專利名稱：一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于醫(yī)藥器械技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，在人類所面臨的各種重大疾病中，心血管疾病已成為使人致死的最主要疾病之一。 據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界范圍內(nèi)每年有1670萬(wàn)人死于心腦血管疾病，其中死于心腦血管疾病的720萬(wàn)， 腦中風(fēng)的550萬(wàn)。圍繞心腦血管疾病的治療與預(yù)防而展開(kāi)的科研攻關(guān)一直是國(guó)內(nèi)外臨床醫(yī)學(xué) 及生物醫(yī)學(xué)工程界的重大課題。迄今，治療心腦血管疾病的傳統(tǒng)手段仍然是藥物療法和外科 手術(shù)，藥物療法在輕度動(dòng)脈血管狹窄情況下有效，對(duì)重度狹窄(50%)則有效性差。而外科手 術(shù)如治療冠心病的搭橋手術(shù)和治療頸動(dòng)脈狹窄的頸動(dòng)脈內(nèi)膜切除術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)高，手術(shù)難度大。
目前，基于介入方法的金屬血管支架技術(shù)被廣泛用于治療心血管狹窄性病變，其有效性、 安全性在臨床應(yīng)用中得到了廣泛的認(rèn)可。其基本原理為，血管支架經(jīng)壓握到球囊(球擴(kuò)支架) 或壓握進(jìn)鞘(自膨脹支架)，由輸送系統(tǒng)輸送到病人的病變部位，然后支架釋放，把狹窄的血 管壁撐開(kāi)，保持血流暢通。血管支架在材料結(jié)構(gòu)形式上已取得重大改進(jìn)，從第一代血管支架 (非藥物洗脫支架)，第二代支架(藥物洗脫支架)，已經(jīng)發(fā)展到了第三代血管支架(血管內(nèi) 皮友好型藥物支架)。
顯而易見(jiàn)，無(wú)論目前的第二代還是第三代血管支架，均旨在避免第一代支架植入后出現(xiàn) 的血管阻塞及血栓形成等問(wèn)題的發(fā)生。然而，可以預(yù)見(jiàn)的是，作為一種永久性植入異物，即 便是目前最先進(jìn)的第三代血管支架，也不可能徹底免除血栓形成。而且，對(duì)支架疲勞斷裂、 移位等問(wèn)題，第三代支架無(wú)能為力?？山到庵Ъ芨拍畹奶岢?，試圖從根本上給出一種血管再 狹窄病變的策略。但目前其在機(jī)械強(qiáng)度、體積、X線示蹤性，特別是支架的可置入性等方面 距臨床使用還相差甚遠(yuǎn)，取代金屬支架還沒(méi)有可能。針對(duì)氣管、膽道、消化道等較大開(kāi)放性 腔道的機(jī)械性可取出金屬支架已見(jiàn)諸研究和應(yīng)用，該方法的不足之處在于結(jié)構(gòu)過(guò)于簡(jiǎn)單，穩(wěn) 定性沒(méi)有保障。特別指出，此方法對(duì)置于封閉血循環(huán)系統(tǒng)內(nèi)的金屬支架完全不適用。
綜上所述，不難看出，因受目前技術(shù)方法和技術(shù)條件的限制，現(xiàn)有的永久性植入血管或 非血管腔道金屬支架的發(fā)展已遇到技術(shù)瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容
為了從根本上解決金屬支架植入血管或非血管腔道后發(fā)生再狹窄以及支架出現(xiàn)移位或疲 勞斷裂等問(wèn)題，本發(fā)明提供一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，特別涉及一種基于誘發(fā)記憶合金記憶效應(yīng)的血管或非血管腔道金屬支架取出裝置。
本發(fā)明的血管或非血管腔道金與支架取出裝置，包括具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架、 形狀記憶合金支架相變能量提供裝置和能量供應(yīng)裝置的控制系統(tǒng)；利用為形狀記憶合金支架 相變提供能量的裝置為具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架提供相變能量，觸發(fā)具有記憶效應(yīng) 的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)使其收縮，在X線或CT成像監(jiān)視下，借助于介入器材將具有 記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架從血管或非血管腔道取出。
本發(fā)明的形狀記憶合金支架相變能量提供裝置采用體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置、具有連續(xù) 發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖及激光器或體外電源及與其相連的微細(xì)傳輸線。體外交變電磁 場(chǎng)發(fā)生裝置通過(guò)定向發(fā)射交變電磁場(chǎng)，激發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架內(nèi)部產(chǎn)生渦流， 溫度升高至相變溫度，觸發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記憶效應(yīng) 的形狀記憶合金支架收縮；具有連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖通過(guò)導(dǎo)管導(dǎo)入具有記憶效 應(yīng)的形狀記憶合金支架內(nèi)部，激光從磨砂表面發(fā)射，被具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架吸 收，溫度升高后觸發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記憶效應(yīng)的形狀 記憶合金支架收縮；體外電源及與其相連的微細(xì)傳輸線與具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架 相連，電路接通后具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架發(fā)熱，觸發(fā)熱記憶效應(yīng)使具有記憶效應(yīng) 的形狀記憶合金支架收縮。
.本發(fā)明的能量提供裝置的控制系統(tǒng)硬件包括保護(hù)電路、整流電路、濾波電路、LC震蕩、 同步電路、電源電路、過(guò)零檢測(cè)電路、電壓檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路、嵌入式控制器、負(fù)載 檢測(cè)電路、控制及檢測(cè)電路、震蕩電路、功率檢測(cè)、IGBT，其中保護(hù)電路的輸出端通過(guò)整流 電路與濾波電路輸入相連，濾波電路的輸出端通過(guò)LC震蕩與同步電路輸入端相連，同步電路 輸出端與震蕩電路的輸入端相連，震蕩電路的輸出端通過(guò)功率控制分別與IGBT和嵌入式控制 器相連；嵌入式控制器分別與過(guò)零檢測(cè)電路、電壓檢測(cè)電路、電流檢測(cè)電路、負(fù)載檢測(cè)電路 和控制及檢測(cè)電路相連。
本發(fā)明的具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架采用含Ti 0 50%WT Ni 0 50%WT的鎳鈦基 形狀記憶合金、含鐵Fe 0~90%WT的鐵基形狀記憶合金或含銅Cu 0 90%WT的銅基形狀記憶 合金，具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的結(jié)構(gòu)形式采用螺旋型或管網(wǎng)型；具有單程或雙程 記憶效應(yīng)，單程記憶過(guò)程在20 40°C溫度下利用球囊將血管支架從壓縮狀態(tài)擴(kuò)張，在40 80 °C高溫下恢復(fù)至緊縮狀態(tài)；雙程記憶效應(yīng)在血液溫度37 40°C下擴(kuò)張，在40 80°C高 溫下恢復(fù)至緊縮狀態(tài)。體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置的交變電磁場(chǎng)頻率為0 10GHZ，磁場(chǎng)強(qiáng)度為 0 10T，交變電磁場(chǎng)持^時(shí)間0 10h，其磁場(chǎng)頻率和磁場(chǎng)強(qiáng)度可通過(guò)軟件操作界面或控制面板按鍵輸入指令調(diào)節(jié)。體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置其磁場(chǎng)頻率和磁場(chǎng)強(qiáng)度可通過(guò)軟件操作界面 或控制面板按鍵輸入指令調(diào)節(jié)。具有連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖的直徑為0 20mm，表 面磨砂的連續(xù)激光發(fā)射表面長(zhǎng)度0 200mm，激光光纖能量傳輸范圍為0 1000W，激光器采用 氣體激光器、固體激光器或半導(dǎo)休激光器。休外電源為0 1KV的外部交流或直流電源，微細(xì) 傳輸線直徑為0 5mm。輔助支架取出的介入器材中的導(dǎo)管規(guī)格在5F 10F之間，導(dǎo)絲規(guī)格在 0.025 0. 1英寸之間。
本發(fā)明的基本原理形狀記憶合金支架相變能量提供裝置為具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合 金支架提供相變能量，進(jìn)而觸發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記憶 效應(yīng)的形狀記憶合金支架恢復(fù)至記憶狀態(tài)(緊縮狀態(tài))，并環(huán)抱引導(dǎo)絲及球囊，從血管內(nèi)取出 導(dǎo)絲的同時(shí)取出具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架。
本發(fā)明的具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架取出方法按以下步驟進(jìn)行
步驟一 介入具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架
手術(shù)準(zhǔn)備，置入引導(dǎo)絲至血管狹窄或其他病變部位，引導(dǎo)絲到位后置入導(dǎo)管及其內(nèi)的具 有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金血管支架。在球囊或血溫作用下具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支 架擴(kuò)張，之后將引導(dǎo)絲、導(dǎo)管退出血管。
步驟二當(dāng)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架發(fā)生較嚴(yán)重血栓，或因移位、疲勞斷裂等 原因需要取出時(shí)，將導(dǎo)絲及球囊置入待取出具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的內(nèi)部。
步驟三準(zhǔn)備就緒后，在系統(tǒng)控制下，啟動(dòng)形狀記憶合金支架相變能量提供裝置，為具 有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架提供相變能量，溫度升高至相變溫度后，具有記憶效應(yīng)的形 狀記憶合金支架收縮并環(huán)抱導(dǎo)絲或球囊。
步驟四在控制系統(tǒng)的控制下取出導(dǎo)絲，取出導(dǎo)絲的同時(shí)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金 支架也取出患者的體外，并做術(shù)后處理。
.本發(fā)明的工作原理簡(jiǎn)潔明晰，操作方便、安全，易于實(shí)施，適合臨床應(yīng)用；手術(shù)過(guò)程實(shí) 施基于目前成熟的血管或非血管介入技術(shù)，對(duì)人體帶來(lái)的副作用相當(dāng)小。


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圖1為具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架在血管內(nèi)展開(kāi)示意圖2為利用體外電磁波發(fā)射裝置發(fā)射電磁波提高具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架溫度
示意圖；圖3為具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架至相變溫度后恢復(fù)至收縮狀態(tài)示意圖； 圖4為利用表面磨砂激光光纖發(fā)射激光提高支架溫度示意圖5為利用體外電源及絕緣導(dǎo)線將具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架加熱至相變溫度； 圖6為控制系統(tǒng)流程圖7為系統(tǒng)控制框圖； 圖8為電磁震蕩電路原理圖； 圖9為PWM脈寬調(diào)控原理圖； 圖10為IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理； 圖ll為同步電路原理圖。
圖中1具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架，2球囊，3引導(dǎo)絲，4控制系統(tǒng)，5 體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置，6激光器，7傳導(dǎo)光纖，8具有連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂光纖，9 體外電源，IO微細(xì)傳輸線，ll血栓，12渦流。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1:
采用體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置5作為外部能量控制裝置，采用嵌入式系統(tǒng)作為控制裝置 的核心部件，使用軟件操作界面調(diào)節(jié)磁場(chǎng)頻率和磁場(chǎng)強(qiáng)度，使用具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶
鎳鈦基合金支架1，控制系統(tǒng)流程圖如圖6所示。
如圖7所述，控制系統(tǒng)硬件包括電源回路、主回路、中央控制器和保護(hù)電路。其工作過(guò) 程如下，交流電經(jīng)變壓整流處理后直流電，再通過(guò)勵(lì)磁線圈加到IGBT上，IGBT受驅(qū)動(dòng)信號(hào) 的控制而導(dǎo)通或截止，在勵(lì)磁線圈中產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)，此電磁場(chǎng)穿透體表后，作用于血管支 架。
其中主回路中的IGBT受矩形脈沖驅(qū)動(dòng)而導(dǎo)通或截止，導(dǎo)通時(shí)，勵(lì)磁線圈電流增加，當(dāng) IGBT截止時(shí)，L、 C回路發(fā)生諧振，IGBT集電極產(chǎn)生脈沖高壓。
同步回路監(jiān)視主回路并保護(hù)IGBT，當(dāng)IGBT電壓下降接近OV時(shí)，輸出一個(gè)觸發(fā)脈沖使震 蕩電路開(kāi)始下一個(gè)周期的震蕩，并使IGBT導(dǎo)通。震蕩電路輸出矩形脈沖且脈沖的寬度受電流 負(fù)反饋的控制。
負(fù)荷電流的反饋信號(hào)與中央控制器輸出的PWM信號(hào)相比較而形成電流負(fù)反饋的輸出?？?通過(guò)分改變P麗的占空比就可控制負(fù)荷電流的大小。
電磁震蕩電路原理如圖8所示，通過(guò)硅橋，再通過(guò)電容C1的濾波處理，轉(zhuǎn)換為直流電壓 信號(hào)，線圈和C3并聯(lián)，以產(chǎn)生電磁震蕩。PWM脈寬調(diào)控原理如圖9所示，脈沖到達(dá)由R30、 C27、 R31組成的積分電路，PWM脈沖 越寬，C28電壓升高，C29電壓升高，送到震蕩電路PWM點(diǎn)的控制電壓隨著C29的升高而升高， 裝置功率增大，反之越小。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理如圖IO所示，IGBT驅(qū)動(dòng)原理震蕩電路輸出脈沖信號(hào)，此電壓不能 直接控制IGBT的飽和導(dǎo)通及截止，所以必須通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路將信號(hào)進(jìn)行放大。當(dāng)VT1導(dǎo)通時(shí)， VT4截止，IGBT截止。當(dāng)VT1截止，VT4導(dǎo)通時(shí)，IGBT導(dǎo)通。
同步電路原理如圖11所示，同步電路原理交流電經(jīng)整流濾波后得到直流電，R15、 R14、 R16產(chǎn)生一分壓，Rl、 R17、 R28產(chǎn)生另外一分壓，在高頻電流的一個(gè)周期里，由于C14兩端 電壓為上負(fù)下正，震蕩電路沒(méi)有輸出，VT1不導(dǎo)通，C3電容兩段電壓消失后，震蕩電路有輸 出。上述過(guò)程，保證了 VT1 G極上的開(kāi)關(guān)脈沖前沿與VT1脈沖的VCE脈沖后沿相同步。
本實(shí)施例按以下步驟進(jìn)行
步驟一 具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1介入醫(yī)生做常規(guī)術(shù)前準(zhǔn)備，做器 械消毒，體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置、穿刺針、血管鞘、引導(dǎo)絲、球囊、導(dǎo)管、血管支架、準(zhǔn) 備，手術(shù)相關(guān)部位做局部或全身麻醉。如圖1所示，經(jīng)皮刺穿后，在CT成像監(jiān)視裝置的監(jiān)視 下置入引導(dǎo)絲3。引導(dǎo)絲3就位后，置入導(dǎo)管及其內(nèi)的具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合 金支架1。根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)手術(shù)方案，在指定位置緩慢回退導(dǎo)管。在血液溫度作用下支架自行 展開(kāi)，或利用球囊2對(duì)具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架進(jìn)行擴(kuò)張，待支架擴(kuò)張后， 將介入器材退出血管。
步驟二如圖2所示，當(dāng)具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1發(fā)生較嚴(yán)重血栓， 或因移位、疲勞斷裂等原因需要取出時(shí)，將引導(dǎo)絲3及球囊2置入待取出具有記憶效應(yīng)的管 網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1的內(nèi)部。
步驟三準(zhǔn)備就緒后，在控制系統(tǒng)4的控制下，啟動(dòng)體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置5，定向 發(fā)射交變電磁場(chǎng)，使具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1內(nèi)產(chǎn)生渦流，溫度升高至 相變溫度后，具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1收縮并環(huán)抱導(dǎo)絲或球囊，如圖3 所示。
步驟四介入科醫(yī)生在取出引導(dǎo)絲3時(shí)，將具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架
l也取出患者的體外，并作術(shù)后處理。 實(shí)施例2:
如圖4所示外界提供能量裝置是具有連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖8及氣體激光器 6,采用具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1，激光器通過(guò)傳導(dǎo)光纖與磨砂光纖相連， 磨砂光纖置入具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架內(nèi)。步驟一和步驟二與實(shí)施例1相同，不同之處在于將步驟一中的體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置 改為具有連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖及氣體激光器。
步驟三當(dāng)具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1需取出時(shí)，開(kāi)啟激光器6，激 光光線從磨砂光纖8的四周射出。因血液對(duì)所選波段激光吸收很小，大部份激光能量被具有 記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架1吸收，升高至相變溫度后，具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀 記憶鎳鈦基合金支架1回縮環(huán)抱導(dǎo)絲及球囊。
步驟四取出導(dǎo)絲及具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀記憶鎳鈦基合金支架l，并作處理。 實(shí)施例3:
如圖5所示，外界提供能量的設(shè)備是體外交直流電源9、微細(xì)傳輸線10和具有記憶效應(yīng) 的管網(wǎng)狀鎳鈦基合金支架1，體外交直流電源通過(guò)微細(xì)傳輸線10與具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀鎳
鈦基合金支架l相連。手術(shù)按以下步驟進(jìn)行
步驟一和步驟二與實(shí)施例1相同，不同之處在于將步驟一中的體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置 改為體外交直流電源及與其相連的微細(xì)傳輸線。
步驟三準(zhǔn)備工作就緒后，將導(dǎo)線和具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀鎳鈦基合金支架1連接。啟 動(dòng)電源，具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀鎳鈦基合金支架l發(fā)熱后至相變溫度收縮，環(huán)抱導(dǎo)絲及球囊。
步驟四取出具有記憶效應(yīng)的管網(wǎng)狀鎳鈦基合金支架l，并作術(shù)后處理。
權(quán)利要求
1.一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于該裝置包括形狀記憶合金支架相變能量提供裝置、能量供應(yīng)裝置的控制系統(tǒng)和具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的形狀 記憶合金支架相變能量提供裝置，采用體外交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置、具有連續(xù)發(fā)射表面的表 面磨砂激光光纖及激光器或體外電源及與其相連的微細(xì)傳輸線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有 記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架采用含鈦TiO 50%WT NiO 50%WT的鎳鈦基形狀記憶合金； 含鐵Fe 0 90%WT的鐵基形狀記憶合金或含銅Cu 0 90%WT的銅基形狀記憶合金；所述的 具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的結(jié)構(gòu)形式采用螺旋型或管網(wǎng)型。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有 記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架具有單程或雙程記憶效應(yīng)；單程記憶過(guò)程在20 40°C溫度 下利用球囊將具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架從壓縮狀態(tài)擴(kuò)張，在40 80°C高溫下恢 復(fù)至緊縮狀態(tài)；雙程記憶效應(yīng)在血液溫度37 40。C下擴(kuò)張，在40 80。C高溫下恢復(fù)至緊 縮狀態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外 交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置通過(guò)定向發(fā)射電磁波，激發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架內(nèi)部產(chǎn) 生渦流，溫度上升至相變溫度，觸發(fā)具有記憶相應(yīng)的記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記 憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架收縮。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有 連續(xù)發(fā)射表面的磨砂激光光纖通過(guò)導(dǎo)管導(dǎo)入具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架內(nèi)部，激光 從磨砂表面發(fā)射，被具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架吸收，溫度上升后觸發(fā)具有記憶效 應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架收縮。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外 電源及與其相連的微細(xì)傳輸線與具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架相連，電路接通后使具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架發(fā)熱，觸發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效 應(yīng)，使具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架收縮。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外 交變電磁場(chǎng)發(fā)生裝置，其交變電磁場(chǎng)頻率為0 10GHZ，磁場(chǎng)強(qiáng)度為0 10T，交變電磁場(chǎng) 持續(xù)時(shí)間為0 10h，通過(guò)軟件操作界面或控制面板按鍵輸入指令調(diào)節(jié)磁場(chǎng)頻率和磁場(chǎng)強(qiáng)度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有 連續(xù)發(fā)射表面的表面磨砂激光光纖及激光器，具有連續(xù)發(fā)射表面的磨砂激光光纖的直徑為 0 20mm，表面磨砂的連續(xù)激光發(fā)射表面長(zhǎng)度0 200mra,激光光纖能量傳輸范圍為0 IOOOW，激光器采用氣體激光器、固體激光器或半導(dǎo)體激光器。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外 電源及與其相連的微細(xì)傳輸線，體外電源為0 1KV的外部交流或直流電源，微細(xì)傳輸線 直徑為0 5mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，包括形狀記憶合金支架相變能量提供裝置、具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架和能量供應(yīng)裝置的控制系統(tǒng)，利用形狀記憶合金支架相變能量提供裝置為具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架提供相變能量，誘發(fā)具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架的記憶效應(yīng)，使具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架恢復(fù)至緊縮狀態(tài)，并環(huán)抱導(dǎo)絲及球囊；在X線或CT成像監(jiān)視下，借助于介入器材將具有記憶效應(yīng)的形狀記憶合金支架取出。本發(fā)明的裝置提出了血管或非血管腔道內(nèi)支架的取出方法，該方法原理簡(jiǎn)潔明晰，操作方便、安全，易于實(shí)施，適合于臨床應(yīng)用，該手術(shù)過(guò)程實(shí)施基于目前成熟的血管或非血管介入技術(shù)，對(duì)人體的副作用小。
文檔編號(hào)A61F2/84GK101401752SQ200810228439
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者雁 康, 項(xiàng)士海 申請(qǐng)人:東北大學(xué)