專利名稱：利用惰性氣體噴射研磨硼粉末以滿足純度要求的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中公開的主題涉及噴射研磨硼粉末，并且更具體地涉及利用惰性氣體噴射研磨硼粉末以滿足純度要求。
背景技術(shù)：
噴射研磨機用于將具有相對較大顆粒大小的原料材料粉碎成具有相對較小顆粒大小的粉末。通常，噴射研磨機利用從車間的環(huán)境大氣所獲得的壓縮空氣進行操作，其中，壓縮空氣用作使顆粒懸浮在噴射研磨機內(nèi)的流體流中的載體。然而，壓縮空氣可能包含相當?shù)挠秃?。此種油含量可從多種源引入到壓縮空氣中。例如，運動的壓縮機構(gòu)件可具有位于其上的油并且該油可與被壓縮的空氣混合。當壓縮空氣用作供給氣體、研磨氣體或二者以操作噴射研磨機時，包含在壓縮空氣中的油通常給予到噴射研磨操作的最終產(chǎn)品。諸 如油的雜質(zhì)可弄臟諸如從噴射研磨機提取的被研磨的硼粉末的最終產(chǎn)品。因此，被研磨的硼粉末可能變得不可用，或者可能在制造過程中使用該粉末之前必須經(jīng)受進一步的加工以移除雜質(zhì)。因此，存在對用于噴射研磨硼原料的方法和裝備的改進的需要。

發(fā)明內(nèi)容
下文介紹了對本發(fā)明的簡要概述以提供對本發(fā)明的一些示范方面的基本理解。該概述不是對本發(fā)明的廣泛綜述。此外，該概述既非意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵元件也非意圖描繪本發(fā)明的范圍。本概述的唯一目的是以簡化形式介紹本發(fā)明的一些概念而作為對隨后介紹的更詳細描述的前序部分。根據(jù)一個方面，本發(fā)明提供了一種用于在避免雜質(zhì)污染的情況下研磨硼的加工系統(tǒng)。加工系統(tǒng)包括用于減小硼原料顆粒大小的噴射研磨機。該系統(tǒng)包括用于朝向噴射研磨機傳送硼原料的原料入口。該系統(tǒng)包括用于將至少一種氣體傳送到噴射研磨機中的至少一個入口。該氣體和硼原料在研磨減小硼顆粒大小期間在噴射研磨機內(nèi)混合。該系統(tǒng)包括操作地連接至該至少一個入口的該至少一種氣體的源。該至少一種氣體是避免在研磨減小硼顆粒大小期間轉(zhuǎn)移雜質(zhì)的氣體。其中，硼原料包括按重量計為至少98%的B-IO硼。根據(jù)另一個方面，本發(fā)明提供了一種在避免雜質(zhì)污染的情況下研磨硼的方法。該方法包括提供用于減小硼原料顆粒大小的噴射研磨機。原料入口設(shè)置成用于朝向噴射研磨機傳送硼原料。至少一個入口設(shè)置成用于將至少一種氣體傳送到噴射研磨機中。該氣體和硼原料在研磨減小硼顆粒大小期間在噴射研磨機內(nèi)混合。該至少一種氣體的源被提供并且操作地連接至該至少一個入口。該至少一種氣體是避免在研磨減小硼顆粒大小期間轉(zhuǎn)移雜質(zhì)的氣體。其中，硼原料包括按重量計為至少98%的B-IO硼。


當參照附圖研讀下列描述，本發(fā)明的前述和其它的方面對本發(fā)明所涉及領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將變得顯而易見，其中
圖I是根據(jù)本發(fā)明的方面的示范加工系統(tǒng)的示范噴射研磨機的示意平面圖；圖2是圖I的示范加工系統(tǒng)的截面圖，并且還示出了示范系統(tǒng)的氣體供應裝置，該截面圖示出了經(jīng)過加工系統(tǒng)的上部分的圖I中的截面A-A和經(jīng)過加工系統(tǒng)的下部分的圖I中的截面B-B ;和圖3是根據(jù)本發(fā)明的方面的在噴射研磨機中研磨硼原料的示范方法的上層流程圖。
具體實施例方式在附圖中描述和示出的是結(jié)合本發(fā)明的一個或更多個方面的示范實施例。這些示出的實例并非意圖是對本發(fā)明的限制。例如， 本發(fā)明的一個或更多個方面可用在其它的實施例且甚至是其它類型的裝置中。此外，某些術(shù)語在文中僅是為了方便使用而并不看作是對本發(fā)明的限制。更進一步，在附圖中相同的附圖標記用于表示相同的元件。包括噴射研磨機42的示范加工系統(tǒng)40大體示出在圖I和圖2內(nèi)。在一個具體實例中，加工系統(tǒng)40用于生產(chǎn)被研磨的硼粉末。應當理解，也可研磨其它的粉末。加工系統(tǒng)40根據(jù)本發(fā)明的方面利用至少一種惰性氣體，如將在下文詳細地描述。應當理解，圖I和圖2示出了可能的結(jié)構(gòu)/構(gòu)造等的一個實例，并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)可設(shè)想到其它的實例。應當注意，圖I指示了用于提供圖2的截面圖的復合截面位置(即，不同的部分是沿著不同的相應截面線予以截取)。具體而言，圖2中示出的截面是經(jīng)過加工系統(tǒng)40的上部分的截面A-A (圖I)和經(jīng)過加工系統(tǒng)的下部分的截面B-B (圖I)的組合。噴射研磨機42用于減小硼原料44的顆粒大小。示出的示范噴射研磨機42是渦流型噴射研磨機。然而，噴射研磨機可以是其它類型的，例如但不受限于流化床噴射研磨機。應當理解，圖2中示出的硼原料44僅出于說明的目的，而并不表示實際顆粒大小或標度大小，并且因此不應當用于確定相對尺寸。硼原料44可包括各種大小的顆粒，并且可通過特定的“網(wǎng)孔(mesh)”或“篩目(screen)”顆粒大小(多個)予以標識。此外，硼原料可包括B-IO硼，使得B-IO占至少98%的重量。加工系統(tǒng)40還可包括第一氣體入口 46，其用于將供給氣體48(以瓶裝型源的實例示意性地表示)傳送到噴射研磨機42中。第一氣體入口 46可包括噴嘴50以將供給氣體48的流動引導到噴射研磨機42中并且使供給氣體48加速。因此，產(chǎn)生前行到噴射研磨機42中的供給氣體入口流。入口管52可用于將供給氣體48從第一氣體入口 46傳送到噴射研磨機42。入口管52可與噴射研磨機42的圓周切向地附接至噴射研磨機42 (在圖2中最佳地示出)。應當理解，供給氣體48源和第一氣體入口 46之間的連接可固定成使得很少或沒有環(huán)境大氣能與供給氣體48 —起進入到噴射研磨機42中。此外，應當理解，供給氣體48源和第一氣體入口 46之間的連接可固定成使得很少或沒有供給氣體48泄漏至環(huán)境大氣。加工系統(tǒng)40還包括原料入口 54，其用于將硼原料44傳送到供給氣體48的供給氣體入口流中，使得原料44與供給氣體48混合并且與供給氣體48 —起前行到噴射研磨機42中。原料入口 54可設(shè)置為入口管52中的孔口，該孔口使硼原料44能夠進入流過該孔口的供給氣體流。包含硼原料44的硼原料料斗56 (例如，漏斗形裝置或相似裝置)附接至入口管52以在入口 54處供應硼原料44。應當理解，原料料斗56 (或相似裝置)可固定/密封成使得很少或沒有環(huán)境大氣能與原料44 一起進入到噴射研磨機42中。在加工系統(tǒng)40中還包括第二氣體入口 60，其用于將研磨氣體62 (以瓶裝型源的實例示意性地表示)傳送到噴射研磨機42中。第二氣體入口 60可設(shè)置有噴嘴50以引導研磨氣體62的流動并且使研磨氣體62加速。應當理解，研磨氣體62源和第二氣體入口 60之間的連接可固定成使得很少或沒有環(huán)境大氣能與研磨氣體62 —起進入到噴射研磨機42中。此外，應當理解，研磨氣體62源和第二氣體入口 60之間的連接可固定成使得很少或沒有研磨氣體62泄漏至環(huán)境大氣。研磨氣體62可利用圍繞噴射研磨機42外部的環(huán)形歧管64而引導到噴射研磨機42中。環(huán)形歧管64給予研磨氣體62圍繞噴射研磨機42的整個圓周流動的定向運動。研 磨氣體62經(jīng)由沿著環(huán)形歧管64分布的多個孔口 66而從環(huán)形歧管64前行至噴射研磨機42?？卓?66設(shè)計成在與噴射研磨機42的圓周充分相切的方向上將研磨氣體62的流動引導到噴射研磨機42中。加工系統(tǒng)40的噴射研磨機42還包括研磨室70。研磨室70可以是如本領(lǐng)域中已知的渦流型研磨室。研磨室70可為圓柱形形狀，其具有為其高度若干倍大的直徑。供給氣體48及其攜帶的硼原料44在與研磨室70圓周的切向方向上進入噴射研磨機42的研磨室70。研磨氣體62也在與研磨室70的圓周充分相切的方向上引入到研磨室70中。供給氣體48和研磨氣體62的流動方向在研磨室70中產(chǎn)生渦流流動路徑。因此，原料44和氣體(供給氣體48和研磨氣體62)在噴射研磨機42的研磨室70內(nèi)混合。供給氣體48和研磨氣體62將高速度和高能量給予所攜帶的硼原料44，從而迫使硼原料44顆粒在圍繞研磨室70內(nèi)的渦流行進時高速碰撞。顆粒之間的這些高速碰撞和顆粒與研磨室70壁之間的碰撞使得硼原料44破裂成越來越小的顆粒。離心力傾向于使較大硼原料44顆粒保持更靠近研磨室70的圓周。當硼原料44顆粒變得越來越小時，它們能夠移動至更靠近研磨室的中心，從而一直被其它的硼顆粒撞擊。換言之，當硼原料44顆粒研磨成越來越小的大小時，它們具有將迫使其朝向研磨室外圓周的較小質(zhì)量。最后，硼原料顆粒磨碎成由期望顆粒大小構(gòu)成的被研磨硼粉末72。所產(chǎn)生的顆粒大小可經(jīng)由若干操作參數(shù)控制，這些操作參數(shù)包括供給氣體48和研磨氣體62的流速和壓力、噴嘴50幾何形狀、研磨室70幾何形狀以及硼原料44的供給速率。加工系統(tǒng)40可在噴射研磨硼原料44顆粒到范圍在一微米內(nèi)的大小時使用，但也可設(shè)想到其它的顆粒大小范圍。加工系統(tǒng)40還包括用于從研磨室70排放被研磨硼粉末72的出口 74。供給氣體48和研磨氣體62也從出口 74排出?，F(xiàn)在認為是被研磨硼粉末72的較小顆粒最終移動至研磨室的中心，并且經(jīng)由退出/排出的供給氣體48和研磨氣體62而運送穿過出口 74。示出的實例將出口 74設(shè)置在研磨室70頂部處的地點，處在與研磨室70同軸的位置。在穿過出口 74之后，被研磨的硼粉末72可根據(jù)顆粒大小而容易地收集/捕獲和分類。另外，流經(jīng)出口的供給氣體48和研磨氣體62可予以收集/捕獲和回收，或者可將其排放至環(huán)境大氣。根據(jù)本發(fā)明的方面，所描述的加工系統(tǒng)40可提供包含相對少量的雜質(zhì)或沒有雜質(zhì)的被研磨的硼粉末72。不管硼44、72和氣體48、62在研磨期間的混合，該方面都會發(fā)生。這種最小化的雜質(zhì)量與利用包含作為示范污染雜質(zhì)的油的壓縮空氣進行的研磨形成對比。提供包含相對少量的雜質(zhì)或沒有雜質(zhì)的被研磨的硼粉末72的發(fā)明方面通過選定用于加工系統(tǒng)40的適當?shù)墓┙o氣體48和/或研磨氣體62來完成。對于供給氣體48和/或研磨氣體62的選定的一個根據(jù)是在氣體內(nèi)缺少可能在研磨期間轉(zhuǎn)移到硼原料44/被研磨硼粉末72的雜質(zhì)。因此，將硼原料44研磨成被研磨的硼粉末72使得所產(chǎn)生的被研磨硼粉末72包含減少量的雜質(zhì)是選擇供給氣體48和/或研磨氣體62 (可以是同一氣體)以給予硼原料44較少(如果有)雜質(zhì)的直接結(jié)果。在一個實例中，氮選擇為供給氣體48和/或研磨氣體62。因此，使用氮而不是包含較高水平雜質(zhì)的諸如壓縮空氣的氣體。如提到的那樣，先前/已知的研磨機通常使用壓縮空氣作為供給氣體和研磨氣體，并且因此某些噴射研磨機操作參數(shù)針對壓縮空氣的使用而進行設(shè)定。氮氣的粘度和一般特性與空氣的粘度和一般特性相似，因此導致噴射研磨機42的操作參數(shù)很少需要變化。氮的供應裝置(以圖2中的瓶裝型源示意性地表示)可以是供應氮的任何合適裝置。例如，該供應裝置可包括帶有使液態(tài)氮氣化的蒸發(fā)器的液態(tài)氮容器，或壓縮氮氣容器。應當注意，如果供給氣體48和研磨氣體62 二者都是氮，則圖2中的示意性地表示的瓶裝型源可結(jié)合成單一源。
另外，用于氮的工業(yè)凈化過程消除氣體中的大百分比的雜質(zhì)。當在工業(yè)地點處用作壓縮空氣的代替物時，氮不會給予硼原料44或被研磨硼粉末72顯著量的雜質(zhì)。氮用作供給氣體48和研磨氣體62能夠生產(chǎn)雜質(zhì)量減少的被研磨硼粉末72,該減少量的雜質(zhì)小于大約O. I重量百分比的可溶殘余物。這種水平的雜質(zhì)可認為是不影響被研磨硼粉末72親水性質(zhì)的可接受水平的可溶殘余物。盡管留意于噴射研磨機42的操作參數(shù)，但其它實例也可基于其它氣體的利用。例如，其它的惰性氣體可用作供給氣體48和/或研磨氣體62。作為具體實例，稀有氣體可用作供給氣體48和/或研磨氣體62。一個具體的稀有氣體實例是氬。惰性/稀有氣體(多種)的供應裝置(以圖2中的瓶裝型源示意性地表示)可以是供應惰性/稀有氣體(多種)的任何合適裝置(多種)。稀有氣體對硼而言是化學惰性的。作為又一個實例，與普通壓縮空氣相比，蒸氣可用作供給氣體48和/或研磨氣體62以減少雜質(zhì)。此種蒸氣可通過煮沸液態(tài)水源而產(chǎn)生。因此，蒸氣的供應裝置(以圖2中的瓶裝型源示意性地表示)可以是供應蒸氣的任何合適裝置(多種)。蒸氣不會化學地影響硼，并且因此對該過程而言可認為是化學惰性的。利用惰性氣體噴射研磨硼原料44以滿足純度要求的方法和相關(guān)過程系統(tǒng)是從被研磨硼粉末72中減少雜質(zhì)的一個解決方案。另外，當減少在被研磨硼粉末72內(nèi)發(fā)現(xiàn)的雜質(zhì)時，以氮氣代替標準車間壓縮空氣是一種對于其它凈化氣體的低成本備選方案。氮氣的性質(zhì)與壓縮空氣的性質(zhì)相似，從而導致用于噴射研磨工藝規(guī)程的較少操作參數(shù)變化。此外，氮用作供給氣體48和研磨氣體62減小了已磨碎原料氧化的可能性。在圖3中大體描述了利用惰性氣體噴射研磨硼粉末以滿足純度要求的示范方法。該方法可與圖I和圖2中示出的示范噴射研磨機相結(jié)合地執(zhí)行。該方法包括步驟110，也即提供用于減小硼原料顆粒大小的噴射研磨機。硼原料可包括各種大小的顆粒，并且可通過特定的“網(wǎng)孔”或“篩目”大小予以標識。噴射研磨機可以是本領(lǐng)域中已知的許多類型，包括但不限于渦流型噴射研磨機和流化床噴射研磨機。該方法包括步驟112，也即設(shè)置用于允許供給氣體進入噴射研磨機的第一氣體入口。第一氣體入口可包括噴嘴以將供給氣體的流動引導到噴射研磨機中并且使供給氣體加速。入口管可用于將供給氣體從第一氣體入口傳送到噴射研磨機。
該方法包括步驟114，也即設(shè)置用于允許硼原料進入供給氣體入口流的原料入口。原料入口可包括入口管中的孔口，該孔口使硼原料能夠進入流過該孔口的供給氣體流。包含硼原料的硼原料漏斗、料斗或相似裝置可附接至入口管。該方法還包括步驟116，也即設(shè)置用于允許研磨氣體進入噴射研磨機的第二氣體入口。第二氣體入口可設(shè)置有噴嘴以引導研磨氣體的流動進入環(huán)形歧管并且使研磨氣體加速。該方法還包括步驟118，也即設(shè)置研磨室。研磨室可以是如本領(lǐng)域中已知的渦流型研磨室。研磨室可為圓柱形形狀，其具有為其高度若干倍大的直徑。該方法還包括步驟120，也即設(shè)置來自研磨室的出口以便移除被研磨的硼粉末、供給氣體和研磨氣體。出口可位于研磨室的頂壁上，從而與研磨室共享中心軸線。該方法還進一步包括步驟122，也即允許供給氣體進入第一氣體入口。供給氣體以充分的壓力和體積供應以操作噴射研磨機。噴嘴典型地用于引導供給氣體、使供給氣體加速，以及在供給氣體進入噴射研磨機時產(chǎn)生流暢的供給氣體流。該方法還包括步驟124，也即允許硼原料進入供給氣體入口流。當硼原料移動經(jīng)過原料入口時，硼原料變成攜帶在供給氣體入口流中。隨后，供給氣體入口流在與研磨室圓柱形本體的切向方向上將硼原料傳送到研磨室。該方法還包括步驟126，也即允許研磨氣體進入第二氣體入口。渦流噴射研磨機可包括圍繞其圓周的環(huán)形歧管。環(huán)形歧管可包括孔口，該孔口設(shè)計成在與研磨室圓柱形本體的切向方向上將研磨氣體引導到研磨室中，從而在研磨室內(nèi)產(chǎn)生渦流流動路徑。該方法還進一步包括步驟128，也即將硼原料研磨成被研磨的硼粉末，其中，被研磨的硼粉末包含減少量的雜質(zhì)。供給氣體和研磨氣體對所攜帶的硼原料給予高速度和高能量，從而迫使硼原料顆粒在圍繞研磨室內(nèi)的渦流行進時高速碰撞。這些高速碰撞使得硼原料破裂成越來越小的顆粒。離心力傾向于使較大硼原料顆粒保持更靠近研磨室的圓周。當硼原料顆粒變得越來越小時，它們能夠移動至更靠近研磨室的中心，從而一直被其它的硼顆粒撞擊。最后，硼原料顆粒磨碎成由期望顆粒大小構(gòu)成的硼粉末。該方法還包括步驟130，也即從出口移除被研磨的硼粉末、供給氣體和研磨氣體。當硼原料顆粒磨碎成越來越小的大小時，它們具有將迫使其朝向研磨室圓周的較小質(zhì)量。最后，較小顆粒移動至研磨室的中心，并且在供給氣體和研磨氣體經(jīng)由出口退出研磨室時通過該氣體運送穿過出口。在該方法的一個實例中，氮選擇為供給氣體和/或研磨氣體。因此，使用氮而不是包含較高水平雜質(zhì)的諸如壓縮空氣的氣體。如提到的那樣，先前/已知的研磨機通常使用壓縮空氣作為供給氣體和研磨氣體，并且因此某些噴射研磨機操作參數(shù)針對壓縮空氣的使用而設(shè)定。氮氣的粘度和一般特性與空氣的粘度和一般特性相似，因此導致噴射研磨機的操作參數(shù)較少需要變化。此外，當用作壓縮空氣的代替物時，氮并不給予硼顯著量的雜質(zhì)。氮用作供給氣體和研磨氣體能夠生產(chǎn)雜質(zhì)量減少的被研磨硼粉末，該減少量的雜質(zhì)小于大約O. I重量百分比的可溶殘余物。這種水平的雜質(zhì)可認為是不影響被研磨硼粉末親水性質(zhì)的可接受水平的可溶殘余物。其它的實例也可基于其它氣體的利用。例如，其它的惰性氣體可用作供給氣體和/或研磨氣體。作為具體實例，稀有氣體可用作供給氣體和/或研磨氣體。一個具體稀有氣體實例是氬。作為又一個實例，與普通壓縮空氣相比，蒸氣可用作供給氣體和/或研磨氣體以減少雜質(zhì)。蒸氣不會化學地影響硼，并且因此對該過程而言可認為是化學惰性的。本書面描述使用包括最佳模式 的實例來公開本發(fā)明，并且還使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，包括制備和使用任何裝置或系統(tǒng)并且執(zhí)行任何所結(jié)合的方法。本發(fā)明的專利權(quán)范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所想到的其它實例。如果此類其它實例具有與權(quán)利要求的字面語言并無不同的結(jié)構(gòu)元件或者如果此類其它實例包括與權(quán)利要求的字面語言并無實質(zhì)差別的等效結(jié)構(gòu)元件，則認為這些其它實例在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在避免雜質(zhì)污染的情況下研磨硼(44，72)的加工系統(tǒng)(40)，所述加工系統(tǒng)(40)包括 噴射研磨機(42)，其用于減小硼原料(44)的顆粒大小； 原料入口(54)，其用于朝向所述噴射研磨機(42)傳送所述硼原料(44)； 至少ー個入口(例如，46，60)，其用于將至少ー種氣體(例如，48，62)傳送到所述噴射研磨機(42)中，所述氣體和所述硼原料(44)在研磨減小硼顆粒大小期間在所述噴射研磨機(42)內(nèi)混合;和 所述至少一種氣體的源，其操作地連接至所述至少ー個入ロ(例如，46，60)，其中，所述至少一種氣體(例如，48，62)是避免在研磨減小硼顆粒大小期間轉(zhuǎn)移雜質(zhì)的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，48，62)是惰性氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，48，62)是氮。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，48，62)是稀有氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，48，62)是気。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，48，62)是蒸氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，被研磨的硼粉末(72)中的雜質(zhì)量不大于大約O. I重量百分比的可溶殘余物。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，用于將所述至少ー種氣體傳送到所述噴射研磨機(42)中的所述至少ー個入口包括供給氣體入口(46)，其中，所述供給氣體(48)使所述硼原料(44)移動。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加工系統(tǒng)(40)，其特征在于，用于將所述至少ー種氣體傳送到所述噴射研磨機(42)的所述至少ー個入口包括磨碎氣體入口(60)。
10.一種在避免雜質(zhì)污染的情況下研磨硼(44，72)的方法，所述方法包括 提供噴射研磨機(42)，所述噴射研磨機用于減小硼原料(44)的顆粒大??； 設(shè)置原料入口(54)，所述原料入口用于朝向所述噴射研磨機(42)傳送所述硼原料(44)； 設(shè)置至少ー個入口(例如，46，60)，所述至少ー個入口用于將至少ー種氣體(例如，48，62)傳送到所述噴射研磨機(42)中； 在研磨減小硼顆粒大小期間使所述氣體(例如，48，62)和所述硼原料(44)在所述噴射研磨機內(nèi)混合；和 提供所述至少一種氣體(例如，48，62)的源，所述至少一種氣體的源操作地連接至所述至少ー個入ロ(例如，46，60)，其中，所述至少一種氣體是避免在研磨減小硼顆粒大小期間轉(zhuǎn)移雜質(zhì)的氣體(例如，48，62)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，46，60)是惰性氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，46，60)是氮。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，46，60)是稀有氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，46，60)是'11 , ο
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一種氣體(例如，46，60)是蒸氣。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，被研磨的硼粉末(72)中的雜質(zhì)量不大于大約O. I重量百分比的可溶殘余物。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，用于將所述至少ー種氣體傳送到所述噴射研磨機(42)中的所述至少ー個入口包括供給氣體入口(46)，其中，所述供給氣體(48)使所述硼原料(44)移動。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，用于將所述至少ー種氣體傳送到所述噴射研磨機中的所述至少ー個入口包括磨碎氣體入口(60)。
全文摘要
本發(fā)明涉及利用惰性氣體噴射研磨硼粉末以滿足純度要求。提供了用于避免雜質(zhì)污染的研磨硼(44，72)的加工系統(tǒng)(40)和相關(guān)方法。該系統(tǒng)包括用于減小硼原料(44)的顆粒大小的噴射研磨機(42)和用于朝向噴射研磨機(42)傳送硼原料(44)的原料入口(54)。該系統(tǒng)包括至少一個入口(例如，46，60)，其用于將至少一種氣體(例如，48，62)傳送到噴射研磨機(42)中。氣體和硼原料(44)在研磨減小硼顆粒大小期間在噴射研磨機(42)內(nèi)混合。該系統(tǒng)包括至少一種氣體的源，其操作地連接至至少一個入口(例如，46，60)，其中，該至少一種氣體(例如，48，62)是避免在研磨減小硼顆粒大小期間轉(zhuǎn)移雜質(zhì)的氣體。
文檔編號B02C19/06GK102847596SQ20121031961
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者J·M·盧斯蒂格, J·L·約翰寧 申請人:通用電氣公司