施方式的傾斜磁場線圈2D與第1實施方式的傾斜磁場線圈2的不同點在于，主線圈2a、特別是ζ主線圈9z的剖面形狀，在上部和下部組合了曲率不同的圓弧。使下部的圓弧的(曲率)半徑比上部的圓弧大。并且，使y軸的正的區(qū)域的開口面積比負(fù)的區(qū)域的開口面積大。即，在與(傾斜磁場)主線圈加的軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀，以圓形為基礎(chǔ)，使該圓形的大致下半部分的圓弧部分，成為比該圓形的半徑大的半徑的圓弧。(傾斜磁場)主線圈加的剖面形狀的基礎(chǔ)圓形和(傾斜磁場)屏蔽線圈2b的剖面形狀的圓形的中心一致。在(傾斜磁場)主線圈加的基礎(chǔ)圓形一側(cè)產(chǎn)生第2區(qū)域(窄區(qū)域)A2，在比(傾斜磁場)主線圈加的基礎(chǔ)圓形的半徑大的半徑的圓弧一側(cè)產(chǎn)生第1區(qū)域(寬區(qū)域)Al。由此，在被檢體40仰臥的情況下，能夠使下部的圓弧與被檢體40的后背相吻合，并且，在被檢體40的臉部的前方能夠確保充分的空間。此外， 與第1實施方式同樣，ζ主線圈9z與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔根據(jù)圓周方向(θ方向) 而不同，y軸上(θ = η (窄區(qū)域Α2))的ζ主線圈如與ζ屏蔽線圈IOz的間隔比y軸上 (Θ =0(寬區(qū)域Al))的間隔窄。在圖15B中，示出本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2D的ζ主線圈 (第1線圈)9ζ的布線圖案17a、17b、18a、18b的展開圖的一半。在第5實施方式中，也與第 1實施方式同樣，在寬區(qū)域Α1( θ =0附近)中，接近外側(cè)的大致螺線管線圈形狀的布線圖案18a和18b，在窄區(qū)域Α2(θ = π附近)中，接近零面FO (ζ = 0面)，形成繞ζ軸向θ 方向前進(jìn)且在ζ軸方向上蜿蜒的大致螺線管狀線圈的布線圖案17a、17b。在第5實施方式中，與第4實施方式同樣，與ζ屏蔽線圈IOz之間的間隔成為最大間隔的區(qū)域(寬區(qū)域)Al為θ =0這1處，因此該寬區(qū)域Al，僅在一處，蜿蜒的布線圖案17a、17b接近大致螺線管線圈狀的布線圖案18a、18b。在圖15C中示出本發(fā)明的第5實施方式所涉及的傾斜磁場線圈2D的ζ屏蔽線圈 (第2線圈)IOz的布線圖案19的展開圖的一半。在第5實施方式中，也與第1實施方式同樣，ζ屏蔽線圈IOz形成不生成ζ軸不貫通的環(huán)狀線圈的大致螺線管狀線圈的布線圖案19。根據(jù)第5實施方式，與第1實施方式同樣地，ζ主線圈9ζ和ζ屏蔽線圈IOz都不生成環(huán)狀線圈，從而由于能夠?qū)⑦B接圈間的連接布線的引繞抑制在最小限度，因此能夠減小在周圍的構(gòu)造物中生成的渦流，并且，制造變得容易。(第6實施方式)以下，利用圖16Α、圖16Β、圖17、圖18Α、圖18Β、圖19Α以及圖19Β，對本發(fā)明的其
他實施方式的水平磁場型的MRI裝置進(jìn)行說明。本實施方式的MRI裝置，具有將第1實施方式的MRI裝置中的傾斜磁場線圈2替換為傾斜磁場線圈2Ε的構(gòu)成。對于本實施方式的傾斜磁場線圈2Ε，利用圖17進(jìn)行說明。 圖17是將本實施方式的傾斜磁場線圈2Ε在包含χ軸和y軸的平面上切斷后的剖面圖。傾斜磁場線圈2E配置在真空容器6的外部且比真空容器6更接近攝像區(qū)域7的位置。該傾斜磁場線圈2E，從接近攝像空間7的一側(cè)開始依次具有傾斜磁場主線圈9 (9x、 9y、9z)、傾斜磁場屏蔽線圈10(10X、10y、10z)。本實施方式所示的傾斜磁場線圈2E的剖面形狀，是傾斜磁場主線圈9(9x、9y、9z)為橢圓形、傾斜磁場屏蔽線圈10 (10x、10y、IOz)為圓形的情況。傾斜磁場主線圈9(9x、9y、9z)具有χ軸方向為長軸、y軸方向為短軸的橢圓形狀。傾斜磁場線圈2E形成相對于與靜磁場8平行的磁場分量，分別在χ軸方向、y軸方向、 ζ軸方向上線性地變化的傾斜磁場。具體來說，傾斜磁場主線圈9由在χ軸方向生成傾斜磁場的X傾斜磁場主線圈(X主線圈)9x、在y軸方向生成傾斜磁場的y傾斜磁場主線圈(y 主線圈)9y、在ζ軸方向生成傾斜磁場的ζ傾斜磁場主線圈(ζ主線圈)9z構(gòu)成，在各自的剖面方向上隔著絕緣層而層疊。傾斜磁場屏蔽線圈10由抑制傾斜磁場主線圈9所生成的磁場泄露到傾斜磁場線圈2E的外部的χ傾斜磁場屏蔽線圈(χ屏蔽線圈)10x、y傾斜磁場屏蔽線圈(y屏蔽線圈)10y、z傾斜磁場屏蔽線圈(ζ屏蔽線圈)IOz構(gòu)成，分別在剖面方向上夾持絕緣層而層疊。χ傾斜磁場線圈的χ主線圈虹以及χ屏蔽線圈IOx分別在相對于ζ = 0對稱面、 χ = 0對稱面分別對稱的位置配置4個具有漩渦狀鞍型的形狀的線圈(漩渦狀鞍型線圈)。 Y傾斜磁場線圈的y主線圈9y以及y屏蔽線圈10y，與χ傾斜磁場線圈形狀不同，是將χ傾斜磁場線圈相對于ζ軸旋轉(zhuǎn)了 90度的形狀。接著，利用圖16Α、圖16Β、圖18Α、圖18Β、圖19Α以及圖19Β，對本實施方式的傾斜
磁場線圈2Ε的布線圖案進(jìn)行說明。χ傾斜磁場線圈的χ主線圈9χ(圖18Α)、χ屏蔽線圈 10χ(圖18Β)分別是具有漩渦狀的鞍型的形狀的線圈(鞍型線圈)。此外，y傾斜磁場線圈的y主線圈9y (圖19A)、y屏蔽線圈IOy (圖19B)也分別是漩渦狀的鞍型線圈。以上的χ 傾斜磁場線圈以及y傾斜磁場線圈的布線圖案，雖然圈數(shù)與傾斜磁場主線圈以及傾斜磁場屏蔽線圈的剖面形狀為圓形的情況不同，但成為幾乎相同的漩渦狀鞍型線圈。在此，沒有顯示連接各自的電流回路的連接部。另一方面，本實施方式的ζ傾斜磁場線圈10的布線圖案，與傾斜磁場線圈的剖面形狀為圓形的現(xiàn)有技術(shù)的ζ主線圈以及ζ屏蔽線圈的布線圖案相比有很大不同。在描述其差別時，作為本實施方式的傾斜磁場線圈與比較例1(圖7、圖8A、圖8B)以及比較例2(圖 9A以及圖9B)的差別在以下進(jìn)行說明。比較例1，如圖7所示，ζ主線圈、ζ屏蔽線圈的剖面形狀都為圓形，因此ζ主線圈的布線圖案11 (圖8A)和Z屏蔽線圈的布線圖案12 (圖8B)所形成的磁場分布在圓周方向上一樣。因此，比較例1的這兩個布線圖案在與ζ軸垂直的面內(nèi)具有圓形的電流流路，形成將該電流流路在ζ方向堆積而成的螺線管狀線圈。在圖7、圖8A、圖8B中，沒有顯示連接相鄰的圓形的電流流路的連接部。接著，作為比較例2，針對作為x-y平面的剖面形狀中的ζ傾斜磁場線圈的布線圖案，利用圖9Α、圖9Β來進(jìn)行說明。在圖9Α中示出比較例2的ζ主線圈的布線圖案13、14的展開圖，在圖9Β中示出比較例2的ζ屏蔽線圈的布線圖案15、16的展開圖。這是如專利文獻(xiàn)2所記載的那樣的、存在主線圈與屏蔽線圈的間隔較窄的部分和較寬的部分的情況，在間隔較窄的χ方向上，各個線圈所形成的磁場變強。因此，在比較例2中，按照重現(xiàn)該磁場的方式，若為ζ主線圈則如布線圖案14那樣，若為ζ屏蔽線圈則為布線圖案16那樣，形成跨越ζ = 0面的環(huán)。此外，除此之外的ζ主線圈的布線圖案13、ζ屏蔽線圈的布線圖案15， 在圓筒面上或者橢圓筒面上形成繞ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀線圈。在圖9Α，圖9Β中，與圖 7、圖8Α、圖8Β同樣，沒有顯示連接相鄰的電流流路的連接部。利用圖16Α、圖16Β、圖21以及圖22對本實施方式的傾斜磁場線圈的ζ主線圈進(jìn)行說明。在圖16Α中示出本實施方式的傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的展開圖，在圖 16Β中示出ζ屏蔽線圈的布線圖案的展開圖。本實施方式是圖17所示的剖面形狀(x-y平面上的剖面形狀)中的ζ傾斜磁場線圈的布線圖案。ζ主線圈的布線圖案117，如圖16A所示，在與ζ軸垂直的面內(nèi)具有在χ方向上橫長的橢圓形的電流流路，形成將該電流流路在ζ 方向上堆積而成的螺線管狀線圈。另一方面，ζ屏蔽線圈的布線圖案118，如圖16B所示，在圓筒面上形成繞ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀線圈，布線圖案119形成跨越Z = O面的環(huán)。像這樣，ζ屏蔽線圈，具有在ζ軸方向上在磁共振成像裝置的中心附近形成為鞍狀(形成環(huán))，在形成為鞍狀的區(qū)域外在圓筒面上形成為繞ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀的布線圖案。換言之， ζ屏蔽線圈，如圖22(a)所示，沿著床裝置41的行進(jìn)方向依次具有在圓筒面上形成為繞ζ 軸蜿蜒的大致螺線管狀的布線部；形成為鞍狀的布線部；在圓筒面上形成為繞ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀的布線部。在本實施方式的圖16A、圖16B中也沒有顯示連接相鄰的電流流路的連接部。根據(jù)本實施方式，ζ主線圈在與ζ軸垂直的面內(nèi)具有在χ方向上橫長的橢圓形的電流流路，通過采用將該電流流路在ζ方向上堆積而成螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。 此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于Z主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小， 因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。以下，通過比較ζ傾斜磁場線圈所形成的磁通密度來確認(rèn)該效果。圖20(a)示出了 XZ面上的比較例2的Z傾斜磁場線圈所形成的磁通密度的Z分量的等高線。等高線的寬度在1 (mT)以上、-l(mT)以下為l(mT)間隔，除此之外為0. 1 (mT)間隔。圖20(b)是本實施方式中的磁通密度ζ分量的等高線。這兩者幾乎為相同的分布，為了更詳細(xì)地比較，如圖20 (c)那樣示出對從攝像區(qū)域的中心部向軸方向延伸的線段上的磁通密度ζ分量進(jìn)行了繪制而得到的圖。在圖20(c)中，用菱形繪制的是比較例2的分布，用正方形繪制的是本實施方式的分布，用三角形繪制的是理想分布。從軸方向的某位置zm上的理想分布可知，本實施方式的值小于比較例2的值，本實施方式的ζ傾斜磁場線圈形成高精度的磁場分布。關(guān)于以上說明了的本實施方式的ζ傾斜磁場線圈的構(gòu)造在以下進(jìn)行說明。圖 21 (a)是標(biāo)注了在ζ方向上堆積的橢圓形電流流路的連接部來顯示了本實施方式的ζ傾斜磁場線圈的ζ主線圈的布線圖案的圖。電流流過與ζ軸平行且設(shè)置在y方向上的連接布線 120，從2 < 0的區(qū)域的橢圓形流路的布線流過ζ > 0的橢圓形流路的布線121，到達(dá)連接布線122。在此，連接部設(shè)置在χ方向、y方向的哪一個方向上都可以，但由于比起ζ主線圈與 Z屏蔽線圈的間隔較窄X方向，間隔較寬的y方向在設(shè)置空間上更充裕，因此設(shè)置在y方向上最為理想。圖21(b)示出了本實施方式的ζ主線圈的導(dǎo)體的一部分。導(dǎo)體123采用在內(nèi)部流動制冷劑124的構(gòu)造最為理想。其理由在以下說明。在攝像時，在傾斜磁場線圈的導(dǎo)體中流動的電流的振幅為數(shù)100(A)，對其進(jìn)行驅(qū)動的電壓為IOOO(V)程度，由于這樣的高電力，因此無法無視導(dǎo)體內(nèi)部的發(fā)熱量，必須設(shè)置對導(dǎo)體進(jìn)行冷卻的機構(gòu)。另一方面，配置在收納超導(dǎo)線圈的中空圓筒容器與攝像區(qū)域之間的傾斜磁場線圈的設(shè)置空間有限。因此， 優(yōu)選采用不需要另外設(shè)置冷卻管的本實施方式的構(gòu)造。以后，假設(shè)ζ傾斜磁場線圈由該導(dǎo)體構(gòu)成。ζ主線圈，如圖21 (a)所示，除了連接布線120之外，能夠使布線一次也不交叉地形成。另外，由于連接布線120被設(shè)置在設(shè)置空間充裕的y方向，因此設(shè)置空間上不成問題。 另一方面，ζ屏蔽線圈由于大致上螺線管狀布線與環(huán)狀布線混合存在，故而布線交叉。因此， 產(chǎn)生無法收納在設(shè)置空間中的部分。以下，對其解決方法進(jìn)行說明。圖22 (a)是標(biāo)注了連接部地顯示了本實施方式的ζ傾斜磁場線圈的ζ屏蔽線圈的布線圖案的圖。電流流過與ζ軸平行且設(shè)置在y方向上的連接布線125，從2 > 0的區(qū)域的大致螺線管狀布線1 經(jīng)由環(huán)狀布線127a，流過ζ < 0的大致螺線管狀布線以及環(huán)狀布線 127b，到達(dá)連接布線128。在此，與ζ主線圈同樣，連接部設(shè)置在χ方向、y方向的哪一個方向都可以，但由于比起ζ主線圈與ζ屏蔽線圈的間隔較窄的χ方向，間隔較寬的y方向在設(shè)置空間上更充裕，因此設(shè)置在y方向最為理想。此外，在本實施方式中，環(huán)狀布線127a與ζ > 0的區(qū)域的大致螺線管狀布線連接，環(huán)狀布線127b與ζ < 0的區(qū)域的大致螺線管狀布線連接，但也可以將環(huán)狀布線127a與ζ < 0的區(qū)域的大致螺線管狀布線連接，將環(huán)狀布線127b 與ζ >0的區(qū)域的大致螺線管狀布線連接。圖22(b)示出了本實施方式的ζ屏蔽線圈的導(dǎo)體形狀的一部分。ζ屏蔽線圈如圖22(a)所示，通過大致螺線管狀線圈與環(huán)狀線圈的組合而形成。大致螺線管狀的部分，能夠采用像導(dǎo)體1 那樣在導(dǎo)體內(nèi)部流動制冷劑124的構(gòu)造，但若想要在環(huán)狀導(dǎo)體130的部分使用導(dǎo)體1 的構(gòu)造，則在從外側(cè)漩渦狀地卷繞導(dǎo)體并到達(dá)中心之后朝向外側(cè)時，布線會發(fā)生交叉，因此無法收納在傾斜磁場線圈的設(shè)置空間中。 因此，由切掉了作為不流過電流的區(qū)域的槽之后的薄板狀的導(dǎo)體來形成環(huán)狀線圈。將該環(huán)狀線圈與螺線管狀線圈電接合來形成ζ屏蔽線圈。此時，按照電流從導(dǎo)體1 流入到導(dǎo)體 130的方式，在導(dǎo)體130的附近設(shè)置絕緣層131。像這樣，在ζ屏蔽線圈內(nèi)，對于成為大致螺線管狀的部分，在內(nèi)部流動制冷劑來使其具有冷卻功能，對于成為環(huán)的部分，通過使用薄的導(dǎo)體，能夠使傾斜磁場線圈的設(shè)置空間充裕。根據(jù)本實施方式，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向堆積而成的螺線管狀，能夠使導(dǎo)體的布線簡單化。此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的ζ位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。根據(jù)本實施方式，因為與實施方式1同樣地具備傾斜磁場屏蔽線圈10x、10y、10z， 所以能夠抑制傾斜磁場主線圈9x、9y、9z所生成的脈沖狀的磁場泄露到傾斜磁場線圈的外部的情況，能夠抑制在覆蓋靜磁場線圈裝置1的容器(氦容器、輻射屏蔽、真空容器)中產(chǎn)生渦流，并能夠得到希望的傾斜磁場分布。此外，通過在傾斜磁場主線圈與靜磁場線圈裝置 1之間配置傾斜磁場屏蔽線圈，能夠抑制在靜磁場線圈裝置1中流過的電流和從傾斜磁場主線圈泄露的磁場所產(chǎn)生的振動電磁力導(dǎo)致的靜磁場線圈裝置1的振動，能夠防止在攝像區(qū)域中形成的均勻磁場隨時間而變動。(第7實施方式)以下，利用圖23對本發(fā)明的其他實施方式的水平磁場型的MRI裝置進(jìn)行說明。本實施方式的MRI裝置具有將第6實施方式的MRI裝置中的傾斜磁場線圈2E替換為傾斜磁場線圈2F的構(gòu)成。S卩，在第6實施方式中，說明了傾斜磁場線圈2E之中傾斜磁場主線圈9的剖面形狀為橢圓形、傾斜磁場屏蔽線圈10的剖面形狀為圓形的情況，但本實施方式的傾斜磁場線圈2F，如圖23(a)所示，具有傾斜磁場主線圈9為跑道形狀，傾斜磁場屏蔽線圈10為圓形形狀的構(gòu)成。該傾斜磁場主線圈9具有χ軸方向為長軸、y軸方向為短軸的跑道形狀，因此進(jìn)一步提高了 MRI裝置的寬敞度。本實施方式的傾斜磁場線圈2F，傾斜磁場主線圈9與傾斜磁場屏蔽線圈10之間的間隔也根據(jù)圓周方向而不同，是χ軸上的傾斜磁場主線圈9與傾斜磁場屏蔽線圈10的間隔比y軸上的間隔窄的構(gòu)成。同樣，ζ主線圈與 ζ屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同。在圖23(a)中示出本實施方式的傾斜磁場線圈2F的剖面形狀，關(guān)于該剖面形狀所能得到的ζ傾斜磁場線圈，ζ主線圈具有圖23(b)所示的布線圖案，ζ屏蔽線圈具有圖23 (c) 所示的布線圖案。本實施方式，與第6實施方式同樣，ζ主線圈的布線圖案117能夠形成為將與ζ軸垂直的面內(nèi)的電流流路在ζ方向堆積而成的螺線管狀。此外，ζ屏蔽線圈與第6實施方式同樣，由成為大致螺線管狀的布線圖案118、和形成環(huán)的布線圖案119構(gòu)成。根據(jù)本實施方式，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。根據(jù)本實施方式，能夠獲得與第6實施方式同樣的效果。(第8實施方式)以下，利用圖M對本發(fā)明的其他實施方式的水平磁場型的MRI裝置進(jìn)行說明。本實施方式的MRI裝置，具有將第6實施方式的MRI裝置中的傾斜磁場線圈2E替換為傾斜磁場線圈2G的構(gòu)成。本實施方式的傾斜磁場線圈2G，如圖M (a)所示，具有如下構(gòu)成傾斜磁場主線圈9(9x、9y、9z)是對圓弧進(jìn)行了組合的形狀，傾斜磁場屏蔽線圈10(10x、 IOyUOz)是圓形形狀。該傾斜磁場主線圈9的剖面形狀，具有橢圓形狀和對該橢圓形狀的長軸部分進(jìn)一步組合了圓弧的形狀(組合了多個具有不同的曲率的圓弧的形狀)。像這樣， 關(guān)于本實施方式的傾斜磁場線圈2G，傾斜磁場主線圈9與傾斜磁場屏蔽線圈10之間的間隔也根據(jù)圓周方向而不同，是χ軸上的傾斜磁場主線圈9與傾斜磁場屏蔽線圈10的間隔比y 軸上的間隔窄的構(gòu)成。同樣，具有ζ主線圈與ζ屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同的形狀。在圖中示出本實施方式的傾斜磁場線圈2G的剖面形狀，關(guān)于以該剖面形狀所能得到的ζ傾斜磁場線圈，ζ主線圈具有圖24(b)所示的布線圖案，ζ屏蔽線圈具有如圖 24(b)所示的布線圖案。本實施方式，與第6實施方式同樣，ζ主線圈的布線圖案117能夠形成為將與ζ軸垂直的面內(nèi)的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀。此外，ζ屏蔽線圈與第6實施方式同樣，由成為大致螺線管狀的布線圖案118、和形成環(huán)的布線圖案119構(gòu)成。根據(jù)本實施方式，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。根據(jù)本實施方式，能夠獲得與第6實施方式同樣的效果。(第9實施方式)以下，利用圖25對本實施方式的其他實施方式的水平磁場型的MRI裝置進(jìn)行說明。本實施方式的MRI裝置具有將第6實施方式的MRI裝置中的傾斜磁場線圈2E替換為傾斜磁場線圈2H的構(gòu)成。本實施方式的傾斜磁場線圈2H，如圖25所示，傾斜磁場主線圈9(9x、9y、9z)以及傾斜磁場屏蔽線圈10 (10x、10y、IOz)的剖面形狀雖然都具有圓形形狀，但這些圓形不是同心圓，具有各個圓形的中心在y軸方向上偏離(圓形的中心位置不同)的形狀。本實施方式的傾斜磁場線圈2H也是傾斜磁場主線圈9與傾斜磁場屏蔽線圈 10之間的間隔根據(jù)圓周方向而不同的構(gòu)成。同樣，本實施方式的ζ主線圈、ζ屏蔽線圈的剖面形狀雖然都為圓形但不是同心圓，因此具有Z主線圈與Z屏蔽線圈的間隔在圓周方向上不同的形狀。在圖25(a)中示出本實施方式的傾斜磁場線圈2H的剖面形狀，關(guān)于該剖面形狀所能得到的ζ傾斜磁場線圈，ζ主線圈具有圖25(b)所示的布線圖案，ζ屏蔽線圈具有圖25(b) 所示的布線圖案。本實施方式，與第6實施方式同樣，ζ主線圈的布線圖案117能夠形成為將與ζ軸垂直的面內(nèi)的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀。此外，ζ屏蔽線圈由成為大致螺線管狀的布線圖案118和形成環(huán)的布線圖案119構(gòu)成。在第6、7、8的實施方式中，ζ主線圈剖面形狀相對于yz面、XZ面對稱，因此與ζ屏蔽線圈最近的區(qū)域存在+X方向、-X方向這兩處，在各自的區(qū)域中形成了 1個或者多個布線圖案119，但在本實施方式中，ζ主線圈與ζ屏蔽線圈最近的區(qū)域為+y方向1處，因此僅在該區(qū)域中形成布線圖案119。根據(jù)本實施方式，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外，在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。根據(jù)本實施方式，能夠獲得與第6實施方式同樣的效果。(第10實施方式)以下，利用圖沈?qū)Ρ景l(fā)明的其他實施方式的水平磁場型的MRI裝置進(jìn)行說明。本實施方式的MRI裝置，具有將第6實施方式的MRI裝置中的傾斜磁場線圈2E替換為傾斜磁場線圈21的構(gòu)成。本實施方式的傾斜磁場線圈21，如圖26(a)所示，具有如下構(gòu)成傾斜磁場主線圈9(9x、9y、9z)的剖面形狀具有對橢圓弧進(jìn)行了組合的形狀，傾斜磁場屏蔽線圈10(10X、10y、10z)為圓形形狀。該傾斜磁場主線圈9的剖面形狀，具有上部的橢圓和下部的橢圓不同的形狀。如本實施方式這樣，通過使上部的橢圓形狀比下部的橢圓形狀大(在圖26(a)所示的剖面形狀中，使y軸的正的區(qū)域的開口面積比負(fù)的區(qū)域的開口面積大)，能夠較寬地獲得被檢體40所能夠通過的區(qū)域。在圖^(a)中示出本實施方式的傾斜磁場線圈21的剖面形狀，關(guān)于該剖面形狀所能得到的ζ傾斜磁場線圈，ζ主線圈具有圖26(b)所示的布線圖案，ζ屏蔽線圈具有圖沈(c) 所示的布線圖案。本實施方式，與第6實施方式同樣，ζ主線圈的布線圖案117能夠形成為將與ζ軸垂直的面內(nèi)的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀。此外，ζ屏蔽線圈與第9 實施方式同樣，由成為大致螺線管狀的布線圖案118和形成環(huán)的布線圖案119構(gòu)成。另外， 布線圖案119僅在+y方向1處形成。根據(jù)本實施方式，通過使ζ傾斜磁場線圈的主線圈成為將在與ζ軸垂直的面內(nèi)形成的電流流路在ζ方向上堆積而成的螺線管狀，能夠?qū)?dǎo)體的布線簡單化。此外，螺線管狀線圈除了與相鄰的布線圖案的連接部之外在圓周方向上導(dǎo)體的Z位置固定，因此制造上變得容易。并且，由于主線圈在攝像區(qū)域中形成的磁場分布的變形變小，因此在攝像時能夠高精度地獲得剖面信息。根據(jù)本實施方式，能夠獲得與第6實施方式同樣的效果。符號說明1 靜磁場線圈裝置2 傾斜磁場線圈2a傾斜磁場主線圈2b傾斜磁場屏蔽線圈3 RF 線圈4 氦容器5 輻射屏蔽6 真空容器7 攝像區(qū)域8 靜磁場9χ χ主線圈9y y主線圈9ζ ζ主線圈(第1線圈)IOx χ屏蔽線圈
IOyy屏蔽線圈IOz ζ屏蔽線圈(第2線圈)17 19、117 119布線圖案20 27、120、122、125、128 連接布線28 渡線40患者(被檢體)41 床(裝置)100磁共振成像(MRI)裝置121橢圓形流路的布線123 導(dǎo)體124制冷劑126大致螺線管狀布線127a、127b 環(huán)狀布線129 導(dǎo)體130環(huán)狀導(dǎo)體131絕緣層Al寬區(qū)域(第1區(qū)域)A2窄區(qū)域(第2區(qū)域)FO 零面
權(quán)利要求
1.一種傾斜磁場線圈，其特征在于，具備大致螺線管狀的第1線圈，其在磁共振成像裝置的攝像區(qū)域中在軸方向上形成線性的磁場分布；和大致螺線管狀的第2線圈，其在所述第1線圈的外側(cè)，配置于在所述攝像區(qū)域中形成均勻的磁場分布的靜磁場的靜磁場線圈裝置的內(nèi)側(cè)，抑制從所述第1線圈向所述靜磁場線圈裝置的漏磁場，所述第1線圈與所述第2線圈的間隔在圓周方向上不同，具有第1區(qū)域和與所述第1 區(qū)域相比所述間隔較窄的第2區(qū)域，在所述第1線圈中，通過所述第1線圈的中心且與所述軸方向垂直的零面?zhèn)鹊牟季€圖案，在所述第1區(qū)域中遠(yuǎn)離所述零面，在所述第2區(qū)域中接近所述零面，在所述圓周方向上蜿蜒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈在配置所述第2線圈的區(qū)域中生成的磁場在所述圓周方向的分布呈大致均勻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，在所述第2線圈中，所述軸方向的外側(cè)和所述零面?zhèn)鹊牟季€圖案平滑地蜿蜒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，關(guān)于所述第1線圈和所述第2線圈，在所述第1區(qū)域中相鄰的布線圖案通過渡線而連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為橢圓形， 所述第2線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第1線圈與所述第2線圈的中心軸相一致， 在所述第1線圈的所述橢圓形的短軸的延長線上產(chǎn)生所述第1區(qū)域， 在所述第1線圈的所述橢圓形的長軸的延長線上產(chǎn)生所述第2區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為跑道形狀， 所述第2線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第1線圈與所述第2線圈中心軸相一致，在所述第1線圈的所述跑道形狀的短軸的延長線上產(chǎn)生所述第1區(qū)域， 在所述第1線圈的所述跑道形狀的長軸的延長線上產(chǎn)生所述第2區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀，采用了以橢圓形為基礎(chǔ)，使該橢圓形的長軸的兩端周邊的圓弧部分向所述橢圓形的短軸方向膨脹的圓弧， 所述第2線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第1線圈與所述第2線圈的中心軸相一致， 在所述第1線圈的所述橢圓形的短軸的延長線上產(chǎn)生所述第1區(qū)域， 在所述第1線圈的所述橢圓形的長軸的延長線上產(chǎn)生所述第2區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第2線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第1線圈與所述第2線圈的中心軸偏離，在所述第1線圈與所述第2線圈的中心軸偏離的方向的進(jìn)退兩個方向上產(chǎn)生所述第1 區(qū)域和所述第2區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈，其特征在于，所述第1線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀，以圓形為基礎(chǔ)，使該圓形的大致下半部分的圓弧部分成為比該圓形的半徑大的半徑的圓弧， 所述第2線圈的在與軸方向垂直的平面上切斷后的剖面形狀為圓形， 所述第1線圈的剖面形狀的基礎(chǔ)圓形和所述第2線圈的剖面形狀的圓形的中心相一致，在所述第1線圈的所述圓形的一側(cè)產(chǎn)生所述第2區(qū)域，在所述第1線圈的比所述圓形的半徑大的半徑的圓弧的一側(cè)產(chǎn)生所述第1區(qū)域。
10.一種磁共振成像裝置，是水平磁場型的磁共振成像裝置， 該磁共振成像裝置具備產(chǎn)生靜磁場的環(huán)形的靜磁場線圈； 在所述靜磁場線圈的環(huán)形的開口部中移動的床裝置；和產(chǎn)生磁場強度形成傾斜梯度的傾斜磁場的傾斜磁場線圈， 所述磁共振成像裝置的特征在于， 所述傾斜磁場線圈具有在攝像空間中生成所述傾斜磁場的傾斜磁場主線圈；和抑制所生成的所述傾斜磁場泄露到所述傾斜磁場線圈的外部的傾斜磁場屏蔽線圈， 所述傾斜磁場主線圈與所述傾斜磁場屏蔽線圈的間隔被配置為在圓周方向上不同， 在作為所述床裝置的行進(jìn)方向的Z軸方向上生成所述傾斜磁場的Z傾斜磁場主線圈， 在與所述ζ軸垂直的平面上具有該ζ傾斜磁場主線圈的電流流路，該ζ傾斜磁場主線圈是將該電流流路在ζ軸方向上堆積而成的螺線管狀線圈。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述傾斜磁場屏蔽線圈具有ζ傾斜磁場屏蔽線圈，該ζ傾斜磁場屏蔽線圈抑制所述ζ 傾斜磁場線圈所生成的傾斜磁場泄露到傾斜磁場線圈的外部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場屏蔽線圈具有如下布線圖案在所述ζ軸方向上在所述磁共振成像裝置的中心附近形成為鞍狀，在形成為所述鞍狀的區(qū)域外在圓筒面上形成為繞ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場屏蔽線圈沿著所述床裝置的行進(jìn)方向依次具有在圓筒面上形成為繞所述ζ軸蜿蜒的大致螺線管狀的布線部；形成為鞍狀的布線部；以及在所述圓筒面上形成為繞所述Z軸蜿蜒的大致螺線管狀的布線部。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場主線圈由在內(nèi)部具有流動制冷劑的流路的中空筒狀的導(dǎo)體構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場屏蔽線圈的大致螺線管狀的布線部由在內(nèi)部具備流動制冷劑的流路的中空筒狀的導(dǎo)體構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場屏蔽線圈的鞍狀的布線部由板狀導(dǎo)體構(gòu)成，將所述大致螺線管狀的布線部以及鞍狀的布線部電接合。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述ζ傾斜磁場主線圈由在內(nèi)部具有流動制冷劑的流路的中空筒狀的導(dǎo)體構(gòu)成。
18.—種磁共振成像裝置，其特征在于，具有 權(quán)利要求1所述的傾斜磁場線圈；和與所述傾斜磁場線圈接近地配置的所述靜磁場線圈裝置。
19.一種磁共振成像裝置，其特征在于，具有 權(quán)利要求5所述的傾斜磁場線圈；和與所述傾斜磁場線圈接近地配置的所述靜磁場線圈裝置。
全文摘要
在磁共振成像裝置的攝像區(qū)域中在軸方向上形成線性的磁場分布的大致螺線管狀的第1線圈；和在第1線圈的外側(cè)，配置在在攝像區(qū)域中形成均勻的磁場分布的靜磁場的靜磁場線圈裝置的內(nèi)側(cè)，抑制從第1線圈向靜磁場線圈裝置的漏磁場的大致螺線管狀的第2線圈，具有第1線圈與第2線圈的間隔在圓周方向上不同的第1區(qū)域A1(θ＝0，π)和比第1區(qū)域A1窄的第2區(qū)域A2(θ＝π/2)，在第1線圈中，通過第1線圈的中心且與軸方向(z軸方向)垂直的零面F0側(cè)的布線圖案17a、17b，在第1區(qū)域A1中遠(yuǎn)離零面F0，在第2區(qū)域A2中接近零面F0，在圓周方向上蜿蜒。提供一種能夠不使用z軸不貫通的環(huán)狀線圈地構(gòu)成布線圖案的傾斜磁場線圈。
文檔編號A61B5/055GK102481116SQ20108003685
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者今村幸信, 八尾武, 寺田將直, 竹內(nèi)博幸, 阿部充志, 黑目明 申請人:株式會社日立醫(yī)療器械