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一種光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法_4

文檔序號(hào):9218745閱讀:來源:國(guó)知局
Si02,紫外光固化樹脂層22包括85%的蟲膠、9%的反應(yīng)稀釋劑和6%的三芳基硫型 六氟磷鹽,周期數(shù)n為8,器件結(jié)構(gòu)為:
[0114]Si襯底/ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(lOOnm) / [Si02 (200nm) / 紫外光固化樹脂(500nm)]8
[0115] 制備方法與實(shí)施例13相似。
[0116] 實(shí)施例18
[0117] 如圖3所示,1為有機(jī)薄膜晶體管器件,底電極18為IT0,絕緣層19為聚甲基丙烯 酸甲醋(PMMA),載流子傳輸層20為并五苯(Pentacene),頂電極23為Au,無機(jī)封裝材料層 21為Si02,紫外光固化樹脂層22包括88%的蟲膠、6%的反應(yīng)稀釋劑和6%的三芳基硫型 六氟磷鹽,周期數(shù)n為2,器件結(jié)構(gòu)為:
[0118]Si襯底/ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(lOOnm) / [Si02 (200nm) / 紫外光固化樹脂(500nm)]2
[0119] 制備方法與實(shí)施例13相似。
[0120] 對(duì)比實(shí)施例1
[0121] 如圖4所示,1為有機(jī)電致發(fā)光器件,陽極層12為IT0,空穴傳輸層13為N,N' -二 (萘亞甲基-1-yl) -N,N' -二(苯基)-聯(lián)苯胺(NPB),電子傳輸層14為1,3, 5-(三N-苯 基-2-苯并咪唑-2)苯41 (TPBi),陰極層15為Mg:Ag合金,器件結(jié)構(gòu)為:
[0122] 玻璃襯底 /ITO/NPB(50nm)/TPBi(30nm) /Mg:Ag(200nm)
[0123] 制備方法如下:
[0124] ①利用洗滌劑、丙酮溶液、乙醇溶液和去離子水超聲清洗基片并用氮?dú)獯蹈桑?br>[0125] ②將干凈的基片傳至高真空蒸發(fā)室,分別保持有機(jī)腔和金屬腔的壓強(qiáng)為 3.OXl(T4Pa和3.OXl(T3Pa以下,利用高真空蒸鍍方法制備各有機(jī)功能層以及陰極金屬 層;
[0126] ③測(cè)試器件的壽命及其各項(xiàng)參數(shù)。
[0127] 表1:對(duì)比實(shí)施例1和實(shí)施例1、2、3、4、5、6的光電子器件壽命的性能對(duì)比。
[0128]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光電子器件的封裝結(jié)構(gòu),包括用于包覆光電子器件的薄膜封裝層,其特征在 于,薄膜封裝層由無機(jī)封裝材料層和紫外光固化樹脂層以周期數(shù)n交替重疊組成,其中, 2 <n< 24,所述紫外光固化樹脂由以下質(zhì)量百分比的組份組成: 蟲膠 70~88% 反應(yīng)稀釋劑 6~18% 三芳基硫型六氟磷鹽6~12%。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述反應(yīng)稀釋劑為活 性環(huán)氧樹脂稀釋劑或環(huán)醚或環(huán)內(nèi)酯或乙烯基醚單體,乙烯基醚單體為1,2, 3-丙三醇縮水 甘油醚、三乙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、 全氟正丙基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、乙烯基乙醚、乙基乙烯基醚、乙基 乙烯基醚丙烯、乙二醇單烯丙基醚、羥丁基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、三氟氯乙烯、三甘醇二 乙烯基醚、乙烯基甲醚、乙烯基正丁醚、十二烷基乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚、三芐基苯酚聚 氧乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚或叔丁基乙烯基 醚中的一種或多種,活性環(huán)氧樹脂稀釋劑為3,4_環(huán)氧基環(huán)己基甲酸-3',4'-環(huán)氧基環(huán) 己基甲酯、雙酚A型環(huán)氧樹脂(EP)、環(huán)氧丙烯酸酯、環(huán)氧乙烯基酯、丙烯酸環(huán)氧酯、甲基丙烯 酸環(huán)氧酯或水溶性衣康酸環(huán)氧酯樹脂中的一種或多種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述無機(jī)封裝材料為 金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物,金屬氧化物為氧化鈣、五氧化二鉭、二氧化鈦、二 氧化鋯、氧化銅、氧化鋅、三氧化二鋁、三氧化二鉻、二氧化錫、氧化鎳或五氧化二銻中的一 種或多種,金屬硫化物為二硫化鈦、硫化鐵、三硫化二絡(luò)、硫化銅、硫化鋅、二硫化錫、硫化 鎳、三硫化二鈷、三硫化二銻、硫化鉛、三硫化二鑭、硫化鈰或二硫化鋯中的一種或多種,金 屬氮化物為氮化硅或氮化鋁中的一種或兩種。4. 一種光電子器件的封裝方法,其特征在于,具體包括以下步驟: ① 制備光電子器件; ② 在所制備的光電子器件上制備無機(jī)封裝材料層; ③ 在無機(jī)封裝材料層上制備紫外光固化樹脂層,所述紫外光固化樹脂的組份: 蟲膠 70~88% 反應(yīng)稀釋劑 6~18% 三芳基硫型六氟磷鹽6~12% ; ④ 對(duì)步驟③處理后的光電子器件表面進(jìn)行紫外光固化處理30秒; ⑤ 對(duì)紫外光固化后的器件,繼續(xù)重復(fù)步驟②、③和④的操作,連續(xù)重復(fù)n-1次, 2彡n彡24 ; ⑥ 測(cè)試封裝后器件的壽命以及其他各項(xiàng)參數(shù)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子器件的封裝方法,所述無機(jī)封裝材料層和紫外光固化 樹脂層是通過真空蒸鍍、離子團(tuán)束沉積、離子鍍、直流濺射鍍膜、RF濺射鍍膜、離子束濺射鍍 膜、離子束輔助沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、高密度電感耦合式等離子體源化學(xué)氣相沉 積、觸媒式化學(xué)氣相沉積、磁控濺射、噴墨打印、電鍍、噴涂、旋涂、浸涂、輥涂或LB膜中的一 種或者幾種方式而形成。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子器件的封裝方法,其特征在于,所述光電子器件是一 種光電之間、電電之間或電光之間可以進(jìn)行信號(hào)和能量轉(zhuǎn)換的器件。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電子器件的封裝方法,其特征在于,光電子器件為有機(jī)電 致發(fā)光二極管、無機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池、無機(jī)太陽能電池、有機(jī)薄膜晶體管、無機(jī) 薄膜晶體管或光探測(cè)器。8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子器件的封裝方法,其特征在于,所述反應(yīng)稀釋劑為活 性環(huán)氧樹脂稀釋劑或環(huán)醚或環(huán)內(nèi)酯或乙烯基醚單體,乙烯基醚單體為1,2, 3-丙三醇縮水 甘油醚、三乙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、 全氟正丙基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、乙烯基乙醚、乙基乙烯基醚、乙基 乙烯基醚丙烯、乙二醇單烯丙基醚、羥丁基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、三氟氯乙烯、三甘醇二 乙烯基醚、乙烯基甲醚、乙烯基正丁醚、十二烷基乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚、三芐基苯酚聚 氧乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚或叔丁基乙烯基 醚中的一種或多種,活性環(huán)氧樹脂稀釋劑為3,4_環(huán)氧基環(huán)己基甲酸-3',4'-環(huán)氧基環(huán) 己基甲酯、雙酚A型環(huán)氧樹脂(EP)、環(huán)氧丙烯酸酯、環(huán)氧乙烯基酯、丙烯酸環(huán)氧酯、甲基丙烯 酸環(huán)氧酯或水溶性衣康酸環(huán)氧酯樹脂中的一種或多種。9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子器件的封裝方法,其特征在于,所述無機(jī)封裝材料為 金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物,金屬氧化物為氧化鈣、五氧化二鉭、二氧化鈦、二 氧化鋯、氧化銅、氧化鋅、三氧化二鋁、三氧化二鉻、二氧化錫、氧化鎳或五氧化二銻中的一 種或多種,金屬硫化物為二硫化鈦、硫化鐵、三硫化二絡(luò)、硫化銅、硫化鋅、二硫化錫、硫化 鎳、三硫化二鈷、三硫化二銻、硫化鉛、三硫化二鑭、硫化鈰或二硫化鋯中的一種或多種,金 屬氮化物為氮化硅或氮化鋁中的一種或兩種。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,對(duì)光電子器件采用薄膜封裝方法進(jìn)行封裝,薄膜封裝層包覆光電子器件,薄膜封裝層由無機(jī)封裝材料層和紫外光固化樹脂層交替重疊組成,所述紫外光固化樹脂包括以下組份:蟲膠、反應(yīng)稀釋劑和三芳基硫型六氟磷鹽。該封裝方法能夠有效地阻擋周圍環(huán)境中的氧氣和水,有利于提高器件的穩(wěn)定性,延長(zhǎng)器件的壽命;同時(shí),該封裝方法具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低的特點(diǎn)。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/10, H01L51/44
【公開號(hào)】CN104934547
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510212907
【發(fā)明人】于軍勝, 王煦, 周殿力, 王曉
【申請(qǐng)人】電子科技大學(xué)
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年4月29日
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