專利名稱：：具有用于磁起動(dòng)開關(guān)的窗口的磁屏蔽aimd外殼的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明通常涉及包括電磁屏蔽的有源可植入醫(yī)療設(shè)備(AIMD，activeimplantablemedicaldevice)。更具體地說，本發(fā)明涉及用于由材料構(gòu)成和/或具有為內(nèi)部電路提供電磁屏蔽的涂層的AIMD的外殼。另外，外殼包括穿過部分磁屏蔽的窗口，允許通過與靜磁相互作用而起動(dòng)簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)嵌入遙測(cè)線圈或其它磁起動(dòng)設(shè)備。
背景技術(shù)：
：大多數(shù)AIMD的電路容易受到由磁共振成像(MRI，magneticresonanceimaging)機(jī)或與MRI機(jī)類似的生成磁場(chǎng)的其它設(shè)備所生成的磁場(chǎng)的影響。因此，使用AIMD的某些病人不能經(jīng)受MRI過程。沒有適當(dāng)?shù)钠帘危@些磁場(chǎng)將干擾和可能使AIMD中的電路不能操作。有論述與MRI機(jī)的兼容性和需要AIMD與諸如由MRI機(jī)生成的磁場(chǎng)的兼容性的許多專利。這些專利包含各種主題，包括需要保護(hù)植入的引線，以及需要保護(hù)AIMD，諸如心臟起搏器。轉(zhuǎn)讓給JohnsHopkinsUniversity的U.S.專利No.5,217,010描述了有關(guān)電屏蔽外殼的多個(gè)實(shí)施例。U.S.專利No.5,217,010的圖17示例說明了這樣一種外殼，包括復(fù)合層(compositelayer)302、304，并描述了屏蔽組件作為防止在內(nèi)部起搏器電路內(nèi)感應(yīng)電流的連續(xù)非磁性金屬外殼。所有當(dāng)前鈦外殼執(zhí)行這種功能。在U.S.專利No.5,217,010中公開的屏蔽外殼為單層或如圖17所示由迭層構(gòu)成，其中，迭層外殼包含交替的金屬和絕緣層。U.S.專利No.5,217,010描述了圖17，具有金屬層302、306和310以及絕緣層304、308和312。根據(jù)U.S.專利No.5,217,010，該實(shí)施例降低由起博器/感應(yīng)電極和起博器的外殼之間流動(dòng)的電流引起的熱和對(duì)適當(dāng)?shù)钠鸩┢鞴δ艿钠渌蓴_。分層外殼將先前存在的鈦外殼分成隔離層，從而降低在強(qiáng)磁場(chǎng)情況下的電流損耗。U.S.專利No.5,217,010中的結(jié)構(gòu)的主要目的是降低曝露于磁場(chǎng)期間的外殼熱量。一些研究已經(jīng)表明通過當(dāng)前MRI技術(shù)，熱量通常不是問題。因此，一定程度的熱是可接受的甚至需要，以便防止MRI場(chǎng)能量到達(dá)AIMD內(nèi)的敏感電路。期望在MRI過程期間，AIMD的屏蔽外殼不加熱超出2℃-3℃。超出3℃的溫度上升對(duì)病人來(lái)說會(huì)變得相當(dāng)不舒服以及可能導(dǎo)致?lián)p壞附近的組織。因此，期望應(yīng)用各種密度和各種磁性和材料屬性的磁屏蔽涂層以及控制其厚度以便僅允許可接受的熱量，但不會(huì)導(dǎo)致不舒服或損壞病人組織的太多熱的方法。有描述磁屏蔽、屏蔽導(dǎo)線或外殼的多個(gè)其它專利，包括U.S.專利6,506,972；5,540,959；6,673,999；6,713,671；6,760,628；6,765,144；6,815,609；6,829,509和6,901,290。U.S.專利No.6,506,972描述了用如在該發(fā)明中描述的納米磁性材料覆蓋的磁屏蔽導(dǎo)線組件。在U.S.專利6,506,972中沒有描述有源可植入醫(yī)療設(shè)備的外殼的涂覆或屏蔽。U.S.專利No.5,540,959描述了用于制備產(chǎn)生顆粒噴霧的涂覆襯底的過程。U.S.專利No.6,673,999是U.S.專利No.6,506,972的部分延續(xù)，其針對(duì)引線和相關(guān)組件的涂層和保護(hù)。U.S.專利No.6,713,671描述了包含襯底和屏蔽的屏蔽組件。其主要描述了磁屏蔽涂層。如U.S.專利No.6,713,671的圖1a所示，存在納米磁材料涂覆、熱處理，然后是絕緣材料涂覆。在圖29中，示出了屏蔽磁場(chǎng)和/電場(chǎng)的復(fù)合屏蔽組件。還描述了各種材料。在列28、行35和列30、行55中，U.S.專利No.6,713,671描述了各種特征。屏蔽3004的描述是它“被置于襯底3002之上。如在此所使用的，術(shù)語(yǔ)‘在...上’是指屏蔽被置于電磁輻射源3006和襯底3002之間。屏蔽3004由納米磁材料3008的約從1至約99重量百分比組成，在該說明書中的其它地方描述了這種納米磁材料及其屬性?！绷?8，行65至列29，行4。列29，行9-17陳述了“再參考圖29，以及在此所述的優(yōu)選實(shí)施例中，將看到屏蔽3004還由最好具有從約1微歐姆至約1×1025微歐姆～厘米的電阻率的另一材料3010組成。這種材料3010最好以從約1至約99重量百分比，以及最好，從約40至約60重量百分比的濃度存在于屏蔽中。”本發(fā)明進(jìn)一步描述了所述材料3010作為碳納米管材料。U.S.專利No.6,760,628主要針對(duì)處理MRI的屏蔽光纖系統(tǒng)。U.S.專利No.6,765,144描述了用于將可植入醫(yī)療設(shè)備屏蔽于高頻輻射的效應(yīng)和MRI信號(hào)的組件。該組件包括可植入醫(yī)療設(shè)備和由位于醫(yī)療設(shè)備和高頻輻射之間的納米磁材料組成的磁屏蔽。U.S.專利No.6,765,144描述了圖24，25，26，描述了使用各種納米材料的分層磁屏蔽。然而，U.S.專利No.6,765,144未公開作為其組件一部分的連續(xù)金屬電磁屏蔽。U.S.專利No.6,815,609與U.S.專利No.6,765,144非常類似之處在于，磁屏蔽的襯底組件包括襯底和位于襯底上的磁屏蔽。關(guān)于U.S.專利No.6,765,144的上述說明也適用于U.S.專利No.6,815,609。U.S.專利No.6,829,509公開了電磁免疫組織侵入系統(tǒng)，其主要是一種具有電屏蔽電導(dǎo)線系統(tǒng)的一些描述的光纖系統(tǒng)。在本發(fā)明上下文中，U.S.專利No.6,829,509的特征沒有一個(gè)有用。U.S.專利No.6,901,290公開了一種電磁免疫組織侵入系統(tǒng)，包括包含在具有電磁屏蔽的主外殼內(nèi)的控制電路。在U.S.專利No.6,901,290中公開的屏蔽是金屬套、碳復(fù)合套，或聚合物復(fù)合套，其目的是將主設(shè)備外殼和其中的任何電路屏蔽于電磁干擾。另外，引線系統(tǒng)可包括多個(gè)電引線，每個(gè)引線具有在其周圍的類似屏蔽，防止電引線傳導(dǎo)雜散的電磁干擾。除了屏蔽外或代替屏蔽，每個(gè)電引線可以包括由適合于過濾出預(yù)定頻率的電磁干擾的電容和電感濾波元件組成的電濾波器。在任一實(shí)施例中，屏蔽具有生物適應(yīng)表面，諸如不可滲透抗擴(kuò)散生物適應(yīng)材料。屏蔽能由各種復(fù)合材料制成，以便在主外殼周圍提供電磁屏蔽。這種材料的例子是金屬屏蔽或聚合物或碳復(fù)合材料，諸如碳福樂烯(fullerene)。因此，需要設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單的、具有改進(jìn)的電磁屏蔽的AIMD，以便需要更少空間和費(fèi)用，同時(shí)適當(dāng)?shù)貙?nèi)部電路屏蔽于電磁場(chǎng)以及允許有意起動(dòng)這種AIMD內(nèi)的簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)器件、嵌入遙測(cè)線圈或其它磁起動(dòng)設(shè)備。本公開發(fā)明實(shí)現(xiàn)這些需要和提供其它相關(guān)優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在具有防磁場(chǎng)的改進(jìn)屏蔽的有源可植入醫(yī)療設(shè)備(AIMD)。具體地，本發(fā)明是一種AIMD，包括外殼，該外殼具有貫穿引線的端子；位于所述外殼內(nèi)的磁起動(dòng)設(shè)備；以及與所述外殼相鄰設(shè)置的磁屏蔽，用于使所述外殼的內(nèi)部屏蔽于所述外殼的外部所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述磁屏蔽包括與所述磁起動(dòng)設(shè)備相鄰的窗口。所述外殼包括提供電屏蔽的材料，例如鈦。所述磁屏蔽包括施加到所述外殼的內(nèi)表面的涂層。所述涂層包括含鐵涂料(ferrouspaint)、鍍鎳(nickelplating)、鎳涂層、納米材料、μ合金(Mu-metal)材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠(sogel)或膏劑(slurry)。磁起動(dòng)設(shè)備是簧片開關(guān)(reedswitch)、霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈、緊密耦合的皮下電池再充電電路等等。子外殼覆蓋所述磁屏蔽窗口以便所述磁起動(dòng)設(shè)備位于所述窗口和所述子外殼之間。所述子外殼包括電屏蔽，例如鈦，并包括由施加到子外殼的內(nèi)表面上的涂層組成的輔助磁屏蔽。與磁屏蔽涂層相同，所述輔助磁屏蔽涂層包括亞鐵涂料、鍍鎳、鎳涂層、納米材料、μ合金材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。所述端子包括貫穿所述引線的絕緣體和端子磁屏蔽。所述端子磁屏蔽包括所述絕緣體內(nèi)的非磁電極，所述非磁電極包括鎳電極。所述AIMD包括心臟起搏器、植入除纖顫器、充血性心力衰竭設(shè)備、聽覺植入片、耳蝸植入片、神經(jīng)刺激器、藥物泵、心室輔助設(shè)備、胰島素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系統(tǒng)、深腦部刺激器、人造心臟、失禁設(shè)備、迷走神經(jīng)刺激器、骨生長(zhǎng)刺激器、胃起博器或修復(fù)設(shè)備(prostheticdevice)。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例的下述詳細(xì)描述，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說，本發(fā)明的這些和其它方面將是顯而易見的。附圖示例說明本發(fā)明。在這些圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明，具有外殼和連接器框的AIMD的等比例視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明，具有磁涂層和窗口的外殼的一半的等比例視圖。圖3是包括絕緣體的本發(fā)明的AIMD中安裝的端子的截面圖。圖4是圖3所示的端子的截面圖，描述了嵌入絕緣體內(nèi)的磁屏蔽電極板。圖5是圖3所示的端子的截面圖，描述了到達(dá)絕緣體的邊緣的磁屏蔽電極板。圖6是圖2所示的外殼的一半的等比例視圖，包括附著在磁窗口上的磁起動(dòng)設(shè)備和這種設(shè)備上的子外殼的剖視圖。圖7是用于用在本發(fā)明中的磁起動(dòng)設(shè)備的子外殼蓋的另一實(shí)施例的內(nèi)部的等比例視圖。圖8是用于用在本發(fā)明的磁起動(dòng)設(shè)備的子外殼的另一實(shí)施例的等比例視圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明針對(duì)有源可植入醫(yī)療設(shè)備(AIMD)，諸如心臟起搏器、植入除纖顫器、充血性心力衰竭設(shè)備、聽覺植入片、耳蝸植入片、神經(jīng)刺激器、藥物泵、心室輔助設(shè)備、胰島素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系統(tǒng)、深腦部刺激器、人造心臟、失禁設(shè)備、迷走神經(jīng)刺激器、骨生長(zhǎng)刺激器、胃起博器或修復(fù)術(shù)設(shè)備。這些AIMD的外殼由向AIMD中的內(nèi)部部件提供電磁屏蔽的材料組成和/或具有向AIMD中的內(nèi)部部件提供電磁屏蔽的涂層。另外，外殼包括未屏蔽的區(qū)域或窗口，通過部分磁屏蔽，允許穿過磁場(chǎng)，以通過與靜磁的交互作用，來(lái)起動(dòng)簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入的遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈、緊密耦合的皮下電池再充電電路或其它磁起動(dòng)設(shè)備。圖1是具有AIMD外殼20和連接器外殼30的典型AIMD10的等比例視圖。AIMD外殼20可以包括單個(gè)單元，或如圖1所示，可以由兩個(gè)一半部分22，24組成，該兩個(gè)一半部分激光焊接在一起以便將各種電子電路氣密地密封在內(nèi)部。AIMD外殼20通常由鈦、不銹鋼、陶瓷或其它生物適應(yīng)材料組成。如在當(dāng)今使用的大多數(shù)AIMD中，AIMD外殼20由鈦組成，以及兩個(gè)一半部分22、24通過密封焊縫26接合。AIMD外殼20與現(xiàn)有技術(shù)，包括如在U.S.專利No.5,217,010、6,713,671和6,901,290中所公開的那些現(xiàn)有技術(shù)有區(qū)別。AIMD外殼20始于已知屏蔽，即鈦、不銹鋼或類似的外殼，其中，連續(xù)金屬表面提供對(duì)高頻電場(chǎng)的屏蔽。然而，AIMD外殼20引入通過將新穎磁屏蔽涂層28添加到AIMD外殼20的內(nèi)表面而產(chǎn)生的雙層電磁場(chǎng)屏蔽組件。這會(huì)并入多個(gè)交替層；然而，因?yàn)榕c這些技術(shù)有關(guān)的最后處理，優(yōu)選實(shí)施例僅包括一個(gè)電屏蔽層和一個(gè)磁屏蔽層。再次參考圖1，有本領(lǐng)域非常公知，通過其箍34激光焊接(見接縫36)到AIMD外殼20的密封端子32。圖1描述具有至普通IS-1、DF-1或IS-4連接器塊40的引線38的四極性饋通端子32。引線38的數(shù)量?jī)H是一個(gè)例子以及能在1至8至12或甚至更大間改變。如所示，期望在AIMD外殼20中具有電和磁兩者的屏蔽。特別地，本發(fā)明的屏蔽屬于提供電和磁屏蔽兩者的AIMD外殼20中的復(fù)合或雙層屏蔽。電屏蔽具有非常低的電阻率以及通常為金屬。即，對(duì)可來(lái)自微波爐、無(wú)線電話等的高頻發(fā)射器提供良好的抗擾度。由鈦或具有類似屬性的其它材料制成的AIMD外殼20對(duì)高頻電場(chǎng)提供所需阻抗在本領(lǐng)域是非常公知的。具有類似屬性的其它材料包括通常具有從約0.001微歐姆～厘米至約1×104微歐姆～厘米的電阻率的材料。本發(fā)明屏蔽，磁屏蔽28的第二部分通常具有以下屬性約0.5至約40,000高斯的飽和磁化、約0.001至約10,000orsteds的矯頑力、從約0.18至約600,000的相對(duì)磁導(dǎo)率和多種平均粒度。例如，U.S.專利6,713,671描述了一種這種材料以及其它。然而，AIMD可以暴露于和被低頻或靜態(tài)磁場(chǎng)損壞。如在此所述，磁共振成像(MRI)設(shè)備產(chǎn)生非常強(qiáng)大的低頻或靜態(tài)磁場(chǎng)。現(xiàn)有技術(shù)公知的鈦外殼對(duì)這種磁場(chǎng)是透明的并且不保護(hù)AIMD的內(nèi)部電路。因此，在包括磁屏蔽和/或磁吸收材料的AIMD外殼20上提供磁屏蔽28是一個(gè)新穎特征。這些材料能包括含鐵涂料，其中，通過涂敷、鍍、噴射、絲網(wǎng)印制等等，應(yīng)用包含磁粉，諸如鎳、納米材料、μ合金材料等等的涂料。磁屏蔽28還可以用作包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。在所有上述方法中，磁屏蔽28通常應(yīng)用于AIMD外殼20的內(nèi)部，因?yàn)殒嚮蚱渌谏饘偻ǔ２皇巧镞m合的。即，需要防止它們以及包含在AIMD10內(nèi)的其它敏感電子部件暴露于體液。然而，本發(fā)明還預(yù)期將這種磁屏蔽28放在外殼20的外部。另外，本發(fā)明還預(yù)期使用提供抗電磁場(chǎng)的交替屏蔽層。然而，本說明書描述了使用包括用于電阻的鈦AIMD外殼20和用于磁阻的新穎磁屏蔽28的雙層結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施例。U.S.專利Nos.5,540,959、6,673,999和6,765,144的公開內(nèi)容在此包括為能用來(lái)制備用于AIMD外殼20的磁屏蔽28的多個(gè)方法。磁屏蔽28的應(yīng)用可以在成分、密度、應(yīng)用的厚度和其它各種磁和材料屬性方面改變以便控制磁阻的效果。上述屬性的變化試圖具有吸收一些入射磁場(chǎng)66的效果，從而在AIMD外殼20中產(chǎn)生一些熱度。由AIMD外殼20吸收入射磁場(chǎng)的事實(shí)防止了入射磁場(chǎng)能量66達(dá)到設(shè)備10內(nèi)的敏感電路。期望在MRI過程期間，將外殼20的熱度限制到不超出2℃至3℃。超過2℃至3℃的升溫可能導(dǎo)致病人不舒服以及可能導(dǎo)致?lián)p壞附近的身體組織。通過采用磁吸收材料作為磁屏蔽28，AIMD外殼20謹(jǐn)慎地在設(shè)備10中產(chǎn)生一些熱。改變磁屏蔽28的厚度和成分的方法在MRI過程或暴露于類似磁場(chǎng)期間，導(dǎo)致AIMD外殼20的受控?zé)崃?。參考圖2，能更好地理解將磁屏蔽28應(yīng)用于AIMD外殼20的內(nèi)部(示出第一半個(gè)部分22-未示出第二半個(gè)部分24)。使磁屏蔽28覆蓋AIMD外殼20或其兩個(gè)半部分22、24的整個(gè)內(nèi)表面。在圖1，2和6中，部分AIMD外殼20的一部分不具有磁屏蔽28，產(chǎn)生穿過磁屏蔽28的未屏蔽部分或窗口18。窗口18可以在AIMD外殼20或任一半部分22、24上的任何地方。為描述目的，窗口18將被描述為第一半部分22的部分。該窗口18對(duì)允許與通常包括在心臟起博器和可植入除纖顫器(ICD)或其它AIMD中的磁起動(dòng)設(shè)備52，諸如簧片開關(guān)或類似設(shè)備通信來(lái)說很重要。其它磁起動(dòng)設(shè)備52包括霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入的遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈、緊密耦合的皮下電池充電電路等等。許多AIMD包含這種磁起動(dòng)設(shè)備52，其中醫(yī)生、急救醫(yī)師或甚至病人能將靜磁放在AIMD上并使得磁起動(dòng)設(shè)備52起動(dòng)，即關(guān)閉簧片開關(guān)。起動(dòng)磁起動(dòng)設(shè)備，諸如簧片開關(guān)使起博器切換到所謂的非同步起博或固定速率起博模式。因此，當(dāng)預(yù)期AIMD外殼20的磁屏蔽時(shí)，必須提供仍然可以起動(dòng)磁起動(dòng)設(shè)備52是非常重要的。除了用于起博器和ICD的簧片開關(guān)外，還有其它的AIMD可以包括需要通過暴露于磁場(chǎng)來(lái)起動(dòng)的磁起動(dòng)設(shè)備52。因此，如在此所述的磁窗口18不限于與簧片開關(guān)通信-其能證明對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的各種應(yīng)用有用。在屏蔽的AIMD外殼20中提供窗口18是有問題的，因?yàn)檫@提供穿過AIMD外殼20的磁屏蔽28的通道，其中，來(lái)自MRI過程或其它的磁場(chǎng)可以進(jìn)入AIMD外殼20并到達(dá)對(duì)這種磁場(chǎng)敏感的內(nèi)部電路并干擾、過熱或甚至損壞某些電路。圖6示例說明了先前與示出直接經(jīng)過磁窗口18連接的磁起動(dòng)設(shè)備52一起描述的第一半部分22。磁起動(dòng)設(shè)備52的剖視圖描述了引出設(shè)備52的兩條引線54。存在在沖壓或成型的子外殼58中提供的孔56，以便引線54能從磁起動(dòng)設(shè)備52到AIMD10的其它電子電路引入和引出。子外殼58具有與AIMD外殼20類似的磁屏蔽60很重要。子外殼58具有與AIMD外殼20類似的電屏蔽也很重要。不能提供任何一種將意味著AIMD10將變得對(duì)高頻電場(chǎng)或低頻磁場(chǎng)敏感。因此，密封磁起動(dòng)設(shè)備52和覆蓋磁窗口18的子外殼58，如圖6所示，包含上面對(duì)AIMD外殼20闡述的所有屏蔽特征也很新穎。即，子外殼58最好由涂有如所述的磁屏蔽60的金屬，諸如鈦、不銹鋼、銅等等制成。除磁屏蔽60外，用具有本領(lǐng)域非常公知的電屏蔽62的塑料來(lái)代替金屬(鈦、不銹鋼、銅等等)也是可能的。這種電62和磁60屏蔽可以在子外殼58的內(nèi)部或外部上，將一種應(yīng)用于另一種之上。現(xiàn)在參考圖7，能看出提供與設(shè)備52分離的、用于覆蓋磁起動(dòng)設(shè)備52的磁60和電62屏蔽子外殼58的另一實(shí)施例的放大視圖。用于穿過引線54的孔56和用于方便地連接到AIMD外殼20的安裝凸緣64清楚可見。將子外殼58設(shè)計(jì)成放在如前所述的磁窗口18之上。電62和磁60屏蔽可以是如前所述的各種材料。安裝凸緣64可以是各種大小和形狀或根本不存在。如所述的安裝凸緣64是在子外殼58和AIMD外殼20之間進(jìn)行連接的便利方法。連接可以是通過激光焊接、銅焊、熱定形非導(dǎo)電或?qū)щ娬澈蟿?、焊料、機(jī)械緊固件等等。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說，有許多種進(jìn)行這種連接的方法是顯而易見的。圖8示例說明消除先前如圖7所述需要一個(gè)單獨(dú)的具有磁60和電62屏蔽的子外殼58的另一實(shí)施例。圖8描述了磁起動(dòng)設(shè)備52，其中，子外殼58與設(shè)備52集成并提供電62和磁60屏蔽兩者。在該實(shí)施例中，將磁起動(dòng)設(shè)備52連接到磁窗口18上實(shí)現(xiàn)所需屏蔽。磁起動(dòng)設(shè)備52可以暴露于入射磁場(chǎng)，例如來(lái)自在AIMD上外部保持的磁鐵。因此，向前參考圖2，磁場(chǎng)66能直接照射在如圖8所示的子外殼58的背面上。為緊靠磁窗口18的側(cè)面的背面明確不具有磁屏蔽60?？梢曰蚩梢圆痪哂须娖帘?2。然而，磁場(chǎng)60能到達(dá)磁起動(dòng)設(shè)備52以便起動(dòng)它是非常重要的。除子外殼58的背面以外的所有表面具有電62和磁60屏蔽也非常重要。因此，具有屏蔽子外殼58的磁起動(dòng)設(shè)備52可以以集成封裝實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的設(shè)備的目的。即，允許磁起動(dòng)設(shè)備52位于磁窗口18上，但還具有確保AIMD10內(nèi)的其余部件被防護(hù)于電磁場(chǎng)66的所需功能。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說，可以采用用于圖8的集成組件的各種安裝裝置68以及也可以采取各種大小、形狀和材料將是顯而易見的。圖3描述在圖1中先前所述的新穎磁屏蔽端子32的截面圖。參考該截面圖，示出了窄嵌鎳或等效含鐵電極44。端子32的陶瓷或玻璃絕緣體50完全環(huán)繞嵌入鎳電極44以便它們不接觸體液。為此的原因在于，鎳通常不被視為生物適合的材料。然而，寬嵌鎳電極45到達(dá)陶瓷或玻璃絕緣體50的外徑或周邊。允許的原因在于金銅焊材料46覆蓋其暴露部分并保護(hù)寬嵌入電極45不暴露于體液。還應(yīng)當(dāng)注意到與電屏蔽不同，鎳電極44和45形成連續(xù)整體屏蔽并與AIMD外殼20電連通并不重要。即，通過嵌入鎳或等效材料電極44和45內(nèi)的磁偶極子的簡(jiǎn)單行為而衰減入射磁場(chǎng)。電極44和45的目的不是提供電容。電極44和45提供對(duì)抗入射靜或低頻磁場(chǎng)的磁屏蔽以及輔助磁屏蔽AIMD外殼20，保護(hù)設(shè)備10的內(nèi)部電子電路免受磁場(chǎng)，諸如由MRI設(shè)備所產(chǎn)生的磁場(chǎng)。在圖4和5中更清楚地示出了新穎電極44和45。圖4示例說明與陶瓷/玻璃絕緣體50有關(guān)的新穎電極44。圖5示例說明通過金銅焊材料46保護(hù)新穎電極45免受體液。電磁干擾(EMI)濾波電容器42可以安裝在端子32內(nèi)側(cè)并與其集成，以便有助于屏蔽于高頻電場(chǎng)在本領(lǐng)域是非常公知的。盡管為示例目的，詳細(xì)地描述了各個(gè)實(shí)施例，在不背離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，也可以做出各種改進(jìn)。權(quán)利要求1.一種有源可植入醫(yī)療設(shè)備，包括外殼，具有貫穿引線的端子；置于所述外殼內(nèi)的磁起動(dòng)設(shè)備；以及與所述外殼相鄰布置的磁屏蔽，用于使所述外殼的內(nèi)部屏蔽于所述外殼外部所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述磁屏蔽包括與所述磁起動(dòng)設(shè)備相鄰的窗口。2.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述磁屏蔽包括施加到所述外殼的內(nèi)表面的涂層。3.如權(quán)利要求2所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述涂層包括含鐵涂料、鍍鎳、鎳涂層、納米材料、μ合金材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。4.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，磁起動(dòng)設(shè)備是簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈或緊密耦合的皮下電池再充電電路。5.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，包括用于所述磁起動(dòng)設(shè)備的子外殼，所述子外殼覆蓋所述磁屏蔽窗口以便所述磁起動(dòng)設(shè)備被置于所述窗口和所述子外殼之間。6.如權(quán)利要求5所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，包括與所述子外殼相鄰布置的輔助磁屏蔽。7.如權(quán)利要求6所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述輔助磁屏蔽包括施加到所述子外殼的內(nèi)表面的涂層。8.如權(quán)利要求7所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述輔助磁屏蔽涂層包括含鐵涂料、鍍鎳、鎳涂層、納米材料、μ合金材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。9.如權(quán)利要求5所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述子外殼包括電屏蔽。10.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述端子包括貫穿所述引線的絕緣體以及端子磁屏蔽。11.如權(quán)利要求10所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述端子磁屏蔽包括所述絕緣體內(nèi)的非磁電極。12.如權(quán)利要求11所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述非磁電極包括鎳電極。13.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述外殼包括電屏蔽。14.如權(quán)利要求13所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述電屏蔽包括鈦。15.如權(quán)利要求1所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述AIMD包括心臟起搏器、植入除纖顫器、充血性心力衰竭設(shè)備、聽覺植入片、耳蝸植入片、神經(jīng)刺激器、藥物泵、心室輔助設(shè)備、胰島素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系統(tǒng)、深腦部刺激器、人造心臟、失禁設(shè)備、迷走神經(jīng)刺激器、骨生長(zhǎng)刺激器、胃起博器或修復(fù)設(shè)備。16.一種有源可植入醫(yī)療設(shè)備，包括外殼，具有貫穿引線的端子，其中，所述外殼包括電屏蔽；置于所述外殼內(nèi)的磁起動(dòng)設(shè)備；與所述外殼相鄰布置的磁屏蔽，用于使所述外殼的內(nèi)部屏蔽于所述外殼的外部所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述磁屏蔽包括與所述磁起動(dòng)設(shè)備相鄰的窗口；用于所述磁起動(dòng)設(shè)備的子外殼，所述子外殼覆蓋所述磁屏蔽窗口，使得所述磁起動(dòng)設(shè)備被置于所述窗口和所述子外殼之間；以及與所述子外殼相鄰布置的輔助磁屏蔽。17.如權(quán)利要求16所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述磁屏蔽和所述輔助磁屏蔽包括施加到所述外殼和所述子外殼的內(nèi)表面的涂層。18.如權(quán)利要求17所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述涂層包括含鐵涂料、鍍鎳、鎳涂層、納米材料、μ合金材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。19.如權(quán)利要求17所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，磁起動(dòng)設(shè)備是簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈或緊密耦合的皮下電池再充電電路。20.如權(quán)利要求16所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述端子包括貫穿所述引線的絕緣體以及端子磁屏蔽。21.如權(quán)利要求20所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述端子磁屏蔽包括所述絕緣體內(nèi)的非磁電極。22.如權(quán)利要求21所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述非磁電極包括鎳電極。23.如權(quán)利要求16所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述子外殼包括電屏蔽。24.如權(quán)利要求23所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述電屏蔽包括鈦。25.如權(quán)利要求16所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述AIMD包括心臟起搏器、植入除纖顫器、充血性心力衰竭設(shè)備、聽覺植入片、耳蝸植入片、神經(jīng)刺激器、藥物泵、心室輔助設(shè)備、胰島素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系統(tǒng)、深腦部刺激器、人造心臟、失禁設(shè)備、迷走神經(jīng)刺激器、骨生長(zhǎng)刺激器、胃起博器或修復(fù)設(shè)備。26.一種有源可植入醫(yī)療設(shè)備，包括外殼，具有貫穿引線的端子絕緣體以及端子磁屏蔽；置于所述外殼內(nèi)的磁起動(dòng)設(shè)備；與所述外殼相鄰的磁屏蔽，用于使所述外殼的內(nèi)部屏蔽于所述外殼的外部所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，所述磁屏蔽包括與所述磁起動(dòng)設(shè)備相鄰的窗口；用于所述磁起動(dòng)設(shè)備的子外殼，所述子外殼覆蓋所述磁屏蔽窗口，使得所述磁起動(dòng)設(shè)備被置于所述窗口和所述子外殼之間；以及與所述子外殼相鄰的輔助磁屏蔽。27.如權(quán)利要求26所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述AIMD包括心臟起搏器、植入除纖顫器、充血性心力衰竭設(shè)備、聽覺植入片、耳蝸植入片、神經(jīng)刺激器、藥物泵、心室輔助設(shè)備、胰島素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系統(tǒng)、深腦部刺激器、人造心臟、失禁設(shè)備、迷走神經(jīng)刺激器、骨生長(zhǎng)刺激器、胃起博器或修復(fù)設(shè)備。28.如權(quán)利要求27所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述磁屏蔽和所述輔助磁屏蔽包括施加到所述外殼和所述子外殼的內(nèi)表面的涂層。29.如權(quán)利要求28所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述涂層包括含鐵涂料、鍍鎳、鎳涂層、納米材料、μ合金材料或包含磁偶極子的納米材料的溶膠凝膠或膏劑。30.如權(quán)利要求27所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，磁起動(dòng)設(shè)備是簧片開關(guān)、霍爾效應(yīng)設(shè)備、嵌入遙測(cè)線圈、低頻遙測(cè)線圈或緊密耦合的皮下電池再充電電路。31.如權(quán)利要求26所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述端子磁屏蔽包括所述絕緣體內(nèi)的非磁電極。32.如權(quán)利要求31所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述非磁電極包括鎳電極。33.如權(quán)利要求26所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述外殼和所述子外殼包括電屏蔽。34.如權(quán)利要求32所述的有源可植入醫(yī)療設(shè)備，其中，所述電屏蔽包括鈦。全文摘要在其外殼上具有磁屏蔽用于將設(shè)備的內(nèi)部屏蔽于外殼外部所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的有源可植入醫(yī)療設(shè)備(AIMD)。使用外殼的內(nèi)表面上的磁吸收涂層來(lái)產(chǎn)生磁屏蔽。AIMD包括與位于外殼內(nèi)的磁起動(dòng)設(shè)備相鄰的、沒有磁屏蔽的剩余外殼區(qū)，即磁窗口。該磁窗口允許起動(dòng)所述磁起動(dòng)設(shè)備。文檔編號(hào)A61N1/39GK1907514SQ20061006810公開日2007年2月7日申請(qǐng)日期2006年3月21日優(yōu)先權(quán)日2005年3月22日發(fā)明者海薩姆·胡賽因,克里斯廷·A.·弗里斯,羅伯特·A.·史蒂文森申請(qǐng)人:巨佰－雪萊公司