專利名稱：半導(dǎo)體電路裝置及其制造方法
本專利申請主張2000年5月19日提交的日本專利申請2000-148044的優(yōu)先權(quán)，這里參照引入其內(nèi)容。
本發(fā)明涉及具有半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體電路裝置。具體而言，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體電路裝置及制造一種半導(dǎo)體電路裝置的方法，該半導(dǎo)體電路裝置具有與包含在半導(dǎo)體電路裝置中的半導(dǎo)體電路電連接的連接部件。
近年來，在高度集成半導(dǎo)體電路裝置領(lǐng)域中活躍地進行了研究和開發(fā)。然而，半導(dǎo)體電路的裝置和配線的尺寸減少幾乎達到極限。因此，需要增加襯底面積中的電路面積。


圖1表示常規(guī)半導(dǎo)體電路裝置20的俯視圖。半導(dǎo)體電路裝置20在襯底74的一上表面上具有連接部件40、配線50和半導(dǎo)體電路60。半導(dǎo)體電路60通過配線50電連接到連接部件40上，配線50由例如鋁等材料制成。
如圖1所示，連接部件40和半導(dǎo)體電路60位于半導(dǎo)體電路裝置20的襯底74的同一上表面上。因此，難以提高半導(dǎo)體電路所占據(jù)面積對半導(dǎo)體電路裝置20的整個面積的比率。另外，使用金制配線來將連接部件40連接到半導(dǎo)體電路裝置20外的導(dǎo)線上。包含于金制配線中的例如電容等寄生元件引起電力損耗，并因此使得半導(dǎo)體電路裝置的電子設(shè)計變難。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體電路裝置和其制造方法，可克服常規(guī)技術(shù)存在的上述缺點。通過獨立權(quán)利要求中所述組合可實現(xiàn)上述和其它目的。從屬權(quán)利要求進一步定義了本發(fā)明的有益的、典型的組合。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一個半導(dǎo)體電路裝置包括一個襯底；一個形成于該襯底上表面上的半導(dǎo)體電路；和形成于該襯底側(cè)面上的連接部件，該連接部件電連接于該半導(dǎo)體電路上。
該連接部件在所述襯底的所述上表面上可具有一上端部。該連接部件的上端部可電連接于該半導(dǎo)體電路上。該連接部件可具有一在襯底側(cè)面內(nèi)形成的凹槽上形成的下端部。該連接部件可進一步在襯底的上表面上具有一上端部；并且該連接部件的上端部可電連接于該連接部件的下端部。
可在凹槽的整個表面上形成該下端部。也可在部分凹槽表面上形成該下端部?？稍诿鎸σr底的上端部的整個底表面上形成該下端部。可穿過襯底的頂表面從一底表面開始在襯底的側(cè)面上形成該凹槽。
連接部件的上端部可由不同于形成連接部件下端部的材料形成。該連接部件可形成于襯底的多個側(cè)面上?？梢灶A(yù)定間隔在襯底的側(cè)面上形成多個連接部件?？捎山饋硇纬蛇B接部件的下端部。
半導(dǎo)體電路裝置的連接部件可與形成于另一半導(dǎo)體電路裝置側(cè)面上的另一連接部件電連接。凹槽具有一半圓柱形狀。凹槽可具有一半圓錐形狀。上端部的面積可大于與該上端部接觸的下端部的面積。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，一個半導(dǎo)體電路裝置包括一第一半導(dǎo)體電路裝置和一第二半導(dǎo)體電路裝置，該第一半導(dǎo)體電路裝置包括第一襯底；一形成于該第一襯底的一個上表面上的第一半導(dǎo)體電路；和一形成于該第一襯底的一側(cè)面上的第一連接部件，該第一連接部件電連接到該第一半導(dǎo)體電路上，該第二半導(dǎo)體電路裝置包括一第二襯底；一形成于該第二襯底的一個上表面上的第二半導(dǎo)體電路；和一形成于該第二襯底的一側(cè)面上的第二連接部件，該第二連接部件電連接到該第二半導(dǎo)體電路上；其中，該第一連接部件和該第二連接部件彼此電連接。
第一半導(dǎo)體電路裝置的第一襯底的該側(cè)面和第二半導(dǎo)體電路裝置的第二襯底的該側(cè)面可彼此接觸，因此，第一連接部件和第二連接部件彼此電連接。
可在位于第一襯底的側(cè)面內(nèi)的一第一凹槽上形成該第一連接部件；可在位于第二襯底的側(cè)面內(nèi)的一第二凹槽上形成該第二連接部件；當(dāng)?shù)谝贿B接部件和所述第二連接部件彼此接觸時，可用導(dǎo)電材料來填充第一凹槽和第二凹槽。
第一襯底可具有一凹部，其中安裝第二半導(dǎo)體電路裝置，在該凹部的一側(cè)面上形成第一連接部件；第一半導(dǎo)體電路裝置的第一連接部件與第二半導(dǎo)體電路裝置的第二連接部件彼此電連接。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，一種制造半導(dǎo)體電路裝置的方法包括在襯底的上表面上形成一第一連接部件的步驟；穿過該襯底的上表面從底表面形成一孔的步驟，因此面對該上表面的該孔的一端被該第一連接部件覆蓋；通過在孔的表面和面對該孔的第一連接部件的底表面上形成導(dǎo)電材料來形成第二連接部件的步驟；和切割襯底的步驟，因此沿所述襯底的切割面暴露部分所述第一連接部件和所述第二連接部件。
形成孔的步驟可形成半圓柱形狀的孔。形成孔的步驟可形成半圓錐形狀的孔。形成第一連接部件的步驟可形成第一連接部件，因此，第一連接部件的面積變得比與第一連接部件接觸的第二連接部件的面積大。
本發(fā)明的概述不必描述本發(fā)明所有必需的特征。本發(fā)明也可是上述特征的子組合。本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將通過結(jié)合附圖從下面實施例的描述而變得更明顯。
圖1表示常規(guī)半導(dǎo)體電路裝置20的俯視圖；圖2表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體電路裝置10的俯視圖；圖3A和3B表示形成于襯底70的側(cè)面72a上的連接部件30的結(jié)構(gòu)；圖4表示連接部件30結(jié)構(gòu)的另一實施例；圖5A和5B表示連接部件30的結(jié)構(gòu)的其它實施例；圖6表示具有多個半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d的合成半導(dǎo)體電路裝置100的結(jié)構(gòu)；圖7A和7B表示合成半導(dǎo)體電路裝置的另一實施例的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖8A和8B表示連接部件30a和130b的剖面；圖9A-9E表示圖2和圖3中所示半導(dǎo)體電路裝置10的制造過程。
現(xiàn)在基于最佳實施來描述本發(fā)明，該最佳實施例并不限制本發(fā)明的范圍，而是例證本發(fā)明。實施例中所述的所有特征和其結(jié)合對本發(fā)明不是必然必要的。
圖2表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體電路裝置10的俯視圖。半導(dǎo)體電路裝置10具有襯底70、半導(dǎo)體電路60、連接部件30和配線50。半導(dǎo)體電路60形成于襯底70的上表面74上。連接部件30形成于襯底70的側(cè)面72a、72b、72c和72d上。連接部件30通過配線50與包含于半導(dǎo)體電路60中的半導(dǎo)體元件電連接，配線50由例如鋁等材料制成。
連接部件30最好位于襯底70的一個側(cè)面或多個側(cè)面上。在本實施例中，連接部件30形成于襯底70的多個側(cè)面72a、72b、72c和72d上。
此外，以期望確定的預(yù)定間隔在襯底70的每個側(cè)面上形成多個連接部件30。例如，如圖2所示，從側(cè)面72a至側(cè)面72d以不變間隔在襯底70的側(cè)面72上設(shè)置連接部件30。另外，也可對每個側(cè)面72a-72d以不同間隔在襯底70的側(cè)面72a-72d上設(shè)置連接部件30。
最好是，在襯底70的側(cè)面上設(shè)置連接部件30，因此，當(dāng)兩個不同半導(dǎo)體電路裝置10的每個側(cè)面彼此接觸時，位于兩個不同半導(dǎo)體裝置10的兩個不同襯底70的每個側(cè)面上的連接部件30彼此接觸。
圖3表示形成于襯底70的側(cè)面72a上的連接部件30的結(jié)構(gòu)。
圖3A表示形成于襯底70的側(cè)面72a上的連接部件30的結(jié)構(gòu)的一個實施例。在該實例中，凹槽32形成于襯底70的側(cè)面72a上。最好通過從襯底70的上表面74至底表面76切割襯底的側(cè)面72來形成凹槽32。
在另一實施例中，通過從上表面74至襯底70的上表面74和底表面76之間的一個位置切割襯底70的側(cè)面72來形成凹槽32。并且，也可通過從底表面76至襯底70的上表面74和底表面76之間的一個位置切割襯底70的側(cè)面72來形成凹槽32。另外，可通過從位于襯底70的上表面74和底表面76之間的一個第一位置至位于襯底70的上表面74和底表面76之間的一個第二位置切割襯底70的側(cè)面72a來形成凹槽32。
凹槽32可具有半圓柱形狀或半圓錐形狀。另外，凹槽32可具有多邊形形狀或多邊形錐體形狀。
如圖3A所示，在襯底70的上表面74上暴露連接部件30的上表面。并且，配線50電連接于連接部件30的上表面。然而，配線50可電連接于襯底70內(nèi)的連接部件30的上表面和下表面之間的區(qū)域上。此外，配線50可電連接于連接部件30的底表面上。
在圖3A中，通過在整個凹槽32的表面上鍍上導(dǎo)電材料來形成連接部件30。由例如金等導(dǎo)電材料形成連接部件30。在另一實施例中，可通過在凹槽32中填充導(dǎo)電材料來形成連接部件30。
圖3B表示形成于襯底70的側(cè)面72a上的連接部件30的結(jié)構(gòu)的另一實施例。在該實施例中，凹槽32形成于襯底70的側(cè)面72a上。圖3B中，凹槽32具有半圓錐形狀。然而，凹槽32可具有半圓柱形狀。此外，凹槽32可具有多邊形形狀或多邊形錐體形狀。
連接部件30具有上端部36和下端部34。上端部36形成于襯底70的上表面74上。下端部34形成于在襯底70的側(cè)面72a上形成的凹槽32上。連接部件30的上端部36電連接于連接部件30的下端部34上。具體而言，連接部件30的上端部36電連接于連接部件30的下端部34的頂表面上。上端部36的面積大于與上端部36接觸的下端部34的上表面的面積。
通過在下端部34上提供上端部36，連接部件30可以可靠地連接到配線50上。因此，連接部件30可以可靠地電連接到半導(dǎo)體電路60上。
配線50電連接到連接部件30的上端部36上。如圖2所示，連接部件30的上端部36通過配線50電連接到包含于半導(dǎo)體電路60中的半導(dǎo)體元件上。
在圖3B中，通過在凹槽32的整個表面和面對下端部34的上端部36的整個底表面上鍍導(dǎo)電材料來形成連接部件30的下端部34。
在另一實施例中，可通過在凹槽32中填充導(dǎo)電材料來形成下端部34。連接部件30的下端部34可由例如金等導(dǎo)電材料形成。連接部件30的上端部36也可由導(dǎo)電材料形成。上端部36可由不同于下端部34的材料形成。上端部36也可由與下端部34的相同的材料形成。
圖4表示連接部件30結(jié)構(gòu)的另一實施例。在圖4中，連接部件30的上端部36與連接部件30的下端部34的上表面和側(cè)面接觸。除上端部36的結(jié)構(gòu)外，該結(jié)構(gòu)與圖3B中所示結(jié)構(gòu)相同。
圖5A和5B表示連接部件30的結(jié)構(gòu)的其它實施例。在圖5A中，在凹槽32的部分表面上形成連接部件30。在圖5B中，在面對下端部34的上端部36的整個底表面上形成連接部件30的下端部34。然而，可在面對下端部34的上端部36的部分底表面上形成連接部件30的下端部34。除下端部34的結(jié)構(gòu)外，該結(jié)構(gòu)與圖3B中所示結(jié)構(gòu)相同。
圖6表示具有多個半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d的合成半導(dǎo)體電路裝置100的結(jié)構(gòu)。每個半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d分別在每個襯底70a、70b、70c和70d的側(cè)面上具有連接部件30a、30b、30c和30d。連接部件30a-30d可具有從圖3至圖5所述結(jié)構(gòu)中的一個結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體電路裝置10a在襯底70a的上表面上具有半導(dǎo)體電路60a，并在襯底70a的兩個側(cè)面上具有連接部件30a。包括在半導(dǎo)體電路60a中的半導(dǎo)體元件通過配線50a電連接于連接部件30a。
半導(dǎo)體電路裝置10b、10c和10d具有與半導(dǎo)體電路裝置10a相同的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電路裝置10a-10d最好具有與圖2中所述半導(dǎo)體電路裝置10相同或相似的結(jié)構(gòu)。在圖6中，合成半導(dǎo)體電路裝置100具有四個半導(dǎo)體電路裝置10a-10d。然而，作為其它實施例，合成半導(dǎo)體電路裝置10可具有兩個半導(dǎo)體電路裝置10或更多。
彼此鄰接的半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d的每一個的側(cè)面彼此接觸。因此，彼此鄰接的半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d通過每個連接部件30a-30d彼此電連接。例如，圖6中，半導(dǎo)體電路裝置10a的連接部件30a電連接于半導(dǎo)體電路裝置10b的連接部件30b。另外，半導(dǎo)體電路裝置10a的連接部件30a電連接于半導(dǎo)體電路裝置10d的連接部件30d。然而，彼此鄰接的所有半導(dǎo)體電路裝置10a、10b、10c和10d不必彼此電連接。
每個半導(dǎo)體電路裝置10a-10d最好具有相同形狀。然而，合成半導(dǎo)體電路裝置100可具有彼此具有不同形狀的半導(dǎo)體電路裝置10a-10d。
圖7A表示具有半導(dǎo)體電路裝置10e和10f的合成半導(dǎo)體電路裝置100的另一實施例的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖7B表示合成半導(dǎo)體電路裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面圖。半導(dǎo)體電路裝置10e具有連接部件30e。半導(dǎo)體電路裝置10f具有連接部件30f。連接部件30e和30f可具有從圖3至圖5所述結(jié)構(gòu)中的一個結(jié)構(gòu)。
如圖7B所示，半導(dǎo)體電路裝置10e在其上表面上具有凹槽32e和凹部150。半導(dǎo)體電路裝置10f位于半導(dǎo)體電路裝置10e的凹部150e內(nèi)。
半導(dǎo)體電路裝置10e具有位于襯底70e上表面上的半導(dǎo)體電路60e和位于襯底70e側(cè)面上的連接部件30e。包含于半導(dǎo)體電路60e中的半導(dǎo)體元件和連接部件30e通過配線50e彼此電連接。半導(dǎo)體電路裝置10e的連接部件30e和半導(dǎo)體電路裝置10f的連接部件30f彼此電連接。此外，半導(dǎo)體電路裝置10e和10f的每個側(cè)面彼此接觸。
在圖7A和7B中，合成半導(dǎo)體電路裝置100具有兩個半導(dǎo)體電路裝置10e和10f。然而，合成半導(dǎo)體電路裝置100可具有三個半導(dǎo)體電路裝置10或更多，并且每個半導(dǎo)體電路裝置10在其側(cè)面上具有連接部件30。例如，半導(dǎo)體電路裝置10e在上表面上具有多個凹部，并且在其側(cè)面上具有連接部件的半導(dǎo)體電路裝置10f可位于半導(dǎo)體電路裝置10e的每個凹部內(nèi)。
圖8A和8B表示連接部件30a和30b的剖面，當(dāng)每個半導(dǎo)體電路裝置10a和半導(dǎo)體電路裝置10b的側(cè)面彼此接觸時，連接部件30a和30b彼此電連接。
圖8A表示彼此連接的連接部件30a和30b結(jié)構(gòu)的剖視圖。連接部件30a和連接部件30b具有與圖3B中所述連接部件30相同的結(jié)構(gòu)。
連接部件30a的上端部36a形成于襯底70a的上表面74a上。上端部36a通過配線50a電連接于包含在半導(dǎo)體電路60a中的半導(dǎo)體元件(未圖示)上。類似地，連接部件30b的上端部36b形成于襯底70b的上表面74b上。上端部36b通過配線50b電連接于包含在半導(dǎo)體電路60b中的半導(dǎo)體元件(未圖示)上。連接部件30a的下端部34a和連接部件30b的下端部34b在形成于每個襯底70a和70b的側(cè)面上的凹槽32a和凹槽32b上形成。
在圖8A和8B中，每個襯底70a和70b的側(cè)面72a和72b彼此接觸。因此，連接部件30a和30b彼此電連接。具體而言，連接部件30a的上端部36a的側(cè)面和連接部件30b的上端部36b的側(cè)面彼此接觸并彼此電連接。
此外，位于與連接部件30a的側(cè)面同一朝向的部分下端部34a和位于與連接部件30b的側(cè)面同一朝向的部分下端部34b彼此接觸并彼此電連接。上端部36a和36b和下端部34a和34b最好彼此接觸并彼此電連接。然而，任一上端部36a和36b或下端部34a和34b的組合都可彼此接觸并彼此電連接。
由凹槽32a和32b在襯底70a和70b的底表面76a和76b上形成孔部78。該孔部78由下端部34a和下端部34b覆蓋。
圖8B表示連接部件30a和30b結(jié)構(gòu)的另一實施例的剖視圖。在由連接部件30a和30b的凹槽32a和凹槽32b形成的整個孔部78中填充導(dǎo)電材料38。然而，可在孔部78中填充導(dǎo)電材料以外的材料。
此外，如圖8B所示，最好在整個孔部78中填充導(dǎo)電材料38。然而，也可在部分孔部78中填充導(dǎo)電材料38。通過用導(dǎo)電材料38填充孔部78，可提高連接部件30a和30b的機械可靠性和電可靠性。
圖9A-9E表示圖2和圖3中所示半導(dǎo)體電路裝置10的制造過程。
如圖9A所示，在襯底70的上表面74上形成一第一連接部件90。由例如鋁等導(dǎo)電材料形成該第一連接部件90。另外，第一連接部件90通過配線50a和50b連接于包含于形成在襯底70的上表面74上的半導(dǎo)體電路中的半導(dǎo)體元件(未圖示)上。配線50a和50b形成于襯底70的上表面74上。
接著，如圖9B所示，將襯底70翻轉(zhuǎn)。然后，從底表面76至上表面74通過蝕刻襯底70，直到暴露出部分第一連接部件90的底表面94來形成孔84。因為在襯底70的上表面74上形成該第一連接部件90，所以由該第一連接部件90覆蓋孔84的底端。最好是，事先在除了通過蝕刻形成孔84的區(qū)域外的襯底70的底表面76上形成抗蝕層80。使用濕蝕刻來形成圖9的孔84。然而，也可用干蝕刻來形成孔84。
接著，如圖9C所示，在孔84的表面上形成氧化膜82。然后，通過例如電鍍等方法將一例如金等導(dǎo)電材料附于孔84的表面和第一連接部件90的背面94上來形成第二連接部件92。在本實施例中，在氧化膜82的表面上形成該第二連接部件92，氧化膜82形成于襯底70的蝕刻區(qū)域的側(cè)壁和第一連接部件90的底表面94上。最好形成氧化膜82，因此例如金等導(dǎo)電材料不會進入襯底70。接著，從襯底70的底表面76上去除圖9B所示抗蝕層80。
接著，如圖9D所示，沿切割線88切割襯底70從而將其分為半導(dǎo)體電路裝置10a和10b。切割線88最好基本上穿過孔84的中心。因此，在通過沿切割線88切割襯底70所形成的切割面上暴露第一連接部件90和第二連接部件92。通過上述過程，可制造圖3B和圖8A中所示具有連接部件30a和30b的半導(dǎo)體電路裝置10a和10b。
圖9E表示由圖9A至9D所述方法制造的半導(dǎo)體電路裝置10a的結(jié)構(gòu)的實例。
半導(dǎo)體電路裝置10a在襯底70a的上表面74a上具有連接部件30a的上端部36a。切割第一連接部件90形成連接部件30a的上端部36a。并且，半導(dǎo)體電路裝置10a在襯底70a的側(cè)面72a上具有連接部件30a的下端部34a。襯底70a的側(cè)面72a是沿切割線88切割襯底70而暴露的切割面。通過沿切割線88切割第二連接部件92形成連接部件30a的下端部34a。
這里，如圖9E所示，連接部件30a的上端部36a最好通過配線50a連接到包含于半導(dǎo)體電路60a中的半導(dǎo)體元件上。另外，連接部件30a的下端部34a最好形成于氧化膜82a的表面上。
從上述可知，本實施例的半導(dǎo)體電路裝置可擴大半導(dǎo)體電路裝置上的半導(dǎo)體電路的面積。另外，本實施例的半導(dǎo)體電路裝置可減少引起電力損耗的包含于配線中的例如電容等寄生元件。
雖然已通過典型實施例來描述了本發(fā)明，但應(yīng)該明白，在不脫離僅由附加權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可作出許多修改和替換。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體電路裝置，包括一襯底；一個形成于所述襯底上表面上的半導(dǎo)體電路；和一形成于所述襯底的所述側(cè)面上的連接部件，所述連接部件電連接于所述半導(dǎo)體電路上。
2．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件在所述襯底的所述上表面上可具有一上端部。
3．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件的所述上端部電連接于所述半導(dǎo)體電路上。
4．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件具有一在所述襯底的所述側(cè)面內(nèi)形成的凹槽上形成的下端部。
5．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件進一步在所述襯底的所述上表面上具有一上端部；并且所述連接部件的所述上端部電連接于所述連接部件的所述下端部。
6．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于在所述凹槽的整個表面上形成所述下端部。
7．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可在所述凹槽的部分表面上形成所述下端部。
8．如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可在面對所述襯底的所述上端部的整個底表面上形成所述下端部。
9．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可穿過所述襯底的頂表面從一底表面開始在所述襯底的所述側(cè)面上形成所述凹槽。
10．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件的所述上端部可由不同于形成所述連接部件的所述下端部的材料形成。
11．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述連接部件可形成于所述襯底的多個所述側(cè)面上。
12．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可以預(yù)定間隔在所述襯底的所述側(cè)面上形成多個所述連接部件。
13．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可由金來形成所述連接部件的所述下端部。
14．如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體電路裝置的所述連接部件可與形成于另一所述半導(dǎo)體電路裝置的所述側(cè)面上的另一所述連接部件電連接。
15．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述凹槽具有一半圓柱形狀。
16．如權(quán)利要求4的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述凹槽具有一半圓錐形狀。
17．如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述上端部的面積大于與所述上端部接觸的所述下端部的面積。
18．一種半導(dǎo)體電路裝置，包括一第一半導(dǎo)體電路裝置，該第一半導(dǎo)體電路裝置包括一第一襯底；一形成于所述第一襯底的一個上表面上的第一半導(dǎo)體電路；和一形成于所述第一襯底的一側(cè)面上的第一連接部件，所述第一連接部件電連接到所述第一半導(dǎo)體電路上；和一第二半導(dǎo)體電路裝置，該第二半導(dǎo)體電路裝置包括一第二襯底；一形成于所述第二襯底的一個上表面上的第二半導(dǎo)體電路；和一形成于所述第二襯底的一側(cè)面上的第二連接部件，所述第二連接部件電連接到所述第二半導(dǎo)體電路上；其中，所述第一連接部件和所述第二連接部件彼此電連接。
19．如權(quán)利要求18的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述第一半導(dǎo)體電路裝置的所述第一襯底的所述側(cè)面和所述第二半導(dǎo)體電路裝置的所述第二襯底的所述側(cè)面可彼此接觸，因此，所述第一連接部件和所述第二連接部件彼此電連接。
20．如權(quán)利要求18的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于可在位于所述第一襯底的所述側(cè)面內(nèi)的一第一凹槽上形成所述第一連接部件；可在位于所述第二襯底的所述側(cè)面內(nèi)的一第二凹槽上形成所述第二連接部件；和當(dāng)所述第一連接部件和所述第二連接部件彼此接觸時，可用導(dǎo)電材料來填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。
21．如權(quán)利要求18的半導(dǎo)體電路裝置，其特征在于所述第一襯底可具有一凹部，其中安裝所述第二半導(dǎo)體電路裝置，在所述凹部的一側(cè)面上形成所述第一連接部件；和所述第一半導(dǎo)體電路裝置的所述第一連接部件與所述第二半導(dǎo)體電路裝置的所述第二連接部件彼此電連接。
22．一種制造半導(dǎo)體電路裝置的方法，包括在襯底的一上表面上形成一第一連接部件；穿過所述襯底的所述上表面從一底表面形成一孔，因此面對所述上表面的所述孔的一端被所述第一連接部件覆蓋；通過在所述孔的一表面和面對所述孔的所述第一連接部件的一底表面上形成導(dǎo)電材料來形成一第二連接部件；和切割所述襯底，因此沿所述襯底的切割面暴露部分所述第一連接部件和所述第二連接部件。
23．如權(quán)利要求22的方法，其特征在于所述形成所述孔形成半圓柱形狀的所述孔。
24．如權(quán)利要求22的方法，其特征在于所述形成所述孔形成半圓錐形狀的所述孔。
25．如權(quán)利要求22的方法，其特征在于所述形成所述第一連接部件形成所述第一連接部件，因此，所述第一連接部件的面積變得比與所述第一連接部件接觸的所述第二連接部件的面積大。
全文摘要
一種半導(dǎo)體電路裝置,包括:一襯底;一個形成于該襯底的一上表面上的半導(dǎo)體電路;一形成于該襯底一側(cè)面上的連接部件,該連接部件電連接于該半導(dǎo)體電路上。
文檔編號H01L21/768GK1325139SQ0112143
公開日2001年12月5日 申請日期2001年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月19日
發(fā)明者江面知彥, 鈴木純一 申請人:株式會社愛德萬測試